JP4693616B2 - Radiation detection apparatus and radiation detection system - Google Patents

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本発明は、放射線検出装置及び放射線検出システムに係り、特に、医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられる放射線検出装置及び放射線検出システムに関する。 The present invention relates to a radiation detection apparatus and a radiation detection system, and more particularly to a radiation detection apparatus and a radiation detection system used for medical diagnostic equipment, non-destructive inspection equipment, and the like.

従来より、光電変換素子の特性変動やＳ／Ｎ低下を改善するために、光電変換素子に光を照射する発光層又は光電変換素子に照射する光を導光する導光層が設けられた放射線検出装置が知られている（特許文献１を参照）。   Conventionally, radiation that has been provided with a light-emitting layer that irradiates light to the photoelectric conversion element or a light-guiding layer that guides light to irradiate the photoelectric conversion element in order to improve fluctuations in characteristics and S / N reduction of the photoelectric conversion element A detection device is known (see Patent Document 1).

図７は、従来の放射線検出装置７００の断面図である。センサーパネル７０１には、光電変換素子に対向する位置に蛍光体層７０２が形成されている。センサーパネル７０１は、ガラス基板上に、配線部、光電変換部、電極取り出し部、センサーパネル表面を保護する保護層を配置して構成されている。   FIG. 7 is a cross-sectional view of a conventional radiation detection apparatus 700. In the sensor panel 701, a phosphor layer 702 is formed at a position facing the photoelectric conversion element. The sensor panel 701 includes a wiring part, a photoelectric conversion part, an electrode extraction part, and a protective layer that protects the sensor panel surface on a glass substrate.

センサーパネル７０１の裏面側には、光源としての発光層７０４又は光源からセンサーパネル裏面に光を導光する導光層７０４が設けられている。さらに、光源の光をセンサーパネル７０１にムラなく伝播するために拡散層７０５が設けられている（特許文献２、３を参照）。   On the back side of the sensor panel 701, a light emitting layer 704 as a light source or a light guide layer 704 for guiding light from the light source to the back side of the sensor panel is provided. Further, a diffusion layer 705 is provided in order to propagate the light from the light source uniformly to the sensor panel 701 (see Patent Documents 2 and 3).

さらに、蛍光体層７０２からの光が反射して再度光電変換素子に入射することによって発生するノイズを低減するために、蛍光波長を吸収する蛍光体光吸収層７０６が設けられることが知られている（特許文献２、３を参照）。
特開２００２−０４０１４４号公報 米国特許第５９７３３２７号 米国特許第６６５５６７５号 Further, it is known that a phosphor light absorption layer 706 that absorbs a fluorescence wavelength is provided in order to reduce noise generated when light from the phosphor layer 702 is reflected and incident on the photoelectric conversion element again. (See Patent Documents 2 and 3).
JP 2002-040144 A US Pat. No. 5,973,327 US Pat. No. 6,655,675

しかしながら、従来の放射線検出装置は、拡散層や蛍光体光吸収層を追加しているため、放射線検出装置全体が厚くなり、可搬用途で使用するには大きさ、重さともに不向きであるという問題があった。   However, since the conventional radiation detection apparatus adds a diffusion layer and a phosphor light absorption layer, the entire radiation detection apparatus becomes thick and is unsuitable for both size and weight for use in portable applications. There was a problem.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、軽量且つ薄型の放射線検出装置及び放射線検出システムを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a lightweight and thin radiation detection apparatus and radiation detection system.

本発明の第１の側面は、放射線検出装置に係り、前記放射線検出装置は、光電変換部を有するセンサーパネルと、前記センサーパネルの第１の側に配置されており、放射線を、前記光電変換部が感知可能な第１の光に変換する波長変換体と、前記センサーパネルの前記第１の側と反対側の第２の側に配置されており、前記第１の光とは波長帯域が異なる第２の光を前記光電変換部に照射する照明部と、前記センサーパネルと前記照明部との間に配置されており、前記第１の光を吸収し且つ前記第２の光を拡散させる波長選択性拡散層とを備え、前記波長選択性拡散層は、光散乱粒子を含有し、前記波長選択性拡散層は、前記照明部の側より前記センサーパネルの近傍の方が前記光散乱粒子の含有量が高いことを特徴とする。 A first aspect of the present invention relates to a radiation detection apparatus, wherein the radiation detection apparatus is disposed on a sensor panel having a photoelectric conversion unit and a first side of the sensor panel, and converts radiation into the photoelectric conversion apparatus. A wavelength converter for converting the first light into a detectable light, and a second side opposite to the first side of the sensor panel, the first light having a wavelength band An illumination unit that irradiates the photoelectric conversion unit with different second light, and is disposed between the sensor panel and the illumination unit, and absorbs the first light and diffuses the second light. A wavelength selective diffusion layer, wherein the wavelength selective diffusion layer contains light scattering particles, and the wavelength selective diffusion layer is closer to the sensor panel than the illumination unit side. The content of is characterized by high.

本発明の第２の側面は、放射線検出システムに係り、上記の放射線検出装置と、前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記録する記録手段と、前記信号処理手段からの信号を表示する表示手段と、前記信号処理手段からの信号を伝送する伝送処理手段と、を備えることを特徴とする。 A second aspect of the present invention relates to a radiation detection system, the radiation detection apparatus described above, a signal processing means for processing a signal from the radiation detection apparatus, and a recording means for recording a signal from the signal processing means. And a display means for displaying the signal from the signal processing means, and a transmission processing means for transmitting the signal from the signal processing means.

本発明によれば、軽量且つ薄型の放射線検出装置及び放射線検出システムを提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, a lightweight and thin radiation detection apparatus and a radiation detection system can be provided.

[第１の実施形態]
以下、本発明の好適な第１の実施の形態に係る放射線検出装置について図面を用いて詳細に説明する。なお、本発明の好適な実施の形態において、放射線には、Ｘ線、α線、β線、γ線などの電磁波が含まれる。 [First embodiment]
Hereinafter, a radiation detection apparatus according to a preferred first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In a preferred embodiment of the present invention, the radiation includes electromagnetic waves such as X-rays, α rays, β rays, and γ rays.

図１は、本発明の好適な第１の実施形態に係る放射線検出装置の構成を示す図である。本実施形態に係る放射線検出装置１００は、センサーパネル１０１を有しており、センサーパネル１０１には波長変換体１０２が形成され、センサーパネル１０１を挟んで波長変換体１０２と対向する位置には照明部１０３が形成されている。放射線検出装置１００はまた、センサーパネル１０１と照明部１０３との間に波長選択性拡散層１０４を有する。   FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a radiation detection apparatus according to a preferred first embodiment of the present invention. The radiation detection apparatus 100 according to the present embodiment includes a sensor panel 101. A wavelength converter 102 is formed on the sensor panel 101, and illumination is provided at a position facing the wavelength converter 102 with the sensor panel 101 interposed therebetween. A portion 103 is formed. The radiation detection apparatus 100 also includes a wavelength selective diffusion layer 104 between the sensor panel 101 and the illumination unit 103.

センサーパネル１０１は、基板１０５を有しており、基板１０５上には各種の構成要素が形成されている。例えば、基板１０５上には、光電変換部１０６、光電変換部１０６に接続された配線部１０７、配線部１０７に接続された電極取り出し部（電極パッド部）１０８等が形成されている。また、光電変換部１０６及び配線部１０７の上には、第１の保護層１０９が形成されている。   The sensor panel 101 includes a substrate 105, and various components are formed on the substrate 105. For example, a photoelectric conversion unit 106, a wiring unit 107 connected to the photoelectric conversion unit 106, an electrode extraction unit (electrode pad unit) 108 connected to the wiring unit 107, and the like are formed on the substrate 105. A first protective layer 109 is formed on the photoelectric conversion unit 106 and the wiring unit 107.

波長変換体１０２は、第１の保護層１０９（又は後述するする第２の保護層１１０）の上に形成されている。波長変換体１０２は、放射線を光電変換部１０６が感知可能な波長帯域の第１の光に変換するシンチレータで構成されている。波長変換体層１０２の形成方法としては、波長変換体層１０２を第１の保護層１０９（又は第２の保護層１１０）の上に直接形成してもよいし、支持基板上に波長変換体層１０２を形成し、これを貼り合わせることによって形成してもよい。波長変換体層１０１の材料としては、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ等の粒子波長変換体やハロゲン化アルカリ波長変換体等を用いることが好ましい。また、波長変換体層１０１の材料としては、蒸着により形成可能なＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＮａＩ：Ｔｌ、ＬｉＩ：Ｅｕ、ＫＩ：Ｔｌ等のハロゲン化アルカリ柱状結晶構造を有する波長変換体を用いることがより好ましい。また、波長変換体層１０２の密着性を向上させるために、第１の保護層１０９（又は第２の保護層１１０）の表面に表面処理を施すことが望ましい。このような表面処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、ＵＶ照射処理等を用いることができる。 The wavelength converter 102 is formed on the first protective layer 109 (or a second protective layer 110 described later). The wavelength converter 102 includes a scintillator that converts radiation into first light in a wavelength band that can be sensed by the photoelectric conversion unit 106. As a method of forming the wavelength converter layer 102, the wavelength converter layer 102 may be formed directly on the first protective layer 109 (or the second protective layer 110), or the wavelength converter is formed on the support substrate. Alternatively, the layer 102 may be formed and bonded together. As a material of the wavelength converter layer 101, it is preferable to use a particle wavelength converter such as Gd 2 O 2 S: Tb, an alkali halide wavelength converter, or the like. Moreover, as a material of the wavelength converter layer 101, a wavelength converter having an alkali halide columnar crystal structure such as CsI: Na, CsI: Tl, NaI: Tl, LiI: Eu, KI: Tl and the like that can be formed by vapor deposition. More preferably, it is used. In addition, in order to improve the adhesion of the wavelength converter layer 102, it is desirable to perform a surface treatment on the surface of the first protective layer 109 (or the second protective layer 110). As such surface treatment, for example, corona treatment, plasma treatment, UV irradiation treatment or the like can be used.

照明部１０３は、センサーパネル１０１を挟んで波長変換体１０２と対向する位置に配置され、光電変換部１０６が感知可能な第１の光とは波長帯域が異なる第２の光を光電変換部１０６に照射する。照明部１０３としては、センサーパネル１０１の下側に配置されて光を直接発光する光源としての発光層であってもよいし、センサーパネル１０１の側面に配置された光源からの光を導光する導光層であってもよいし、これらの組み合わせであってもよい。照明部１０３の光源としては、ＬＥＤ光源、冷陰極管、ＥＬ光源等、フラットパネルのバックライトに使用できる光源であれば、いずれを用いてもよい。特に、コストが安く薄く形成することが可能なＬＥＤ光源が好ましい。例えば、青色ＬＥＤ（４６５−４７５ｎｍ）、青緑色ＬＥＤ（４９３−４９８ｎｍ）、緑色ＬＥＤ（５２０−５３５ｎｍ）、黄色ＬＥＤ（５９０ｎｍ）、橙色ＬＥＤ（６１１ｎｍ）、赤色ＬＥＤ（６３０ｎｍ、６４４ｎｍ、６６０ｎｍ）を用いることができる。また、ＬＥＤ光源としては、これらのＬＥＤの他、各色を混合した白色ＬＥＤ等を用いることができる。図３は、白色ＬＥＤ光源の発光波長強度を示す図である。白色ＬＥＤ光源では、４５０−５００ｎｍ、５００−６００ｎｍ、６００−７００ｎｍの３つの領域に蛍光体発光波長ピークが存在する。従って、白色ＬＥＤ光源であれば、波長変換体から光を吸収する波長選択性拡散層があっても、他の領域での発光があるので、光源としての役割を効率良く果たすことができる。   The illumination unit 103 is disposed at a position facing the wavelength converter 102 with the sensor panel 101 interposed therebetween, and converts the second light having a wavelength band different from the first light that can be detected by the photoelectric conversion unit 106 to the photoelectric conversion unit 106. Irradiate. The illumination unit 103 may be a light emitting layer as a light source that is disposed below the sensor panel 101 and directly emits light, or guides light from the light source disposed on the side surface of the sensor panel 101. It may be a light guide layer or a combination thereof. As the light source of the illuminating unit 103, any light source that can be used for a flat panel backlight, such as an LED light source, a cold cathode tube, or an EL light source, may be used. In particular, an LED light source that is inexpensive and can be formed thin is preferable. For example, a blue LED (465-475 nm), a blue-green LED (493-498 nm), a green LED (520-535 nm), a yellow LED (590 nm), an orange LED (611 nm), and a red LED (630 nm, 644 nm, 660 nm) are used. be able to. Further, as the LED light source, in addition to these LEDs, a white LED mixed with each color can be used. FIG. 3 is a diagram showing the emission wavelength intensity of the white LED light source. In the white LED light source, phosphor emission wavelength peaks exist in three regions of 450 to 500 nm, 500 to 600 nm, and 600 to 700 nm. Therefore, in the case of a white LED light source, even if there is a wavelength-selective diffusion layer that absorbs light from the wavelength converter, there is light emission in other regions, so that it can efficiently serve as a light source.

また、波長変換体１０２としてＣｓＩヨウ化セシウムを用いる場合には、図４に示すように、５５０−６５０ｎｍの領域に蛍光体発光波長ピークが存在する。従って、同波長領域を吸収する拡散層を選択し、逆に光源として波長変換体１０２の発光ピークとは異なる発光波長をもつ、青色ＬＥＤ（４６５−４７５ｎｍ）、橙色ＬＥＤ（６１１ｎｍ）や、特に望ましくは、赤色ＬＥＤ（６６０ｎｍ）などが好適である。また、各色を混合した白色ＬＥＤ等を用いてもよい。   When CsI cesium iodide is used as the wavelength converter 102, a phosphor emission wavelength peak exists in the region of 550 to 650 nm as shown in FIG. Therefore, a diffusion layer that absorbs the same wavelength region is selected, and conversely, a blue LED (465-475 nm), an orange LED (611 nm) having a light emission wavelength different from the light emission peak of the wavelength converter 102 as a light source is particularly desirable. A red LED (660 nm) or the like is suitable. Moreover, you may use white LED etc. which mixed each color.

同様にして、波長変換体１０２がＧＯＳ酸化硫化ガドリニウムであれば 図５のように細い発光波長ピークが存在する。従って、同波長領域を吸収する波長選択性拡散層１０４を選択し、逆に、照明部１０３として波長変換体１０２の発光ピークとは異なる発光波長をもつ全てのＬＥＤを用いることができる。例えば、青色ＬＥＤ（４６５−４７５ｎｍ）、青緑色ＬＥＤ（４９３−４９８ｎｍ）、黄色ＬＥＤ（５９０ｎｍ）、橙色ＬＥＤ（６１１ｎｍ）、赤色ＬＥＤ（６３０ｎｍ、６４４ｎｍ、６６０ｎｍ）などの他、各色を混合した白色ＬＥＤ等を用いることができる。   Similarly, if the wavelength converter 102 is GOS gadolinium oxysulfide, a narrow emission wavelength peak exists as shown in FIG. Therefore, the wavelength-selective diffusion layer 104 that absorbs the same wavelength region can be selected, and conversely, all LEDs having emission wavelengths different from the emission peak of the wavelength converter 102 can be used as the illumination unit 103. For example, a blue LED (465-475 nm), a blue green LED (493-498 nm), a yellow LED (590 nm), an orange LED (611 nm), a red LED (630 nm, 644 nm, 660 nm), etc., and a white LED in which each color is mixed Etc. can be used.

基板１０５としては、照明部１０３からの光を透過可能なガラス等の絶縁性基板を用いることが好ましい。   As the substrate 105, an insulating substrate such as glass that can transmit light from the lighting unit 103 is preferably used.

光電変換部１０６は、基板１０５上に１次元又は２次元状に配置されている。光電変換部１０６は、光電変換素子とスイッチング素子で構成される。光電変換素子としては、例えば、ｐｎフォトダイオード、ｐｉｎフォトダイオード、ＭＩＳセンサ等のフォトセンサーを用いることができる。また、スイッチング素子としては、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）等を用いることができる。光電変換素子をスイッチング素子と共に用いて画素が構成されている。また、光電変換部１０６の材料としては、例えば、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコン又は有機材料等を用いることができる。特に、スイッチング素子としてＴＦＴを用いる場合には、光電変換素子は非単結晶シリコン（アモルファスシリコン、ポリシリコン）で形成されることが望ましい。光電変換部１０６の材料として、単結晶シリコンを用いる場合には、光電変換素子として、ＣＣＤやＣＭＯＳセンサ等を用いることもできる。   The photoelectric conversion unit 106 is arranged one-dimensionally or two-dimensionally on the substrate 105. The photoelectric conversion unit 106 includes a photoelectric conversion element and a switching element. As the photoelectric conversion element, for example, a photosensor such as a pn photodiode, a pin photodiode, or a MIS sensor can be used. As the switching element, a TFT (Thin Film Transistor) or the like can be used. A pixel is configured by using a photoelectric conversion element together with a switching element. Moreover, as a material of the photoelectric conversion unit 106, for example, amorphous silicon, polysilicon, single crystal silicon, an organic material, or the like can be used. In particular, when a TFT is used as the switching element, the photoelectric conversion element is preferably formed of non-single crystal silicon (amorphous silicon or polysilicon). When single crystal silicon is used as the material of the photoelectric conversion unit 106, a CCD, a CMOS sensor, or the like can be used as the photoelectric conversion element.

第１の保護層１０９は、光電変換部１０６及び配線部１０７を覆い、これらを保護する。第１の保護層１０９の材料としては、例えば、窒化シリコン等を用いることができる。第１の保護層１０９の上には、必要に応じて、第２の保護層１１０を設けてもよい。第１の保護層１０９又は第２の保護層１１０としては、例えば、ＳｉＮ、ＴｉＯ2 、ＬｉＦ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ等を用いることができる。これらの他、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂を用いることができる。さらに、これらの他、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂等を用いることができる。第１の保護層１０９又は第２の保護層１１０は、放射線照射時に波長変換体１０２で変換された光が通過することから、波長変換体１０２が放出する光の波長に対し、高い透過率を示すものが好ましい。 The first protective layer 109 covers and protects the photoelectric conversion unit 106 and the wiring unit 107. As a material of the first protective layer 109, for example, silicon nitride can be used. A second protective layer 110 may be provided on the first protective layer 109 as necessary. As the first protective layer 109 or the second protective layer 110, for example, SiN, TiO 2 , LiF, Al 2 O 3 , MgO, or the like can be used. In addition to these, polyphenylene sulfide resin, fluorine resin, polyether ether ketone resin, liquid crystal polymer, polyether nitrile resin, polysulfone resin, polyether sulfone resin, polyarylate resin, and polyamideimide resin can be used. In addition to these, polyetherimide resin, polyimide resin, epoxy resin, acrylic resin, silicon resin, and the like can be used. The first protective layer 109 or the second protective layer 110 has a high transmittance with respect to the wavelength of the light emitted by the wavelength converter 102 because the light converted by the wavelength converter 102 passes through the radiation. What is shown is preferred.

波長選択性拡散層１０４は、センサーパネル１０１と照明部１０３との間に配置され、光電変換部１０６が感知可能な第１の光を吸収し且つ照明部１０３により照射される第２の光を拡散させる。第１の光を吸収するのは、波長変換体１０２からの光のうち光電変換部１０６で確保されなかった漏れ光がセンサーパネル１０１の裏面で反射し、再度、光電変換部１０６に入射してノイズとなることを防止するためである。このようなノイズを防止するためには、波長変換体１０２の発光波長光を吸収する層が必要である。一方、第２の光を拡散させるのは、光を拡散させてセンサーパネル１０１面内の光量ムラを低減し、光電変換部１０６の特性変動及びＳ／Ｎを改善するために、センサーパネル１０１に一様に光を照射するためである。両機能は、センサーパネル１０１の良好な特性を得るには必須である。   The wavelength-selective diffusion layer 104 is disposed between the sensor panel 101 and the illumination unit 103, absorbs the first light that can be sensed by the photoelectric conversion unit 106, and emits the second light emitted by the illumination unit 103. Spread. The first light is absorbed because the light from the wavelength converter 102 that is not secured by the photoelectric conversion unit 106 is reflected by the back surface of the sensor panel 101 and enters the photoelectric conversion unit 106 again. This is to prevent noise. In order to prevent such noise, a layer that absorbs light of the emission wavelength of the wavelength converter 102 is necessary. On the other hand, the second light is diffused in the sensor panel 101 in order to diffuse the light and reduce the unevenness in the amount of light in the surface of the sensor panel 101, and to improve the characteristic variation and S / N of the photoelectric conversion unit 106. This is to irradiate light uniformly. Both functions are essential for obtaining good characteristics of the sensor panel 101.

本発明の好適な実施の形態では、この両機能を一層で兼ねることによって、放射線検出装置１００の厚さを薄くし、かつ、放射線検出装置１００を軽量化することができる。   In a preferred embodiment of the present invention, both of these functions can be combined to reduce the thickness of the radiation detection apparatus 100 and reduce the weight of the radiation detection apparatus 100.

波長選択性拡散層１０４の材料としては、波長変換体１０２の発光波長領域よりも少なくとも広い領域で光を吸収可能な材料を用いることが好ましい。波長変換体１０２がＣｓＩ（Ｔｌ）の場合には、５００〜５５０ｎｍ付近にブロードなピークが存在する。従って、このような材料としては、ＣｓＩ（Ｔｌ）からの発光光を吸収するマゼンタ色の染料・顔料を樹脂に溶融又は分散させた樹脂を成型した、所謂マゼンタフィルターを用いることができる。このような樹脂としては、成型が容易であるものが好ましく、光学特性に優れているアクリル樹脂を用いることがより好ましい。波長変換体１０２の発光光を全て吸収することが好ましいが、全ての発光光を吸収できなくてもよい。この場合、波長変換体１０２からの発光光は、センサーパネル１０１の裏面で反射して、再度、光電変換部１０６に到達するまでに波長選択性拡散層１０４を２度通過する。そのため、大きな減衰効果が得られるため、実質的には極めて低いノイズレベルにまで戻り光を低減することができる。   As the material of the wavelength selective diffusion layer 104, it is preferable to use a material that can absorb light in a region at least wider than the emission wavelength region of the wavelength converter 102. When the wavelength converter 102 is CsI (Tl), a broad peak exists in the vicinity of 500 to 550 nm. Therefore, as such a material, a so-called magenta filter obtained by molding a resin in which a magenta dye / pigment that absorbs light emitted from CsI (Tl) is melted or dispersed in a resin can be used. Such a resin is preferably one that can be easily molded, and more preferably an acrylic resin having excellent optical properties. Although it is preferable to absorb all the emitted light of the wavelength converter 102, it may not be possible to absorb all the emitted light. In this case, the emitted light from the wavelength converter 102 is reflected by the back surface of the sensor panel 101 and passes through the wavelength selective diffusion layer 104 twice before reaching the photoelectric conversion unit 106 again. Therefore, since a large attenuation effect can be obtained, the return light can be reduced to a substantially low noise level.

また、照明部１０３からの光は、光電変換部１０６の特性変動を改善するために照射されるため、適量な照射光量が必要である。このため、波長選択性拡散層１０４は、照明部１０３からの光を透過させる必要がある。波長選択性拡散層１０４が吸収する波長領域は、可能な限り波長変換体１０２からの発光光の波長領域と一致することが好ましい。従って、照明部１０３からの発光光を吸収しないか、或いは、照明部１０３の発光波長領域が波長選択性拡散層１０４の波長吸収領域より広いことが好ましい。   Moreover, since the light from the illumination unit 103 is irradiated in order to improve the characteristic variation of the photoelectric conversion unit 106, an appropriate amount of irradiation light is required. For this reason, the wavelength selective diffusion layer 104 needs to transmit light from the illumination unit 103. It is preferable that the wavelength region absorbed by the wavelength selective diffusion layer 104 matches the wavelength region of the emitted light from the wavelength converter 102 as much as possible. Therefore, it is preferable that the light emitted from the illumination unit 103 is not absorbed, or that the emission wavelength region of the illumination unit 103 is wider than the wavelength absorption region of the wavelength selective diffusion layer 104.

波長選択性拡散層１０４の厚さとしては、波長選択効果及び拡散効果が満足されるのであれば、どのような厚みでもよいが、パネルの可搬性や軽量化のために厚みがより薄いことが好ましく、例えば０．２ｍｍ〜１０ｍｍが好ましく、２〜６ｍｍがより好ましい。   The thickness of the wavelength selective diffusion layer 104 may be any thickness as long as the wavelength selection effect and the diffusion effect are satisfied. However, the thickness may be thinner for the portability and weight reduction of the panel. Preferably, for example, 0.2 mm to 10 mm is preferable, and 2 to 6 mm is more preferable.

波長選択性拡散層１０４に拡散層としての効果をもたせるためには、例えば、波長選択性拡散層１０４の表面を粗面にする方法を用いることができる。これによって、照明部１０３から波長選択性拡散層１０４に進行してきた光が効率的に分散され、照明部１０３からの光のムラを低減することができる。波長選択性拡散層１０４の表面を粗面にして拡散効果を得る場合、センサーパネル１０１の裏面に配置された照明部１０３から入射する光を拡散させるために、波長選択性拡散層１０４のセンサーパネル１０１側の面を粗面にすることが好ましい。このような粗面を形成する方法としては、例えば、サンドブラスト、エッチング等を用いることができる。このような粗面の平均粗さとしては、Ｒｚ＝２〜２０μｍであることが好ましい。波長選択性拡散層１０４の拡散層としての効果は、照明部１０３から照射された光をより均一にすることを目的としているため、面粗度は面内で均一であることが好ましい。   In order to give the wavelength selective diffusion layer 104 the effect as a diffusion layer, for example, a method of roughening the surface of the wavelength selective diffusion layer 104 can be used. Thereby, the light traveling from the illumination unit 103 to the wavelength selective diffusion layer 104 is efficiently dispersed, and unevenness of the light from the illumination unit 103 can be reduced. When the surface of the wavelength selective diffusion layer 104 is roughened to obtain a diffusion effect, the sensor panel of the wavelength selective diffusion layer 104 is used to diffuse light incident from the illumination unit 103 disposed on the back surface of the sensor panel 101. The surface on the 101 side is preferably roughened. As a method for forming such a rough surface, for example, sandblasting, etching, or the like can be used. The average roughness of such a rough surface is preferably Rz = 2 to 20 μm. Since the effect of the wavelength selective diffusion layer 104 as a diffusion layer is to make the light emitted from the illumination unit 103 more uniform, the surface roughness is preferably uniform in the surface.

照明部１０３の光源がセンサーパネル１０１の側面に位置し、光源の光が照明部１０３によってセンサーパネル１０１に導入される場合、すなわち導光層を用いる場合には、図２に示すように、照明部１０３に反射層２０１を配置してもよい。反射層２０１は、照明部１０３の表面に波状、プリズム状などの形状を有する所謂マイクロリフレクター形状を形成してもよいし、反射性インクでマイクロドット印刷を施してもよい。また、異なる反射機能をもつ層を形成することによっても反射機能を付加することがきる。例えば、反射性の粒子を含有する樹脂フィルムを貼り付けて設けてもよい。具体的には、一般に知られている白ＰＥＴフィルムを貼り付けることで容易に形成することができる。また、例えば、センサーパネル１０１を支持する筐体が照明部１０３からの光を反射するような反射面をもつ支持体であれば、直接この筐体に積層することによって反射層２０１の機能を付加できる。反射層２０１は、照明部１０３の光源の光を効率良く導光させるために使用するものであって、照明部１０３の導光層下面を覆うように形成されることが好ましい。さらに照明部１０３の光源下面を覆うように形成されることがより好ましく、さらに照明部１０３の導光層側面を覆うように形成されることが更に好ましい。従って、反射層２０１の材料としては、印刷インク、樹脂フィルム等の被覆が容易な材料が望ましい。   When the light source of the illumination unit 103 is positioned on the side surface of the sensor panel 101 and the light from the light source is introduced into the sensor panel 101 by the illumination unit 103, that is, when a light guide layer is used, as shown in FIG. The reflective layer 201 may be disposed on the portion 103. The reflective layer 201 may form a so-called micro-reflector shape having a wave shape, a prism shape, or the like on the surface of the illumination unit 103, or may be subjected to micro dot printing with reflective ink. Further, the reflection function can be added by forming layers having different reflection functions. For example, a resin film containing reflective particles may be attached. Specifically, it can be easily formed by attaching a generally known white PET film. For example, if the housing that supports the sensor panel 101 has a reflective surface that reflects light from the illumination unit 103, the function of the reflective layer 201 is added by directly stacking the housing on the housing. it can. The reflective layer 201 is used for efficiently guiding the light of the light source of the illumination unit 103 and is preferably formed so as to cover the lower surface of the light guide layer of the illumination unit 103. Furthermore, it is more preferable that the illumination unit 103 is formed so as to cover the lower surface of the light source, and it is further preferable that the illumination unit 103 is formed so as to cover the side surface of the light guide layer. Therefore, the material of the reflective layer 201 is preferably a material that can be easily covered, such as printing ink and resin film.

また、放射線検出装置１００には、波長変換体１０２の上に耐湿保護層、反射層を兼ねた防湿保護層を設けてもよく、防湿保護層は、電磁シールド層を兼ねてもよい。このような耐湿保護層は、波長変換体１０２をその上部表面から側面にかけて覆うように形成され、波長変換体１０２がセンサーパネル１０１の表面と外部から遮断されるように少なくとも端部がセンサーパネル１０１の表面に直接形成されることが望ましい。   Further, the radiation detection apparatus 100 may be provided with a moisture-proof protective layer that also serves as a moisture-resistant protective layer and a reflective layer on the wavelength converter 102, and the moisture-proof protective layer may also serve as an electromagnetic shield layer. Such a moisture-resistant protective layer is formed so as to cover the wavelength converter 102 from the upper surface to the side surface, and at least the end portion of the sensor panel 101 is shielded from the surface of the sensor panel 101 and the outside. It is desirable that it be formed directly on the surface.

波長変換体１０２に設けられる反射層は、波長変換体１０２からの光を反射し、且つ、外部からの水分の浸入を防止する材料が望ましく、特に金属材料が望ましい。具体的には、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｐｔ及びＡｕ等の反射率の高い金属が望ましい。さらに、この反射層には、剛性保護の目的で樹脂層（不図示）を積層することが望ましい。   The reflective layer provided on the wavelength converter 102 is preferably made of a material that reflects light from the wavelength converter 102 and prevents moisture from entering from the outside, and particularly a metal material. Specifically, metals having high reflectivity such as Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Rh, Pt, and Au are desirable. Furthermore, it is desirable to laminate a resin layer (not shown) on the reflective layer for the purpose of protecting the rigidity.

また、放射線検出装置１００において、センサーパネル１０１の電極取り出し部１０８には、駆動用もしくは検出用集積回路ＩＣが実装されたフレキシブル回路基板（不図示）の端子部が異方導電性接着剤（不図示）を介して貼り合わされる。   Further, in the radiation detection apparatus 100, the electrode extraction portion 108 of the sensor panel 101 is provided with a terminal portion of a flexible circuit board (not shown) on which a driving or detection integrated circuit IC is mounted with an anisotropic conductive adhesive (not shown). Are attached to each other.

以下、本発明の好適な第１の実施の形態に係る放射線検出装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態に係る製造方法における、各構成の配置、材料、性質、大きさ、製法等は、上述した放射線検出装置の各構成で説明したものを適用することが可能である。   Hereinafter, a manufacturing method of a radiation detection device concerning a suitable 1st embodiment of the present invention is explained. In addition, the arrangement, material, property, size, manufacturing method, and the like of each component in the manufacturing method according to the present embodiment can be those described in each component of the radiation detection apparatus described above.

先ず、図１に示すようにセンサーパネル１０１を形成する。具体的には、基板１０５上に光電変換部１０６及び配線部１０７並びに電極取り出し部１０８を形成する。   First, the sensor panel 101 is formed as shown in FIG. Specifically, the photoelectric conversion unit 106, the wiring unit 107, and the electrode extraction unit 108 are formed on the substrate 105.

次いで、センサーパネル１０１の上に第１の保護層１０９を形成し、さらにその上に波長変換体１０２を形成する。ここで、必要があれば、第１の保護層１０９上に第２の保護層１１０を形成してもよい。   Next, the first protective layer 109 is formed on the sensor panel 101, and the wavelength converter 102 is further formed thereon. Here, if necessary, the second protective layer 110 may be formed over the first protective layer 109.

次いで、第１の保護層１０９（又は第２の保護層１１０）上に表面処理を施す。例えば、表面処理としてプラズマ処理を用いる場合、大気圧プラズマ洗浄装置を用いて、反応管幅７５ｍｍ、被照射距離５ｍｍ、操作速度７５ｍｍ、出力０．８ｋｗで行うことができる。   Next, surface treatment is performed on the first protective layer 109 (or the second protective layer 110). For example, when plasma treatment is used as the surface treatment, it can be performed using an atmospheric pressure plasma cleaning apparatus with a reaction tube width of 75 mm, an irradiation distance of 5 mm, an operation speed of 75 mm, and an output of 0.8 kW.

次いで、第１の保護層１０９（又は第２の保護層１１０）の画素領域に対応する位置に波長変換体１０２を形成する。波長変換体１０２としては、例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化セシウム）等を厚さ５００μｍで蒸着することができる。   Next, the wavelength converter 102 is formed at a position corresponding to the pixel region of the first protective layer 109 (or the second protective layer 110). As the wavelength converter 102, for example, CsI: Tl (thallium activated cesium iodide) or the like can be deposited with a thickness of 500 μm.

次いで、波長変換体１０２の表面と側面を覆って波長変換体保護層を配置する。また、波長変換体保護層上に反射層を配置する。   Next, a wavelength converter protective layer is disposed so as to cover the surface and side surfaces of the wavelength converter 102. A reflective layer is disposed on the wavelength converter protective layer.

次いで、基板１０５上に波長変換体１０２の発光波長領域よりも少なくとも広い領域に吸収を持つ領域で光を吸収することができる材料、例えば、アクリル樹脂からなるマゼンタフィルター樹脂等を形成する。   Next, a material capable of absorbing light in a region having absorption in at least a region wider than the emission wavelength region of the wavelength converter 102 is formed on the substrate 105, for example, a magenta filter resin made of acrylic resin.

次いで、上記形成した材料の表面をサンドブラスト法等により粗面とし、波長選択性拡散層１０４を形成する。   Next, the surface of the formed material is roughened by a sandblast method or the like, and the wavelength selective diffusion layer 104 is formed.

次いで、センサーパネル１０１上に形成された波長変換体１０２とは反対側の面に粗面側がセンサーパネル１０１と対向するように、照明部１０３を波長選択性拡散層１０４に重ね合わせる。ここで、照明部１０３の裏面に反射層２０１（例えば、白ＰＥＴフィルム（厚さ１８８μｍ）等）を形成してもよい。   Next, the illuminating unit 103 is overlaid on the wavelength selective diffusion layer 104 so that the rough side faces the sensor panel 101 on the surface opposite to the wavelength converter 102 formed on the sensor panel 101. Here, a reflective layer 201 (for example, a white PET film (thickness: 188 μm) or the like) may be formed on the back surface of the illumination unit 103.

次いで、センサーパネル１０１上の電極取り出し部１０４に、異方導電性接着剤（不図示）を介してフレキシブル回路基板（不図示）の端子部を熱圧着し、放射線検出装置を得る。   Next, a terminal part of a flexible circuit board (not shown) is thermocompression bonded to the electrode extraction part 104 on the sensor panel 101 via an anisotropic conductive adhesive (not shown) to obtain a radiation detection apparatus.

[第２の実施形態]
本発明の好適な第２の実施形態では、波長選択性拡散層１０４に光拡散機能を有する光拡散粒子を分散・含有させる方法を用いる。光拡散粒子の大きさは、例えば、５〜２００μｍであることが好ましく、５〜３０μｍであることがより好ましい。光拡散粒子の材料としては、例えば、ポリポロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、アクリル樹脂などの樹脂材料、さらには一般的に知られているガラス粒子や酸化チタン粒子のような金属微粒子等を用いることができる。波長選択性拡散層１０４の拡散層としての効果は、照明部１０３から照射された光をより均一にすることを目的としているため、光拡散粒子は面内で均一に拡散されることが好ましい。波長選択性拡散層１０４の厚さ方向に対しては、光拡散粒子が全層に均一に分散されてもよいが、照明部１０３からの光が減衰しないように、センサーパネル１０１の近傍の含有量が高くなるように拡散粒子を充填してもよい。なお、拡散粒子の含有量は、波長選択性拡散層１０４自体の自己保持性を考慮すると３０％vol以下であることが好ましい。 [Second Embodiment]
In the second preferred embodiment of the present invention, a method of dispersing and containing light diffusing particles having a light diffusing function in the wavelength selective diffusing layer 104 is used. The size of the light diffusing particles is preferably, for example, 5 to 200 μm, and more preferably 5 to 30 μm. As a material for the light diffusion particles, for example, a resin material such as a polypropylene resin, a polystyrene resin, a polyethylene resin, an acrylic resin, or a generally known metal particle such as a glass particle or a titanium oxide particle is used. Can do. The effect of the wavelength selective diffusion layer 104 as a diffusion layer is to make the light emitted from the illumination unit 103 more uniform, and therefore it is preferable that the light diffusion particles are uniformly diffused in the plane. In the thickness direction of the wavelength-selective diffusion layer 104, the light diffusion particles may be uniformly dispersed in all layers, but the inclusion in the vicinity of the sensor panel 101 is prevented so that the light from the illumination unit 103 is not attenuated. You may fill with a diffusion particle so that quantity may become high. The content of the diffusing particles is preferably 30% vol or less in consideration of the self-holding property of the wavelength selective diffusing layer 104 itself.

以下、本発明の好適な第２の実施の形態に係る放射線検出装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態に係る製造方法における、各構成の配置、材料、性質、大きさ、製法等は、上述した放射線検出装置の各構成で説明したものを適用することが可能である。   Hereinafter, a method for manufacturing the radiation detection apparatus according to the preferred second embodiment of the present invention will be described. In addition, the arrangement, material, property, size, manufacturing method, and the like of each component in the manufacturing method according to the present embodiment can be those described in each component of the radiation detection apparatus described above.

先ず、図１に示すようにセンサーパネル１０１を形成する。具体的には、基板１０５上に光電変換部１０６及び配線部１０７並びに電極取り出し部１０８を形成する。   First, the sensor panel 101 is formed as shown in FIG. Specifically, the photoelectric conversion unit 106, the wiring unit 107, and the electrode extraction unit 108 are formed on the substrate 105.

次いで、センサーパネル１０１の上に第１の保護層１０９を形成し、さらにその上に波長変換体１０２を形成する。ここで、必要があれば、第１の保護層１０９上に第２の保護層１１０を形成してもよい。   Next, the first protective layer 109 is formed on the sensor panel 101, and the wavelength converter 102 is further formed thereon. Here, if necessary, the second protective layer 110 may be formed over the first protective layer 109.

次いで、第１の保護層１０９（又は第２の保護層１１０）上に表面処理を施す。例えば、表面処理としてプラズマ処理を用いる場合、大気圧プラズマ洗浄装置を用いて、反応管幅７５ｍｍ、被照射距離５ｍｍ、操作速度７５ｍｍ、出力０．８ｋｗで行うことができる。   Next, surface treatment is performed on the first protective layer 109 (or the second protective layer 110). For example, when plasma treatment is used as the surface treatment, it can be performed using an atmospheric pressure plasma cleaning apparatus with a reaction tube width of 75 mm, an irradiation distance of 5 mm, an operation speed of 75 mm, and an output of 0.8 kW.

次いで、第１の保護層１０９（又は第２の保護層１１０）の画素領域に対応する位置に波長変換体１０２を形成する。波長変換体１０２としては、例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化セシウム）を厚さ５００μｍで蒸着することができる。   Next, the wavelength converter 102 is formed at a position corresponding to the pixel region of the first protective layer 109 (or the second protective layer 110). As the wavelength converter 102, for example, CsI: Tl (thallium activated cesium iodide) can be deposited with a thickness of 500 μm.

次いで、波長変換体１０２の上に波長変換体保護層を積層する。波長変換体保護層としては、例えば、Ａｌ４０μｍ、ＰＥＴ５０μｍを積層してなるＡｌ／ｐｅｔシートのＡｌ面側に、厚さ１００μｍのアクリル粘着シートを配置した構成を用いることができる。   Next, a wavelength converter protective layer is laminated on the wavelength converter 102. As a wavelength converter protective layer, the structure which has arrange | positioned the 100-micrometer-thick acrylic adhesive sheet can be used for the Al surface side of the Al / pet sheet formed by laminating | stacking Al40micrometer and PET50micrometer, for example.

次いで、波長選択性拡散層１０４を形成する。例えば、基板１０５上にマゼンタ色になるような染料を溶融し、さらに拡散粒子として発泡ポリプロピレンを含む粒子を含有するアクリル樹脂板を成型することによって、波長選択性拡散層１０４を形成することができる。   Next, the wavelength selective diffusion layer 104 is formed. For example, the wavelength-selective diffusion layer 104 can be formed by melting a magenta dye on the substrate 105 and molding an acrylic resin plate containing particles containing expanded polypropylene as diffusion particles. .

次いで、照明部１０３を波長選択性拡散層１０４に重ね合わせる。ここで、照明部１０３の裏面に反射層２０１（例えば、白ＰＥＴフィルム（厚さ１８８μｍ）等）を形成してもよい。   Next, the illumination unit 103 is overlaid on the wavelength selective diffusion layer 104. Here, a reflective layer 201 (for example, a white PET film (thickness: 188 μm) or the like) may be formed on the back surface of the illumination unit 103.

次いで、センサーパネル１０１上の電極取り出し部１０４に、異方導電性接着剤（不図示）を介してフレキシブル回路基板（不図示）の端子部を熱圧着し、放射線検出装置を得る。   Next, a terminal part of a flexible circuit board (not shown) is thermocompression bonded to the electrode extraction part 104 on the sensor panel 101 via an anisotropic conductive adhesive (not shown) to obtain a radiation detection apparatus.

[応用例]
図６は本発明の好適な実施の形態に係る放射線検出装置を放射線撮影システムに応用したシステム図である。 [Application example]
FIG. 6 is a system diagram in which the radiation detection apparatus according to the preferred embodiment of the present invention is applied to a radiation imaging system.

本放射線撮影システムの特徴は、以下の点である。すなわち、Ｘ線発生源としてのＸ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者あるいは被検体６０６１の胸部などの観察部分６０６２を透過し、放射線検出装置１００、２００に入射する。この入射したＸ線６０６０には被検体６０６１の内部の情報が含まれている。Ｘ線６０６０の入射に対応して放射線検出装置１００、２００は電気的情報を得る。この情報はデジタル信号に変換され、信号処理手段としてのイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室（コントロールルーム）にある表示手段としてのディスプレイ６０８１で観察可能となる。   The features of this radiation imaging system are as follows. That is, X-rays 6060 generated by an X-ray tube 6050 as an X-ray generation source pass through an observation portion 6062 such as a chest of a patient or a subject 6061 and enter the radiation detection apparatuses 100 and 200. The incident X-ray 6060 includes information inside the subject 6061. In response to the incidence of the X-ray 6060, the radiation detection apparatuses 100 and 200 obtain electrical information. This information is converted into a digital signal, subjected to image processing by an image processor 6070 as a signal processing means, and can be observed on a display 6081 as a display means in a control room (control room).

画像処理された情報は、電話回線や無線６０９０等の伝送処理手段により遠隔地などへ転送でき、ディスプレイ６０８１に表示されたり、フィルムなどに出力されたりして、コントロールルームとは別の場所の遠隔地にいる医師が診断することも可能である。このようにして、ドクタールームで得られた情報は、フィルムプロセッサなどの記録手段としての記録部６１００により光ディスク、光磁気ディスク、磁気ディスクなどの各種記録材料を用いた記録媒体に記録や保存することもできる。また、フィルム又は紙などの記録媒体６１１０に記録や保存することもできる。   The image-processed information can be transferred to a remote place or the like by a transmission processing means such as a telephone line or wireless 6090, and is displayed on a display 6081 or output to a film or the like. It is also possible for a doctor in the ground to make a diagnosis. In this way, information obtained in the doctor room is recorded and stored in a recording medium using various recording materials such as an optical disk, a magneto-optical disk, and a magnetic disk by a recording unit 6100 as a recording means such as a film processor. You can also. Further, it can be recorded and stored in a recording medium 6110 such as a film or paper.

以上説明したように、本発明の好適な実施の形態に係る放射線検出装置及び放射線撮影システムによれば、波長変換体光源からの漏れ光が原因となるノイズの発生を低減し、照射部より照射される光によって、光電変換部の特性を向上させることができる。   As described above, according to the radiation detection apparatus and the radiography system according to the preferred embodiment of the present invention, the generation of noise caused by the leaked light from the wavelength converter light source is reduced, and irradiation is performed from the irradiation unit. The characteristics of the photoelectric conversion unit can be improved by the light that is emitted.

また、放射線検出装置の積層構造の簡略化が可能となり、放射線検出装置の構成層が薄くなるため、装置及びシステム全体の軽量・薄型化が可能となる。その結果、低コストで耐久性の高い放射線検出装置及び放射線撮影システムを実現することができる。   Further, the stacked structure of the radiation detection apparatus can be simplified, and the constituent layers of the radiation detection apparatus can be thinned, so that the entire apparatus and system can be reduced in weight and thickness. As a result, a low-cost and highly durable radiation detection apparatus and radiation imaging system can be realized.

本発明の好適な第１の実施形態に係る放射線検出装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the radiation detection apparatus which concerns on suitable 1st Embodiment of this invention. 本発明の好適な第１の実施形態に係る他の放射線検出装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the other radiation detection apparatus which concerns on suitable 1st Embodiment of this invention. 白色ＬＥＤ光源の発光波長強度を示す図である。It is a figure which shows the light emission wavelength intensity of a white LED light source. ＣｓＩヨウ化セシウムの発光波長ピークを示す図である。It is a figure which shows the light emission wavelength peak of CsI cesium iodide. ＧＯＳ酸化硫化ガドリニウムの発光波長ピークを示す図である。It is a figure which shows the light emission wavelength peak of GOS gadolinium oxysulfide. 本発明の応用例に係る放射線撮影システムの構成を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the structure of the radiography system which concerns on the application example of this invention. 従来の放射線検出装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional radiation detection apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１００ 放射線検出装置
１０１ センサーパネル
１０２ 波長変換体
１０３ 照明部
１０４ 波長選択性拡散層
１０６ 光電変換部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Radiation detection apparatus 101 Sensor panel 102 Wavelength conversion body 103 Illumination part 104 Wavelength selective diffusion layer 106 Photoelectric conversion part

Claims (5)

光電変換部を有するセンサーパネルと、
前記センサーパネルの第１の側に配置されており、放射線を、前記光電変換部が感知可能な第１の光に変換する波長変換体と、
前記センサーパネルの前記第１の側と反対側の第２の側に配置されており、前記第１の光とは波長帯域が異なる第２の光を前記光電変換部に照射する照明部と、
前記センサーパネルと前記照明部との間に配置されており、前記第１の光を吸収し且つ前記第２の光を拡散させる波長選択性拡散層と、
を備え、
前記波長選択性拡散層は、光散乱粒子を含有し、前記波長選択性拡散層は、前記照明部の側より前記センサーパネルの近傍の方が前記光散乱粒子の含有量が高いことを特徴とする放射線検出装置。 A sensor panel having a photoelectric conversion unit;
A wavelength converter that is disposed on the first side of the sensor panel and converts radiation into first light that can be sensed by the photoelectric converter;
An illumination unit that is disposed on a second side opposite to the first side of the sensor panel and that irradiates the photoelectric conversion unit with second light having a wavelength band different from that of the first light;
A wavelength-selective diffusion layer that is disposed between the sensor panel and the illuminating unit and absorbs the first light and diffuses the second light;
With
The wavelength selective diffusion layer contains light scattering particles, and the wavelength selective diffusion layer has a higher content of the light scattering particles in the vicinity of the sensor panel than the side of the illumination unit. A radiation detection device. 前記光散乱粒子は、樹脂材料、ガラス粒子、又は金属微粒子を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。 The radiation detection apparatus according to claim 1 , wherein the light scattering particles include resin material, glass particles, or metal fine particles. 前記樹脂材料は、ポリポロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、又はアクリル樹脂を含む
ことを特徴とする請求項２に記載の放射線検出装置。 The radiation detection apparatus according to claim 2 , wherein the resin material includes a polypropylene resin, a polystyrene resin, a polyethylene resin, or an acrylic resin. 前記照明部の前記センサーパネルの側とは反対側の面に配置された反射層を更に備えた
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の放射線検出装置。 The radiation detection apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising a reflective layer disposed on a surface of the illumination unit opposite to the sensor panel. 請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録する記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示する表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送する伝送処理手段と、
を備えたことを特徴とする放射線検出システム。 The radiation detection apparatus according to any one of claims 1 to 4 ,
Signal processing means for processing signals from the radiation detection device;
Recording means for recording a signal from the signal processing means;
Display means for displaying a signal from the signal processing means;
Transmission processing means for transmitting a signal from the signal processing means;
A radiation detection system comprising:
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