JP4688695B2 - LIGHT REFLECTOR, LIGHT EMITTING ELEMENT WIRING BOARD, AND LIGHT EMITTING DEVICE - Google Patents

LIGHT REFLECTOR, LIGHT EMITTING ELEMENT WIRING BOARD, AND LIGHT EMITTING DEVICE Download PDF

Info

Publication number
JP4688695B2
JP4688695B2 JP2006048825A JP2006048825A JP4688695B2 JP 4688695 B2 JP4688695 B2 JP 4688695B2 JP 2006048825 A JP2006048825 A JP 2006048825A JP 2006048825 A JP2006048825 A JP 2006048825A JP 4688695 B2 JP4688695 B2 JP 4688695B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
ceramic
light emitting
emitting element
crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006048825A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007226034A (en
Inventor
信也 川井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2006048825A priority Critical patent/JP4688695B2/en
Publication of JP2007226034A publication Critical patent/JP2007226034A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4688695B2 publication Critical patent/JP4688695B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an light reflector having high reflectance in a visible light region, to provide a wiring substrate for mounting a light emission element thereon obtained by using the light reflector, and to provide a light emission device. <P>SOLUTION: The light reflector is made of a glass ceramic sintered body containing two of ceramic crystals, wherein a prismatic second ceramic crystal is formed on a surface of a first ceramic crystal. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、発光ダイオード等の発光素子を搭載するための発光素子用配線基板の絶縁基板として好適に用いられる光反射体およびそれを用いた発光素子搭載用配線基板、ならびに発光装置に関する。   The present invention relates to a light reflector suitably used as an insulating substrate of a light emitting element wiring board for mounting a light emitting element such as a light emitting diode, a light emitting element mounting wiring board using the same, and a light emitting device.

従来、LEDを用いた発光装置は、非常に発光効率が高く、しかも、白熱電球などと比較すると発光に伴い発生する熱量が小さいために様々な用途に用いられてきた。しかしながら、白熱電球や蛍光灯などと比較すると発光量が小さいため、照明用ではなく、表示用の光源として用いられ、通電量も30mA程度と非常に小さいものであった。   Conventionally, light emitting devices using LEDs have been used for various applications because of their extremely high luminous efficiency and the small amount of heat generated with light emission compared to incandescent bulbs. However, since it emits less light than incandescent bulbs and fluorescent lamps, it is not used for illumination but as a light source for display, and the energization amount is as small as about 30 mA.

しかし、近年では、発光素子を用いた発光装置の高輝度化、白色化に伴い、携帯電話や大型液晶TV等のバックライトに発光装置が多く用いられてきている。そのなかで、光反射体として、結晶性ガラスを用いるものが提案されている(例えば特許文献1参照)。
特開2000−16833号公報
However, in recent years, with the increase in brightness and whiteness of light-emitting devices using light-emitting elements, light-emitting devices have been frequently used for backlights of mobile phones and large liquid crystal TVs. Among them, a light reflector that uses crystalline glass has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
JP 2000-16833 A

しかしながら、特許文献1に記載の結晶性ガラスの反射体はプラズマディスプレイパネルの絶縁性反射皮膜として用いると記載されているが、可視光域の反射率が15〜20%と低いため、プラズマディスプレイパネルには使用できても携帯端末の発光装置や照明用の発光装置等の高輝度が要求される機器においては効率が低いという問題があった。特に、携帯電話等の電池を用いる機器用の発光装置では効率が低いと使用時間が短くなってしまうという問題があった。   However, although the crystalline glass reflector described in Patent Document 1 is described as being used as an insulating reflective film of a plasma display panel, the reflectance in the visible light region is as low as 15 to 20%. However, there is a problem that the efficiency is low in a device that requires high luminance such as a light emitting device for a portable terminal or a light emitting device for illumination even if it can be used. In particular, a light emitting device for a device using a battery such as a mobile phone has a problem that the use time is shortened if the efficiency is low.

したがって、本発明の目的は、可視光域において高い反射率を有する光反射体およびそれを用いた発光素子搭載用配線基板ならびに発光装置を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a light reflector having a high reflectance in the visible light region, a light-emitting element mounting wiring board using the same, and a light-emitting device.

本発明の光反射体は、2種類のセラミック結晶を含有するガラスセラミック焼結体からなり、第1のセラミック結晶の表面に、柱状の第2のセラミック結晶が複数形成されてなることを特徴とする。   The light reflector of the present invention comprises a glass ceramic sintered body containing two types of ceramic crystals, and a plurality of columnar second ceramic crystals are formed on the surface of the first ceramic crystals. To do.

前記柱状の第2のセラミック結晶は、柱状部とその先端に位置する粒状部とを有することが好ましい。   The columnar second ceramic crystal preferably has a columnar portion and a granular portion located at the tip thereof.

前記ガラスセラミック焼結体は、遷移金属元素を実質的に含有しないことが好ましい。   It is preferable that the glass ceramic sintered body does not substantially contain a transition metal element.

本発明の発行素子搭載用配線基板は、絶縁基板の主面に、配線層と、発光素子を搭載する発光素子搭載部とが設けてなる発光素子搭載用配線基板において、前記発光素子搭載部は、前記絶縁基板の表面に前記光反射体が配置されていることを特徴とする。   The light emitting element mounting wiring board according to the present invention is a light emitting element mounting wiring board in which a wiring layer and a light emitting element mounting portion for mounting a light emitting element are provided on a main surface of an insulating substrate. The light reflector is disposed on the surface of the insulating substrate.

本発明の発光装置は、前記発光素子搭載用配線基板の前記発光素子搭載部に発光素子を搭載してなることを特徴とする。   The light emitting device of the present invention is characterized in that a light emitting element is mounted on the light emitting element mounting portion of the light emitting element mounting wiring board.

本発明の光反射体は、2種類のセラミック結晶を含有するガラスセラミック焼結体からなり、第1のセラミック結晶の表面に、柱状の第2のセラミック結晶が複数形成されてなることにより、波長が400〜700nmである可視光が散乱され、可視光の波長領域で反射率を高くすることができる。すなわち、第1のセラミック結晶、第2のセラミック結晶およびガラスセラミック焼結体に含有されるガラス相は、それぞれ屈折率が異なるため、それらの界面で光の散乱が起きる。特に第2のセラミック結晶とガラス相との界面は、第2のセラミック結晶が柱状であるため、界面の面積が増加することに加え、界面が複雑な形状を有することにより、その界面で光の散乱が起こり、効率よく可視光が散乱される結果、可視光の波長領域で反射率が高くなる。   The light reflector of the present invention is composed of a glass ceramic sintered body containing two types of ceramic crystals, and a plurality of columnar second ceramic crystals are formed on the surface of the first ceramic crystals, so that the wavelength Visible light having a wavelength of 400 to 700 nm is scattered, and the reflectance can be increased in the wavelength region of visible light. That is, since the glass phases contained in the first ceramic crystal, the second ceramic crystal, and the glass ceramic sintered body have different refractive indexes, light scattering occurs at their interfaces. In particular, the interface between the second ceramic crystal and the glass phase has a columnar shape, so that the area of the interface is increased, and the interface has a complicated shape, so that light is transmitted at the interface. Scattering occurs and visible light is efficiently scattered. As a result, the reflectance increases in the wavelength region of visible light.

本発明を添付図面に基づいて説明する。   The present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図1は本発明の光反射体の一実施形態の断面の模式図である。図2は本発明の光反射体の一実施形態の拡大断面の模式図である。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an embodiment of the light reflector of the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram of an enlarged cross section of an embodiment of the light reflector of the present invention.

本発明の光反射体は、第1のセラミック結晶1、第2のセラミック結晶2およびガラス相3を含有するガラスセラミック焼結体であり、第1のセラミック結晶1の表面に、柱状部の第2のセラミック結晶2が複数形成されてなることが重要である。   The light reflector of the present invention is a glass ceramic sintered body containing the first ceramic crystal 1, the second ceramic crystal 2, and the glass phase 3, and the columnar portion of the first ceramic crystal 1 is formed on the surface of the first ceramic crystal 1. It is important that two ceramic crystals 2 are formed.

本発明の光反射体をかかる構成とすることにより、波長が400〜700nmである可視光が散乱され、可視光の波長領域で反射率を高くすることができる。すなわち、第1のセラミック結晶1、第2のセラミック結晶2およびガラス相3は、それぞれ屈折率が異なるため、それらの界面で光の散乱が起きる。特に第2のセラミック結晶2とガラス相3との界面は、第2のセラミック結晶2が柱状であるため、界面の面積が増加することに加え、界面が複雑な形状を有することにより、その界面で光の散乱が起こり、効率よく可視光が散乱される結果、可視光の波長領域で反射率が高くなる。   By adopting such a configuration of the light reflector of the present invention, visible light having a wavelength of 400 to 700 nm is scattered, and the reflectance can be increased in the wavelength region of visible light. That is, since the first ceramic crystal 1, the second ceramic crystal 2 and the glass phase 3 have different refractive indexes, light scattering occurs at their interfaces. In particular, the interface between the second ceramic crystal 2 and the glass phase 3 has a complicated shape because the second ceramic crystal 2 is columnar, so that the area of the interface increases and the interface has a complicated shape. As a result, light is scattered and visible light is efficiently scattered. As a result, the reflectance increases in the wavelength region of visible light.

なお、屈折率の異なる物質の界面に当たる光は、界面に対する入射角度が屈折率の比から定まる特定範囲の場合には、全反射する。第2のセラミック結晶2が柱状であるために様々の角度の界面が存在することになるため、全反射が起こりやすく、光反射体の反射率が高くなる。   Note that light that hits the interface of substances having different refractive indexes is totally reflected when the incident angle with respect to the interface is in a specific range determined from the ratio of the refractive indexes. Since the second ceramic crystal 2 is columnar, there are interfaces at various angles, so total reflection is likely to occur, and the reflectance of the light reflector is increased.

第1のセラミック結晶1は直径1〜5μmの結晶であり、ガラスセラミック焼結体中に10〜50質量%、望もしくは20〜40質量%含まれる。第1のセラミック結晶1が少なくないことにより、上述のように光反射体の反射率が高くなる。第1のセラミック結晶1が多くないことにより、焼成前の原料のガラス成分を多くでき、ガラスセラミック焼結体が焼結するようになる。   The first ceramic crystal 1 is a crystal having a diameter of 1 to 5 μm, and is contained in the glass ceramic sintered body in an amount of 10 to 50 mass%, desired or 20 to 40 mass%. Since the first ceramic crystal 1 is not small, the reflectance of the light reflector is increased as described above. Since there are not many 1st ceramic crystals 1, the glass component of the raw material before baking can be increased and a glass ceramic sintered compact will sinter.

柱状の第2のセラミック結晶2は直径0.02〜0.5μmであり、長さ0.05〜1μmである。柱状の第2セラミック結晶2は第1のセラミック結晶1の表面に対して略垂直(柱状の第2セラミック結晶2が接続している第1のセラミック結晶の表面と柱状の柱の長さ方向のなす角度が60°以上)に形成されているため、光を散乱する範囲がひろくなっている。柱状の第2のセラミック結晶2の第1のセラミック結晶1の表面1μm□(1×10−12)あたりに存在する柱状のセラミック結晶2の数は、5〜100個であり、散乱を多くして、光反射体の反射率をより高くするためには、10〜100個であることが好ましい。 The columnar second ceramic crystal 2 has a diameter of 0.02 to 0.5 μm and a length of 0.05 to 1 μm. The columnar second ceramic crystal 2 is substantially perpendicular to the surface of the first ceramic crystal 1 (the surface of the first ceramic crystal to which the columnar second ceramic crystal 2 is connected and the length of the columnar column). Since the formed angle is 60 ° or more, the range in which light is scattered is widened. The number of the columnar ceramic crystals 2 existing per 1 μm □ (1 × 10 −12 m 2 ) of the surface of the first ceramic crystal 1 of the columnar second ceramic crystal 2 is 5 to 100, and scattering is caused. In order to increase the reflectance of the light reflector, the number is preferably 10 to 100.

柱状の第2のセラミック結晶2の面積当たりの個数を計測するには、ガラスセラミック焼結体をイオンミリングにより0.1〜1μm程度の薄片に加工し、透過型顕微鏡(TEM)を用いて明視野像を観察し、画像で任意の第1のセラミック1の表面0.1〜1μm程度の範囲の範囲にある柱状のセラミック結晶2の個数を数えて次のように算出する。計測された個数/(計測した範囲の第1のセラミック1の表面の長さ×測定した試料の厚み)。   In order to measure the number of columnar second ceramic crystals 2 per area, a glass ceramic sintered body is processed into thin pieces of about 0.1 to 1 μm by ion milling, and brightened using a transmission microscope (TEM). A field image is observed, and the number of columnar ceramic crystals 2 in the range of about 0.1 to 1 μm of the surface of the first ceramic 1 is counted in the image and calculated as follows. Number measured / (length of the surface of the first ceramic 1 in the measured range × thickness of the measured sample).

また、柱状の第2のセラミック結晶2は図3に示すように、柱状部2aとその先端に位置する粒状部2bとを有することが望ましい。そのような構造であることにより界面の面積が増加することに加え、界面が複雑な形状を有することにより、光反射体の反射率が高くなる。柱状部2aは直径0.02〜0.5μmであり、長さ0.05〜1μmである。粒状部2bとは、柱状の第2のセラミック結晶2の第1のセラミック結晶1と接続していない方の先端の直径が他の部分の直径の1.2倍以上である部分のことである。つまり、粒状部2bと第1のセラミック結晶1とが柱状部2aで接続された構造となっている。粒状部2bの直径は0.024〜0.6μmである。   Moreover, as shown in FIG. 3, the columnar second ceramic crystal 2 desirably has a columnar portion 2a and a granular portion 2b located at the tip thereof. In addition to the increase in the area of the interface due to such a structure, the reflectance of the light reflector is increased due to the complicated shape of the interface. The columnar part 2a has a diameter of 0.02 to 0.5 μm and a length of 0.05 to 1 μm. The granular part 2b is a part in which the diameter of the tip of the columnar second ceramic crystal 2 not connected to the first ceramic crystal 1 is 1.2 times or more the diameter of the other part. . That is, the granular part 2b and the first ceramic crystal 1 are connected by the columnar part 2a. The diameter of the granular part 2b is 0.024 to 0.6 μm.

なお、柱状の第2のセラミック結晶2は、×1000〜×5000程度の走査型電子顕微鏡(SEM)では、第1のセラミック結晶1の表面に0.1〜1.5μm、特に0.2〜1.2μm、さらに0.3〜1.0μmの層が形成されているように観察される。   The columnar second ceramic crystal 2 is 0.1 to 1.5 μm on the surface of the first ceramic crystal 1, particularly 0.2 to 0.2 μm in a scanning electron microscope (SEM) of about × 1000 to × 5000. It is observed that a layer of 1.2 μm and further 0.3 to 1.0 μm is formed.

さらに、セラミック結晶やガラスは、樹脂とは異なり、長期間にわたる光の暴露による光酸化反応のような分子構造変化がない安定な物質であるため、黒色化等の色調変化がほとんど起こらないため、長期間にわたって高い反射率を維持することができる。   In addition, unlike resin, ceramic crystals and glass are stable substances that do not change the molecular structure like photo-oxidation reaction due to light exposure over a long period of time. High reflectivity can be maintained over a long period of time.

第1のセラミック結晶1あるいは第2のセラミック結晶2としては、アルミナ、ジルコニア、セルジアン、スラウソナイト、アノーサイト、ディオプサイト、フォルステライト、エンスタタイト、ガーナイト、スピネル、ウイレマイト、コーディエライト、ムライト、クオーツおよびこれらの固溶体、の群から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。これらのセラミック結晶は可視光領域に特有の光吸収帯を有していなく、無色透明な結晶であることから、光反射体の反射率をより高くすることができる。   Examples of the first ceramic crystal 1 or the second ceramic crystal 2 include alumina, zirconia, serdian, slausonite, anorthite, diopsite, forsterite, enstatite, garnite, spinel, willemite, cordierite, mullite, quartz. And at least one selected from the group of these solid solutions. Since these ceramic crystals do not have a light absorption band peculiar to the visible light region and are colorless and transparent crystals, the reflectance of the light reflector can be further increased.

なお、光反射体の反射率以外の特性、例えば、抗折強度、誘電率、誘電損失、熱膨張係数等は、第1のセラミック結晶1あるいは第2のセラミック結晶2の材料を適切に選択することで制御することが可能fである。   Note that the material of the first ceramic crystal 1 or the second ceramic crystal 2 is appropriately selected for characteristics other than the reflectance of the light reflector, such as bending strength, dielectric constant, dielectric loss, and thermal expansion coefficient. It is possible to control by f.

例えば、光反射体の抗折強度を向上させるためには、第1のセラミック結晶1あるいは第2のセラミック結晶2は、アルミナ、ジルコニア、セルジアン、ディオプサイト、フォルステライトおよびムライトであること望ましい。また、低い誘電率を得るためには、スラウソナイト、アノーサイト、フォルステライト、エンスタタイト、ウイレマイト、コーディエライトおよびクオーツであることが望ましく、光反射体の誘電率が低くできれば信号発信用等の発光装置に用いられて、光反射体の近くで高周波電流が流れる場合に、高周波電流の伝播遅延を少なくできる。さらに、後述のように光反射体が発光素子搭載用配線基板等の一部として他の材料と接合される場合、発光素子搭載用配線基板の各部に加わる熱応力を少なくするために、光反射体は、光反射体に接合される材料に近い熱膨張であることが望ましい。そして、熱膨張係数の低い光反射体を得るためには、第1のセラミック結晶1あるいは第2のセラミック結晶2はコーディエライトであることが望ましく、熱膨張係数の低い光反射体を得るためには、第1のセラミック結晶1あるいは第2のセラミック結晶2はフォルステライトおよびクオーツであることが望ましい。また、第2のセラミック結晶2が焼成によりガラスから析出するものの場合は、0.02〜0.6μm程度の微細な結晶粒子が得やすいという点で、第2のセラミック結晶2は、ジルコニア、ガーナイトおよびスピネルであることが望ましい。   For example, in order to improve the bending strength of the light reflector, the first ceramic crystal 1 or the second ceramic crystal 2 is desirably alumina, zirconia, serdian, diopsite, forsterite, and mullite. Also, in order to obtain a low dielectric constant, it is desirable to use slausonite, anorthite, forsterite, enstatite, willemite, cordierite and quartz. When a high-frequency current flows in the vicinity of the light reflector used in the apparatus, the propagation delay of the high-frequency current can be reduced. Further, when the light reflector is bonded to another material as a part of the light emitting element mounting wiring board or the like as will be described later, in order to reduce the thermal stress applied to each part of the light emitting element mounting wiring board, the light reflection is performed. The body preferably has a thermal expansion close to the material to be joined to the light reflector. In order to obtain a light reflector having a low thermal expansion coefficient, the first ceramic crystal 1 or the second ceramic crystal 2 is preferably cordierite, and in order to obtain a light reflector having a low thermal expansion coefficient. For this purpose, the first ceramic crystal 1 or the second ceramic crystal 2 is preferably forsterite and quartz. In the case where the second ceramic crystal 2 is precipitated from the glass by firing, the second ceramic crystal 2 is made of zirconia or garnite in that fine crystal particles of about 0.02 to 0.6 μm are easily obtained. And spinel.

また、第1のセラミック結晶1は異方性結晶粒子、特に断面形状のアスペクト比が3以上の異方性結晶粒子、すなわち、針状晶や板状晶といった異方性結晶粒子であることが望ましい。これは、アスペクト比の小さい結晶粒子と比較して、ひとつの結晶により、より広範囲の波長の光を反射することが可能であるため、可視光領域全域にわたって、より高い反射率をより効率よく得ることが可能となるためである。アスペクト比が3以上であるセラミック結晶としては、アルミナおよびセルジアンが例示できる。   The first ceramic crystal 1 may be anisotropic crystal particles, particularly anisotropic crystal particles having a cross-sectional aspect ratio of 3 or more, that is, anisotropic crystal particles such as needle crystals and plate crystals. desirable. Compared to crystal grains with a small aspect ratio, a single crystal can reflect light in a wider range of wavelengths, so that higher reflectivity can be obtained more efficiently over the entire visible light region. This is because it becomes possible. Examples of the ceramic crystal having an aspect ratio of 3 or more include alumina and serdian.

なお、ここでアスペクト比とは、前記ガラスセラミック焼結体の断面において、1つの結晶粒子の断面積を二等分する線分の中でもっとも長いものを断面における結晶粒子の長径とし、もっとも短いものを断面における結晶粒子の短径とした場合の長径/短径のことである。   Here, the aspect ratio is the shortest in the cross section of the glass-ceramic sintered body, the longest of the line segments that bisect the cross-sectional area of one crystal grain is the longest diameter of the crystal grain in the cross section. This is the major axis / minor axis when the short axis of the crystal grain in the cross section is used.

柱状の第2のセラミック結晶2形成されているためには、第2のセラミック結晶2が焼成の際にガラスから析出する結晶であり、第1のセラミック結晶1と第2のセラミック結晶2に酸素以外の共通する元素があることが望ましい。そのような組成にすることにより、第1のセラミック結晶1の周囲では、他の部分と比較して、第2のセラミック結晶2が析出しやすい状態となる。そして、焼成工程において、析出した第2のセラミック結晶2の結晶が成長する際に、第1のセラミック結晶1から第2のセラミック結晶2となる元素の一部が供給されるため、第2のセラミック結晶2は、第1のセラミック結晶1のある方向に成長しやすくなり、柱状の第2セラミック結晶2が第1のセラミック結晶1の表面に形成される。なお、酸素を含めないのは、酸素は周囲の酸化物であるガラス中に豊富に存在するためである。   In order to form the columnar second ceramic crystal 2, the second ceramic crystal 2 is a crystal that precipitates from the glass during firing, and oxygen is added to the first ceramic crystal 1 and the second ceramic crystal 2. It is desirable that there are other common elements. By setting it as such a composition, it will be in the state which the 2nd ceramic crystal | crystallization 2 tends to precipitate around the 1st ceramic crystal | crystallization 1 compared with another part. In the firing step, when the crystal of the precipitated second ceramic crystal 2 grows, a part of the element that becomes the second ceramic crystal 2 is supplied from the first ceramic crystal 1. The ceramic crystal 2 easily grows in a certain direction of the first ceramic crystal 1, and the columnar second ceramic crystal 2 is formed on the surface of the first ceramic crystal 1. Note that oxygen is not included because oxygen is abundant in the surrounding oxide glass.

そして、柱状の第2セラミック結晶2の先端で、第2のセラミック結晶が主に周囲のガラスから元素を供給されつづけて粒状部2bが形成される。なお、粒状部2bは焼成の際に析出した結晶である必要はなく、柱状部2aが形成されやすいように、あらかじめ結晶核となる微細な結晶を添加しておいてもよい。   Then, at the tip of the columnar second ceramic crystal 2, the second ceramic crystal continues to be supplied with elements mainly from the surrounding glass, thereby forming the granular portion 2 b. The granular portion 2b does not need to be a crystal precipitated during firing, and a fine crystal serving as a crystal nucleus may be added in advance so that the columnar portion 2a is easily formed.

第1のセラミック結晶1は、例えば、原料粉末として使用したセラミック粉末であるアルミナであり、第2のセラミック結晶2は焼成によりガラスから析出したガ−ナイトである。このような構成にすることにより、無色透明なアルミナ粒子の表面に屈折率の異なる無色透明なガーナイト結晶が形成され、その界面において効率よく可視光が散乱される結果、可視光の波長領域で反射率が高くなる。ガーナイトは理想的には、ZnAlの化学式で表される立方晶の結晶であり、断面形状が略正方形の形状でガラスから析出しやすい特徴を有する。 The first ceramic crystal 1 is, for example, alumina which is ceramic powder used as a raw material powder, and the second ceramic crystal 2 is garnite precipitated from glass by firing. With this configuration, colorless transparent garnite crystals with different refractive indexes are formed on the surface of colorless and transparent alumina particles, and the visible light is efficiently scattered at the interface, resulting in reflection in the wavelength region of visible light. The rate is high. Garnite is ideally a cubic crystal represented by the chemical formula of ZnAl 2 O 4 , and has a feature that the cross-sectional shape is a substantially square shape and is easily precipitated from glass.

ここで、ガラス粉末の組成とセラミック粉末との配合比を適切に制御することにより、ガラス粉末中のZnOと第1のセラミック結晶1であるアルミナ粒子とが反応し、ガ−ナイトである柱状の第2のセラミック結晶2が析出し、光反射体の可視光の全領域での反射率を向上させることができる。またさらに、柱状の第2のセラミック結晶2が、断面形状が略正方形の粒状部2bと第1のセラミック結晶1との間を接続するように柱状部12aを有する組織を得ることが可能となり、可視光の全領域での反射率をさらに向上させることができる。   Here, by appropriately controlling the compounding ratio of the composition of the glass powder and the ceramic powder, ZnO in the glass powder reacts with the alumina particles as the first ceramic crystal 1 to form columnar grains that are garnite. The second ceramic crystal 2 is precipitated, and the reflectance of the light reflector in the entire visible light region can be improved. Furthermore, it becomes possible for the columnar second ceramic crystal 2 to obtain a structure having the columnar portion 12a so as to connect between the granular portion 2b having a substantially square cross-sectional shape and the first ceramic crystal 1. The reflectance in the entire visible light region can be further improved.

また、セラミック粒子1がアルミナであることから、ガラスセラミック焼結体からなる光反射体に高強度や耐薬品性等の特性を付与することが容易になる。   Further, since the ceramic particles 1 are alumina, it becomes easy to impart characteristics such as high strength and chemical resistance to the light reflector made of a glass ceramic sintered body.

なお、図1および図2では、第1のセラミック結晶1、第2のセラミック結晶2およびガラス相3がそれぞれ1種類であるガラスセラミック焼結体が示されているが、第1のセラミック結晶、第2のセラミック結晶およびガラス相はそれぞれ複数の種類からなるものであっても差し支えない。   1 and 2 show a glass ceramic sintered body in which each of the first ceramic crystal 1, the second ceramic crystal 2 and the glass phase 3 is one kind, the first ceramic crystal, Each of the second ceramic crystal and the glass phase may be composed of a plurality of types.

また、本発明の光反射体は、遷移金属元素を実質的に含有しないことにより、遷移金属元素にある可視光の波長領域にある吸収帯による、反射率の低下を抑制することができる。遷移金属元素としては、酸化物で構成されるガラスセラミック焼結体中で酸化物として存在する遷移金属酸化物で例示すれば、Crは緑、Coは青、CeOは黄色、等固有の吸収帯を有しているものや、TiOやMnOのように元来は白色であるものの、焼成雰囲気の変動による価数変化、あるいは、反応や固溶等により着色するという性質を有しているものがある。つまり、遷移金属元素を実質的に含有しないことにより、さらに、入射光と反射光の色調の差を少なくすることができる。これにより、照明用等で白色の光が必要な場合に、白色の反射光を安定して得ることができる。 Moreover, the light reflector of this invention can suppress the fall of the reflectance by the absorption band in the wavelength range of the visible light which exists in a transition metal element by not containing a transition metal element substantially. As the transition metal element, for example, a transition metal oxide existing as an oxide in a glass ceramic sintered body composed of an oxide, Cr 2 O 3 is green, Co 3 O 4 is blue, and CeO 2 is It has a unique absorption band, such as yellow, and is originally white like TiO 2 and MnO, but it is colored by valence change due to fluctuations in the firing atmosphere, or by reaction or solid solution, etc. Some have properties. That is, by not substantially containing a transition metal element, the difference in color tone between incident light and reflected light can be further reduced. Thereby, when white light is required for illumination or the like, white reflected light can be stably obtained.

なお、ここで実質的に含有しないとは、意図的に含有させないことを指し、不可避不純物は含有していてもかまわない。その含有量としては酸化物換算で、1質量%以下、特に0.1質量%以下であることが好ましい。   Here, “substantially not containing” means not intentionally containing, and inevitable impurities may be contained. The content is preferably 1% by mass or less, particularly preferably 0.1% by mass or less, in terms of oxide.

また、可視光の波長領域である、波長400〜700nmの全域において、反射率が75%以上、特に80%以上、最適には85%以上であることが、特に、高い反射効率を示す発光装置を得るために好ましい。   In addition, a light-emitting device exhibiting a high reflection efficiency, in particular, has a reflectance of 75% or more, particularly 80% or more, and optimally 85% or more over the entire wavelength range of 400 to 700 nm, which is a visible light wavelength region. It is preferable to obtain

また、可視光の波長領域全域において、反射率を75%以上とすることにより、光反射体に吸収または光反射体を透過する光が少なくなり、より高い発光効率の発光装置を得ることができる。   In addition, by setting the reflectance to 75% or more in the entire wavelength region of visible light, light that is absorbed or transmitted through the light reflector is reduced, and a light-emitting device with higher luminous efficiency can be obtained. .

次に、本発明の光反射体の製造方法を詳述する。   Next, the manufacturing method of the light reflector of this invention is explained in full detail.

本発明の光反射体は、原料粉末を混合、成形、焼成して得られるガラスセラミック焼結体であり、第1のセラミック結晶1と第2のセラミック結晶2の少なくとも2種類のセラミック結晶を含有するものである。   The light reflector of the present invention is a glass ceramic sintered body obtained by mixing, forming and firing raw material powders, and contains at least two kinds of ceramic crystals, a first ceramic crystal 1 and a second ceramic crystal 2. To do.

まず、例えば、原料粉末として平均粒径1〜5μmのガラス粉末およびセラミック粉末を用意する。このときガラス粉末としては、焼成中に結晶相が析出する結晶性ガラスを用いることがより好ましい。ここで、結晶性ガラスとは、焼成によりガラスの一部あるいは全部が結晶となるガラスのことである。   First, for example, glass powder and ceramic powder having an average particle diameter of 1 to 5 μm are prepared as raw material powder. At this time, as the glass powder, it is more preferable to use crystalline glass in which a crystal phase is precipitated during firing. Here, crystalline glass is glass in which a part or all of the glass is crystallized by firing.

なお、複数種の第1のセラミック結晶1あるいは第2のセラミック結晶2を存在せしめるためには、原料粉末として複数のセラミック粉末を選択する方法、焼成中にガラス粉末より複数の第1のセラミック結晶1あるいは第2のセラミック結晶2を析出させる方法、原料として用いるセラミック粉末の表面にあらかじめ第2のセラミック結晶を形成する方法等が挙げられる。   In order to make a plurality of kinds of first ceramic crystals 1 or second ceramic crystals 2 exist, a method of selecting a plurality of ceramic powders as a raw material powder, a plurality of first ceramic crystals from a glass powder during firing. Examples thereof include a method of precipitating the first or second ceramic crystal 2 and a method of previously forming the second ceramic crystal on the surface of the ceramic powder used as a raw material.

また、複数のガラスを混在せしめるためには、原料粉末の段階で2種類のガラス粉末を原料として選択する方法の他、焼成中にガラス粉末を分相せしめる方法を選択することができる。   Moreover, in order to mix a plurality of glasses, in addition to a method of selecting two kinds of glass powders as raw materials at the raw material powder stage, a method of phase-separating glass powders during firing can be selected.

原料粉末を所望の混合比で秤量し、適当な有機バインダー、溶媒等を添加した後、混合しスラリーを得る。得られたスラリーを所望の成形手段、例えば、金型プレス、冷間静水圧プレス、射出成形、押出し成形、ドクターブレード法、カレンダーロール法、圧延法、印刷等により任意の形状に成形する。特にグリーンシートを作製するには、ドクターブレード法が好適である。   The raw material powder is weighed at a desired mixing ratio, and an appropriate organic binder, solvent, etc. are added and mixed to obtain a slurry. The obtained slurry is formed into a desired shape by a desired forming means such as a die press, cold isostatic pressing, injection molding, extrusion molding, doctor blade method, calendar roll method, rolling method, printing, and the like. In particular, a doctor blade method is suitable for producing a green sheet.

次に、上記の成形体を焼成するにあたり、まず、成形のために配合した有機バインダー成分を除去する。そして、700〜1000℃の酸化性雰囲気または非酸化性雰囲気中で0.2〜10時間、特に0.5〜5時間焼成することにより光反射体を得ることができる。   Next, in firing the above molded body, first, the organic binder component blended for molding is removed. And a light reflector can be obtained by baking for 0.2 to 10 hours, especially 0.5 to 5 hours in 700-1000 degreeC oxidizing atmosphere or non-oxidizing atmosphere.

この際に、第2のセラミック結晶2の少なくとも一部を、焼成中にガラス粉末より第1のセラミック結晶1の表面に析出させることにより、本発明の構造を得ることができる。すなわち、第1のセラミック結晶1と第2のセラミック結晶2の組成に酸素以外の同じ元素が含まれていることにより、第1のセラミック結晶1の周囲では、他の部分と比較して、第2のセラミック結晶2が析出しやすい状態となる。そして、析出した第2のセラミック結晶2の結晶が成長する際に、第1のセラミック結晶1から第2のセラミック結晶2となる元素の一部が供給されるため、第2のセラミック結晶2は、第1のセラミック結晶1のある方向に成長しやすくなり、粒状の第2のセラミック結晶2を形成することができる。箔
例えば、第1のセラミック結晶1がアルミナ(Al)であり、第2のセラミック結晶2がガ−ナイト(ZnAl)である場合、両者にAlが含まれているので、ガ−ナイトが析出する際に、ガ−ナイトとなるAlの一部がアルミナから供給されるため、ガ−ナイトの結晶がアルミナのある方向に成長しやすくなり、ガナーナイトからなる柱状の第2のセラミック結晶2を形成することができる。
At this time, the structure of the present invention can be obtained by precipitating at least a part of the second ceramic crystal 2 from the glass powder on the surface of the first ceramic crystal 1 during firing. That is, since the same elements other than oxygen are included in the composition of the first ceramic crystal 1 and the second ceramic crystal 2, the first ceramic crystal 1 around the first ceramic crystal 1 is compared with the other parts. 2 ceramic crystals 2 are likely to precipitate. When the crystal of the precipitated second ceramic crystal 2 grows, a part of the element that becomes the second ceramic crystal 2 is supplied from the first ceramic crystal 1, so that the second ceramic crystal 2 is It becomes easy to grow in a certain direction of the first ceramic crystal 1, and the granular second ceramic crystal 2 can be formed. Foil For example, when the first ceramic crystal 1 is alumina (Al 2 O 3 ) and the second ceramic crystal 2 is garnite (ZnAl 2 O 4 ), both contain Al. When garnite is precipitated, a part of Al that becomes ganite is supplied from alumina, so that the garnite crystal is likely to grow in a certain direction of alumina, and the columnar second made of ganite. The ceramic crystal 2 can be formed.

柱状のセラミック結晶2をより効率よく生成するためには、焼成中に第2のセラミック結晶が析出する温度で焼成温度を30分以上キープすることが望ましい。第2のセラミック結晶が析出する温度は、原料粉末をTG−DTAで測定することにより得られる。また、柱状の第2セラミック結晶2が形成されてからガラスの流動が起こると構造が崩れるおそれがあるため、ガラスの流動、つまり、ガラスセラミック焼結体の焼成収縮は、第2のセラミック結晶2が析出するよりも前に終了していることが望ましい。そのためには、ガラスが軟化流動してから第2のセラミック結晶2が析出する温度までの昇温は緩やかであることが望ましく、具体的には昇温が10℃/分以下であることが望ましい。   In order to produce the columnar ceramic crystal 2 more efficiently, it is desirable to keep the firing temperature for 30 minutes or more at the temperature at which the second ceramic crystal is precipitated during firing. The temperature at which the second ceramic crystal precipitates can be obtained by measuring the raw material powder with TG-DTA. Further, if the glass flow occurs after the columnar second ceramic crystal 2 is formed, the structure may be collapsed. Therefore, the glass flow, that is, the firing shrinkage of the glass ceramic sintered body, causes the second ceramic crystal 2 to flow. It is desirable to finish before the precipitation. For this purpose, it is desirable that the temperature rise from the softening flow of the glass to the temperature at which the second ceramic crystal 2 precipitates is gradual, specifically, the temperature rise is preferably 10 ° C./min or less. .

また、前記ガラスセラミック焼結体の結晶化度を50%以上、特に60%以上とすることにより、前記ガラスセラミック焼結体中の第1のセラミック結晶1および第2のセラミック結晶2の含有量が増加するため、ガラス相3と第1のセラミック結晶1や第2のセラミック結晶2との界面が増加し、より高い反射率を得られるため好ましい。   Further, the content of the first ceramic crystal 1 and the second ceramic crystal 2 in the glass ceramic sintered body is set by setting the crystallinity of the glass ceramic sintered body to 50% or more, particularly 60% or more. Therefore, the interface between the glass phase 3 and the first ceramic crystal 1 or the second ceramic crystal 2 is increased, so that higher reflectance can be obtained.

ここで、結晶化度とは、ガラスセラミック焼結体中の全結晶相の質量の合計/ガラスセラミック焼結体の質量により定義されるものであり、ガラスセラミック焼結体中に含まれる結晶相の割合を質量比で表したものである。そして、ガラスセラミック焼結体中の結晶相の質量はリートベルト解析(泉富士夫ら 日本結晶学会誌 34(1992)76等参照)により算出されるものである。つまり、ここで言う結晶相としては、セラミック粉末として原料粉末として添加したもの、ガラス粉末から焼成中に析出したもの、ガラス粉末とセラミック粉末との反応により生成したもの等の全てを含んでいる。   Here, the degree of crystallinity is defined by the sum of the masses of all the crystal phases in the glass ceramic sintered body / the mass of the glass ceramic sintered body, and the crystal phase contained in the glass ceramic sintered body. The ratio is expressed as a mass ratio. The mass of the crystal phase in the glass-ceramic sintered body is calculated by Rietveld analysis (see Fujio Izumi et al., Journal of the Crystallographic Society of Japan 34 (1992) 76). That is, the crystal phase referred to here includes all of those added as a raw material powder as ceramic powder, those precipitated from glass powder during firing, and those produced by reaction of glass powder and ceramic powder.

図3(a)は本発明の発光素子搭載用配線基板の一実施形態の断面図である。   FIG. 3A is a cross-sectional view of an embodiment of the light emitting element mounting wiring board of the present invention.

本発明の発光素子搭載用配線基板113は、絶縁層101a〜101cを積層してなる絶縁基体103と、絶縁基体103の一方の主面103aに形成され、搭載される発光素子との接続を行なう端子となる接続端子105と、絶縁基体103の他方の主面103bに形成された外部電極端子107と、接続端子105と外部電極端子107とを接続するために、絶縁基体103を貫通して形成された貫通導体109と、絶縁基体103の表面103aに配置された光反射体111とを具備している。   A wiring board 113 for mounting a light emitting element of the present invention is formed on an insulating base 103 formed by laminating insulating layers 101a to 101c and one main surface 103a of the insulating base 103, and is connected to the mounted light emitting element. A connection terminal 105 serving as a terminal, an external electrode terminal 107 formed on the other main surface 103 b of the insulating base 103, and the insulating base 103 are formed to connect the connection terminal 105 and the external electrode terminal 107. And the light reflector 111 disposed on the surface 103 a of the insulating base 103.

なお、絶縁基体103は、図3(a)に示すような積層体であっても、バルク体であっても良い。   The insulating substrate 103 may be a laminated body as shown in FIG. 3A or a bulk body.

光反射体111には、発光素子が搭載される発光素子搭載部115が配設されている。   The light reflector 111 is provided with a light emitting element mounting portion 115 on which a light emitting element is mounted.

絶縁基体103は、熱伝導率の高い窒化アルミニウム質焼結体を用いることが好ましく、窒化アルミニウム質焼結体からなる絶縁層101aと、絶縁層101aの表面に配置された光反射体111とを組み合わせることで放熱性に優れ、例えば、光の反射率が低い窒化アルミニウム質焼結体を絶縁層101aとして用いた場合であっても、発光素子用配線基板113に搭載される発光素子からの光を効率よく利用することのできる発光素子搭載用配線基板113となる。   The insulating base 103 is preferably made of an aluminum nitride sintered body having a high thermal conductivity. An insulating layer 101a made of an aluminum nitride sintered body and a light reflector 111 disposed on the surface of the insulating layer 101a are used. For example, even when an aluminum nitride sintered body having a low light reflectance is used as the insulating layer 101a, the light from the light emitting element mounted on the light emitting element wiring substrate 113 is excellent. Thus, the light emitting element mounting wiring board 113 can be used efficiently.

すなわち、この光反射体111によって発光素子搭載部115に搭載される発光素子の放射光が発光素子搭載用配線基板113の主面103aに形成された光反射体111により反射され、放射光が絶縁基体103に吸収、あるいは絶縁基体103を透過することを抑制することができる。   That is, the emitted light of the light emitting element mounted on the light emitting element mounting portion 115 is reflected by the light reflector 111 by the light reflector 111 formed on the main surface 103a of the light emitting element mounting wiring substrate 113, and the emitted light is insulated. Absorption to the base 103 or permeation through the insulating base 103 can be suppressed.

したがって、発光素子が直接に放射する光のみならず、光反射体111に反射した光までも、任意の方向に誘導することができるため、より強い光を供給することが可能となり、発光効率を格段に高くすることができる。   Therefore, not only the light directly emitted from the light emitting element but also the light reflected by the light reflector 111 can be guided in an arbitrary direction, so that it is possible to supply stronger light and to improve the light emission efficiency. It can be much higher.

つまり、本発明の発光素子搭載用配線基板113によれば、このような光反射体111を設けることで、絶縁基体103が、例えば、黒色であって非常に反射率が低い場合であっても、あるいは、絶縁基体103の透光性が高い場合であっても、発光素子搭載用配線基板113の反射率を高くすることができるのである。   That is, according to the light emitting element mounting wiring substrate 113 of the present invention, by providing such a light reflector 111, the insulating base 103 is, for example, black and has a very low reflectance. Alternatively, even when the insulating substrate 103 has high translucency, the reflectance of the light emitting element mounting wiring substrate 113 can be increased.

そのため、絶縁基体103として、高熱伝導の窒化アルミニウム質焼結体や、安価で高強度のアルミナ質焼結体や、安価な樹脂製のプリント基板を用いた場合であっても、高い反射率を実現することができ、絶縁基体103の特性を活かした発光素子用配線基板113となる。   Therefore, even when a highly heat-conductive aluminum nitride sintered body, an inexpensive and high-strength alumina sintered body, or an inexpensive resin printed board is used as the insulating base 103, a high reflectance is obtained. The light-emitting element wiring board 113 can be realized by utilizing the characteristics of the insulating base 103.

光反射体111の厚みを、25μm以下にすることにより、光反射体111の熱抵抗を低く抑えられ、発光素子からの放熱性に優れた発光効率の良い発光素子用配線基板113を得ることができる。特に、光反射体111の厚みは20μm以下、さらに15μm以下とすることが好ましい。   By setting the thickness of the light reflector 111 to 25 μm or less, the thermal resistance of the light reflector 111 can be kept low, and the light emitting element wiring substrate 113 having excellent heat dissipation from the light emitting element and high light emission efficiency can be obtained. it can. In particular, the thickness of the light reflector 111 is preferably 20 μm or less, more preferably 15 μm or less.

接続端子105、外部電極端子107および貫通導体109としては、絶縁基体103が窒化アルミニウム質焼結体やアルミナ質焼結体である場合は、W、Moのうち少なくとも1種を主成分としたものが例示できる。また、接続端子105の表面にAlやAgめっきを施すことにより、反射率を向上させることができる。   As the connection terminal 105, the external electrode terminal 107, and the through conductor 109, when the insulating base 103 is an aluminum nitride sintered body or an alumina sintered body, the main component is at least one of W and Mo. Can be illustrated. Further, the reflectance can be improved by applying Al or Ag plating to the surface of the connection terminal 105.

また、例えば、図3(b)に示すように、絶縁基体103の発光素子搭載部115側に、搭載される発光素子を収納するための枠体216を形成してもよい。   Further, for example, as shown in FIG. 3B, a frame body 216 for housing the light emitting elements to be mounted may be formed on the insulating base 103 on the light emitting element mounting portion 115 side.

この枠体216は、発光素子の発する光を反射して、光を所望の方向に誘導する機能を有していることが望ましく、枠体216については、発光素子の放射光を受ける内壁面216aの反射率が70%以上であることが望ましい。特に、75%以上、さらに80%以上とすることが望ましく、本発明の光反射体からなることが望ましい。   The frame 216 preferably has a function of reflecting light emitted from the light emitting element and guiding the light in a desired direction. The frame 216 has an inner wall surface 216a that receives the emitted light of the light emitting element. It is desirable that the reflectance of the glass is 70% or more. In particular, it is preferably 75% or more, more preferably 80% or more, and it is preferably made of the light reflector of the present invention.

枠体216はセラミックスにより形成することで、絶縁基体103と枠体216とを同時焼成することができ、工程が簡略化されるため、安価な発光素子搭載用配線基板213を容易に作製することができる。また、セラミックスは耐熱性、耐湿性に優れているため、長期間の使用や、悪条件での使用にも、優れた耐久性を有する発光素子搭載用配線基板213となる。   By forming the frame body 216 from ceramics, the insulating base 103 and the frame body 216 can be fired at the same time, and the process is simplified. Therefore, an inexpensive light-emitting element mounting wiring substrate 213 can be easily manufactured. Can do. In addition, since ceramics are excellent in heat resistance and moisture resistance, the light emitting element mounting wiring substrate 213 has excellent durability even when used for a long period of time or under adverse conditions.

また、安価で、加工性に優れた金属により枠体216を形成することで、複雑な形状の枠体216であっても、容易に安価に製造することができ、安価な発光素子用配線基板213を供給することができる。この金属製の枠体216は、例えば、AlやFe−Ni−Co合金等などにより好適に形成することができる。また、枠体216の表面には、Ni、Au、Agなどからなるめっき層(図示せず)を形成してもよい。   In addition, by forming the frame body 216 from a metal that is inexpensive and excellent in workability, even the frame body 216 having a complicated shape can be easily manufactured at low cost, and an inexpensive wiring board for a light-emitting element. 213 can be supplied. The metal frame 216 can be suitably formed from, for example, Al, Fe—Ni—Co alloy, or the like. A plating layer (not shown) made of Ni, Au, Ag, or the like may be formed on the surface of the frame 216.

このように枠体216を金属により形成する場合には、あらかじめ、絶縁基体103の主面103aまたは絶縁基体103の主面103aに金属層217を形成し、この金属層217と枠体216とを、例えば、接着剤(図示せず)によって接着することができる。   When the frame body 216 is formed of a metal in this way, a metal layer 217 is formed in advance on the main surface 103a of the insulating base 103 or the main surface 103a of the insulating base 103, and the metal layer 217 and the frame 216 are attached to each other. For example, it can adhere | attach with an adhesive agent (not shown).

また、図示しないが、枠体216は、表面反射層111の主面に形成した金属層と接着してもよい。   Although not shown, the frame body 216 may be bonded to a metal layer formed on the main surface of the surface reflective layer 111.

また、枠体216の形状を、底の抜けたボウル、あるいはパラボラアンテナのようにすることで光の誘導効率を向上させることができる。   Further, by making the shape of the frame body 216 like a bowl with a bottom or a parabolic antenna, the light guiding efficiency can be improved.

図3(c)は本発明の発光素子搭載用配線基板のまた別の一実施形態の断面図である。   FIG. 3C is a cross-sectional view of another embodiment of the light emitting element mounting wiring board of the present invention.

本発明の発光素子搭載用配線基板313は、光反射体からなる絶縁層311a〜311fを積層してなる絶縁基体303と、絶縁層311d〜311f部分の一方の主面303aに形成された搭載される発光素子との接続を行なう端子となる接続端子305と、絶縁基体303の他方の主面303bに形成された外部電極端子307と、接続端子305と外部電極端子307とを接続するために、絶縁層311d〜311f部分を貫通して形成された貫通導体309とを具備している。   The light emitting element mounting wiring board 313 of the present invention is mounted on an insulating base 303 formed by laminating insulating layers 311a to 311f made of a light reflector and one main surface 303a of the insulating layers 311d to 311f. In order to connect the connection terminal 305 serving as a terminal for connecting to the light emitting element, the external electrode terminal 307 formed on the other main surface 303b of the insulating base 303, and the connection terminal 305 and the external electrode terminal 307, And a through conductor 309 formed through the insulating layers 311d to 311f.

なお、絶縁基体303は、図3(c)に示すような積層体であっても、バルク体であっても良い。   The insulating substrate 303 may be a laminated body as shown in FIG. 3C or a bulk body.

絶縁層311a〜311c部分により、キャビティが形成さており、絶縁層311d〜311f部分の主面303aには、発光素子が搭載される発光素子搭載部315が配設されている。   A cavity is formed by the insulating layers 311a to 311c, and a light emitting element mounting portion 315 on which the light emitting element is mounted is disposed on the main surface 303a of the insulating layers 311d to 311f.

すなわち、発光素子搭載部315に搭載される発光素子の放射光が光反射体からなる絶縁基体303によって反射され、発光素子が直接に放射する光のみならず、光反射体からなる絶縁基体303に反射した光までも、任意の方向に誘導することができるため、より強い光を供給することが可能となり、発光効率を格段に高くすることができる。   That is, the emitted light of the light emitting element mounted on the light emitting element mounting portion 315 is reflected by the insulating base 303 made of a light reflector, and not only the light directly emitted by the light emitting element but also the insulating base 303 made of a light reflector. Even the reflected light can be guided in an arbitrary direction, so that stronger light can be supplied and the luminous efficiency can be remarkably increased.

また、光反射体からなる絶縁層基体303は、1000℃以下の低温で焼成することが可能であるため、接続端子305、外部電極端子307および貫通導体309として融点の低い金、銀、銅といった抵抗の低い金属と同時焼成が可能であり、これらの低抵抗金属を配線材料とすることが可能である。そのため、WやMoといった抵抗の高い配線材料を使用する窒化アルミニウム質焼結体やアルミナ質焼結体を絶縁基体として使用した場合と比較して、電力損失を低下させることができる。   Further, since the insulating layer base 303 made of a light reflector can be baked at a low temperature of 1000 ° C. or lower, the connection terminal 305, the external electrode terminal 307, and the through conductor 309 have a low melting point such as gold, silver, or copper. Simultaneous firing with metals having low resistance is possible, and these low resistance metals can be used as wiring materials. Therefore, power loss can be reduced as compared with the case where an aluminum nitride sintered body or alumina sintered body using a wiring material having high resistance such as W or Mo is used as an insulating base.

さらに、接続端子105として銀を用いた場合に、配線層自体の反射率が高いことにより、発光素子搭載用配線基板313全体として、より高い反射率を得ることができる。一方、銀は高価であるため、接続端子305と外部電極端子307とには安価な銅を使用し、接続端子305と外部電極端子307上に、銀めっきや金めっきを施すことにより、高い反射率を得ることが可能である。一方、接続端子305と外部電極端子307に金を使用すると、耐酸化性にもっとも優れるため、特に長期間使用した際でも、特性劣化のない非常に優れた信頼性を有する発光素子搭載用配線基板313を得ることができる。   Furthermore, when silver is used as the connection terminal 105, the reflectance of the wiring layer itself is high, so that a higher reflectance can be obtained for the light emitting element mounting wiring substrate 313 as a whole. On the other hand, since silver is expensive, high-reflection is achieved by using inexpensive copper for the connection terminal 305 and the external electrode terminal 307 and applying silver plating or gold plating on the connection terminal 305 and the external electrode terminal 307. It is possible to get a rate. On the other hand, when gold is used for the connection terminal 305 and the external electrode terminal 307, the most excellent oxidation resistance. Therefore, even when used for a long period of time, the wiring board for mounting a light-emitting element having very excellent reliability without deterioration in characteristics. 313 can be obtained.

なお、図3(c)には発光素子搭載部315の周囲にキャビティを形成された発光素子搭載用配線基板313を示したが、図3(a)のように発行素子搭載用配線基板を平板状にしてもよい。   FIG. 3C shows the light emitting element mounting wiring board 313 in which a cavity is formed around the light emitting element mounting portion 315. However, as shown in FIG. You may make it.

図4(a)は本発明の発光装置の一実施形態の断面図である。   FIG. 4A is a cross-sectional view of an embodiment of the light emitting device of the present invention.

本発明の発光装置127は、図3(a)に示した本発明の発光素子搭載用配線基板113の発光素子搭載部115に、発光素子121としてLEDチップを接着剤129で接着して搭載し、ボンディングワイヤ123により、LEDチップ121と接続端子105とを電気的に接続して形成されるものである。   The light emitting device 127 of the present invention is mounted by adhering an LED chip as a light emitting element 121 with an adhesive 129 on the light emitting element mounting portion 115 of the light emitting element mounting wiring substrate 113 of the present invention shown in FIG. The LED chip 121 and the connection terminal 105 are electrically connected by a bonding wire 123.

本発明の発光装置127によれば、発光素子121に給電することにより、発光素子121の放射する光を反射率の高い光反射体111に反射させ、任意の方向へと誘導することができるため、高効率の発光装置127となる。   According to the light-emitting device 127 of the present invention, by supplying power to the light-emitting element 121, the light emitted from the light-emitting element 121 can be reflected by the light reflector 111 having a high reflectivity and guided in an arbitrary direction. Thus, a highly efficient light-emitting device 127 is obtained.

また、絶縁基体103として熱伝導率が高い材料を用いた場合には、発光素子121からの発熱を速やかに放出することができ、熱による輝度低下を抑制できる。   In addition, when a material having high thermal conductivity is used for the insulating base 103, heat generated from the light emitting element 121 can be quickly released, and luminance reduction due to heat can be suppressed.

さらに、発光素子121は、モールド材131により被覆されているが、モールド材131を用いずに、蓋体(図示せず)を用いて封止してもよく、また、モールド材131と蓋体とを併用してもよい。蓋体はガラスなどの透光性の素材を用いることが望ましい。   Further, although the light emitting element 121 is covered with the molding material 131, it may be sealed using a lid (not shown) without using the molding material 131, and the molding material 131 and the lid are used. And may be used in combination. It is desirable to use a translucent material such as glass for the lid.

またさらに、モールド材131に発光素子121が放射する光を波長変換するための蛍光体(図示せず)を添加してもよい。   Furthermore, a phosphor (not shown) for converting the wavelength of light emitted from the light emitting element 121 may be added to the molding material 131.

発光素子121としては、黄色や青色のLEDチップ等が好適に用いられ、適切な波長変換を行う蛍光体を選択することにより、白色光に変換することができる。本発明の発光装置127においては、光反射体111が可視光領域で、高い反射率を有するため、特に白色光を発光する発光装置として使用する場合に、その特性をもっとも有効に活用することができるが、赤、青、緑の発光装置として使用した際でも、高い発光効率を示すことが可能である。   A yellow or blue LED chip or the like is preferably used as the light-emitting element 121, and can be converted into white light by selecting a phosphor that performs appropriate wavelength conversion. In the light emitting device 127 of the present invention, since the light reflector 111 has a high reflectance in the visible light region, the characteristics can be most effectively utilized particularly when used as a light emitting device that emits white light. However, even when used as a red, blue, or green light emitting device, it is possible to exhibit high luminous efficiency.

なお、図4(a)に示した例では、発光素子121は、接着剤129により光反射体111は発光体配線基板103に固定され、電力の供給はワイヤボンド123によりなされているが、発光素子用配線基板103との接続形態は、フリップチップ接続であってもよい。   In the example shown in FIG. 4A, the light-emitting element 121 has a light reflector 111 fixed to the light-emitting body wiring board 103 by an adhesive 129 and power is supplied by a wire bond 123. The connection form with the element wiring board 103 may be flip-chip connection.

また、例えば、図4(b)に示すように、図3(b)に示した枠体216が形成された発光素子用配線基板103の発光素子搭載部115に、発光素子221としてLEDチップを接着剤229で接着して搭載し、ボンディングワイヤ223により、発光素子221と接続端子105とを電気的に接続して形成してもよい。   Further, for example, as shown in FIG. 4B, an LED chip is used as the light emitting element 221 in the light emitting element mounting portion 115 of the light emitting element wiring board 103 on which the frame body 216 shown in FIG. 3B is formed. The light emitting element 221 and the connection terminal 105 may be electrically connected and formed by bonding with an adhesive 229 and mounted with a bonding wire 223.

枠体216を搭載した発光装置227では、枠体216の内側に発光素子221を収納することで、容易に発光素子121を保護することができる。   In the light emitting device 227 equipped with the frame body 216, the light emitting element 121 can be easily protected by housing the light emitting element 221 inside the frame body 216.

またさらに、図4(c)に示すように、図3(c)に示した発光素子用配線基板313の発光素子搭載部315に、発光素子321としてLEDチップを接着剤329で接着して搭載し、ボンディングワイヤ323により、LEDチップ321と接続端子305とを電気的に接続して形成してもよい。   Furthermore, as shown in FIG. 4C, an LED chip is mounted as a light emitting element 321 with an adhesive 329 on the light emitting element mounting portion 315 of the light emitting element wiring board 313 shown in FIG. In addition, the LED chip 321 and the connection terminal 305 may be electrically connected by the bonding wire 323.

表1に示す組成の平均粒径2.0μmの結晶性ガラス粉末および表2に示す組成を有する平均粒径2.0μmのセラミック粉末を準備し、表2の組成に従い秤量し、これに、有機バインダー、可塑剤および溶媒を混合し、スラリーを作製し、得られたスラリーをドクターブレード法によって成形した。   A crystalline glass powder having an average particle size of 2.0 μm having a composition shown in Table 1 and a ceramic powder having an average particle size of 2.0 μm having the composition shown in Table 2 were prepared, weighed according to the composition of Table 2, and organic A binder, a plasticizer, and a solvent were mixed to prepare a slurry, and the obtained slurry was molded by a doctor blade method.

得られた成形体を厚み2mmとなるように熱圧着法で積層し、大気中500℃、2時間の熱処理により脱有機バインダー処理した後、大気雰囲気中、900℃、1時間の条件で焼成することにより、光反射体であるガラスセラミック焼結体を得た。   The obtained molded body is laminated by a thermocompression bonding method so as to have a thickness of 2 mm, treated with a deorganic binder by heat treatment at 500 ° C. in the air for 2 hours, and then fired in the air at 900 ° C. for 1 hour. Thereby, the glass ceramic sintered compact which is a light reflector was obtained.

このガラスセラミック焼結体について、断面を鏡面研磨し、走査型顕微鏡(SEM)を用いて2次電子像および反射電子像を観察し、第1のセラミック結晶の表面に第2のセラミック結晶が存在しているかどうかを確認し、結果を表3に示した。   About this glass ceramic sintered body, the cross section is mirror-polished, a secondary electron image and a reflected electron image are observed using a scanning microscope (SEM), and the second ceramic crystal is present on the surface of the first ceramic crystal. The results are shown in Table 3.

さらに、同一試料を用いて、イオンミリングにより薄片加工を行い、透過型顕微鏡(TEM)を用いて明視野像を観察し、粒状部および柱状部からなる柱状の第2セラミック結晶の有無を確認し、結果を表3に示した。   In addition, using the same sample, slice processing is performed by ion milling, and a bright field image is observed using a transmission microscope (TEM), and the presence or absence of a columnar second ceramic crystal composed of a granular portion and a columnar portion is confirmed. The results are shown in Table 3.

図6は、試料No.14のガラスセラミック焼結体の断面を走査型顕微鏡(SEM)で撮影した写真であり、ガラス相503中に第1のセラミック結晶501があり、第1のセラミック結晶501の表面に第2のセラミック結晶502が形成されているのが観察できる。図7および図8は、試料No.14のガラスセラミック焼結体の断面を透過型顕微鏡(TEM)で撮影した写真であり、第1のセラミック結晶501の表面に柱状の第2のセラミック結晶502が形成されており、柱状の第2のセラミック結晶502のが柱状部502aおよび粒状部502bを有していることが観察できる。なお、符号が指し示している柱状のセラミック結晶502の周囲にも、柱状部502aおよび粒状部502bを有する柱状の第2のセラミック結晶502が存在するのが観察できる。   FIG. 14 is a photograph of a cross section of 14 glass-ceramic sintered bodies taken by a scanning microscope (SEM), in which a first ceramic crystal 501 is present in a glass phase 503, and a second ceramic is formed on the surface of the first ceramic crystal 501. It can be observed that crystals 502 are formed. 7 and FIG. 14 is a photograph of a cross section of 14 glass-ceramic sintered bodies taken with a transmission microscope (TEM), in which a columnar second ceramic crystal 502 is formed on the surface of the first ceramic crystal 501, and the columnar second It can be observed that the ceramic crystal 502 has a columnar portion 502a and a granular portion 502b. In addition, it can be observed that the columnar second ceramic crystal 502 having the columnar portion 502a and the granular portion 502b is also present around the columnar ceramic crystal 502 indicated by the reference numeral.

さらに、発光分光分析法にて、波長400nm〜700nmの可視光領域全域にわたって10nm毎に反射率を測定し、反射率のもっとも低い波長での値を表3に示した。   Further, the reflectance was measured every 10 nm over the entire visible light region having a wavelength of 400 nm to 700 nm by emission spectroscopy, and Table 3 shows the values at the wavelength with the lowest reflectance.

また、比較サンプルとして、表1に示した組成を有する焼成により結晶相を析出しない非結晶性ガラスであるガラスG9のみを焼成して作製したガラス焼結体および窒化アルミニウム焼結体に関してもサンプルを作製し、同様の評価を行った。

Figure 0004688695
In addition, as a comparative sample, a sample is also obtained for a sintered glass body and an aluminum nitride sintered body that are produced by firing only glass G9, which is an amorphous glass that does not precipitate a crystalline phase by firing having the composition shown in Table 1. A similar evaluation was made.
Figure 0004688695

Figure 0004688695
Figure 0004688695

Figure 0004688695
Figure 0004688695

本発明の光反射体である試料No.4〜16は、可視光領域でのもっとも低い反射率が75%以上、すなわち、可視光全域にわたって75%以上の高い反射率を示すものであった。   Sample No. which is a light reflector of the present invention. In Nos. 4 to 16, the lowest reflectance in the visible light region was 75% or more, that is, a high reflectance of 75% or more over the entire visible light region.

一方、原料にセラミック粒子が含まれず焼成により析出するセラミック結晶もないため、セラミック粒子を含まない本発明の範囲外の試料No.1は反射率が低いものとなった。また、窒化アルミニウム焼結体からなる本発明の範囲外の試料No.2と、セラミック粒子表面に第2のセラミック結晶が存在しない本発明の範囲外の試料No.3は、反射率が低いものとなった。また、遷移金属元素の酸化物換算の含有量が全組成中の0.1質量%以下である試料No.13は、遷移金属元素としてTiOを含み、その他の組成が近似している試料No.10および11と比較して高い反射率を示した。 On the other hand, since the raw material does not contain ceramic particles and there is no ceramic crystal that precipitates upon firing, sample no. No. 1 has a low reflectance. In addition, sample Nos. Made of aluminum nitride sintered body outside the scope of the present invention. 2 and sample No. 2 outside the scope of the present invention in which the second ceramic crystal is not present on the surface of the ceramic particles. No. 3 had a low reflectance. In addition, Sample No. in which the content of the transition metal element in terms of oxide is 0.1% by mass or less in the total composition. Sample No. 13 contains TiO 2 as a transition metal element and other compositions are similar. Compared with 10 and 11, the reflectance was high.

本発明の範囲内の試料No.14の光反射体材料Lを用いて、実施例1と同様にして厚さ300μmのグリーンシートを成形した。得られた前記グリーンシートをパンチングで貫通穴を形成し、そこに銅を主成分とし焼成後に貫通導体309となる導体ペーストを充填し、さらにスクリーン印刷法で必要な配線パターンをグリーンシートの表面および裏面に、銅を主成分とする導体ペーストを用いて配線層を形成し絶縁層311d〜311fとなる加工済みグリーンシートを作製した。前記配線層のうち絶縁層311dに形成されたものの一部が接続端子305となり、前記配線層のうち絶縁層311fに形成されたものの一部が外部電極端子307となる。   Sample No. within the scope of the present invention. Using the 14 light reflector material L, a green sheet having a thickness of 300 μm was formed in the same manner as in Example 1. The obtained green sheet is punched to form a through hole, filled with a conductor paste that contains copper as a main component and becomes a through conductor 309 after firing, and further a wiring pattern required by screen printing is applied to the surface of the green sheet and On the back surface, a processed green sheet to be the insulating layers 311d to 311f was formed by forming a wiring layer using a conductive paste containing copper as a main component. A part of the wiring layer formed on the insulating layer 311 d serves as the connection terminal 305, and a part of the wiring layer formed on the insulating layer 311 f serves as the external electrode terminal 307.

またこれとは別に、得られた前記グリーンシートにパンチングでキャビティを形成するための貫通穴を同様にパンチングで形成し、絶縁層311a〜311cとなる加工済みグリーンシートを作製した。   Separately from this, through holes for forming cavities by punching were similarly formed in the obtained green sheet by punching to produce processed green sheets to be the insulating layers 311a to 311c.

得られた加工済のグリーンシートを位置あわせして熱圧着法で積層し、キャビティ構造を有する積層体を得た。   The obtained processed green sheets were aligned and laminated by a thermocompression bonding method to obtain a laminate having a cavity structure.

得られた、積層体を水蒸気含有窒素雰囲気中、700℃で脱有機バインダー処理を施した後、900℃、1hr、水蒸気含有窒素雰囲気中で焼成することにより、本発明の光反射体であるガラスセラミックスを絶縁基体とし、低抵抗の銅を主成分とする配線層を有し、絶縁層311a〜311cの厚みが0.6mm、絶縁層311d〜311fの厚みが0.6mmの発行素子搭載用配線基板303を得た。   The obtained laminate is subjected to a deorganic binder treatment at 700 ° C. in a steam-containing nitrogen atmosphere, and then fired in a steam-containing nitrogen atmosphere at 900 ° C. for 1 hour, whereby the glass which is the light reflector of the present invention. An issuing element mounting wiring having a wiring layer mainly composed of ceramics and having a low resistance copper as a main component, the insulating layers 311a to 311c having a thickness of 0.6 mm, and the insulating layers 311d to 311f having a thickness of 0.6 mm. A substrate 303 was obtained.

さらに、外部電極端子307、接続端子305上に、Ni−Auめっきを施した後、さらに銀めっきを施した。   Further, after Ni—Au plating was performed on the external electrode terminal 307 and the connection terminal 305, silver plating was further performed.

銀めっきを施した発行素子搭載用配線基板303上に接着剤329としてエポキシ樹脂を使用し、発光素子321として黄色LEDチップを用いて、発行素子搭載用配線基板313上に黄色LEDチップを位置あわせして載置し、熱処理を施すことによりエポキシ樹脂を硬化することにより、LEDチップを発行素子搭載用配線基板303上に実装した。   Using the epoxy resin as the adhesive 329 on the wiring board 303 for mounting the emitting element mounted with silver plating and using the yellow LED chip as the light emitting element 321, the yellow LED chip is aligned on the wiring board 313 for mounting the issuing element. Then, the LED chip was mounted on the wiring board 303 for mounting an issuing element by curing the epoxy resin by performing heat treatment.

続いて、Auワイヤを用いたボンディングワイヤ323により、接続端子305と発光素子321とを電気的に接続し、その上から、黄色光を白色光に変換する蛍光体を充填し白色に発光するLED装置である発光装置327を得た。   Subsequently, the connection terminal 305 and the light emitting element 321 are electrically connected by a bonding wire 323 using an Au wire, and a phosphor that converts yellow light into white light is filled thereon, and the LED emits white light. A light emitting device 327 which is a device was obtained.

得られた白色LED装置は、低抵抗の金属を配線層に使用しているため電力損失が小さく、かつ、可視光全域にわたって高い反射率を有することから、良好な白色光を発光した。   Since the obtained white LED device uses a low-resistance metal for the wiring layer, the power loss is small, and the white LED device emits good white light because it has a high reflectance over the entire visible light region.

本発明の光反射体であるガラスセラミック焼結体の微細構造の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the fine structure of the glass ceramic sintered compact which is the light reflection body of this invention. 本発明の光反射体であるガラスセラミック焼結体の微細構造の一例を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view showing an example of the fine structure of the glass ceramic sintered compact which is the light reflector of the present invention. 本発明の光反射体であるガラスセラミック焼結体の微細構造の一例を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view showing an example of the fine structure of the glass ceramic sintered compact which is the light reflector of the present invention. 本発明の発光素子搭載用配線基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the wiring board for light emitting element mounting of this invention. 本発明の発光装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the light-emitting device of this invention. 本発明の実施例のガラスセラミック焼結体の断面の走査型顕微鏡(SEM)写真である。It is a scanning microscope (SEM) photograph of the cross section of the glass ceramic sintered compact of the Example of this invention. 本発明の実施例のガラスセラミック焼結体の断面の透過型顕微鏡(TEM)写真である。It is a transmission microscope (TEM) photograph of the cross section of the glass ceramic sintered compact of the Example of this invention. 本発明の実施例のガラスセラミック焼結体の断面の透過型顕微鏡(TEM)写真である。It is a transmission microscope (TEM) photograph of the cross section of the glass ceramic sintered compact of the Example of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・第1のセラミック結晶
2・・・第2のセラミック結晶
2a・・・第2のセラミック結晶の柱状部
2b・・・第2のセラミック結晶の粒状部
101a〜101c・・・絶縁層
311a〜f・・・光反射体からなる絶縁層
103、303・・・絶縁基体
105、305・・・接続端子
107、307・・・外部電極端子
109、309・・・貫通導体
111・・・光反射体
113、213、313・・・発光素子搭載用配線基板
115、315・・・発光素子搭載部
121、221、321・・・発光素子
123、223、323・・・ボンディングワイヤ
127、227、327・・・発光装置
217
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st ceramic crystal 2 ... 2nd ceramic crystal 2a ... Columnar part of 2nd ceramic crystal 2b ... Granular part of 2nd ceramic crystal 101a-101c ... Insulating layer 311a to f ... Insulating layer made of a light reflector 103, 303 ... Insulating substrate 105, 305 ... Connection terminal 107, 307 ... External electrode terminal 109, 309 ... Through conductor 111 ... Light reflectors 113, 213, 313 ... Light-emitting element mounting wiring boards 115, 315 ... Light-emitting element mounting portions 121, 221, 321 ... Light-emitting elements 123, 223, 323 ... Bonding wires 127, 227 327 ... Light emitting device 217

Claims (5)

2種類のセラミック結晶を含有するガラスセラミック焼結体からなり、第1のセラミック結晶の表面に、柱状の第2のセラミック結晶が複数形成されてなることを特徴とする光反射体。 A light reflector comprising a glass ceramic sintered body containing two types of ceramic crystals, wherein a plurality of columnar second ceramic crystals are formed on the surface of the first ceramic crystals. 前記柱状の第2のセラミック結晶は、柱状部とその先端に位置する粒状部とを有することを特徴とする請求項1記載の光反射体。 2. The light reflector according to claim 1, wherein the columnar second ceramic crystal includes a columnar portion and a granular portion located at a tip of the columnar portion. 遷移金属元素を実質的に含有しないことを特徴とする請求項1または2記載の光反射体。 The light reflector according to claim 1, wherein the light reflector is substantially free of a transition metal element. 絶縁基板の主面に、配線層と、発光素子を搭載する発光素子搭載部とが設けられてなる発光素子搭載用配線基板において、前記発光素子搭載部は、前記絶縁基板の表面に請求項1〜3のいずれかに記載の光反射体が配置されていることを特徴とする発光素子搭載用配線基板。 The light emitting element mounting wiring board in which a wiring layer and a light emitting element mounting part for mounting a light emitting element are provided on a main surface of the insulating substrate, wherein the light emitting element mounting part is on the surface of the insulating substrate. A light-emitting element mounting wiring board, wherein the light reflector according to any one of to 3 is disposed. 請求項4記載の発光素子搭載用配線基板の前記発光素子搭載部に発光素子を搭載してなることを特徴とする発光装置。


A light emitting device comprising a light emitting element mounted on the light emitting element mounting portion of the light emitting element mounting wiring board according to claim 4.


JP2006048825A 2006-02-24 2006-02-24 LIGHT REFLECTOR, LIGHT EMITTING ELEMENT WIRING BOARD, AND LIGHT EMITTING DEVICE Active JP4688695B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006048825A JP4688695B2 (en) 2006-02-24 2006-02-24 LIGHT REFLECTOR, LIGHT EMITTING ELEMENT WIRING BOARD, AND LIGHT EMITTING DEVICE

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006048825A JP4688695B2 (en) 2006-02-24 2006-02-24 LIGHT REFLECTOR, LIGHT EMITTING ELEMENT WIRING BOARD, AND LIGHT EMITTING DEVICE

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007226034A JP2007226034A (en) 2007-09-06
JP4688695B2 true JP4688695B2 (en) 2011-05-25

Family

ID=38547906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006048825A Active JP4688695B2 (en) 2006-02-24 2006-02-24 LIGHT REFLECTOR, LIGHT EMITTING ELEMENT WIRING BOARD, AND LIGHT EMITTING DEVICE

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4688695B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11725543B2 (en) 2017-01-27 2023-08-15 Nem Energy B.V. Exhaust duct for a fossil fuel powered engine comprising a dilution selective catalytic reduction system

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5259627B2 (en) * 2007-12-26 2013-08-07 京セラ株式会社 Light emitting device and lighting device
JP2009164311A (en) * 2007-12-28 2009-07-23 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc Substrate for mounting light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using same
CN102007609B (en) 2008-04-18 2013-01-23 旭硝子株式会社 Light-emitting diode package
JP5510885B2 (en) * 2009-07-30 2014-06-04 日本電気硝子株式会社 Light reflecting substrate
TWI488891B (en) * 2009-12-22 2015-06-21 Mitsubishi Chem Corp And a material for a resin molded body for a semiconductor light emitting device
JP5671833B2 (en) * 2010-04-09 2015-02-18 日本電気硝子株式会社 Light reflecting substrate material, light reflecting substrate and light emitting device using the same
JP2011222751A (en) * 2010-04-09 2011-11-04 Nippon Electric Glass Co Ltd Wavelength conversion member and semiconductor light-emitting element device having and using the wavelength conversion member
JP5760655B2 (en) * 2011-04-28 2015-08-12 三菱化学株式会社 RESIN PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE HAVING THE RESIN PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
US11245059B2 (en) * 2017-09-26 2022-02-08 Kyocera Corporation Wiring board and light emitting device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000016833A (en) * 1998-06-30 2000-01-18 Central Glass Co Ltd Crystalline glass for forming insulation coating film and crystalline coating film prepared by thermally treating the glass

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000016833A (en) * 1998-06-30 2000-01-18 Central Glass Co Ltd Crystalline glass for forming insulation coating film and crystalline coating film prepared by thermally treating the glass

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11725543B2 (en) 2017-01-27 2023-08-15 Nem Energy B.V. Exhaust duct for a fossil fuel powered engine comprising a dilution selective catalytic reduction system

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007226034A (en) 2007-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4688633B2 (en) LIGHT REFLECTOR, LIGHT EMITTING ELEMENT WIRING BOARD, AND LIGHT EMITTING DEVICE
JP4688695B2 (en) LIGHT REFLECTOR, LIGHT EMITTING ELEMENT WIRING BOARD, AND LIGHT EMITTING DEVICE
JP5383747B2 (en) Reflecting member, light emitting device and lighting device using the same
US8459840B2 (en) Semiconductor light emitting apparatus and light source apparatus using the same
JP4804109B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE WIRING BOARD, LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE WIRING BOARD MANUFACTURING METHOD
JP5640632B2 (en) Light emitting device
JP5539658B2 (en) Reflector, reflector using the same, and light emitting element mounting substrate
KR101245615B1 (en) Ceramic substrate for mounting luminescent element
JP2007129191A (en) Low-temperature co-fired ceramic (ltcc) tape composition, light emitting diode (led) module, illuminating devices and forming method thereof
JP2007227868A (en) Light-emitting device, and lighting device
JP2009164311A (en) Substrate for mounting light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using same
JP2006093565A (en) Wiring board for light emitting element, light emitting device and method for manufacturing it
JP2006147999A (en) Wiring board for light emitting device, and light emitting equipment
JPWO2012036219A1 (en) Light emitting element substrate and light emitting device
JP2006041230A (en) Light emitting devices and wiring board therefor
JP2009064842A (en) Ceramic sintered compact, substrate using the ceramic sintered compact, package for mounting light-emitting element using the compact, and light emitting device using the compact
EP2246909A1 (en) White light emitting device and lighting fitting for vehicles using the white light emitting device
JP2006156447A (en) Wiring board for light emitting element, light emitting device and its manufacturing method
JP2006066409A (en) Wiring board for light emitting element, manufacturing method thereof and light emitting device
JP6150159B2 (en) Glass ceramic for light emitting diode package, ceramic substrate using the same, and light emitting diode package
JP2006100364A (en) Wiring board for light emitting element, method for manufacturing the same and light emitting element
JP5623587B2 (en) LIGHT REFLECTOR, LIGHT EMITTING DEVICE MOUNTING WIRING BOARD, AND LIGHT EMITTING DEVICE
JP5451451B2 (en) SURFACE MOUNT LIGHT EMITTING ELEMENT WIRING BOARD AND LIGHT EMITTING DEVICE HAVING THE SAME
JP2011071554A (en) Wiring board for light emitting element and light emitting device
JP2006066630A (en) Wiring board, electric device, and light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080818

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110107

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110118

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110215

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4688695

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225

Year of fee payment: 3