JP4700659B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4700659B2 JP4700659B2 JP2007191607A JP2007191607A JP4700659B2 JP 4700659 B2 JP4700659 B2 JP 4700659B2 JP 2007191607 A JP2007191607 A JP 2007191607A JP 2007191607 A JP2007191607 A JP 2007191607A JP 4700659 B2 JP4700659 B2 JP 4700659B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- liquid crystal
- electrode
- transistor
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
少なくともマトリクス状に画素電極と、前記画素電極に接続された第1の半導体装置を有する画素マトリクスからなる表示部と、
少なくとも光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第2の半導体装置からなるセンサ部とが同一基板表面上に設けられ、
前記基板の裏面からの光を前記センサ部で受光することを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルである。
少なくともマトリクス状に画素電極と、前記画素電極に接続された第1の半導体装置を有する画素マトリクスからなる表示部と、
少なくとも光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第2の半導体装置からなるセンサ部とが同一基板表面上に設けられ、
前記表示部と前記センサ部は同じ画素サイズを有し、
前記基板の裏面からの光を前記センサ部で受光することを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルである。
少なくともマトリクス状に画素電極と、前記画素電極に接続された第1の半導体装置を有する画素マトリクスからなる表示部と、
少なくとも光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第2の半導体装置からなるセンサ部とが同一基板上に設けられ、
前記第1の半導体装置と前記第2の半導体装置は同一マトリクス内に設けられ、
前記第1の半導体装置に接続されている画素電極は、前記第2の半導体装置の上方に存在していることを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルである。
少なくともマトリクス状に画素電極と、前記画素電極に接続された第1の半導体装置を有する画素マトリクスからなる表示部と、
少なくとも光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第2の半導体装置からなるセンサ部とが同一基板上に設けられ、
前記光電変換素子は、少なくとも上部電極と、光電変換層と、下部電極で構成され、
前記上部電極は、少なくとも可視光に対して反射性を有する金属からなり、
前記下部電極が透明性導電膜からなることを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルである。
マトリクス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続された第1の半導体装置を有する画素マトリクスと、
光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第2の半導体装置とを有する受光部を有するイメージセンサと、が同一基板上に設けられたイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルの作製方法であって、
前記基板上に、前記第1の半導体装置と前記第2の半導体装置とを作製する第1の工程と、
前記第2の半導体装置と接続された透光性導電膜でなる下部電極を形成する第2の工程と、
前記下部電極上に光電変換層を形成する第3の工程と、
前記光電変換層上に接する上部電極を形成する第4の工程と、を少なくとも有するイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルの作製方法である。
マトリクス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続された第1の半導体装置を有する画素マトリクスと、
光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第2の半導体装置とを有する受光部を有するイメージセンサと、が同一基板上に設けられたイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルの作製方法であって、
前記基板上に、前記第1の半導体装置と前記第2の半導体装置とを作製する第1の工程と、
前記第1の半導体装置と前記第2の半導体装置とを少なくとも覆う第1の絶縁膜を形成する第2の工程と、
前記第1の絶縁膜上に透光性導電膜を形成する第3の工程と、
前記透光性導電膜をパターニングして、前記第2の半導体装置と接続された下部電極を形成する第4の工程と、
前記下部電極上に光電変換層を形成する第5の工程と、
前記光電変換層上に接する上部電極を形成する第6の工程と、を少なくとも有するイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルの作製方法である。
光電変換素子が、下部電極と、下部電極上に形成された光電変換層と、光電変換層上に形成された上部電極で構成され、
前記光電変換素子に接続された少なくとも1つのアクティブ素子からなるセンサ部とが絶縁基板上に設けられ、
前記上部電極は、少なくとも可視光に対して反射性を有する金属からなり、
前記下部電極が少なくとも可視光に対して透明性を有する導電膜からなることを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルである。
少なくともマトリクス状に画素電極と、前記画素電極に接続されたアクティブ素子を有する画素マトリクスからなる表示部と、
少なくとも光電変換素子と、前記光電変換素子に接続されたアクティブ素子群からなるセンサ部とが同一基板表面上に設けられ、
前記基板の裏面からの光を前記センサ部で受光することを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルである。
少なくともマトリクス状に画素電極と、前記画素電極に接続されたアクティブ素子を有する画素マトリクスからなる表示部と、
少なくとも光電変換素子と、前記光電変換素子に接続されたアクティブ素子群からなるセンサ部とが同一基板表面上に設けられ、
前記表示部と前記センサ部は同じ画素サイズを有し、
前記基板の裏面からの光を前記センサ部で受光することを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルである。
少なくともマトリクス状に画素電極と、前記画素電極に接続されたアクティブ素子を有する画素マトリクスからなる表示部と、
少なくとも光電変換素子と、前記光電変換素子に接続されたアクティブ素子群からなるセンサ部とが同一基板上に設けられ、
前記アクティブ素子と前記アクティブ素子群は同一マトリクス内に設けられ、
前記アクティブ素子に接続されている画素電極は、前記アクティブ素子群の上方に存在していることを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルである。
少なくともマトリクス状に画素電極と、前記画素電極に接続されたアクティブ素子を有する画素マトリクスからなる表示部と、
少なくとも光電変換素子と、前記光電変換素子に接続されたアクティブ素子群からなるセンサ部とが同一基板上に設けられ、
前記光電変換素子は、少なくとも上部電極と、光電変換層と、下部電極で構成され、
前記上部電極は、少なくとも可視光に対して反射性を有する金属からなり、
前記下部電極が透明性導電膜からなることを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネル。
マトリクス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたアクティブ素子を有する画素マトリクスと、
光電変換素子と、前記光電変換素子に接続されたアクティブ素子群とを有する受光部を有するイメージセンサと、が同一基板上に設けられたイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルの作製方法であって、
前記基板上に、前記アクティブ素子と前記アクティブ素子群とを作製する第1の工程と、
前記アクティブ素子群と接続された透光性導電膜でなる下部電極を形成する第2の工程と、
前記下部電極上に光電変換層を形成する第3の工程と、
前記光電変換層上に接する上部電極を形成する第4の工程と、を少なくとも有するイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルの作製方法。
マトリクス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたアクティブ素子を有する画素マトリクスと、
光電変換素子と、前記光電変換素子に接続されたアクティブ素子群とを有する受光部を有するイメージセンサと、が同一基板上に設けられたイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルの作製方法であって、
前記基板上に、前記アクティブ素子と前記アクティブ素子群とを作製する第1の工程と、
前記アクティブ素子と前記アクティブ素子群とを少なくとも覆う第1の絶縁膜を形成する第2の工程と、
前記第1の絶縁膜上に透光性導電膜を形成する第3の工程と、
前記透光性導電膜をパターニングして、前記アクティブ素子群と接続された下部電極を形成する第4の工程と、
前記下部電極上に光電変換層を形成する第5の工程と、
前記光電変換層上に接する上部電極を形成する第6の工程と、を少なくとも有するイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルの作製方法。
1つの画素に、表示画素部TFTと、受光センサ部TFTとを有し、これらのTFTを覆って層間膜を形成し、その上に光電変換層を設け、受光センサ部TFTと接続していることが本実施例の特徴である。そのため、実施例1と比較して、開口率が大きい。
101 下地膜
102 島状の半導体層
103 ゲイト絶縁膜
104 遮光膜(画素部TFT)
105 遮光膜(センサ部TFT)
106 ゲイト電極(画素部TFT)
107 ゲイト電極(センサ部TFT)
108 ソース領域(高濃度不純物領域)
109 ドレイン領域
110 チャネル領域
112 ドレイン電極(センサ部)
113 第1層間絶縁膜
114 ソ─ス線(電極)
115 信号線(画素部)
116 信号線(センサ部)
117 透明導電性膜(下部電極)
118 光電変換層
119 上部電極
120 第2層間絶縁膜
121 画素電極
200 表示画素部
300 受光センサ部
700 基板
701 下地膜
702 島状の半導体層
703 ゲイト絶縁膜
704 遮光膜(画素部TFT)
705 ゲイト電極(画素部TFT)
706 遮光膜(センサ部TFT)
707 ゲイト電極(センサ部TFT)
708 ソース領域(高濃度不純物領域)
709 低濃度不純物領域
710 LDD領域(低濃度不純物領域)
711 ドレイン領域
712 チャネル領域
713 第1層間絶縁膜
716 第2層間絶縁膜
717 透明導電性膜(下部電極)
718 光電変換層
719 上部電極
720 第3層間絶縁膜
721 画素電極
800 表示画素部
900 受光センサ部
Claims (6)
- 1つの画素に、画素電極と、前記画素電極にソース又はドレインの一方が電気的に接続された第1のトランジスタと、光電変換素子と、リセットトランジスタと、増幅トランジスタと、選択トランジスタとを有し、
前記光電変換素子の一方の電極は、前記増幅トランジスタのゲイトと前記リセットトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、他方の電極は、固定電位線に電気的に接続され、
前記増幅トランジスタのソース又はドレインの一方は、電源線と前記リセットトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、前記選択トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記リセットトランジスタのゲイトは、リセット線に電気的に接続され、
前記選択トランジスタのゲイトは、第1の駆動回路に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、第2のトランジスタを介して第2の駆動回路に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1において、
前記第1のトランジスタのゲイトは第3の駆動回路に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は、第3のトランジスタを介して第4の駆動回路に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1または2において、
前記画素電極及び前記第1のトランジスタを有する液晶表示素子の配線と、前記光電変換素子、前記リセットトランジスタ、前記増幅トランジスタ及び前記選択トランジスタを有するセンサ素子の配線とは互いに独立して設けられていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記光電変換素子は、可視光に対して反射性を有する電極、水素を含有する非晶質珪素膜及び透明性を有する電極でなることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記光電変換素子は上部電極と下部電極を有し、前記下部電極は透明電極であることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一において、前記液晶表示装置は、カメラまたは携帯電話に備えられることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007191607A JP4700659B2 (ja) | 2007-07-24 | 2007-07-24 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007191607A JP4700659B2 (ja) | 2007-07-24 | 2007-07-24 | 液晶表示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30651797A Division JP4044187B2 (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | アクティブマトリクス型表示装置およびその作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010186160A Division JP5100799B2 (ja) | 2010-08-23 | 2010-08-23 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007299012A JP2007299012A (ja) | 2007-11-15 |
JP4700659B2 true JP4700659B2 (ja) | 2011-06-15 |
Family
ID=38768480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007191607A Expired - Fee Related JP4700659B2 (ja) | 2007-07-24 | 2007-07-24 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4700659B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090141004A1 (en) | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
EP2237104B1 (en) * | 2008-01-31 | 2013-06-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and active matrix substrate |
JP5150325B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-02-20 | 株式会社東芝 | X線検出器 |
CN110649086B (zh) * | 2019-10-30 | 2022-05-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
CN113920879A (zh) * | 2021-10-21 | 2022-01-11 | 合肥维信诺科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58210765A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-12-08 | Hitachi Ltd | 撮像表示装置 |
JPH03175428A (ja) * | 1989-12-04 | 1991-07-30 | Nec Corp | 液晶ライトバルブ |
JPH0622250A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置およびそれを用いた機器 |
JPH0943627A (ja) * | 1995-05-19 | 1997-02-14 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
-
2007
- 2007-07-24 JP JP2007191607A patent/JP4700659B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58210765A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-12-08 | Hitachi Ltd | 撮像表示装置 |
JPH03175428A (ja) * | 1989-12-04 | 1991-07-30 | Nec Corp | 液晶ライトバルブ |
JPH0622250A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置およびそれを用いた機器 |
JPH0943627A (ja) * | 1995-05-19 | 1997-02-14 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007299012A (ja) | 2007-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4044187B2 (ja) | アクティブマトリクス型表示装置およびその作製方法 | |
JP4651785B2 (ja) | 表示装置 | |
US6236063B1 (en) | Semiconductor device | |
JP4271268B2 (ja) | イメージセンサおよびイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置 | |
US7242449B1 (en) | Semiconductor device and integral image recognition/display apparatus | |
JP5567770B2 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
US6867752B1 (en) | Portable information processing system | |
JP2007241314A (ja) | センサ付き表示装置及び電子機器 | |
JPH1124105A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置およびその製造方法 | |
US20090146946A1 (en) | Display and electronic apparatus | |
JP4700659B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP5604579B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2007306011A (ja) | 装置及び電気機器 | |
JP5622812B2 (ja) | 表示装置 | |
JP4999979B2 (ja) | イメージセンサ及び電子機器 | |
JP5025596B2 (ja) | イメージセンサ | |
JP2000347596A (ja) | 携帯情報処理システム | |
JP4550096B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5100799B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP5138107B2 (ja) | イメージセンサ、電子機器 | |
JP4163156B2 (ja) | 表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100706 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100823 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110304 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140311 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |