JP4719167B2 - Semiconductor memory information storage device and its write failure countermeasure method - Google Patents
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Description
本発明は、半導体メモリに素材データ等の情報を蓄積する半導体メモリ情報蓄積装置に係り、特に半導体メモリの書き込み不良対策方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor memory information storage device for storing information such as material data in a semiconductor memory, and more particularly to a method for dealing with a write failure in a semiconductor memory.
半導体メモリを記録媒体として使用する情報蓄積装置は、例えば、複数チャンネル同時マルチアクセスや高速ランダムアクセスが可能となることから、素材データ等の情報コンテンツの記録再生に広く普及されつつある。特に、この半導体メモリ情報蓄積装置は、稼動部分が無いため、信頼性が高いという利点を有する。 Information storage devices that use a semiconductor memory as a recording medium are becoming widespread in recording and reproducing information contents such as material data because, for example, simultaneous multi-channel multiple access and high-speed random access are possible. In particular, this semiconductor memory information storage device has an advantage of high reliability because there is no operating part.
上記情報蓄積装置に利用される半導体メモリには、比較的安価で大容量化に優れた不揮発性メモリが用いられている。しかしながら、不揮発性メモリには、出荷時から書き込めない不良部位（先天性バッドブロック）が存在することがあり、さらには同一箇所に書き込みを繰り返し行うことにより不良部位（後天性バッドブロック）が発生することもある。これら不良部位の存在は、半導体メモリにおけるデータの正常な記憶を妨げる要因となっている。 As a semiconductor memory used for the information storage device, a nonvolatile memory that is relatively inexpensive and excellent in capacity increase is used. However, a non-volatile memory may have a defective portion (congenital bad block) that cannot be written from the time of shipment, and a defective portion (acquired bad block) is generated by repeatedly writing to the same portion. Sometimes. The presence of these defective portions is a factor that hinders normal storage of data in the semiconductor memory.
これに対し、従来の半導体メモリ情報蓄積装置では、素材データを正常に蓄積させるため、半導体メモリにおけるバッドブロックを避けてデータを書き込むよう制御している。しかしながら、半導体メモリにおいて後天性バッドブロックは突然発生することがあるため、半導体メモリにおけるバッドブロックを避けて素材データを書き込むようにしても、書き込みの最中にバッドブロックが発生し、書き込み失敗となってしまう場合があった。このため、書き込みに長時間かかる映像データ等を半導体メモリに書き込んでいる最中に書き込みエラーが生じると、再度最初からその映像データを書き込まなければならず、時間の大幅なロスとなってしまっていた。 On the other hand, in the conventional semiconductor memory information storage device, in order to normally store the material data, control is performed so that data is written while avoiding bad blocks in the semiconductor memory. However, since an acquired bad block may occur suddenly in a semiconductor memory, even if the material data is written avoiding the bad block in the semiconductor memory, a bad block is generated during the writing and the writing fails. There was a case. For this reason, if a write error occurs while writing video data that takes a long time to write into the semiconductor memory, the video data must be written again from the beginning, resulting in a significant loss of time. It was.
なお、半導体メモリ情報蓄積装置に搭載されたタイマーにより、半導体メモリへの書き込みを強制停止させ、その続きを他の半導体メモリへ書き込むことで、突然発生する半導体メモリのバッドブロックに起因する書き込みエラーを回避する例もある（例えば、特許文献１参照）。
以上のように、従来の不揮発性メモリを用いた半導体メモリ情報蓄積装置は、書き込みの最中にエラーが生じると、再度同じデータを最初から書き込まなくてはならず、情報の書き込みに多大な時間を費やす要因となっていた。 As described above, in the conventional semiconductor memory information storage device using a nonvolatile memory, if an error occurs during writing, the same data must be written again from the beginning. Was a factor of spending money.
この発明は上記事情によりなされたもので、その目的は、突然の書き込みエラーが生じた場合でも正常に運用できる半導体メモリ情報蓄積装置とその書き込み不良対策方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor memory information storage device which can be normally operated even when a sudden write error occurs and a method for dealing with the write failure.
上記目的を達成するため、本発明は、ページ単位で書き込み可能な不揮発性メモリを情報記憶媒体とする蓄積部と、前記蓄積部に対する情報データの書き込み・読み出し時に当該情報データを一時的に保存するもので、当該情報データの書き込み時には前記一時保存された情報データを前記蓄積部に出力するバッファ部と、前記不揮発性メモリに予め存在している先天性バッドブロックのアドレス情報を格納する先天性バッドブロックテーブルと、前記不揮発性メモリの運用中に発生する後天性バッドブロックのアドレス情報を格納する後天性バッドブロックテーブルと、前記蓄積部に対して情報データの書き込み・読み出しを行うもので、前記情報データの書き込み時に前記先天性バッドブロックテーブル及び前記後天性バッドブロックテーブルから先天性、後天性それぞれのバッドブロックのアドレス情報を読み出してバッドブロックが存在しない部位のアドレスを決定し、前記バッファ部における前記情報データの保存量が規定量以上になると当該情報データを前記アドレスに書き込む書き込み／読み出し制御部とを具備し、前記蓄積部は、前記書き込み／読み出し制御部によって書き込みが指示された部位に前記情報データの書き込みエラーが生じる場合に、前記書き込み／読み出し制御部に書き込み不能情報及びその部位のアドレスを通知し、前記書き込み／読み出し制御部は、前記書き込み不能情報及び書き込み不能部位のアドレスに基づいて前記後天性バッドブロックテーブルの内容を登録・更新し、当該登録・更新後の後天性バッドブロックテーブルからバッドブロックのアドレス情報を読み出してバッドブロックが存在しない部位のアドレスに前記情報データを書き込む。 In order to achieve the above object, the present invention provides a storage unit using a nonvolatile memory writable in page units as an information storage medium, and temporarily stores the information data when writing / reading information data to / from the storage unit In writing the information data, the buffer unit that outputs the temporarily stored information data to the storage unit, and the congenital bad that stores the address information of the congenital bad block pre-existing in the nonvolatile memory A block table, an acquired bad block table for storing acquired bad block address information generated during operation of the nonvolatile memory, and writing / reading of information data to / from the storage unit; When writing data, the congenital bad block table and the acquired bad block table The address information of each of the congenital and acquired bad blocks is read from the bull to determine the address of the part where the bad block does not exist, and when the storage amount of the information data in the buffer unit exceeds a specified amount, the information data is A writing / reading control unit for writing to an address, and the storage unit stores the write / reading control unit when an error occurs in writing the information data in a portion where writing is instructed by the writing / reading control unit. The write / unread information and the address of the part thereof are notified, and the write / read control unit registers / updates the contents of the acquired bad block table based on the write-impossible information and the address of the unwritable part, and Bad Bud from the updated acquired bad block table Writing the information data to the address of the site where there is no bad block by reading a click of the address information.
このようにして、本発明の半導体メモリ情報蓄積装置は、先天性バッドブロックテーブルと後天性バッドブロックテーブルとを参照して書き込み可能と判定された蓄積部の半導体メモリのブロックに、書き込み制御部により情報データを書き込むようにしている。また、情報データの書き込みの最中に後天性バッドブロックが発生し、書き込みエラーとなった場合には、書き込み制御部により後天性バッドブロックテーブルを登録・更新し、半導体メモリの新たな書き込み可能ブロックを決定することにより、書き込みが中断された情報データを新たに決定したブロックに書き込むようにしている。 In this manner, the semiconductor memory information storage device of the present invention is configured so that the write control unit applies the block of the semiconductor memory of the storage unit determined to be writable with reference to the congenital bad block table and the acquired bad block table. Information data is written. Also, if an acquired bad block occurs during the writing of information data and a write error occurs, the acquired bad block table is registered and updated by the write control unit, and a new writable block in the semiconductor memory Thus, the information data for which writing has been interrupted is written to the newly determined block.
この発明によれば、半導体メモリへの情報データの書き込み中に書き込みエラーが発生した場合、半導体メモリにおける書き込み可能な別の部位を瞬時に割り当てる制御を行うため、突然の書き込みエラーが生じた場合でも正常に運用できる半導体メモリ情報蓄積装置とその書き込み不良対策方法を提供することが可能である。 According to the present invention, when a write error occurs during the writing of information data to the semiconductor memory, control is performed to instantly assign another writable part in the semiconductor memory, so even if a sudden write error occurs. It is possible to provide a semiconductor memory information storage device that can be operated normally and a method for dealing with defective writing thereof.
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、実際は、情報データとして映像、音声、静止画が入力されるが、書き込みの最中に生じる書き込みエラーによる時間のロスは、容量の大きなデータを書き込むときに顕著であるため、以下では映像についてのみ述べる。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Actually, video, audio, and still images are input as information data, but the time loss due to a writing error that occurs during writing is significant when writing large-capacity data. Only mention.
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体メモリ情報蓄積装置の構成を示すブロック図である。図１において、蓄積部１は、それぞれページ単位で書き込み可能な複数（ここでは３個とする）の不揮発性半導体メモリ１１〜１３を並列に接続して構成される。それぞれの半導体メモリに同じ情報のデータを蓄積することにより、いずれかの半導体メモリに後天性バッドブロックが発生した場合でも、残りの半導体メモリに情報データを書き込むことができるようになされている。 FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor memory information storage device according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the storage unit 1 is configured by connecting in parallel a plurality of (here, three) nonvolatile semiconductor memories 11 to 13 that can be written in page units. By storing the same information data in each semiconductor memory, even if an acquired bad block occurs in any of the semiconductor memories, the information data can be written in the remaining semiconductor memories.
この蓄積部１は、リングバッファ２に一時的に保存されている入力映像データを、書き込み／読み出しコントローラ３による書き込みの制御を受けて取り込み、メモリ１１〜１３に書き込む。また、蓄積部１は、書き込み／読み出しコントローラ３の読み出しの制御によりメモリ１１〜１３から読み出された映像データをリングバッファ２に出力する。
The storage unit 1 takes in the input video data temporarily stored in the
さらに、上記蓄積部１は、書き込み時に書き込みエラーが生じた場合に、エラー発生を示すエラー発生情報及びエラーを生じたブロックを特定するアドレス情報を含む書き込みエラー情報を書き込み／読み出しコントローラ３に通知する機能を備える。 Further, when a write error occurs during writing, the storage unit 1 notifies the write / read controller 3 of error occurrence information indicating the occurrence of an error and write error information including address information for identifying the block in which the error has occurred. It has a function.
上記リングバッファ２は、書き込み単位が半導体メモリと同容量で、書き込み不能が発生しないバッファが複数個つながって構成されており、取り込んだ入力映像データを先頭アドレスから最終アドレスまで順次書き込み、最終アドレスまで行くと先頭アドレスに戻るようになっている。これにより、リングバッファ２は、外部から入力される映像データを内部に書き込み続けることが可能となる。ただし、リングバッファ２が１周して、まだ蓄積部１に書き込めていない映像データを格納しているバッファに映像データを書き込もうとした場合には、リングバッファ２は、外部に書き込みＮＧを出力し、映像データの供給を停止する。
The
さらに、リングバッファ２は、蓄積部１に映像データを書き込むときに、蓄積されるデータの容量が、半導体メモリ１１〜１３の書き込み単位である１ページを超えると、書き込み／読み出しコントローラ３へリングバッファ２に映像データが蓄積された旨のデータ蓄積信号を出力する。また、読み出し時には、リングバッファ２は、蓄積部１からの情報データを一時保存した後、外部へ出力する機能を有する。
Furthermore, the
上記書き込み／読み出しコントローラ３は、蓄積部１に対して入力映像データの書き込み／読み出しを制御するもので、書き込み制御の際にはリングバッファ２からデータ蓄積信号に従い、書き込み制御を開始し、書き込み補助コントローラ４からの指示に従い、書き込みアドレスを制限する。
The writing / reading controller 3 controls writing / reading of input video data to / from the storage unit 1. In writing control, the writing control is started according to the data storage signal from the
また、蓄積部１から書き込みエラー情報の通知を受けたときには、蓄積部１への書き込み制御を中止し、エラー情報を書き込み補助コントローラ４に転送する。そして、再度入力される書き込み補助コントローラ４からの指示に従い、書き込みアドレスを制限し、リングバッファ２に溜まった映像データを書き込むべく蓄積部１に対する書き込み制御を再開する。
When the write error information is received from the storage unit 1, the writing control to the storage unit 1 is stopped and the error information is transferred to the write auxiliary controller 4. Then, according to an instruction from the write auxiliary controller 4 that is input again, the write address is limited, and the write control for the storage unit 1 is resumed to write the video data accumulated in the
上記書き込み補助コントローラ４は、先天性バッドブロックテーブル５及び後天性バッドブロックテーブル６を管理する。ここで、先天性バッドブロックテーブル５は、上記蓄積部１を構成するメモリ１１〜１３に予め存在しているバッドブロック（先天性バッドブロック）のアドレス情報を格納する。また、後天性バッドブロックテーブル６は、上記蓄積部１の運用中にメモリ１１〜１３に発生する後天性バッドブロックのアドレス情報を格納する。 The write auxiliary controller 4 manages the congenital bad block table 5 and the acquired bad block table 6. Here, the congenital bad block table 5 stores the address information of the bad blocks (congenital bad blocks) existing in advance in the memories 11 to 13 constituting the storage unit 1. The acquired bad block table 6 stores address information of acquired bad blocks generated in the memories 11 to 13 during the operation of the storage unit 1.
上記書き込み補助コントローラ４は、データ書き込み時に各テーブル５，６を参照してそれぞれに格納されるアドレス情報以外、すなわちバッドブロックになっていない部位のアドレス情報を書き込みアドレスとして発生するように、上記書き込み／読み出しコントローラ３に指示する。また、書き込み／読み出しコントローラ３からエラー発生情報の通知を受けたとき、その情報に示されるアドレス情報を後天性バッドブロックとして把握し、後天性バッドブロックテーブル６に登録またはその登録内容を更新する。そして、登録・更新後の後天性バッドブロックテーブル６を再度参照し、書き込み可能アドレスを発生するよう書き込み／読み出しコントローラ３に指示する。 The write auxiliary controller 4 refers to each of the tables 5 and 6 at the time of data write, and generates the write information so as to generate address information of a part that is not a bad block other than the address information stored in each table. / Instruct the read controller 3 When the notification of error occurrence information is received from the write / read controller 3, the address information indicated in the information is grasped as an acquired bad block, and is registered in the acquired bad block table 6 or the registered content is updated. Then, the acquired bad block table 6 after registration / update is referred to again to instruct the write / read controller 3 to generate a writable address.
次に、上記構成による半導体メモリ情報格納装置において、図２を参照して上記書き込み／読み出しコントローラ３及び書き込み補助コントローラ４による制御部の処理動作を説明する。 Next, in the semiconductor memory information storage device having the above configuration, the processing operation of the control unit by the write / read controller 3 and the write auxiliary controller 4 will be described with reference to FIG.
図２は、本実施形態に係る書き込み／読み出しコントローラ３及び書き込み補助コントローラ４による制御部が、蓄積部１へ映像データを書き込み際の処理動作を示すフローチャートである。 FIG. 2 is a flowchart showing a processing operation when the control unit of the write / read controller 3 and the write auxiliary controller 4 according to the present embodiment writes video data to the storage unit 1.
まず、外部からの入力映像データの書き込み指示を受けると（ステップＳＴ２ａ）、書き込み補助コントローラ４は、予め要された先天性バッドブロックテーブル５を参照してメモリ１１〜１３それぞれにおける先天性バッドブロックのアドレスを読み出し（ステップＳＴ２ｂ）、このアドレスで示すブロック以外のブロックが書き込み可能であるものとし、書き込み可能ブロックのアドレスを書き込み／読み出しコントローラ３に通知する（ステップＳＴ２ｃ）。次に後天性バッドブロックテーブル６から後天性バッドブロックのアドレスを読み出し（ステップＳＴ２ｄ）、このアドレスで示すブロック以外のブロックが書き込み可能であるものとし、書き込み可能ブロックのアドレスを書き込み／読み出しコントローラ３に通知する（ステップＳＴ２ｅ）。 First, upon receiving an instruction to write input video data from the outside (step ST2a), the writing auxiliary controller 4 refers to the congenital bad block table 5 required in advance, and determines the congenital bad block in each of the memories 11 to 13. The address is read (step ST2b), and blocks other than the block indicated by this address are writable, and the address of the writable block is notified to the write / read controller 3 (step ST2c). Next, the acquired bad block address is read from the acquired bad block table 6 (step ST2d), and blocks other than the block indicated by this address are writable, and the address of the writable block is written to the write / read controller 3. Notification is made (step ST2e).
続いて、書き込み／読み出しコントローラ３は、リングバッファ２からのデータ蓄積信号の有無を判断する（ステップＳＴ２ｆ）。データ蓄積信号があった場合（ステップＳＴ２ｆのＹｅｓ）、リングバッファ２に蓄積された１ページ分の映像データを、メモリ１１〜１３の書き込み可能ブロックに書き込む（ステップＳＴ２ｇ）。ここで蓄積部１から書き込みエラー情報通知の有無を判断し（ステップＳＴ２ｈ）、通知が無ければ（ステップＳＴ２ｈのＮｏ）書き込み処理を終了する。
Subsequently, the write / read controller 3 determines whether or not there is a data accumulation signal from the ring buffer 2 (step ST2f). If there is a data accumulation signal (Yes in step ST2f), the video data for one page accumulated in the
また、一部のメモリで書き込みエラーが発生し、書き込み／読み出しコントローラ３にエラー情報の通知があった場合には（ステップＳＴ２ｈのＹｅｓ）、書き込み補助コントローラ４は、エラー発生ブロックのアドレス情報の登録・更新を行う（ステップＳＴ２ｉ）。次に、書き込み補助コントローラ４は、更新された後天性バッドブロックテーブル６から後天性バッドブロックのアドレスを読み出し（ステップＳＴ２ｊ）、書き込み可能ブロックのアドレスを書き込み／読み出しコントローラ３に再度通知する（ステップＳＴ２ｋ）。 When a write error occurs in some memories and error information is notified to the write / read controller 3 (Yes in step ST2h), the write auxiliary controller 4 registers the address information of the error occurrence block. Update is performed (step ST2i). Next, the write auxiliary controller 4 reads the address of the acquired bad block from the updated acquired bad block table 6 (step ST2j), and notifies the write / read controller 3 again of the address of the writable block (step ST2k). ).
書き込み／読み出しコントローラ３は、リングバッファ２に蓄積された映像データを、メモリ１１〜１３の書き込み可能ブロックに書き込み（ステップＳＴ２ｌ）、その処理動作をＳＴ２ｈに進める。
The write / read controller 3 writes the video data stored in the
以上のように、上記一実施形態では、先天性バッドブロックテーブル５と後天性バッドブロックテーブル６とを参照して書き込み可能と判定されたブロックに映像データを書き込むようにしている。また、映像データの書き込みの最中に後天性バッドブロックが発生し、書き込みエラーとなった場合には、書き込み補助コントローラ４により後天性バッドブロックテーブル６を登録・更新し、これを参照することで半導体メモリ１１〜１３における新たな書き込み可能ブロックを決定し、書き込みが中断された映像データの書き込みを新たに決定したブロックで再開するようにしている。 As described above, in the above-described embodiment, video data is written to a block that is determined to be writable with reference to the congenital bad block table 5 and the acquired bad block table 6. In addition, when an acquired bad block occurs during video data writing and a writing error occurs, the acquired auxiliary block table 6 is registered and updated by the writing auxiliary controller 4 and is referred to. A new writable block in the semiconductor memories 11 to 13 is determined, and writing of video data for which writing has been interrupted is resumed at the newly determined block.
したがって、半導体メモリへの書き込みの最中に書き込みエラーが生じた場合、後天性バッドブロックテーブル６を更新し、新たな書き込み可能ブロックを決定し、そのブロックに書き込み途中のデータを瞬時に書き込むため、装置の外部から見ると、後天性バッドブロックにより書き込みができなかった場合でも、正常に半導体メモリへの書き込みができる。これにより、映像データを書き込んでいる最中に、書き込みエラーが生じても、再度その素材データを最初から書き込む必要がなくなり、時間のロスを回避することが可能となる。 Therefore, when a write error occurs during writing to the semiconductor memory, the acquired bad block table 6 is updated, a new writable block is determined, and data in the middle of writing is instantaneously written to the block. When viewed from the outside of the apparatus, even when writing cannot be performed by the acquired bad block, writing to the semiconductor memory can be performed normally. Thus, even if a writing error occurs during the writing of the video data, it is not necessary to write the material data again from the beginning, and time loss can be avoided.
なお、この発明は上記一実施形態に限定されるものではない。例えば上記一実施形態では、３個の半導体メモリを並列に接続して情報データを蓄積する例について説明したが、半導体メモリが３個でない場合（単数を含む）であっても同様に実施可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, in the above-described embodiment, an example in which three semiconductor memories are connected in parallel to store information data has been described. However, the present invention can be similarly implemented even when the number of semiconductor memories is not three (including one). is there.
さらに、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。 Furthermore, in the implementation stage, the constituent elements can be modified and embodied without departing from the spirit of the invention. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment.
１…蓄積部、１１，１２，１３…半導体メモリ、２…リングバッファ、３…書き込み／読み出しコントローラ、４…書き込み補助コントローラ、５…先天性バッドブロックテーブル、６…後天性バッドブロックテーブル。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Accumulation part 11, 12, 13 ... Semiconductor memory, 2 ... Ring buffer, 3 ... Write / read controller, 4 ... Write auxiliary controller, 5 ... Congenital bad block table, 6 ... Acquired bad block table.
Claims (6)
前記蓄積部に対する情報データの書き込み・読み出し時に当該情報データを一時的に保存するもので、当該情報データの書き込み時には前記一時保存された情報データを前記蓄積部に出力するバッファ部と、
前記不揮発性メモリに予め存在している先天性バッドブロックのアドレス情報を格納する先天性バッドブロックテーブルと、
前記不揮発性メモリの運用中に発生する後天性バッドブロックのアドレス情報を格納する後天性バッドブロックテーブルと、
前記蓄積部に対して情報データの書き込み・読み出しを行うもので、前記情報データの書き込み時に前記先天性バッドブロックテーブル及び前記後天性バッドブロックテーブルから先天性、後天性それぞれのバッドブロックのアドレス情報を読み出してバッドブロックが存在しない部位のアドレスを決定し、前記バッファ部における前記情報データの保存量が規定量以上になると当該情報データを前記決定されたアドレスに書き込む書き込み／読み出し制御部と
を具備し、
前記蓄積部は、前記書き込み／読み出し制御部によって書き込みが指示された部位に前記情報データの書き込みエラーが生じる場合に、前記書き込み／読み出し制御部に書き込み不能情報及びその部位のアドレスを通知し、
前記書き込み／読み出し制御部は、前記書き込み不能情報及び書き込み不能部位のアドレスに基づいて前記後天性バッドブロックテーブルの内容を登録・更新し、当該登録・更新後の後天性バッドブロックテーブルからバッドブロックのアドレス情報を読み出してバッドブロックが存在しない部位のアドレスに前記情報データを書き込むことを特徴とする半導体メモリ情報蓄積装置。 A storage unit using a nonvolatile memory writable in page units as an information storage medium;
The information data is temporarily stored at the time of writing / reading the information data to / from the storage unit, and the buffer unit that outputs the temporarily stored information data to the storage unit at the time of writing the information data;
A congenital bad block table for storing address information of a congenital bad block pre-existing in the nonvolatile memory;
An acquired bad block table for storing address information of acquired bad blocks generated during operation of the nonvolatile memory;
Writes / reads information data to / from the storage unit.At the time of writing the information data, the address information of the congenital and acquired bad blocks is obtained from the congenital bad block table and the acquired bad block table. A write / read control unit that reads and determines an address of a part where no bad block exists, and writes the information data to the determined address when a storage amount of the information data in the buffer unit exceeds a specified amount; ,
The storage unit notifies the write / read control unit of the unwritable information and the address of the part when a write error of the information data occurs in the part instructed to be written by the write / read control part,
The write / read control unit registers / updates the contents of the acquired bad block table based on the unwritable information and the address of the unwritable part, and acquires the bad block from the acquired bad block table after the registration / update. A semiconductor memory information storage device, wherein address information is read and the information data is written to an address of a part where no bad block exists.
前記蓄積部は、前記書き込み／読み出し制御部によって書き込みが指示された部位に前記情報データの書き込みエラーが生じる場合に、前記書き込み／読み出し制御部に書き込み不能情報及びその部位のアドレスを通知し、
前記書き込み／読み出し制御部は、前記書き込み不能情報及び書き込み不能部位のアドレスに基づいて前記後天性バッドブロックテーブルの内容を登録・更新し、当該登録・更新後の後天性バッドブロックテーブルからバッドブロックのアドレス情報を読み出してバッドブロックが存在しない部位のアドレスに前記情報データを書き込むことを特徴とする半導体メモリ情報蓄積装置の書き込み不良対策方法。 A storage unit using a non-volatile memory writable in page units as an information storage medium, and temporarily storing the information data when writing / reading information data to / from the storage unit. A buffer unit that outputs stored information data to the storage unit, a congenital bad block table that stores address information of a congenital bad block pre-existing in the non-volatile memory, and the non-volatile memory in operation An acquired bad block table for storing acquired bad block address information, and writing / reading of information data to / from the storage unit, and the congenital bad block table at the time of writing the information data; Congenital and acquired from the acquired bad block table Write / read control for reading the address information of the bad block to determine the address of the part where the bad block does not exist and writing the information data to the determined address when the storage amount of the information data in the buffer unit exceeds a specified amount A write failure countermeasure method for a semiconductor memory information storage device comprising:
The storage unit notifies the write / read control unit of the unwritable information and the address of the part when a write error of the information data occurs in the part instructed to be written by the write / read control part,
The write / read control unit registers / updates the contents of the acquired bad block table based on the unwritable information and the address of the unwritable part, and acquires the bad block from the acquired bad block table after the registration / update. A write failure countermeasure method for a semiconductor memory information storage device, wherein the address data is read and the information data is written to an address of a portion where no bad block exists.
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