JP4713634B2 - 一芯双方向光モジュール - Google Patents
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Description
一芯双方向光モジュールの要部を構成する双方向光サブアセンブリ(bi-directional optical subassembly)(以下、BOSA)は、通常、レーザダイオード(LD)用とフォトダイオード(PD)用の2つのパッケージ(即ち、TO-CANと呼ばれるキャンキャップでそれぞれパッケージングされたもの)と、ファイバピグテイルと、波長分割多重(WDM)フィルタと、それらを保持するためのハウジングとから構成される。LD用キャンキャップとPD用キャンキャップは、直角に配置され、LD用およびPD用の接続ピンも直角を成す。それらのピンの間の距離寸法は、送信側と受信側の間の電気クロストークを低減するために、相対的に長くしなければならない。
このような2つのTO-CANから成るタイプのBOSAの場合、設計の自由度が阻害され、構造が複雑となりがちであり、多数の製造工程が不可欠なために製造コストの低減が困難である等といった課題があった。
これを解決するために、単一のTO-CANの内部に、LDおよびPDの各チップやそれぞれの光学系・電気系を一括して収容配置する構造が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
そこで、本発明では、単一のTO-CANパッケージの中に送受信の光要素を合理的に収容しつつ、不可避と考えられるクロストークを抜本的に改善(低減)できる光モジュールを実現することをその課題とする。
本発明の第2の態様は、第1態様において、前記ステム突起とは反対の側で前記送信側用のリードピン群と前記受信側用のリードピン群の2つのグループに分けられ、双方が平行に配置される構成を有し、その2つのグループの間には、内層にグランド層を有するプリント回路基板が配設されることを特徴とする。
本発明の第3の態様は、第1態様または第2態様において、前記フォトダイオードからの受信信号を増幅するためのトランスインピーダンスアンプを含み、前記クロストーク低減構造は、前記レーザダイオードまたはそこに接続された電極パッドと送信側リードピンを接続するワイヤ対と、前記フォトダイオードまたはそこに接続された電極パッドと前記トランスインピーダンスアンプを接続するワイヤ対と、前記トランスインピーダンスアンプと受信側リードピンを接続するワイヤ対と、を含み、それぞれのワイヤ対同士が互いに略直交するように敷設されることを特徴とする。
本発明の第4の態様は、第1態様において、前記クロストーク低減構造は、前記レーザダイオードと前記フォトダイオードとの間に配設され、前記レーザダイオードから前記フォトダイオードへの迷光を物理的に阻止し得るブロックを含むことを特徴とする。
本発明の第5の態様は、第4態様において、前記ブロックは、前記レーザダイオードおよび/または前記フォトダイオードのための回路基板を含むことを特徴とする。
本発明の第6の態様は、第1態様において、前記クロストーク低減構造は、前記レーザダイオードの後方位置に配設され、前記レーザダイオードの後方光を吸収し得る樹脂を含むことを特徴とする。
本発明の第7の態様は、第6態様において、前記レーザダイオードおよび前記フォトダイオードが実装されるシリコン基板を更に含み、前記樹脂は、前記シリコン基板上に配設されることを特徴とする。
本発明の第8の態様は、第6態様または第7態様において、前記ステムは、円盤状の台座と、そこから垂直に突出し、前記レーザダイオードおよび前記フォトダイオードが実装されるシリコン基板を搭載する突起と、を有し、前記樹脂は、前記ステムの台座に配設されることを特徴とする。
本発明の第9の態様は、第1態様において、レセプタクルと、前記レセプタクルの前記キャップ側の光出入端に設けられ、光軸に対して所定角度傾いている光学フィルタと、を更に含むことを特徴とする。
本発明の第10の態様は、第1態様において、前記クロストーク低減構造は、前記キャップの内面に形成され、赤外線を吸収し得る層を含むことを特徴とする。
本発明の第11の態様は、第10態様において、前記層は、黒色メッキ層を含むことを特徴とする。
本発明の第12の態様は、第10態様において、前記層は、樹脂層を含むことを特徴とする。
本発明の第14の態様は、第13態様において、前記フォトダイオードからの受信信号を増幅するためのトランスインピーダンスアンプを含み、前記クロストーク低減構造は、前記レーザダイオードまたはそこに接続された電極パッドと送信側リードピンを接続するワイヤ対と、前記フォトダイオードまたはそこに接続された電極パッドと前記トランスインピーダンスアンプを接続するワイヤ対と、前記トランスインピーダンスアンプと受信側リードピンを接続するワイヤ対と、を含み、それぞれのワイヤ対同士が互いに略直交するように敷設されることを特徴とする。
本発明の第15の態様は、第13態様において、前記クロストーク低減構造は、前記レーザダイオードと前記フォトダイオードとの間に配設され、前記レーザダイオードから前記フォトダイオードへの迷光を物理的に阻止し得るブロックを含むことを特徴とする。
本発明の第16の態様は、第13態様において、前記クロストーク低減構造は、前記レーザダイオードの後方位置に配設され、前記レーザダイオードの後方光を吸収し得る樹脂を含むことを特徴とする。
本発明の第17の態様は、第13態様において、レセプタクルと、前記レセプタクルの前記キャップ側の光出入端に設けられ、光軸に対して所定角度傾いている光学フィルタと、を更に含むことを特徴とする。
本発明の第18の態様は、第13態様において、前記クロストーク低減構造は、前記キャップの内面に形成され、赤外線を吸収し得る層を含むことを特徴とする。
本発明の上記及び他の目的、作用・効果等については、添付図面及び本発明の実施形態の記載から、当業者に明らかになろう。
3 プリント回路基板
5 光トランシーバアセンブリ
6 光トランシーバ
7 アウターケース
9 マイクロBOSAチップ
11 ステム
13 キャンキャップ
15 レセプタクル
17 接続用円筒部品
19 シリコン基板
25 WDMフィルタ
27 ガラス板
29 TIA
31 回路基板
41 ステム円盤部
43 ステム突起部
45 リードピン
47 ファイバスタブ
49 光学フィルタ
53 樹脂
A 1310 nm帯出力信号の光経路
B 1490 nm帯入力信号の光経路
BL ボールレンズ
LD レーザダイオード
LYR 層
PD フォトダイオード
SL シリコンマイクロレンズ
図1は、本実施形態の超小型の双方向光サブアセンブリ(micro-compact bi-directional optical subassembly)(以下、マイクロBOSAという)1の斜視図であり、図2Aおよび図2Bは、このマイクロBOSA1のそれぞれ側面図と端面図である。図2Cは、このマイクロBOSA1の回路図である。図3は、送信および受信等のための(駆動用および電気インターフェース用)プリント回路基板3をマイクロBOSA1に組み付けて成る光トランシーバアセンブリ5の斜視図である。図4A、図4B、図4Cは、この光トランシーバアセンブリ5のそれぞれ平面図、端面図、側面図である。図5は、所定のアウターケース7を取り付けた光トランシーバ6の斜視図である。この光トランシーバ6は、1本の光ファイバに1310 nm帯と1490 nm帯の2波長で送受信を行う波長分割多重(WDM:Wavelength Division Multiplexing)方式の光トランシーバである。
マイクロBOSA1は、例えば、全長が約16.4 mm、直径が約6.6 mmであって、従来のSFF(Small Form Factor)トランシーバパッケージに容易に組み込み得る程に十分に小さいものである。マイクロBOAS1は、一見すると、TO同軸OSA(Optical Subassembly)のような外観を呈するともいえる。
使用されるLDチップとPDチップとWDMフィルタ25は、従来の光コンポーネントのために低コストで大量生産される汎用部品で構成できる。
図6から理解され得るように、一方のシリコンマイクロレンズSLは、LDチップとWDMフィルタ25との間に配置され、LDチップからの出射光(例えば、1310 nm)をコリメートするための、例えば、非球面の近接シリコンマイクロレンズである。他方のシリコンマイクロレンズSLは、PDチップとWDMフィルタ25との間に配置され、WDMフィルタ25からの入射光(例えば、1490 nm)を収束させてPDに導くための、例えば、非球面の近接シリコンマイクロレンズである。図6において、Aは、1310 nm出力信号の光経路を示し、Bは、1490 nm入力信号の光経路を示す。
両シリコンマイクロレンズSLは、従来のシリコンLSI製造技術に基づいて低コストで高精度に製作できる。各シリコンマイクロレンズSLは、パッシブアライメント技術により、例えば、シリコン基板19に設けた対応するV溝(図示せず)に表面実装される。詳細には、対応V溝に対してシリコンマイクロレンズSLの側壁を物理的に接触させることによって高精度に位置決め固定できる。
尚、本実施形態のマイクロBOSAチップに、ビデオ信号用のアナログPDチップやシリコンマイクロレンズや他のWDMフィルタを単に追加することにより、本願発明の適用ないし応用の範囲をいわゆるトライプレクサ(triplexer)まで容易に拡大させることが可能である。
ボールレンズBLは、レセプタクル15に挿入されて結合されるシングルモード光ファイバ(SMF)とLDチップとの間の結像レンズとして機能し、同時に、ボールレンズは、PDチップとSMFとの間の結像レンズとして機能する。
この共用の結像レンズ構造のために、LDおよびPD双方の光軸調整(アライメント)は、PD電流を監視することなく、SMFへのLD出力の光パワーのみ監視することにより実施できる。
プリント回路基板3の一方面は、光送信回路用に、プリント回路基板3の他方面は、光受信回路用に割り振られる(従って、個別チップセットの使用可能)。そして、プリント回路基板3の中間層には、グランド面が設けられる。このように、光送信系統と光受信系統とがプリント回路基板3のグランド層によって隔てられるので、電気クロストークを効率良く低減することが可能になる。
送信用LDから出射された光(前方光・後方光の両方)のうち、ファイバやモニタPDへ結合されないものは、キャンキャップ(パッケージ)13の内部で迷光となり、受信用PDへ結合されてノイズとなって受信特性を劣化させてしまう虞がある。
これを解決するために、本発明に従い、例えば次のような2つの構成(第1および第2の構成)が提供される。尚、両構成は、単独で或いは重畳的に採用できる。
メッキによる方法の場合、赤外線(迷光)を吸収するメッキ、特に、黒色ニッケルメッキをキャンキャップ13の内面に施す。これにより、LDから出射された光がメッキ層(LYR)に吸収され、迷光が生じない。メッキは、厚みコントロールが容易で薄く均一に処理でき、一度に多数のキャップ処理ができる点で優れている。
(a)電解ニッケルメッキによって形成
(b)無電解ニッケルメッキによって形成
(c)ブラスト処理後に電解ニッケルメッキによって形成
(d)ブラスト処理後に無電解ニッケルメッキによって形成
この実験結果として、(c)の『ブラスト処理後に電解ニッケルメッキによって形成した黒色メッキ層』の赤外線吸収特性が非常に優れていることが確認された。
樹脂としては、幾つか行った実験から、米国Epoxy Technology社のEPO-TEK H62(商品名)が優れていることが確認された。これは、CMOSチップコートやフェライト固定などに用いられる、アルミフィラー入りの一液性の黒色タイプの産業用機能性接合材料であって、フェライト、ガラス等の材質を選ばすに優れた接着力と適度な柔軟性を有し、室温保存可能な樹脂である(株式会社ダイゾー ニチモリ事業部の資料より抜粋)。
図9から理解され得るように、前述したセラミック基板(回路基板31)がこのブロックとしての機能を果たすことができる。同図で、太い実線の矢印が迷光を示している。
斯かる第2構成により、受信ノイズの低減による受信特性の向上が可能になると同時に、高密度実装の実現が可能になる。より具体的な構成としては、例えば、アルミナセラミック基板や窒化アルミセラミック基板に、各種ICの駆動用のコンデンサを実装するための一層回路を形成したものが考えられる。
ブロック(回路基板31)が一定以上の高さを有する場合に、LD出射光のPDへの回り込み(迷光)が著しく減少することが実験的に確認された。
受動光ネットワーク(PON)に使用される光加入者線終端装置(ONU)用LDドライバは、バーストモードで使用されるため、モニタPDを用いた制御方法では、出力の制御が難しいため、モニタPDによらない制御が用いられる。コノ場合は、モニタPDは実装されない。そのような場合、LDの後方から出射される光は、そのままキャンキャップ13の中で迷光となり、受信用PDへ結合されてしまう虞がある。
これを解決するべく、LD後方光(迷光)を吸収するために、本発明に従い、次の2つの構成が提供される。
いずれの構成においても、LD後方側に配置される所定樹脂53がLD後方光を効果的に吸収する(図10および図11で、太い実線の矢印が迷光を示している)。このため、この樹脂が設けられないものと比較して、受信用PDへ向かう迷光が大幅に減少し、迷光によるノイズが軽減され、受信特性が著しく改善されることが実験的に確認された。この樹脂としては、前述したキャンキャップ13内面に塗布するのに適した樹脂と同じものを採用できる。
本実施形態のように超小型のキャンキャップ13内にLDおよびPDの両チップを収容する構成の場合、送受信の信号配線が近くなる。具体的には、送信回路及び受信回路の間の距離が2 mm程度しかとることができず、電気クロストークの軽減は非常に困難であるが、本発明によれば、これが見事に解決される。次の3つの構成が本発明に従って提供される。
アナログビデオ信号(例えば、1550 nm)を光トランシーバ内部でカットすると、カットされた信号は迷光となり、デジタルの受信信号のノイズとなってしまう。
これを解決するために、本発明に従い、上述のようにレセプタクル端面を所定角度(例えば、6°〜8°)だけ傾いた研磨面とし、この研磨面にアナログビデオ信号カット用フィルタ(長波長カットフィルタ49)を貼り付ける構成が提供される。
この構成、すなわち、レセプタクル15の斜め研磨面にフィルタ49をフィルタ面を外側に向けて貼り付ける構成により、アナログ信号は、フィルタ49で反射されてファイバSMFのクラッドへ出て行き、ファイバ被覆に吸収される。このため、内部にフィルタを形成したものに比べて、カットされたアナログビデオ信号がデジタル受信系に入ることがなくなり、外部で除去される結果、デジタル信号の受信特性がアナログ信号に影響されなくなる。
(A)ステム番号付け:
レーザによってステム11にロット番号等を付ける。そして、上記迷光対策用の所定樹脂53のポッティングを行う(不図示)。
(B)マイクロBOSAチップDB(ダイスボンディング):
銀ペーストを塗布し、その後、マイクロBOSAチップ9をステム11(ステム突起部43)上に搭載する。
(C)回路基板搭載:
銀ペーストを塗布し、その後、セラミック基板(回路基板31)を搭載する。同様にして、キャパシタ(コンデンサ)を搭載する。
(D)TIA DB:
銀ペーストを塗布し、その後、TIA(トランスインピーダンスアンプ29)を搭載する。
(E)真空ベーキング:
例えば、140℃で4時間の真空ベーキング(真空乾燥)処理を施す。
(F)(G)キャップ調芯固定:
ボールレンズBL付きキャンキャップ13でマイクロBOSAチップ9を密封シールするように、プロジェクション溶接によってキャンキャップ13を取付ける。その後に、Heリークチェック、バブルリークチェック、電気光学特性試験、および、外観検査を行う。
(H)調芯YAG:
キャンキャップ13に接続用円筒部品17をセットして、調芯後にYAGレーザ溶接(貫通溶接)を行い、接続円筒部品17を固定する。
次いで、接続円筒部品17に対してレセプタクル15をセットして、調芯後にYAGレーザ溶接(隅肉溶接)を行い、レセプタクル15を固定する。
溶接終了後においては、機能検査および外観検査を行う。これにより、マイクロBOSA1が出来上がる。
Claims (18)
- レーザダイオードと、
フォトダイオードと、
前記レーザダイオードおよび前記フォトダイオードを搭載するためのステムと、
前記レーザダイオードおよび前記フォトダイオードを、前記ステムと協働して密封するためのキャップと、
光学および/または電気クロストーク低減のためのクロストーク低減構造と、
を含み、
前記ステムは、円盤状の台座と、そこから垂直に突出し、前記レーザダイオードおよび前記フォトダイオードが実装されるシリコン基板をその上側に搭載する突起と、を有し、
前記突起はグランド電位を有し、
送信側用のリードピン群と受信側用のリードピン群とを含む、複数の電気接続用のリードピンが、前記ステムに貫通配置され、
前記送信側用のリードピン群が前記シリコン基板の表面より下側に配置され、前記受信側用のリードピン群が前記シリコン基板の表面より上側に配置されたことを特徴とする双方向光サブアセンブリ。 - 請求項1記載の双方向光サブアセンブリにおいて、
前記ステム突起とは反対の側で前記送信側用のリードピン群と前記受信側用のリードピン群の2つのグループに分けられ、双方が平行に配置される構成を有し、その2つのグループの間には、内層にグランド層を有するプリント回路基板が配設されることを特徴とする双方向光サブアセンブリ。 - 請求項1または2に記載の双方向光サブアセンブリにおいて、
前記フォトダイオードからの受信信号を増幅するためのトランスインピーダンスアンプを含み、
前記クロストーク低減構造は、
前記レーザダイオードまたはそこに接続された電極パッドと送信側リードピンを接続するワイヤ対と、
前記フォトダイオードまたはそこに接続された電極パッドと前記トランスインピーダンスアンプを接続するワイヤ対と、
前記トランスインピーダンスアンプと受信側リードピンを接続するワイヤ対と、
を含み、
それぞれのワイヤ対同士が互いに略直交するように敷設されることを特徴とする双方向光サブアセンブリ。 - 請求項1記載の双方向光サブアセンブリにおいて、
前記クロストーク低減構造は、
前記レーザダイオードと前記フォトダイオードとの間に配設され、前記レーザダイオードから前記フォトダイオードへの迷光を物理的に阻止し得るブロックを含むことを特徴とする双方向光サブアセンブリ。 - 請求項4記載の双方向光サブアセンブリにおいて、
前記ブロックは、前記レーザダイオードおよび/または前記フォトダイオードのための回路基板を含むことを特徴とする双方向光サブアセンブリ。 - 請求項1記載の双方向光サブアセンブリにおいて、
前記クロストーク低減構造は、
前記レーザダイオードの後方位置に配設され、前記レーザダイオードの後方光を吸収し得る樹脂を含むことを特徴とする双方向光サブアセンブリ。 - 請求項6記載の双方向光サブアセンブリにおいて、
前記レーザダイオードおよび前記フォトダイオードが実装されるシリコン基板を更に含み、
前記樹脂は、前記シリコン基板上に配設されることを特徴とする双方向光サブアセンブリ。 - 請求項6または7に記載の双方向光サブアセンブリにおいて、
前記ステムは、円盤状の台座と、そこから垂直に突出し、前記レーザダイオードおよび前記フォトダイオードが実装されるシリコン基板を搭載する突起と、を有し、
前記樹脂は、前記ステムの台座に配設されることを特徴とする双方向光サブアセンブリ。 - 請求項1記載の双方向光サブアセンブリにおいて、
レセプタクルと、
前記レセプタクルの前記キャップ側の光出入端に設けられ、光軸に対して所定角度傾いている光学フィルタと、
を更に含むことを特徴とする双方向光サブアセンブリ。 - 請求項1記載の双方向光サブアセンブリにおいて、
前記クロストーク低減構造は、
前記キャップの内面に形成され、赤外線を吸収し得る層を含むことを特徴とする双方向光サブアセンブリ。 - 請求項10記載の双方向光サブアセンブリにおいて、
前記層は、黒色メッキ層を含むことを特徴とする双方向光サブアセンブリ。 - 請求項10記載の双方向光サブアセンブリにおいて、
前記層は、樹脂層を含むことを特徴とする双方向光サブアセンブリ。 - レーザダイオードと、フォトダイオードと、前記レーザダイオードおよび前記フォトダイオードを搭載するためのステムと、前記レーザダイオードおよび前記フォトダイオードを、前記ステムと協働して密封するためのキャップと、光学および/または電気クロストーク低減のためのクロストーク低減構造と、を含む双方向光サブアセンブリと、
前記双方向光サブアセンブリのための光送受信用のプリント回路基板と、
前記双方向光サブアセンブリおよび前記プリント回路基板を覆うアウターケースと、
を含み、
前記ステムは、円盤状の台座と、そこから垂直に突出し、前記レーザダイオードおよび前記フォトダイオードが実装されるシリコン基板をその上側に搭載する突起と、を有し、
前記突起はグランド電位を有し、
送信側用のリードピン群と受信側用のリードピン群とを含む、複数の電気接続用のリードピンが、前記ステムに貫通配置され、
前記送信側用のリードピン群が前記シリコン基板の表面より下側に配置され、前記受信側用のリードピン群が前記シリコン基板の表面より上側に配置されたことを特徴とする光トランシーバ。 - 請求項13記載の光トランシーバにおいて、
前記フォトダイオードからの受信信号を増幅するためのトランスインピーダンスアンプを含み、
前記クロストーク低減構造は、
前記レーザダイオードまたはそこに接続された電極パッドと送信側リードピンを接続するワイヤ対と、
前記フォトダイオードまたはそこに接続された電極パッドと前記トランスインピーダンスアンプを接続するワイヤ対と、
前記トランスインピーダンスアンプと受信側リードピンを接続するワイヤ対と、
を含み、
それぞれのワイヤ対同士が互いに略直交するように敷設されることを特徴とする光トランシーバ。 - 請求項13記載の光トランシーバにおいて、
前記クロストーク低減構造は、
前記レーザダイオードと前記フォトダイオードとの間に配設され、前記レーザダイオードから前記フォトダイオードへの迷光を物理的に阻止し得るブロックを含むことを特徴とする光トランシーバ。 - 請求項13記載の光トランシーバにおいて、
前記クロストーク低減構造は、
前記レーザダイオードの後方位置に配設され、前記レーザダイオードの後方光を吸収し得る樹脂を含むことを特徴とする光トランシーバ。 - 請求項13記載の光トランシーバにおいて、
レセプタクルと、
前記レセプタクルの前記キャップ側の光出入端に設けられ、光軸に対して所定角度傾いている光学フィルタと、
を更に含むことを特徴とする光トランシーバ。 - 請求項13記載の光トランシーバにおいて、
前記クロストーク低減構造は、
前記キャップの内面に形成され、赤外線を吸収し得る層を含むことを特徴とする光トランシーバ。
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Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8217482B2 (en) * | 2007-12-21 | 2012-07-10 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared proximity sensor package with reduced crosstalk |
KR101426285B1 (ko) * | 2008-01-09 | 2014-08-05 | 삼성전자주식회사 | 광 송수신 소자 및 그 제조방법 |
JP2009239197A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光通信モジュール |
JP5109833B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2012-12-26 | 住友電気工業株式会社 | 光トランシーバ |
US8145061B2 (en) * | 2009-01-13 | 2012-03-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module implementing a light-receiving device and a light-transmitting device within a common housing |
US8420999B2 (en) * | 2009-05-08 | 2013-04-16 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Metal shield and housing for optical proximity sensor with increased resistance to mechanical deformation |
US8957380B2 (en) * | 2009-06-30 | 2015-02-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor |
US9525093B2 (en) | 2009-06-30 | 2016-12-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor |
US8779361B2 (en) * | 2009-06-30 | 2014-07-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optical proximity sensor package with molded infrared light rejection barrier and infrared pass components |
US20110024627A1 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Avago Technologies Ecbu (Singapore) Pte. Ltd. | Proximity Sensor with Ceramic Housing and Light Barrier |
US8716665B2 (en) * | 2009-09-10 | 2014-05-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Compact optical proximity sensor with ball grid array and windowed substrate |
US8350216B2 (en) * | 2009-09-10 | 2013-01-08 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Miniaturized optical proximity sensor |
US8143608B2 (en) * | 2009-09-10 | 2012-03-27 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Package-on-package (POP) optical proximity sensor |
JP5475404B2 (ja) * | 2009-11-12 | 2014-04-16 | 日本オクラロ株式会社 | チップキャリア及び光通信モジュール |
US9733357B2 (en) * | 2009-11-23 | 2017-08-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared proximity sensor package with improved crosstalk isolation |
KR101419381B1 (ko) | 2010-04-07 | 2014-07-15 | 한국전자통신연구원 | 양방향 광송수신 장치 |
KR101819010B1 (ko) * | 2010-09-06 | 2018-01-16 | 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 | 양방향 광전자 소자의 누화 저감 |
US8946877B2 (en) | 2010-09-29 | 2015-02-03 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor package including cap |
US8841597B2 (en) | 2010-12-27 | 2014-09-23 | Avago Technologies Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Housing for optical proximity sensor |
CN102651667A (zh) * | 2011-02-25 | 2012-08-29 | 汪润泉 | 聚合物单纤光收发模组及其制备方法 |
US9331781B2 (en) | 2011-09-15 | 2016-05-03 | Go!Foton Corporation | Two way burst mode digital optical cable communication system |
US8811824B2 (en) | 2011-09-15 | 2014-08-19 | Golfoton Holdings, Inc. | Two way burst mode digital optical cable communication system |
US10180547B2 (en) * | 2012-02-23 | 2019-01-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Optical bench on substrate |
US9618712B2 (en) | 2012-02-23 | 2017-04-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Optical bench on substrate and method of making the same |
US20130222908A1 (en) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | Xian-Li Yeh | Optically isolated to-can |
KR101864708B1 (ko) * | 2012-08-28 | 2018-06-07 | 한국전자통신연구원 | 다채널 광수신 모듈 |
CN102890313B (zh) * | 2012-10-22 | 2015-07-15 | 索尔思光电(成都)有限公司 | Cwdm多工/解多工器***及其制造方法 |
US9159849B2 (en) * | 2013-05-24 | 2015-10-13 | Oxford Instruments Analytical Oy | Semiconductor detector head and a method for manufacturing the same |
US9372315B2 (en) * | 2013-05-31 | 2016-06-21 | Futurewei Technologies, Inc. | Micro bi-directional optical sub-assembly |
CN104459904B (zh) * | 2013-09-18 | 2016-05-04 | 福州高意通讯有限公司 | 一种单纤双向bosa结构 |
KR20150145124A (ko) | 2014-06-18 | 2015-12-29 | 한국전자통신연구원 | 양방향 광송수신 모듈 및 이의 정렬방법 |
JP6417199B2 (ja) * | 2014-12-08 | 2018-10-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザ装置 |
KR102017580B1 (ko) * | 2015-04-29 | 2019-09-05 | 주식회사 포벨 | 파장 가변 필터를 이용한 광 수신기 |
JP2018139237A (ja) * | 2015-07-16 | 2018-09-06 | 三菱電機株式会社 | レーザモジュール |
EP3410471A4 (en) * | 2016-01-27 | 2019-09-25 | KYOCERA Corporation | WIRING SUBSTRATE, SECTION FOR OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT AND OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT |
CN107045166B (zh) * | 2016-02-05 | 2021-06-18 | 苏州旭创科技有限公司 | 光模块 |
US10197751B2 (en) * | 2016-03-17 | 2019-02-05 | Applied Optoelectronics, Inc. | Coaxial transmitter optical subassembly (TOSA) including ball lens |
CN105871471A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-08-17 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 光模块 |
US20170315313A1 (en) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | Futurewei Technologies, Inc. | Transistor Outline (TO) Can Optical Transceiver |
TWI616076B (zh) * | 2016-09-30 | 2018-02-21 | 國立高雄應用科技大學 | 分波多工光收發器 |
US10180544B2 (en) * | 2016-11-17 | 2019-01-15 | Corning Optical Communications LLC | Micro-optical systems and assemblies using glass tubes and methods of forming same |
US10916912B2 (en) * | 2017-01-20 | 2021-02-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical module |
CN107222265A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-09-29 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 光模块 |
US11495901B2 (en) * | 2017-09-08 | 2022-11-08 | Enplas Corporation | Electric connection socket connecting a circuit board and an integrated circuit package |
US10461496B2 (en) * | 2017-11-07 | 2019-10-29 | Dermal Photonics Corporation | Self-aligning laser assembly |
WO2019205153A1 (zh) * | 2018-04-28 | 2019-10-31 | 深圳市大疆创新科技有限公司 | 激光二极管封装模块及发射装置、测距装置、电子设备 |
US10451810B1 (en) * | 2018-08-22 | 2019-10-22 | Corning Optical Communications LLC | Adapter for electrically connecting a laser diode to a circuit board |
JP2022116383A (ja) * | 2019-06-28 | 2022-08-10 | 京セラ株式会社 | 電子素子搭載用パッケージ及び電子装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003209315A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-25 | Rohm Co Ltd | 光送受信モジュール |
JP2006041234A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光送信モジュールおよび光受信モジュール |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0427339U (ja) * | 1990-06-27 | 1992-03-04 | ||
JPH0587973U (ja) * | 1992-04-24 | 1993-11-26 | 三菱電機株式会社 | 光半導体素子モジュール |
CN2393272Y (zh) | 1999-09-25 | 2000-08-23 | 尚新民 | 一种抗阳光干扰的红外线探头 |
TW594093B (en) | 1999-10-19 | 2004-06-21 | Terashima Kentaro | Optical transmission and reception system, and optical transmission and reception module and optical cable for the system |
CN2513121Y (zh) | 2001-11-23 | 2002-09-25 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 固定光衰减器 |
JP3862559B2 (ja) | 2001-11-30 | 2006-12-27 | シャープ株式会社 | 光送受信モジュールおよび電子機器 |
JP3912111B2 (ja) * | 2002-01-09 | 2007-05-09 | 富士通株式会社 | 波長多重双方向光伝送モジュール |
JP2003344709A (ja) | 2002-05-23 | 2003-12-03 | Okano Electric Wire Co Ltd | ファイバ型光モジュール |
KR100480252B1 (ko) * | 2002-10-10 | 2005-04-07 | 삼성전자주식회사 | 이중 캡 구조의 양방향 광송수신기 모듈 |
GB0317858D0 (en) * | 2003-07-30 | 2003-09-03 | Denselight Semiconductors Pte | Optical transceiver |
DE10348675B3 (de) | 2003-10-15 | 2005-06-09 | Infineon Technologies Ag | Modul für eine bidirektionale optische Signalübertragung |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003209315A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-25 | Rohm Co Ltd | 光送受信モジュール |
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