JP4696070B2 - エピタキシャル結晶の成長方法 - Google Patents
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Description
まず、本発明者等は、エピタキシャル結晶の成長条件を一定としても、基板のロットによってエピタキシャル層へのドーピング効率がばらついてしまい、所望のキャリア濃度を達成するためには、ドーピング条件設定のためのテストランを都度行なわざるを得ないという問題を解決するために、基板のロットと成長されたエピタキシャル結晶のキャリア濃度の関係について調査した。具体的には、さまざまな特性(キャリア濃度、ドーパント濃度、オフアングルなど)を有するInP基板を用いて、MOCVD法により該基板上に所定の流量でドーパントを添加しながらエピタキシャル結晶を成長させ、該エピタキシャル結晶中のキャリア濃度を測定し、ドーパント流量で規格化した値(ドーピング効率)を求めた。
はじめに、液体封止チョクラルスキー法(Liquid Encapsulated Czochralski;LEC)により面方位が(100)で直径が2インチのSドープInP単結晶を作製し、該InP単結晶から切り出してエピタキシャル成長用基板を作製した。そして、このInP単結晶基板の表面を通常の方法により鏡面加工し<100>方向からのオフアングルが0.00〜5.0°である基板を準備した。なお、基板面内におけるオフアングルのバラツキは±0.03°であった。
(1)Sドープ濃度が4×1018cm-3、350μm厚のInPジャスト基板を用い、MOCVD法によりInPエピタキシャル結晶層を1μm形成した。このとき、ドーパント流量は110sccmとした。得られたエピタキシャル結晶層は、ヘイズが3.87ppmで、キャリア濃度が1.2×1018cm-3であった。
オフアングルが0.15°、直径2インチ、Sドープ濃度が4×1018cm-3、350μm厚のInP基板を用い、MOCVD法により目標キャリア濃度1.2×1018cm-3のInPエピタキシャル結晶層を1μm形成した。このとき、図1より0.15°のオフアングルに対するドーピング効率の低下を考慮してドーパントの流量を(3)のときの1.05倍とした。得られたエピタキシャル結晶層は、へイズが2.5ppmで上記(3)の場合と変わらなかったが、キャリア濃度は1.18×1018cm-3となり、目標値に近づいた。
オフアングルが0.15±0.03°、直径2インチ、Sドープ濃度が4×1018cm-3、350μm厚の複数のInP基板を用い、MOCVD法により目標キャリア濃度1.2×1018cm-3のInPエピタキシャル結晶層を1μm形成した。このとき、図1より0.15°のオフアングルに対するドーピング効率の低下を考慮してドーパントの流量を(3)のときの1.05倍とした。得られたエピタキシャル結晶層は、へイズが2.5ppmで上記(3)の場合と変わらなかったが、キャリア濃度は1.17〜1.22×1018cm-3となり、目標値に近づいた。なお、オフアングルが0.15±0.02°のInP基板に限っては、キャリア濃度は1.19〜1.22×1018cm-3であった。
オフアングルが0.05〜0.10°、直径2インチ、Sドープ濃度が6×1018cm-3、350μm厚の複数のInP基板を用い、MOCVD法により目標キャリア濃度4.8×1017cm-3のInPエピタキシャル結晶層を1μm形成した。ここで、オフアングルが0.05°の基板を用いて、ドーピング流量を47sccmとしたときのエピタキシャル結晶層のキャリア濃度が4.8×1017cm-3であったので、本実施例でもドーピング流量を同じとした。得られたエピタキシャル結晶層は、へイズが1.04〜1.35ppmで、キャリア濃度が4.8±0.1×1017cm-3であり、ドーピング効率の比は1.0であった。すなわち、図1からもわかるように、オフアングルが〜0.1°の範囲内ではドーピング条件の補正は必要なかった。
Claims (5)
- InP基板上にドーパントを添加しながらエピタキシャル結晶層を成長させる成長方法において、
前記InP基板の面内の複数個所において測定したオフアングルを測定オフアングル、その平均値を平均オフアングルとし、
InP基板の平均オフアングルが0.10°以下の範囲では前記エピタキシャル結晶層へのドーピング効率が一定で、平均オフアングルが0.10°よりも大きい範囲ではドーピング効率が単調減少となる関係を有する場合に、
予め、測定オフアングルの面内バラツキが所定の範囲内にある同種のInP基板を用いて、
前記基板の平均オフアングルが0.10°以下であるときのドーピング効率と、前記基板の平均オフアングルが0.10°よりも大きいときのドーピング効率と、を少なくともそれぞれ一つ取得し、取得した平均オフアングル及びドーピング効率から、平均オフアングルとドーピング効率の関係式を導出し、
使用する基板の平均オフアングル値を前記関係式に代入して、当該基板を用いたときのドーピング効率値を算出し、この算出されたドーピング効率値と平均オフアングルが0.10°以下で一定となるドーピング効率値に基づいて、前記InP基板上にエピタキシャル成長するときのドーピング条件を設定することを特徴とするエピタキシャル結晶の成長方法。 - 前記基板の平均オフアングルとドーピング効率との関係により、特定の平均オフアングルを有する基板を用いた場合に所望のキャリア濃度のエピタキシャル結晶を達成するためのドーピング条件を予測し、この予測されたドーピング条件に基づいてエピタキシャル結晶を成長させ、所望のキャリア濃度が達成されたドーピング条件を、当該特定の平均オフアングルの基板を用いた場合のドーピング条件として確定することを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル結晶の成長方法。
- 前記測定オフアングルの面内バラツキが±0.03°以内であるInP基板を用いてオフアングルとドーピング効率との関係を取得することを特徴とする請求項1または2に記載のエピタキシャル結晶の成長方法。
- 前記測定オフアングルの面内バラツキが±0.02°以内であるInP基板を用いてオフアングルとドーピング効率との関係を取得することを特徴とする請求項3に記載のエピタキシャル結晶の成長方法。
- 前記平均オフアングルが±0.03°以内である基板については同一のドーピング条件を適用することを特徴とする請求項1から4の何れかに記載のエピタキシャル結晶の成長方法。
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