JP4706023B2 - スルホン酸化芳香族ポリエーテル、その製造方法及び電解質膜 - Google Patents
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Description
上記事情に鑑みて、本発明の課題は、燃料電池の高出力化を図るために燃料電池の電解質に好適なスルホン酸化芳香族ポリエーテル及びその製造方法を提供することである。更に本発明は、そのスルホン酸化芳香族ポリエーテルを用いた、優れた電解質膜を提供することを課題とする。
式(1)中、x、yは0〜3の整数であり、スルホン酸化度を表す。但し、xとyが共に0である場合を除く。n、mは、2以上の整数であり、重合度を表す。
式(3)中、x、yは0〜3の整数であり、スルホン酸化度を表す。但し、xとyが共に0である場合を除く。nは、2以上の整数であり、重合度を表す。
式(5)中、n、mは、2以上の整数であり、重合度を表す。
本発明により、耐熱・耐化学安定性に優れる芳香族ポリエーテルにイオン性官能基を導入することにより、低コストで耐久性に優れるプロトン伝導製膜を得ることが可能となった。更に本発明により、側鎖のフルオレニル基にのみスルホン酸基を有することを特徴とする、新たなスルホン酸化芳香族ポリエーテルの製造方法が提供された。本発明のスルホン酸化芳香族ポリエーテルは、スルホン酸基の導入部位が極めて明確に規定されており、主鎖中の芳香環にスルホン酸基を全く有していない。このために本発明の電解質膜は、100℃以上でのプロトン伝導度と、酸化・加水分解安定性が共に優れているという利点を有する。
本発明のスルホン酸化芳香族ポリエーテルは、上記の一般式(1)で表されることを特徴とする。
一般式(1)で示されるスルホン酸化芳香族ポリエーテルは、一般式(5)で表される芳香族ポリエーテルをスルホン酸化することによって得ることができる。
式(7)中、Ar1は炭素数6から20からなる含芳香環基であり、当該含芳香環基においてフェニレン基又はナフチレン基である芳香環を含み、かつ当該含芳香環基中において複数の該フェニレン基がN、O、Sなどのヘテロ原子、ケトン基、スルホン基又は脂肪族基を介して結合していてもよく、該芳香環の一部の水素原子が脂肪族基、ハロゲン原子、パーフルオロ脂肪族基、スルホン酸基などの置換基で置換されていてもよい。具体例は、上記一般式(1)におけるAr1と同様である。
本発明の電解質膜は、上記スルホン酸化芳香族ポリエーテルを主成分とする高分子材料からなる。すなわち、本電解質膜はこの高分子材料を適正な方法で製膜したものである。高分子材料の製膜方法は特に限定されるものではなく、溶液を平板上にキャストするキャスト法、ダイコータ、コンマコータ等により平板上に溶液を塗布する方法、溶融した高分子材料を延伸等する方法など、本技術分野で一般的に用いられている方法を採用することができる。この高分子材料の成分として、上記スルホン酸化芳香族ポリエーテルを単独で用いても、その他の高分子電解質等と混合して用いてもよい。
[芳香族ポリエーテルの製造]
シール付の水銀温度計、窒素導入口、還流管を付した100mLの三つ口フラスコに0.35g(1.0mmol)の9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン(東京化成工業社製)と、0.25g(1.0mmol)の4−フルオロフェニルスルホン(ACROS社製)と、0.35g(2.5mmol)の炭酸カリウム(関東化学社製)と、3mLの脱水N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc、関東化学社製)を加えた。この混合物を窒素気流下で攪拌して、透明均一溶液を得た。この溶液を140℃で3時間、165℃で3時間加熱した。反応終了後、6mLのDMAcを加えてから常温まで冷却し、300mLの純水中に反応溶液をゆっくりと滴下した。得られた沈殿物を吸引ろ過によって回収し、80℃の純水で3時間洗浄した後メタノールで洗浄し、60℃で15時間真空乾燥すると0.55gの白色繊維状の芳香族ポリエーテルが得られた。
[芳香族ポリエーテルの製造]
シール付の水銀温度計、窒素導入口、還流管を付した100mLの三つ口フラスコに0.18g(0.5mmol)の9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン(東京化成工業社製)と、0.11g(0.5mmol)のビスフェノールA(関東化学社製)と、0.25g(1.0mmol)の4−フルオロフェニルスルホン(ACROS社製)と、0.35g(2.5mmol)の炭酸カリウム(関東化学社製)と、3mLの脱水N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc、関東化学社製)を加えた。この混合物を窒素気流下で攪拌して、透明均一溶液を得た。この溶液を140℃で3時間、165℃で3時間加熱した。反応終了後、6mLのDMAcを加えてから常温まで冷却し、300mLの純水中に反応溶液をゆっくりと滴下した。得られた沈殿物を吸引ろ過によって回収し、80℃の純水で3時間洗浄した後メタノールで洗浄し、60℃で15時間真空乾燥すると0.49gの白色繊維状の芳香族ポリエーテルが得られた。
[芳香族ポリエーテルのスルホン酸化]
参考例1で得られた芳香族ポリエーテル0.30g(0.5mmol)を、50mLの脱水ジクロロメタン(関東化学社製)に溶解し、滴下漏斗に入れた。100mLナスフラスコ中に、0.1Mのクロロ硫酸ジクロロメタン溶液5mLを入れた(試験例1)。上述の芳香族ポリエーテル溶液を滴下漏斗で滴下すると薄赤色の沈殿物が析出した。そのまま攪拌しながら常温で3時間反応させた。反応終了後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、得られた沈殿物を吸引ろ過によって回収した。ヘキサンでよく洗浄した後、80℃で15時間真空乾燥すると、白桃色のスルホン酸化芳香族ポリエーテルが得られた。この化合物の1H−NMRスペクトルを図2に示す。1H−NMRスペクトルの積分値より、フルオレニル基あたり0.28個のスルホン酸基が導入されていること(スルホン酸化率28%、イオン交換容量0.92meq/g)を確認した。また上記と同様の手順で、0.1Mのクロロ硫酸ジクロロメタン溶液を7.5mL、15mL用いてスルホン酸化を行った(それぞれ試験例2(スルホン酸化率35%、イオン交換容量1.14meq/g)、試験例3(スルホン酸化率64%、イオン交換容量1.92meq/g))。
[芳香族ポリエーテルのスルホン酸化]
参考例2で得られた芳香族ポリエーテルを50mLの脱水ジクロロメタン(関東化学社製)に溶解し、100mLのナスフラスコへ入れた。0.1Mのクロロ硫酸ジクロロメタン溶液10mLを、滴下漏斗に入れた。上述の芳香族ポリエーテル溶液に、クロロ硫酸溶液を滴下すると薄赤色の沈殿物が得られた。そのまま攪拌しながら40℃で5時間反応させた。反応終了後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、得られた沈殿物を吸引ろ過によって回収した。ヘキサンでよく洗浄した後、80℃で15時間真空乾燥すると、白桃色のスルホン酸化芳香族ポリエーテルが得られた(試験例4)。この化合物の1H−NMRスペクトルを図3に示す。1H−NMRスペクトルの積分値より、フルオレニル基あたり0.15個のスルホン酸基が導入されていること(スルホン酸化率15%、イオン交換容量0.57meq/g)を確認した。また上記と同様の手順で、0.1Mのクロロ硫酸ジクロロメタン溶液を15mL、20mL、30mL用いてスルホン酸化を行った(それぞれ試験例5(スルホン酸化率25%、イオン交換容量0.92meq/g)、試験例6(スルホン酸化率38%、イオン交換容量1.35meq/g)、試験例7(スルホン酸化率53%、イオン交換容量1.71meq/g))。
[スルホン酸化芳香族ポリエーテルの製造]
シール付の水銀温度計、窒素導入口、還流管を付した100mLの三つ口フラスコに0.35g(0.5mmol)の9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2,7−ジスルホフルオレン、0.1g(0.5mmol)のビスフェノールA、0.25g(1.0mmol)の4−フルオロフェニルスルホン、1.3g(4.0mmol、Aldrich社製)の炭酸セシウム、5mLの脱水N−メチルピロリドン(NMP、関東化学社製)、0.8mLのトルエン(関東化学社製)を加えて溶解し、モノマーの溶解を確認後、200℃まで加熱して21時間反応させた。反応終了後NMPを10mL加えてから常温まで冷却し、1%塩酸を含むメタノール中に反応溶液を滴下した。得られた沈殿物を吸引ろ過によって回収し、メタノールで洗浄した後、60℃で15時間真空乾燥すると0.65gの薄茶色のスルホン酸化芳香族ポリエーテル(イオン交換容量1.55meq/g)が得られた。
溶液キャスト法により製膜を行った。上記スルホン酸化芳香族ポリエーテルを濃度が3wt%となるようにN,N−ジメチルアセトアミドに溶解した。この溶液をガラス板上にキャストした。60℃で12時間常圧乾燥した後、更に80℃で12時間真空乾燥して、膜を得た。この膜を1Nの硝酸水に12時間浸漬した(酸処理工程)。この酸処理工程を更に2回繰り返した。その後60℃の純水で膜を洗浄し、80℃で15時間真空乾燥を行うことにより、電解質膜を得た。これを各試験の試験試料とした。
各試験試料を、フェントン溶液(2ppmの硫酸第一鉄を含有する3%過酸化水素水溶液)中、80℃で加熱した。試験試料の外観を経時的に観察した。試料の膜が溶解を始めた時間と完全に溶解した時間とを記録した。
各試験試料を、140℃で相対湿度100%の雰囲気下で24時間放置した。試験試料の分子量変化を測定した。分子量はGPC法により測定した重量平均分子量(Mw)を示し、標準ポリスチレン試料を用いた換算値とした。
各試験試料を、5×40mmの大きさに切り取り、4端子法により交流インピーダンスを測定した。測定は80℃、および120℃で相対湿度100%、電流値として0.005mAの定電流、掃引周波数として10〜20000Hzの条件で行った。得られたインピーダンスと膜端子間距離(10mm)、膜厚(30μm)から、プロトン伝導度を算出した。
前述の報告(特開2003−147074)によると、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、4,4’−ジフルオロジフェニルスルホンから得られた共重合芳香族ポリエーテルをスルホン酸化した電解質には、フルオレニル基だけでなく、エーテル酸素原子と結合した主鎖芳香環にもスルホン酸基が導入されていることが示されている。即ち、特開2003−147074記載のスルホン酸化された共重合芳香族ポリエーテルは、本発明のスルホン酸化芳香族ポリエーテルとは異なり、側鎖フルオレニル基にのみスルホン酸基が導入されたものではなく、その事はNMRスペクトルのデータにおいても示されている。そして特開2003−147074において、電解質膜を65℃の水中に3日間浸漬して膜の形態を目視観察したところ、安定であったと示されている。しかし、特開2003−147074において採用している条件は液性が中性であって、且つ温度もそれ程高温ではなく、本発明の実施例における耐酸化安定性(2ppmの硫酸第一鉄を含有する3%過酸化水素水溶液、80℃)、耐加水分解性(相対湿度100%の雰囲気下、140℃)の条件と比較して、非常に緩やかな条件である。特開2003−147074の実施例1に従って製造した試験試料は、常温においても水に溶解し、相対湿度100%の雰囲気下、140℃の条件下では、膜が完全に崩壊した。すなわち、本発明の実施例に記載された試験試料は、特開2003−147074に記載された試験試料よりも厳しい条件で耐えうることが明らかである。また、特開2003−147074に記載の試験試料のプロトン伝導度は80℃、相対湿度95%の条件下で0.21S/cmであることが報告されている(特開2003−147074、表1)。本実施例のスルホン酸化芳香族ポリエーテルのプロトン伝導度は、より高い温度条件下(120℃、相対湿度100%)において、特開2003−147074に記載の試験試料の値に対して2倍以上高い値である。
Claims (7)
- 基本骨格が一般式(1)で表されることを特徴とするスルホン酸化芳香族ポリエーテル。
式(1)中、x、yは0〜3の整数であり、スルホン酸化度を表す。但し、xとyが共に0である場合を除く。n、mは、2以上の整数であり、重合度を表す。) - 基本骨格が一般式(3)で表されることを特徴とするスルホン酸化芳香族ポリエーテル。
式(3)中、x、yは0〜3の整数であり、スルホン酸化度を表す。但し、xとyが共に0である場合を除く。nは、2以上の整数であり、重合度を表す。) - 一般式(5)で表される芳香族ポリエーテルの側鎖のみをスルホン酸化することを特徴とするスルホン酸化芳香族ポリエーテルの製造法。
式(5)中、n、mは、2以上の整数であり、重合度を表す。) - 芳香族ポリエーテルの側鎖のみをスルホン酸化することを特徴とし、一般式(6)で表されるスルホン酸化フルオレニルジフェノール化合物、
- 請求項1ないし請求項4のいずれか一つの請求項に記載のスルホン酸化芳香族ポリエーテルを製膜して得ることを特徴とする電解質膜。
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