JP4689075B2

JP4689075B2 - Protective sheet for semiconductor wafer processing

Info

Publication number: JP4689075B2
Application number: JP2001150296A
Authority: JP
Inventors: 光治赤沢
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2001-05-21
Filing date: 2001-05-21
Publication date: 2011-05-25
Anticipated expiration: 2021-05-21
Also published as: JP2002338911A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウエハ加工用保護シートに関する。詳しくは、各種半導体を製造する工程におけるウエハの研削工程においてウエハを保護するために用いる保護シートや、ウエハ、半導体パッケージ等の半導体部品等を個々の大きさに切断（ダイシング）する際にこれらを固定するために用いる保持シートとして用いられる半導体ウエハ加工用保護シートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ウエハ製造工程において、パターンを形成したウエハは通常所定の厚さまでウエハを削るバックグラインド工程を行なうのが一般的である。その際、ウエハを保護する目的等でウエハ表面にはウエハ保護シートとして粘着シートを貼り合わせ、研削するのが一般的な方法となっている。またウエハ等を個々のチップに切断する際にはウエハ表面にはウエハ保持シートとして粘着シートを貼りあわせダイシングする方法が一般的である。
【０００３】
また、最近の８インチや１２インチといったウエハの大型化、ＩＣカード用途などでのウエハの薄型化が進んでいる。これらを加工する際に使用する前記保護シートとしては、半導体ウエハを加工後に簡単に剥離することができることから、紫外線照射等によって粘着層の粘着力を低下させることができる放射性硬化型粘着層を設けた保護シートが用いられることが多い。この放射線硬化型の保護シートは紫外線等の放射線を照射することによって粘着層が硬化、収縮し、被着体である半導体ウエハとの粘着力を低下させるものである。
【０００４】
しかし、放射線硬化型の保護シートは、放射線照射によって被着体と粘着層の間の粘着力を低下させるだけでなく、粘着層と基材フィルムの接着力も低下させてしまい、保護シートを剥離する際に、基材フィルムと粘着層の間で剥離が生じてしまう場合があった。この問題を防止するためにさまざまな方法がとられている。たとえば、基材フィルムに下塗り材なるものを塗布して基材フィルムと粘着層との接着力を上げる方法があるが、この方法では下塗り材の成分が粘着層に拡散してしまい粘着剤の特性が変化してしまうという悪影響がある。また基材フィルムにコロナ処理を施して、基材フィルムと粘着剤との接着性をあげる処理を行っている場合も多いが、基材フィルムの種類によってはあまり効果的でない基材フィルムもある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、基材フィルム上に放射線硬化型粘着層が積層されている半導体ウエハ加工用粘着シートであって、放射線硬化処理後においても基材フィルムと粘着層の間の良好な接着力を有するものを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すく、鋭意検討した結果、以下に示す半導体ウエハ加工用粘着シートにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明は、基材フィルム上に放射線硬化型粘着層が積層されている半導体ウエハ加工用粘着シートにおいて、前記基材フィルムの放射線硬化型粘着層と接着する面の平均粗さＲａ（μｍ）が、０．１５≦Ｒａ≦２であることを特徴とする半導体ウエハ加工用保護シート、に関する。
【０００８】
前記半導体ウエハ加工用保護シートは、平均粗さＲａ（μｍ）が、０．０１＜Ｒａ≦３であることが好ましい。
【０００９】
前記半導体ウエハ加工用保護シートは、粘着層と接着する面が粗面化された基材フィルムを用いた場合には、放射線照射後の基材フィルムと粘着層の間の接着力が、粗面化されていない基材フィルムを用いた場合に比べて飛躍的に向上することを見出し、かかる知見によりなされたものである。そのため、本発明の保護シートを用いて半導体ウエハに加工を施した後に、当該保護シートに放射線照射処理をして粘着層を硬化させた場合にも、基材フィルムと粘着層の接着力は低下せず、保護シートを剥離する際に粘着層と基材フィルムの間で剥離が生じるような不良は起こらなくなる。
【００１０】
基材フィルムの粗面化の程度は、少なくとも平均粗さＲａ（μｍ）が、０．０１＜Ｒａである。平均粗さＲａは、０．１５以上であるのが好ましい。一方、平均粗さＲａが大きくなりすぎても、基材フィルムと粘着層の接着力は十分ではないため、平均粗さＲａ（μｍ）は３以下、特に２以下、さらには１以下であるのが好ましい。平均粗さＲａ（μｍ）の特に好ましい範囲は、０．１５≦Ｒａ≦２、さらには０．１５≦Ｒａ≦１である。本発明でいう平均粗さＲａとは、テンコール製のＰ−１０により基材フィルム表面の粗さを測定して算出される平均粗さのことである。
【００１１】
前記半導体ウエハ加工用保護シートにおいて、放射線硬化型粘着層が、炭素−炭素二重結合を分子中に有する放射線硬化性ポリマーをベースポリマーとして含有する放射線硬化型粘着剤により形成されたものであることが好ましい。
【００１２】
放射線硬化性粘着剤のベースポリマーとして、分子中に炭素−炭素二重結合を有するものは、別途低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することがないため、安定した層構造の粘着層を形成することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体ウエハ加工用保護シートを図１を参照しつつ詳細に説明する。図１に示すように、本発明の半導体ウエハ加工用保護シートは、基材フィルム１上に、放射線硬化型粘着層２が設けられている。基材フィルム１の前記粘着層２と接着する面が粗面化面ａである。また、必要に応じて粘着層２上にはセパレータ３を有する。図１では、基材フィルムの片面に粘着層を有するが、基材フィルムの両面に粘着層を形成することもできる。半導体ウエハ加工用保護シートはシートを巻いてテープ状とすることもできる。
【００１４】
基材フィルム１の材料は、特に制限されるものではないが、Ｘ線、紫外線、電子線等の放射線を少なくとも一部透過するものを用いるのが好ましい。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、及びこれらの架橋体などのポリマーがあげられる。また、前記ポリマーは単体で用いてもよく、必要に応じて数種をブレンドしてもよく、また多層構造として用いてもよい。
【００１５】
基材フィルム１の厚みは、通常１０〜３００μｍ、好ましくは３０〜２００μｍ程度である。基材フィルム１は、従来より公知の製膜方法により製膜できる。例えば、湿式キャスティング法、インフレーション押出し法、Ｔダイ押出し法などが利用できる。基材フィルム１は、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。
【００１６】
また、基材フィルム１の前記表面ａは、前述の通り、平均粗さＲａ（μｍ）が、０．０１＜Ｒａとなるように粗面化されている。基材フィルムの粗面化方法は特に制限されず、たとえば、エンボス加工法、サンドプラスト法、エッチング法、放電加工法、梨地処理法またはマット処理法などの各種方法により行うことができる。また、基材フィルムの粗面化は、基材フィルムの製膜時、製膜後のいずれのときに施されていてもよい。
【００１７】
放射線硬化型粘着層２の形成には放射線硬化型粘着剤が使用される。放射線硬化型粘着剤としては、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものである。たとえば、放射線硬化型粘着剤としては、一般的な粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化性粘着剤を例示できる。
【００１８】
一般的な粘着剤としては、一般的に使用されている感圧性粘着剤を使用でき、たとえば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の適宜な粘着剤を用いることができる。なかでも、半導体ウエハヘの粘着性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００１９】
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなどがあげられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステルおよび／またはメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００２０】
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の５０重量％以下が好ましい。
【００２１】
さらに、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００２２】
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。アクリル系ポリマーは半導体ウエハ等の汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、さらに好ましくは４０万〜３００万程度である。
【００２３】
アクリル系ポリマー等のベースポリマーに配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、たとえば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどがあげられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。
【００２４】
放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
【００２５】
また、放射線硬化型粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、または多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着層を形成することができるため好ましい。
【００２６】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。
【００２７】
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。たとえば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげられる。
【００２８】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、たとえば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。
【００２９】
ベースポリマー中の炭素−炭素二重結合の量は、粘着剤の保存性を考慮すると、ＪＩＳＫ−００７０によるヨウ素価で３０以下、さらにはヨウ素価０．５〜２０とするのが好ましい。
【００３０】
前記内在型の放射線硬化性粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
【００３１】
前記放射線硬化型粘着剤には、粘着層を紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；べンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどがあげられる。
【００３２】
光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、反応性を考慮すると０．１重量部以上、さらには０．５重量部以上とするのが好ましい。また、多くなると粘着剤の保存性が低下する傾向があるため、１５重量部以下、さらには５重量部以下とするのが好ましい。
【００３３】
また、前記放射線硬化型粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法があげられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、０．１〜５重量部程度配合するのが好ましい。さらに、形成する放射線硬化型粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。
【００３４】
本発明の半導体ウエハ加工用保護シートの作製は、たとえば、基材フィルム１の表面ａに、放射線硬化型粘着剤を塗布して粘着層２を形成する方法により行なうことができる。また、別途、粘着層２をセパレータ３に形成した後、これを基材フィルム１に貼り合せる方法等を採用することができる。
【００３５】
粘着層２の厚さは適宜選定してよいが、一般には１〜３００μｍ程度以下、好ましくは３〜２００μｍ、さらに好ましくは５〜１００μｍである。
【００３６】
粘着層２の粘着力は、半導体ウエハの加工時に、半導体ウエハを保持または固定するため、当該粘着層２を放射線照射する前のウエハに対する粘着力は（２３℃、１８０゜ピール値、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）、０．７〜１０Ｎ／２０ｍｍ、さらには１〜７Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。また、半導体ウエハを加工後には、容易に剥離できることから放射線照射後に硬化した当該粘着層２のウエハに対する粘着力は（２３℃、１８０゜ピール値、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）、０．０１〜０．７Ｎ／２０ｍｍ、さらには０．０１〜０．５Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。
【００３７】
セパレータ３は、必要に応じて設けられる。セパレータ３の構成材料としては、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルム等があげられる。セパレータ３の表面には、接着層２からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の離型処理が施されていても良い。セパレータ３の厚みは、通常１０〜２００μｍ、好ましくは２５〜１００μｍ程度である。
【００３８】
【実施例】
以下、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００３９】
実施例１
（基材フィルム）
基材フィルムとして、厚み５０μｍ、Ｒａ＝０．２μｍに粗面化処理されたポリエチレンテレフタレートフィルムを使用した。
【００４０】
（第一粘着層の作成）
アクリル酸エチル０．５９モル、アクリル酸ブチル０．５９モルおよびアクリル酸２−ヒドロキシエチル０．２６モルからなる混合モノマーをトルエン溶液中で共重合させて、数平均分子量３０００００のアクリル系共重合ポリマーを得た。この共重合ポリマーに対し、０．２１モルの２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを付加反応させ、ポリマー分子内側鎖に炭素−炭素二重結合を導入した。このポリマー１００重量部（固形分）に対して、さらにポリイソシアネート系架橋剤（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン製）１重量部、アセトフェノン系光重合開始剤３部を混合して放射線硬化型粘着剤を調製した。
【００４１】
（半導体ウエハ加工用保護シートの作成）
前記粘着剤を離型処理されたフィルム（セパレータ）上に塗布することで厚さ５μｍの粘着層を形成した。次いで、前記基材フィルムの粗面化処理面に当該粘着層を貼り合せ、目的の半導体ウエハ加工用保護シートを得た。
【００４２】
比較例１
実施例１において、基材フィルムとして、厚み５０μｍの粗面化処理されていないポリエチレンテレフタレートフィルム（Ｒａ＝０．０１μｍ）を使用したこと以外は実施１と同様にして半導体ウエハ加工用保護シートを得た。
【００４３】
実施例２
実施例１において、基材フィルムとして、厚み５０μｍ、Ｒａ＝２μｍに粗面化処理されたポリエチレンテレフタレートフィルムを使用したこと以外は実施１と同様にして半導体ウエハ加工用保護シートを得た。
【００４４】
（評価試験）
実施例及び比較例で得られた半導体ウエハ加工用保護シートの粘着層側からセパレータをしたまま紫外線照射し、次いでセパレーターを剥離した後、保護シートの粘着面を別の強粘着テープ（ＢＴ−３１５，日東電工製）に貼合せた。その後、Ｔ字剥離（２３℃，剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）によって両者を引き剥がした。保護シートの粘着層と基材フィルムとの接着力（Ｎ／２０ｍｍ）は万能引張試験機により測定した。結果を表１に示す。粘着層と基材フィルムの間で層間剥離しなかったもの（強粘着テープと粘着層の間で剥離したもの）を○、層間剥離したものについては、接着力の測定値を示す。
【００４５】
【表１】

表１から、粗面化されている基材フィルムを用いた実施例は、粗面化されている基材フィルムを用いた比較例よりも接着力が向上していることが認められる。特に、所定範囲内の表面粗さＲａに調整した実施例１が優れた接着力を有していることが認められる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体ウエハ加工用保護シートの断面図である。
【符号の説明】
１：基材フィルム
２：粘着層
３：セパレータ
ａ：粗面化面ａ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a protective sheet for processing semiconductor wafers. Specifically, when cutting (dicing) a protective sheet used to protect a wafer in a wafer grinding process in manufacturing various semiconductors, or a semiconductor component such as a wafer or a semiconductor package into individual sizes. The present invention relates to a protective sheet for processing a semiconductor wafer used as a holding sheet used for fixing.
[0002]
[Prior art]
In the wafer manufacturing process, a pattern-formed wafer is generally subjected to a back grinding process in which the wafer is cut to a predetermined thickness. At that time, for the purpose of protecting the wafer or the like, it is a general method to bond and grind an adhesive sheet as a wafer protection sheet on the wafer surface. Further, when a wafer or the like is cut into individual chips, a method of dicing by bonding an adhesive sheet as a wafer holding sheet on the wafer surface is common.
[0003]
In addition, the recent trend toward larger wafers such as 8 inches and 12 inches, and thinner wafers for IC card applications and the like is progressing. The protective sheet used when processing these is provided with a radiation curable adhesive layer that can reduce the adhesive strength of the adhesive layer by ultraviolet irradiation or the like because the semiconductor wafer can be easily peeled off after processing. A protective sheet is often used. In this radiation-curable protective sheet, the adhesive layer is cured and contracted by irradiating with radiation such as ultraviolet rays, and the adhesive strength with a semiconductor wafer as an adherend is reduced.
[0004]
However, the radiation curable protective sheet not only lowers the adhesive force between the adherend and the adhesive layer by radiation irradiation, but also reduces the adhesive force between the adhesive layer and the substrate film, and peels off the protective sheet. In some cases, peeling may occur between the base film and the adhesive layer. Various methods have been taken to prevent this problem. For example, there is a method to increase the adhesion between the base film and the adhesive layer by applying an undercoat material to the base film, but in this method the components of the base material diffuse into the adhesive layer and the properties of the adhesive Has the adverse effect of changing. In many cases, a corona treatment is applied to the base film to increase the adhesion between the base film and the pressure-sensitive adhesive, but there are some base films that are not very effective depending on the type of the base film.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention is a pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer in which a radiation curable pressure-sensitive adhesive layer is laminated on a base film, and has a good adhesive force between the base film and the pressure-sensitive adhesive layer even after the radiation curing treatment. The purpose is to provide things.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have found that the above object can be achieved by the following semiconductor wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet, and have completed the present invention.
[0007]
That is, according to the present invention, in a pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer in which a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer is laminated on a substrate film, the average roughness Ra (μm) ) Is a protection sheet for processing semiconductor wafers, wherein 0.15 ≦ Ra ≦ 2 .
[0008]
The protective sheet for semiconductor wafer processing preferably has an average roughness Ra (μm) of 0.01 <Ra ≦ 3.
[0009]
When the protective sheet for processing a semiconductor wafer uses a base film having a roughened surface to be bonded to the adhesive layer, the adhesive force between the base film and the adhesive layer after irradiation is rough. It has been found by this finding that it is dramatically improved compared to the case of using a non-converted base film. Therefore, even when a semiconductor wafer is processed using the protective sheet of the present invention and the adhesive layer is cured by subjecting the protective sheet to radiation irradiation, the adhesive force between the base film and the adhesive layer is reduced. Without such a failure, a defect such as peeling between the adhesive layer and the base film does not occur when the protective sheet is peeled off.
[0010]
The degree of roughening of the base film is such that at least the average roughness Ra (μm) is 0.01 <Ra. The average roughness Ra is preferably 0.15 or more. On the other hand, even if the average roughness Ra becomes too large, the adhesive strength between the base film and the adhesive layer is not sufficient, so the average roughness Ra (μm) is 3 or less, particularly 2 or less, and even 1 or less. Is preferred. A particularly preferable range of the average roughness Ra (μm) is 0.15 ≦ Ra ≦ 2, and further 0.15 ≦ Ra ≦ 1. The average roughness Ra referred to in the present invention is an average roughness calculated by measuring the roughness of the surface of the base film with P-10 made by Tencor.
[0011]
In the protective sheet for semiconductor wafer processing, the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer is formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive containing a radiation curable polymer having a carbon-carbon double bond in the molecule as a base polymer. Is preferred.
[0012]
As a base polymer of radiation curable adhesive, those having a carbon-carbon double bond in the molecule do not need to contain an oligomer component which is a low molecular component separately, and the oligomer component etc. Since the inside does not move, an adhesive layer having a stable layer structure can be formed.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the protective sheet for processing a semiconductor wafer of the present invention will be described in detail with reference to FIG. As shown in FIG. 1, the protective sheet for processing a semiconductor wafer of the present invention is provided with a radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 on a base film 1. The surface of the base film 1 that adheres to the adhesive layer 2 is a roughened surface a. Moreover, it has the separator 3 on the adhesion layer 2 as needed. Although FIG. 1 has an adhesive layer on one side of the base film, the adhesive layer can also be formed on both sides of the base film. The protective sheet for processing a semiconductor wafer can be formed into a tape shape by winding the sheet.
[0014]
The material of the base film 1 is not particularly limited, but it is preferable to use a material that transmits at least part of radiation such as X-rays, ultraviolet rays, and electron beams. For example, polyolefins such as low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolyprolene, polybutene, polymethylpentene, ethylene-acetic acid Vinyl copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, Polymers such as polyesters such as polyurethane and polyethylene terephthalate, polyimides, polyetheretherketone, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, fluororesins, cellulose resins, and cross-linked products thereof. Moreover, the said polymer may be used individually, may be blended several types as needed, and may be used as a multilayered structure.
[0015]
The thickness of the base film 1 is usually about 10 to 300 μm, preferably about 30 to 200 μm. The base film 1 can be formed by a conventionally known film forming method. For example, a wet casting method, an inflation extrusion method, a T-die extrusion method, or the like can be used. The base film 1 may be used without being stretched, or may be subjected to uniaxial or biaxial stretching treatment as necessary.
[0016]
Further, as described above, the surface a of the base film 1 is roughened so that the average roughness Ra (μm) is 0.01 <Ra. The surface roughening method of the substrate film is not particularly limited, and can be performed by various methods such as an embossing method, a sand plast method, an etching method, an electric discharge machining method, a satin treatment method, or a mat treatment method. Further, the roughening of the base film may be performed at any time during or after the film formation of the base film.
[0017]
A radiation curable pressure sensitive adhesive is used to form the radiation curable pressure sensitive adhesive layer 2. The radiation curable pressure-sensitive adhesive has a radiation curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibits adhesiveness. For example, as the radiation curable pressure sensitive adhesive, an addition type radiation curable pressure sensitive adhesive in which a radiation curable monomer component or oligomer component is blended with a general pressure sensitive adhesive can be exemplified.
[0018]
As a general pressure-sensitive adhesive, a pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive generally used can be used. For example, an appropriate pressure-sensitive adhesive such as an acrylic pressure-sensitive adhesive or a rubber-based pressure-sensitive adhesive can be used. Among these, an acrylic pressure-sensitive adhesive having an acrylic polymer as a base polymer is preferable from the viewpoint of adhesiveness to a semiconductor wafer.
[0019]
Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, Isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester , Octadecyl ester, eicosyl ester, etc., alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, especially 4 to 18 carbon atoms, such as linear or branched alkyl esters) Beauty (meth) acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, cyclohexyl ester, etc.), etc. One or acrylic polymer using two or more of the monomer component and the like. In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of the present invention has the same meaning.
[0020]
The acrylic polymer includes units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester, as necessary, for the purpose of modifying cohesive strength, heat resistance, and the like. You may go out. Examples of such monomer components include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; The Sulfonic acid groups such as lensulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Containing monomers; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate; acrylamide, acrylonitrile and the like. One or more of these copolymerizable monomer components can be used. The amount of these copolymerizable monomers used is preferably 50% by weight or less of the total monomer components.
[0021]
Furthermore, since the acrylic polymer is crosslinked, a polyfunctional monomer or the like can be included as a monomer component for copolymerization as necessary. Examples of such polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, urethane (meth) Examples include acrylates. These polyfunctional monomers can also be used alone or in combination of two or more. The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by weight or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties and the like.
[0022]
The acrylic polymer can be obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. The polymerization can be performed by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like. The acrylic polymer preferably has a low content of low molecular weight substances from the viewpoint of preventing contamination of semiconductor wafers and the like. From this point, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, more preferably about 400,000 to 3,000,000.
[0023]
Examples of radiation curable monomer components blended in a base polymer such as an acrylic polymer include urethane oligomers, urethane (meth) acrylates, trimethylolpropane tri (meth) acrylates, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylates, and pentaerythritol. Examples include tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerystol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, etc. It is done. Examples of the radiation curable oligomer component include various oligomers such as urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene, and those having a molecular weight in the range of about 100 to 30000 are suitable.
[0024]
The compounding amount of the radiation-curable monomer component or oligomer component is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive. .
[0025]
In addition to the additive-type radiation-curable adhesive described above, the radiation-curable adhesive has a carbon-carbon double bond in the polymer side chain, main chain, or main chain terminal as a base polymer. Intrinsic radiation curable adhesives using Intrinsic radiation curable adhesives do not need to contain oligomer components, which are low molecular components, or do not contain many, so they are stable without the oligomer components, etc. moving through the adhesive over time. This is preferable because an adhesive layer having a layered structure can be formed.
[0026]
As the base polymer having a carbon-carbon double bond, those having a carbon-carbon double bond and having adhesiveness can be used without particular limitation. As such a base polymer, an acrylic polymer having a basic skeleton is preferable. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.
[0027]
The method for introducing the carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be adopted. However, the carbon-carbon double bond can be easily introduced into the polymer side chain for easy molecular design. . For example, after a monomer having a functional group is copolymerized in advance with an acrylic polymer, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is converted into a radiation-curable carbon-carbon double bond. Examples of the method include condensation or addition reaction while maintaining the above.
[0028]
Examples of combinations of these functional groups include carboxylic acid groups and epoxy groups, carboxylic acid groups and aziridyl groups, hydroxyl groups and isocyanate groups. Among these combinations of functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferable because of easy tracking of the reaction. In addition, the functional group may be on either side of the acrylic polymer and the compound as long as the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond is generated by the combination of these functional groups. In the preferable combination, it is preferable that the acrylic polymer has a hydroxyl group and the compound has an isocyanate group. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, and the like. Further, as the acrylic polymer, those obtained by copolymerizing the above-exemplified hydroxy group-containing monomers, ether compounds of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, or the like are used.
[0029]
The amount of carbon-carbon double bonds in the base polymer is preferably set to an iodine value of 30 or less, more preferably an iodine value of 0.5 to 20 according to JIS K-0070, considering the storage stability of the pressure-sensitive adhesive.
[0030]
As the intrinsic radiation-curable pressure-sensitive adhesive, the base polymer (particularly acrylic polymer) having the carbon-carbon double bond can be used alone, but the radiation-curable monomer is not deteriorated in properties. Components and oligomer components can also be blended. The radiation-curable oligomer component or the like is usually in the range of 30 parts by weight, preferably in the range of 0 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer.
[0031]
The radiation curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when the pressure-sensitive adhesive layer is cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropio Α-ketol compounds such as phenone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- ( Acetophenone compounds such as methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyldimethyl ketal; 2 -Naphthalenesulfoni Aromatic sulfonyl chloride compounds such as luchloride; Photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3′-dimethyl Benzophenone compounds such as -4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2 Thioxanthone compounds such as 1,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketone; acyl phosphinoxide; acyl phosphonate.
[0032]
The blending amount of the photopolymerization initiator is 0.1 parts by weight or more, more preferably 0.5 parts by weight or more in consideration of reactivity with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive. Is preferred. Moreover, since there exists a tendency for the preservability of an adhesive to fall when it increases, it is preferable to set it as 15 weight part or less, Furthermore, it is 5 weight part or less.
[0033]
In addition, an external cross-linking agent can be appropriately employed in the radiation curable pressure-sensitive adhesive to increase the number average molecular weight of an acrylic polymer as a base polymer. Specific examples of the external crosslinking method include a method in which a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, or a melamine crosslinking agent is added and reacted. When using an external cross-linking agent, the amount used is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be cross-linked, and further depending on the intended use as an adhesive. Generally, it is preferable to mix about 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer. Furthermore, in addition to the said component, additives, such as conventionally well-known various tackifiers and anti-aging agent, may be used for the radiation-curing-type adhesive to form as needed.
[0034]
The production of the protective sheet for processing a semiconductor wafer of the present invention can be performed, for example, by a method of forming a pressure-sensitive adhesive layer 2 by applying a radiation curable pressure-sensitive adhesive to the surface a of the base film 1. Moreover, after forming the adhesion layer 2 in the separator 3 separately, the method of bonding this to the base film 1 etc. are employable.
[0035]
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 may be appropriately selected, but is generally about 1 to 300 μm or less, preferably 3 to 200 μm, and more preferably 5 to 100 μm.
[0036]
The adhesive strength of the adhesive layer 2 is to hold or fix the semiconductor wafer during the processing of the semiconductor wafer, so that the adhesive strength to the wafer before the irradiation of the adhesive layer 2 is (23 ° C., 180 ° peel value, peeling speed 300 mm). / Min), 0.7 to 10 N / 20 mm, more preferably 1 to 7 N / 20 mm. In addition, since the semiconductor wafer can be easily peeled after processing, the adhesive strength of the adhesive layer 2 cured after radiation irradiation to the wafer is (23 ° C., 180 ° peel value, peeling speed 300 mm / min), 0.01-0. 0.7 N / 20 mm, more preferably 0.01 to 0.5 N / 20 mm.
[0037]
The separator 3 is provided as necessary. Examples of the constituent material of the separator 3 include paper, synthetic resin films such as polyethylene, polypropylene, and polyethylene terephthalate. The surface of the separator 3 may be subjected to release treatment such as silicone treatment, long-chain alkyl treatment, fluorine treatment, etc., as necessary, in order to improve the peelability from the adhesive layer 2. The thickness of the separator 3 is usually about 10 to 200 μm, preferably about 25 to 100 μm.
[0038]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example, this invention is not limited by these Examples.
[0039]
Example 1
(Base film)
A polyethylene terephthalate film roughened to a thickness of 50 μm and Ra = 0.2 μm was used as the base film.
[0040]
(Creation of the first adhesive layer)
An acrylic copolymer having a number average molecular weight of 300,000 is obtained by copolymerizing a mixed monomer consisting of 0.59 mol of ethyl acrylate, 0.59 mol of butyl acrylate and 0.26 mol of 2-hydroxyethyl acrylate in a toluene solution. Got. To this copolymer, 0.21 mol of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate was subjected to an addition reaction to introduce a carbon-carbon double bond into the polymer molecule inner chain. 100 parts by weight (solid content) of this polymer is further mixed with 1 part by weight of a polyisocyanate-based crosslinking agent (trade name “Coronate L”, manufactured by Nippon Polyurethane) and 3 parts of an acetophenone-based photopolymerization initiator to produce a radiation curable type. An adhesive was prepared.
[0041]
(Preparation of protective sheet for semiconductor wafer processing)
The pressure-sensitive adhesive was coated on a release-treated film (separator) to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 5 μm. Subsequently, the said adhesion layer was bonded together to the roughening process surface of the said base film, and the target protective sheet for semiconductor wafer processing was obtained.
[0042]
Comparative Example 1
In Example 1, a protective sheet for processing semiconductor wafers was obtained in the same manner as in Example 1 except that a polyethylene terephthalate film (Ra = 0.01 μm) having a thickness of 50 μm and not roughened was used as the base film. It was.
[0043]
Example 2
In Example 1, a protective sheet for processing a semiconductor wafer was obtained in the same manner as in Example 1 except that a polyethylene terephthalate film roughened to a thickness of 50 μm and Ra = 2 μm was used as the base film.
[0044]
(Evaluation test)
After irradiating with UV rays from the adhesive layer side of the protective sheet for semiconductor wafer processing obtained in Examples and Comparative Examples while separating the separator, and then separating the separator, the adhesive surface of the protective sheet was separated from another strong adhesive tape (BT-315). , Manufactured by Nitto Denko). Then, both were peeled off by T character peeling (23 degreeC, peeling speed 300mm / min). The adhesive force (N / 20 mm) between the adhesive layer of the protective sheet and the substrate film was measured with a universal tensile tester. The results are shown in Table 1. For those that did not delaminate between the pressure-sensitive adhesive layer and the substrate film (those that were delaminated between the strong pressure-sensitive adhesive tape and the pressure-sensitive adhesive layer), those for which the delamination was delaminated are shown.
[0045]
[Table 1]

From Table 1, it can be seen that the examples using the roughened base film have improved adhesive strength than the comparative examples using the roughened base film. In particular, it can be seen that Example 1 adjusted to a surface roughness Ra within a predetermined range has excellent adhesive force.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a protective sheet for processing a semiconductor wafer.
[Explanation of symbols]
1: base film 2: adhesive layer 3: separator a: rough surface a

Claims

基材フィルム上に放射線硬化型粘着層が積層されている半導体ウエハ加工用粘着シートにおいて、前記基材フィルムの放射線硬化型粘着層と接着する面の平均粗さＲａ（μｍ）が、０．１５≦Ｒａ≦２であることを特徴とする半導体ウエハ加工用保護シート。In a pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer in which a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer is laminated on a base film, the average roughness Ra (μm) of the surface of the base film that adheres to the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer is 0.15. ≦ Ra ≦ 2 A protective sheet for processing semiconductor wafers.

放射線硬化型粘着層が、炭素−炭素二重結合を分子中に有する放射線硬化性ポリマーをベースポリマーとして含有する放射線硬化型粘着剤により形成されたものであることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ加工用保護シート。The radiation curable pressure-sensitive adhesive layer is formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive containing, as a base polymer, a radiation curable polymer having a carbon-carbon double bond in the molecule . Protection sheet for semiconductor wafer processing.