JP4712412B2 - ナノ構造体及びそれを用いた磁気記憶材料、配線基板、アンテナ基材 - Google Patents
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Description
CuとCoの複数金属の合金めっきを、錯化剤を用いて各金属の析出電位を制御した電気めっきにて行い、非磁性金属としてCuを、強磁性体又は反強磁生体の構成元素の代表例として、強磁性体であるCoを相分離させたナノ構造体の例を示す。本発明では、ナノホールの形成は公知のナノインプリンティング法により、シリコン基板上の樹脂に直径約500nmで、深さ100nmのナノホールを形成した。
低伝送損失化が可能となる高特性インピーダンス配線基板としての特性評価を行った。
本発明の配線基板となるナノ構造基材は、以下の方法で形成した。まず、電極膜を形成したSi基板上に熱可塑性樹脂を用いて、ナノインプリント法で、500nm相当径の非貫通ナノホールを平均1000nmピッチでパタン形成し、イオンエッチングによって、ナノホール底部の熱可塑性樹脂を除いた。Si基板表面に形成した電極膜とPt電極を用いて、ナノホール内をCu−50mol%Co合金組成にて電気めっきで充填した。
本発明ナノ構造体をコイル型アンテナ用基板として用いた場合の特性評価を行った。
本発明となるアンテナ用基板となるナノ構造基材は、以下の方法で形成した。まず、電極膜を形成したSi基板上に熱可塑性樹脂を用いて、ナノインプリント法で500nm相当径のナノホールを平均700nmピッチでパターン形成し、イオンエッチングによって、ナノホール底部の熱可塑性樹脂を除いた。
パタンドメディアとしての特性を評価した。
ナノ構造基板はアルミ基板に陽極酸化法で、50nm相当径で平均70nmピッチで深さ120nmのナノホールを形成し、無電解めっき法でCrをシード層(反強磁性体)を5nm厚で形成し、Cu−Coナノめっきで封孔し、基板に垂直方向に電磁界がかかる環境下で加熱相分離処理を施し、外皮Cr層からなり、内部がCo/Cu層状構造からなるナノパタン金属素子を形成した。
基板内に内蔵できるメモリ素子としての機能を評価した。
ナノ構造基板はアルミ基板に陽極酸化法で、50nm相当径の深さ120nmのナノホールを平均70nmピッチで形成し、スパッタ法でCr層2nm、その内層に無電解めっき法で壁面にCo強磁性体層(ピニング層)平均厚さ10nmをつけ、それをシード層としてCu−50mol%Coめっきを施して、ナノホールを穴埋めした基板に垂直方向に電磁場がかかる環境下で加熱相分離により、めっき部のナノ素子中心部よりCo相が生成し、その生成したCo相の外周に非磁性Cu相からなる構造を形成した。その結果、外皮Cr層/Co層積層からなり、内部に中心が強磁性体Co相(フリー層)、その外周に非磁性Cu相からなるナノ構造金属素子を形成した。
低伝送損失化が可能となる高特性インピーダンス配線基板としての特性評価を行った。
本発明となる配線基板となるナノ構造基材は、以下の方法で形成した。まず、Si基板上にエポキシ樹脂を用いて、ナノインプリント法で、500nm相当径の非貫通孔を平均1000nmピッチでナノホールパタン形成し、イオンエッチングによって、ナノホール底部の熱可塑性樹脂を除いた。
2.樹脂
3.シリコン基板
4.合金めっき
5.マトリックス相
6.分離相
7.銅層
8.コバルト層
11.ナノ構造基板
12.ナノ構造素子
13.導電体
14.強磁性体
15.多層配線基板〔図4(c)全体〕
17.配線回路
18.接着剤等の絶縁層
21:ナノ構造素子を有する基板
22:アンテナ
23:ICチップ
24:ナノ構造素子
25:強磁性相
26:非磁性相
31:パタンドメディア基板
32:アルミニウム基板
33:陽極酸化膜
34:ナノ構造素子
35:磁性体層
36:導体層(非磁性体層)
37:ピニング強磁性体層(外層:半強磁性体層/内層強磁性体層)
41,42:金属配線
43:ピニング強磁性相(反強磁性金属/強磁性金属)
44:非磁性金属
45:強磁性金属
Claims (17)
- 貫通孔もしくは非貫通孔が規則的に配列した基板のナノホール中に、基板の垂直方向に対して特定の結晶方位関係をもつ非磁性金属相と強磁性金属相の少なくとも一方が基板の垂直方向に略平行又は略平行に間隔を隔てて存在する構造の周囲を反強磁性体相で囲った構造を有するナノ構造素子が形成された磁気記憶材料。
- 貫通孔もしくは非貫通孔が規則的に配列した基板のナノホール中に、基板の垂直方向に対して特定の結晶方位関係をもつ非磁性金属相と強磁性金属相の少なくとも一方が基板の垂直方向に略平行又は略平行に間隔を隔てて存在する構造の周囲を強磁性体相、反強磁性体相の順に囲んだ構造を有するナノ構造素子の上面、下面に電極層が形成された磁気記憶材料。
- 請求項1または請求項2に記載の磁気記憶材料は、ナノホール内の非磁性金属相としてCuを含み、強磁性体相を構成する元素として、少なくともFe、Co、Ni、Mn、Cr、Pt、Pd、Rh、Irのいずれか1種を含み、さらに、反強磁性体相を構成する元素として、少なくともFe、Co、Ni、Mn、Cr、Pt、Pd、Rh、Irのいずれか1種を含むことを特徴とする磁気記憶材料。
- 基板の表層のナノホールを有する層が、Al、Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、Mo、WあるいはSiの少なくとも1つを含有する陽極酸化皮膜層からなること特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のナノホール内に1つ又は複数の分離相を形成したことを特徴とする磁気記憶材料。
- 基板の表層のナノホールを有する層がナノインプリント法により形成されたことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の磁気記憶材料。
- 基板の表層のナノホールを有する層が樹脂自己組織化を利用し形成した層からなることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の磁気記憶材料。
- 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のナノ構造素子を配置する貫通孔もしくは非貫通孔の直径(相当径)が数nmから100nmであることを特徴とする磁気記憶材料。
- 前記基板が酸化物基板、ガラス基板、セラミックス基板、金属基板、半導体基板、プラスチック基板のいずれかからなることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の磁気記憶材料。
- 基板が非貫通孔を有する場合に、基板上に非貫通孔を形成するためのコーティング層を設けたことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の磁気記憶材料。
- 請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の磁気記憶材料を配線間に配置した配線基板。
- 請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の磁気記憶材料を有する多周波数対応アンテナ用基材。
- 基板の垂直方向に対して特定の結晶方位関係をもつ非磁性金属相と強磁性金属相の少なくとも一方が基板の垂直方向に略平行又は略平行に間隔を隔てて存在する構造の周囲を反強磁性体相で囲った構造を有するナノ構造素子、
または、基板の垂直方向に対して特定の結晶方位関係をもつ非磁性金属相と強磁性金属相の少なくとも一方が基板の垂直方向に略平行又は略平行に間隔を隔てて存在する構造の周囲を強磁性体相、反強磁性体相の順に囲んだ構造を有するナノ構造素子が、
ナノホールを有しない基板表面に設けられていることを特徴とする磁気記憶材料。 - 請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の磁気記憶材料のナノ構造素子を基板上に形成したナノホール形成部の非貫通孔のナノホール内に設けた後、ナノホール形成部以外の基板を除去したことを特徴とする磁気記憶材料。
- 基板の垂直方向に対して特定の結晶方位関係をもつ非磁性金属相と強磁性金属相の少なくとも一方が基板の垂直方向に略平行又は略平行に間隔を隔てて存在する構造の周囲を反強磁性体相で囲った構造を有するナノ構造素子、
または、基板の垂直方向に対して特定の結晶方位関係をもつ非磁性金属相と強磁性金属相の少なくとも一方が基板の垂直方向に略平行又は略平行に間隔を隔てて存在する構造の周囲を強磁性体相、反強磁性体相の順に囲んだ構造を有するナノ構造素子が、
ナノホールを有しない基板表面に設けられている磁気記憶材料を配線間に配置したことを特徴とする配線基板。 - 請求項10に記載のナノ構造体のナノ構造素子を基板上に形成したナノホール形成部の非貫通孔のナノホール内に設けた後、ナノホール形成部以外の基板を除去したことを特徴とする配線基板。
- 基板の垂直方向に対して特定の結晶方位関係をもつ非磁性金属相と強磁性金属相の少なくとも一方が基板の垂直方向に略平行又は略平行に間隔を隔てて存在する構造の周囲を反強磁性体相で囲った構造を有するナノ構造素子、
または、基板の垂直方向に対して特定の結晶方位関係をもつ非磁性金属相と強磁性金属相の少なくとも一方が基板の垂直方向に略平行又は略平行に間隔を隔てて存在する構造の周囲を強磁性体相、反強磁性体相の順に囲んだ構造を有するナノ構造素子が、
ナノホールを有しない基板表面に設けられている磁気記憶材料を有することを特徴とする多周波数対応アンテナ基材。 - 請求項11に記載のナノ構造体のナノ構造素子を基板上に形成したナノホール形成部の非貫通孔のナノホール内に設けた後、ナノホール形成部以外の基板を除去したことを特徴とする多周波数対応アンテナ基材。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0721543A (ja) * | 1993-07-01 | 1995-01-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JP2001305360A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-10-31 | Canon Inc | 構造体、構造体の製造方法、発光デバイス、および発光デバイスの製造方法 |
JP2003025298A (ja) * | 2001-05-11 | 2003-01-29 | Canon Inc | 細孔を有する構造体及びその製造方法 |
JP2003073859A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-12 | National Institute For Materials Science | 基体上に接合して規則化配列したナノ構造体およびその製造方法 |
WO2004070712A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Fujitsu Limited | 磁気記録媒体及びその製造方法、磁気記録媒体に用いられる磁気媒体基板、並びに磁気記憶装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0721543A (ja) * | 1993-07-01 | 1995-01-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JP2001305360A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-10-31 | Canon Inc | 構造体、構造体の製造方法、発光デバイス、および発光デバイスの製造方法 |
JP2003025298A (ja) * | 2001-05-11 | 2003-01-29 | Canon Inc | 細孔を有する構造体及びその製造方法 |
JP2003073859A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-12 | National Institute For Materials Science | 基体上に接合して規則化配列したナノ構造体およびその製造方法 |
WO2004070712A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Fujitsu Limited | 磁気記録媒体及びその製造方法、磁気記録媒体に用いられる磁気媒体基板、並びに磁気記憶装置 |
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