JP4686041B2 - 偽造防止用磁気転写箔 - Google Patents
偽造防止用磁気転写箔 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4686041B2 JP4686041B2 JP2001073605A JP2001073605A JP4686041B2 JP 4686041 B2 JP4686041 B2 JP 4686041B2 JP 2001073605 A JP2001073605 A JP 2001073605A JP 2001073605 A JP2001073605 A JP 2001073605A JP 4686041 B2 JP4686041 B2 JP 4686041B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ferromagnetic
- magnetic
- transfer foil
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 118
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims description 63
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 225
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 96
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 45
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 22
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 9
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 description 52
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 49
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 22
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 17
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 8
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004069 aziridinyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N desyl alcohol Natural products C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N Melanin Chemical compound O=C1C(=O)C(C2=CNC3=C(C(C(=O)C4=C32)=O)C)=C2C4=CNC2=C1C XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUGZWHZWSVUSBE-UHFFFAOYSA-N 2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethanol Chemical compound OCCOCC1CO1 CUGZWHZWSVUSBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDPLHDGYGLENEI-UHFFFAOYSA-N 2-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propan-2-yloxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COC(C)COCC1CO1 HDPLHDGYGLENEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCC1CO1 AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUZRCMMVHXRSGT-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1-sulfonic acid;prop-2-enamide Chemical compound NC(=O)C=C.CC(C)CS(O)(=O)=O AUZRCMMVHXRSGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZDMJPAQQFSMMV-UHFFFAOYSA-N 4-oxo-4-(2-prop-2-enoyloxyethoxy)butanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC(=O)OCCOC(=O)C=C UZDMJPAQQFSMMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZVQCMJNVPIDEA-UHFFFAOYSA-N [CH2]CN(CC)CC Chemical group [CH2]CN(CC)CC MZVQCMJNVPIDEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Inspection Of Paper Currency And Valuable Securities (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、偽造防止用磁気転写箔に関する。詳しくは、樹脂フィルムからなる基材上に複数の強磁性体層を、スパッタ等の真空成膜法もしくは印刷法で積層形成した偽造防止用磁気転写箔に関する。このような偽造防止用磁気転写箔は、塩化ビニルやPET等のプラスチック基材に転写してクレジットカードやプリペイドカードとして使用することができ、各種印刷物に転写して商品券、ギフト券、証明書、パスポート、チケット、投票券、切符、ラベル等の各種セキュリティ媒体に使用することができる。
【0002】
【従来技術】
各種セキュリティ媒体の偽造防止策として、磁気情報を担持した情報記録媒体が従来から使用されている。磁気情報記録媒体カードとして国内で最も多く利用されているプリペイドカードには、テレホンカードやパチンコ遊技カードなどがある。しかし、これらのカードは変造、改ざんがされやすい問題がある。
この変造、改ざん防止対策として特開平6−286368号公報が提案する技術は、通常では入手できない組成と、その素材特有の磁気特性を利用することと、カードの第二記録領域に書換できないように予め書き込んであるセキュリティーコードを利用する方法が提案されている。このセキュリティーコードを書き込むためには、磁気的に読み取れる磁気パターンを形成する必要がある。
この磁気パターンを形成する方法としては、▲1▼磁性体にレーザを照射して、磁性体を消失させるかまたは磁気特性を変化させる。▲2▼フォトリソグラフィー・印刷等を利用してエッチングで磁性体を除去する。▲3▼強磁性膜からなる転写箔を熱と圧力をかけてパターン状に転写する。等の方法がとられているが、パターニングに長時間を要するかまたはコスト高を招くという問題がある。
【0003】
そのため、より高度の偽造防止構造を有するデータ記録担体として、粗化部と磁性膜を組み合わせた構造として、特開平10−64051号公報では、磁気パターニングされた磁性体板等が提案されている。
そこで、本発明は強磁性体層を2層以上に形成することで、磁性体板にさらに改良を加えた磁気情報転写箔やそれを用いた真偽判定方法を提供することで一層の偽造防止効果向上を図ろうとするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の要旨の第1は、支持体となる樹脂フィルム基材上に、Hcが、40〜4000A/m(0.5〜50エルステッド)、Rsq(角型比)が、0.7〜1.0である強磁性体層を2層形成し、該強磁性体層間に非磁性体層を形成して積層した構造を持つとともに、さらに該強磁性体層上にヒートシール剤層または粘着剤層を形成したことを特徴とする偽造防止用磁気転写箔、にある。本発明の要旨の第2は、支持体となる樹脂フィルム基材上に、Hcが、40〜4000A/m(0.5〜50エルステッド)、Rsq(角型比)が、0.7〜1.0である強磁性体層を3層以上形成し、該強磁性体層間に非磁性体層を形成して積層した構造を持つとともに、さらに該強磁性体層上にヒートシール剤層または粘着剤層を形成したことを特徴とする偽造防止用磁気転写箔、にある。
【0005】
本発明の要旨の第3は、支持体となる樹脂フィルム基材上に、Hcが、40〜4000A/m(0.5〜50エルステッド)、Rsq(角型比)が、0.7〜1.0の範囲で磁気特性が異なる強磁性体層を2層形成し、該強磁性体層間に非磁性体層を形成して積層した構造を持つとともに、さらに該強磁性体層上にヒートシール剤層または粘着剤層を形成したことを特徴とする偽造防止用磁気転写箔、にある。本発明の要旨の第4は、支持体となる樹脂フィルム基材上に、Hcが、40〜4000A/m(0.5〜50エルステッド)、Rsq(角型比)が、0.7〜1.0の範囲で磁気特性が異なる強磁性体層を3層以上形成し、該強磁性体層間に非磁性体層を形成して積層した構造を持つとともに、さらに該強磁性体層上にヒートシール剤層または粘着剤層を形成したことを特徴とする偽造防止用磁気転写箔、にある。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明の偽造防止用磁気転写箔は、樹脂フィルムからなる基材上に必要により離型層を介して複数の強磁性体層を、蒸着、スパッタ等の真空成膜法または印刷法により積層形成するものである。
本発明の偽造防止用磁気転写箔において、複数の強磁性体層からなる強磁性体層の磁気特性を強磁性体層間の相互作用無しに検知するためには、強磁性体層間に非磁性体層を形成し、磁気的相互作用を消滅させる必要がある場合がある。
この非磁性体層は、複数の強磁性体層が真空成膜法により形成された薄膜である場合に必要となってくる。強磁性体層が印刷法のみで形成されている場合、もしくは印刷法と真空成膜法により形成されている場合には非磁性体層を省略することも可能である。これらの条件により各種の実施形態が出現する。
【0008】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
図1は、本発明の偽造防止用磁気転写箔の実施形態を示す図である。
図1(A)は、基材11上に2層の強磁性体層151,152を非磁性体層161を介して積層した偽造防止用磁気転写箔の斜視図、図1(B)は、その断面図である。
偽造防止用磁気転写箔10の複数の強磁性体層151,152は真空成膜法または印刷法により形成される。強磁性体層間には前記のように必要により非磁性体層161が設けられ、これも同等の手段で形成される。
基材11と強磁性体層151との間には必要により離型層17を設ける。「必要により」というのは基材11自体が十分な離型性を有する場合があるからであり、そのような場合は離型層を設ける必要はない。
また、強磁性体層152の最表面には、被転写媒体に接着するためのヒートシール剤層または粘着剤層が形成される。ただし、図1では、当該ヒートシール剤層または粘着剤層の図示は省略されている。
偽造防止用磁気転写箔10の幅Wは特に制限されないが、被転写媒体の使用目的により2mm〜20.0mm程度のものが通常使用される。
【0009】
以下、偽造防止用磁気転写箔の各構成要素についてさらに詳細に説明する。
樹脂フィルム基材11としては、耐溶剤性および耐熱性のある樹脂フィルムが使用でき、一般的にはポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂フィルムをはじめとしてその他のポリエステル樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、ポリカーボネート樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム、ポリプロピレン樹脂フィルム、ポリサルホン樹脂フィルム、ポリフェニレンサルファイド樹脂フィルム、セルロース系樹脂フィルム、ポリエチレンナフタレート樹脂フィルム、等が挙げられる。厚さは、5〜300μm程度、好ましくは、10〜50μm程度のものを推奨できる。
【0010】
離型層17は、強磁性体層15を基材11に剥離性を有して密着させるためのものであって、転写後には磁性体層をある程度保護する役割をも有するものである。この層の材質としては、十分な透明性があり、耐摩擦性、耐汚染性、耐溶剤性を有する樹脂、例えば(メタ)アクリル酸エステル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ウレタン系樹脂、メラニン系樹脂、ポリエステル系樹脂の単体、混合物および共重合体が用いられる。また、ワックス類、シリコーンワックス、シリコーン樹脂、フッ素樹脂等の離型剤を加えたものを適当な溶剤に溶解または分散して調整したインキを、基材上に公知の手段により塗布、乾燥させて行うことができる。このような離型層17の厚さは、0.5〜5μm程度が好ましく、さらに好ましくは、1〜3μmの範囲である。
【0011】
強磁性体層15は、蒸着、スパッタ、イオンプレーティング法等の真空成膜法あるいはグラビア、オフセット等の印刷法により形成する。真空成膜法の場合、その厚みは1μm以下の薄膜、通常、10nm〜300nmの厚みであるのに対し、磁性インキの印刷法による膜厚は乾燥後で0.5μm〜10μm、一般的には1μm〜5μmとなるのが通常である。
【0012】
図5は、磁性材料のヒステリシス曲線を示す図である。
本発明に使用する強磁性材は、図5(A)のような高角型比の磁気特性を示す材料が好ましい。
このような強磁性材は、Hc(保磁力)、Bm(飽和磁束密度)において特異な特性を示し、その磁気特性から通常印加の磁界強度とその磁界によって磁化される磁性体の磁束密度とは非線形のB−H特性(ヒステリシス曲線)を有するので、図5(B)のような一般の磁性材料とは明確に区別できる。
本発明に使用する強磁性材は、Hcが、40〜4000A/m(0.5〜50エルステッド)、Rsq(角型比)が、0.7〜1.0であることが好ましい。
なお、角型比Rsqは、
Rsq=Br(残留磁束密度)/Bm(飽和磁束密度)
で表される。
【0013】
次に、強磁性体層15は、真空成膜法により形成される場合、結晶性あるいはアモルファスのものであっても良く、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)のいずれか1種または2種以上の組み合わせからなる磁性材料を主成分として、これに、ほう素(B)、炭素(C)、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(Al)、珪素(Si)、燐(P)、硫黄(S)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、モリブテン(Mo)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、インジウム(In)、錫(Sn)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、金(Au)、鉛(Pb)から選ばれた数種の金属または非金属元素の添加物から構成されている。
【0014】
真空成膜法の場合、強磁性体層の形成は、主成分となる鉄、コバルト、ニッケルからなる合金と添加元素からなる材料あるいはこれらの混合物をターゲット材または蒸着源として、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの真空プロセスを用いた成膜法で形成する。
真空成膜法の場合、層厚10nmが下限値となる理由は、強磁性体層15の厚みが薄くなるため、磁性体の絶対量の減少と共に飽和磁束が減少し、磁気信号が小さくなるためであり、真偽判定に用いる磁気信号を得るためには磁性体の厚みは、10nm以上が必要となるためである。
また、300nmが上限値となる理由は、他の方法で作製した磁性体膜(通常は厚さ1μm以上)と明確な区別をつけるためであり、これ以上厚くすることは避けることが好ましいからである。さらに、これ以上の厚さとなる場合は、膜の内部応力によるカール等で磁気転写箔の特性が悪くなり、しわ、クラックが発生する場合があるからである。
【0015】
次に、強磁性体層15が印刷法により形成される場合、ここで用いられる印刷インキは、強磁性体を顔料として含み、顔料を分散するバインダーおよび溶剤で構成されている。用いられる強磁性体は、粒径10nmから数十μmまで幅広い粒径の粉体を用いることができる。粒径は、印刷適性を考えると、数μm以下であることが好ましい。この粉体の形状は、粉体が上記の粒径の範囲内であり、印刷適性を保持する限りどのような形状であっても問題はない。
印刷法の場合、膜厚0.5μmが下限となるのは、均一した厚みの層を安定して機械的に付着させる限界となるからであり、10μmが上限となるのは、それ以上は安定した塗布が困難であり、必要性もないからである。
また、強磁性体は、金属粉体であっても酸化物粉体、窒化物粉体、酸化窒化物粉体であってもかまわない。金属粉体を用いる場合、上記の真空成膜法により形成される場合と同様の材料で良い。酸化物、窒化物強磁性体の場合、上記金属の酸化、窒化化合物を使用することになる。
【0016】
積層して形成される強磁性体層15の数は、原理的には何層でも可能であり、請求項2では「3層以上・を形成」しているが、交流磁界印加によるパルス観測方法では、判定の安定性を考えると、強磁性体層が2層もしくは3層が適当と考えられる。
複数の強磁性体層には、角型比が異なる強磁性材料あるいはアモルファス材料を併用すると特異の読み取り波形を与えて偽造を一層困難にする。
非磁性体層16の数は、強磁性体層15の間に入るので、通常は1層または2層となる。
【0017】
非磁性体層16には、非磁性体の金属や非金属を使用できる。これには例えば、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、錫(Sn)、銀(Ag)、金(Au)、珪素(Si)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)やこれらの合金、あるいはこれらの酸化物、窒化物、酸化窒化物粉体を使用することができる。
強磁性体層15を印刷して形成する場合は印刷インキのバインダーが非磁性体層を兼ねるので、印刷層に隣接して別に非磁性体層16を設ける必要はない。
【0018】
図2は、本発明の偽造防止用磁気転写箔の他の実施形態を示す図である。
図2(A)は、基材11上に光回折格子またはホログラムパターン13を形成し、さらに、2層の強磁性体層151,152を非磁性体層161を介して積層した構成の偽造防止用磁気転写箔斜視図、図2(B)は、その断面図である。
基材11と強磁性体層の間には、必要により離型層17を介して樹脂層12が設けられ、当該樹脂層表面には光回折格子またはホログラムパターン13が形成されている。基材11と樹脂層12との間が本来離型性の場合は前記のように離型層17を設ける必要はない。
光回折格子またはホログラムパターン13は、アルミニウム等の光反射層14を介在させるかまたは単独で用いて、特有の光輝性および3次元表示効果を出現させる。これと強磁性体層による磁気特性とから、通常の光輝性転写箔では得られない複合した効果を有して、偽造、改ざんを一層困難なものとすることができる。
【0019】
樹脂層12を構成する材料は、光回折格子またはホログラムの微小凹凸形状を付与できうる合成樹脂が使用できる。
この合成樹脂としては、熱可塑性合成樹脂、例えば、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂(例えばポリメチルメタクリレート等)、ポリカーボネート、もしくはポリスチレン等、または熱硬化性合成樹脂、例えば不飽和ポリエステル、メラミン、エポキシ、ポリエステル(メタ)アクリレート(本明細書においては、(メタ)アクリレートの語は、アクリレートおよびメタクリレートの双方を包含する意味である。)、ウレタン(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエーテル(メタ)アクリレート、ポリオール(メタ)アクリレート、メラミン(メタ)アクリレート、もしくはトリアジン系(メタ)アクリレート等が挙げられる。あるいは上記熱可塑性合成樹脂および熱硬化性合成樹脂を混合して使用しても良い。
【0020】
さらに合成樹脂としては、特に、熱プレスによりホログラムの微小凹凸形状をエンボスでき、エンボス後には、硬化して充分な耐久性を生じるものが良く、いわゆる紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、熱硬化、自然硬化型の反応性の樹脂等が用いられうる。本発明においては、紫外線もしくは電子線で硬化する樹脂が適している。具体的には、例えばメチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エチレングリコールグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレンングリコールジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレンングリコールジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、ソルビトールテトラグリシジルエーテルテトラ(メタ)アクリレート、等のラジカル重合性不飽和基を有する単量体が用いられる。
【0021】
さらに、熱成形性を有する紫外線または電子線硬化性樹脂としては、以下の化合物(1)〜(8)を重合もしくは共重合させた重合体に対し、後述する方法 (イ)〜(ニ)によりラジカル重合性不飽和基を導入したものが用いられうる。
【0022】
(1)水酸基を有する単量体:N−メチロール(メタ)アクリルアミド、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピル(メタ)アクリレート等。
(2)カルボキシル基を有する単量体:(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリロイルオキシエチルモノサクシネート等。
(3)エポキシ基を有する単量体:グリシジル(メタ)アクリレート等。
【0023】
(4)アジリジニル基を有する単量体:2−アジリジニルエチル(メタ)アクリレート、2−アジリジニルプロピオン酸アリル等。
(5)アミノ基を有する単量体:(メタ)アクリルアミド、ダイアセトン(メタ)アクリルアミド、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレート等。
(6)スルフォン基を有する単量体:2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルフォン酸等。
(7)イソシアネート基を有する単量体:2,4−トルエンジイソシアネートと2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートの1モル対1モル付加物等のジイソシアネートと活性水素を有するラジカル重合性単量体の付加物等。
【0024】
(8)さらに、上記の重合体のガラス転移点を調節したり、硬化膜の物性を調節したりするために、上記の化合物と、この化合物と共重合可能な以下のような単量体とを共重合させることができる。このような共重合可能な単量体としては、例えばメチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
【0025】
次に、上述のようにして得られた重合体を以下に述べる方法(イ)〜(ニ)により反応させ、ラジカル重合性不飽和基を導入することによって、紫外線もしくは電子線硬化性樹脂が得られる。
(イ)水酸基を有する単量体の重合体または共重合体の場合には、(メタ)アクリル酸等のカルボキシル基を有する単量体等を縮合反応させる。
(ロ)カルボキシル基、スルフォン基を有する単量体の重合体または共重合体の場合には、前述の水酸基を有する単量体を縮合反応させる。
(ハ)エポキシ基、イソシアネート基あるいはアジリジニル基を有する単量体の重合体または共重合体の場合には、前述の水酸基を有する単量体もしくはカルボキシル基を有する単量体を付加反応させる。
(ニ)水酸基あるいはカルボキシル基を有する単量体の重合体または共重合体の場合には、エポキシ基を有する単量体あるいはアジリジニル基を有する単量体あるいはジイソシアネート化合物と水酸基含有アクリル酸エステル単量体の1モル対1モルの付加物を付加反応させても良い。
またさらに、前述の単量体と、上記の熱成形性の紫外線または電子線硬化性樹脂とを混合して用いることもできる。
【0026】
また、上記のものは、電子線照射により十分に硬化可能であるが、紫外線照射で硬化させる場合には、増感剤として、ベンゾキノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル等のベンゾインエーテル類、ハロゲン化アセトフェノン類等の紫外線照射によりラジカルを発生するものも用いることができる。
当該樹脂層は着色することもでき、その場合には紫外線や電子線の照射に対して変退色のない染料が好ましい。具体的には、1−2型アゾ系金属錯塩染料、1−1型アゾ系金属錯塩染料、金属フタロシアニン系染料等を使用することができる。
【0027】
上記の合成樹脂により構成される着色されまたは無色透明な光回折格子またはホログラムパターン樹脂層12は、グラビアコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ダイコート法等のコーティング方法により、厚さ0.1〜100μm、望ましくは、0.5〜50μmに塗布形成される。
【0028】
光回折格子パターンは、格子間隔0.4〜5.0μm、深さ0.1〜1.0μmの範囲で形成された回折格子パターンを前記樹脂層12に形成したもので、入射光を特定の回折角度で回折するため、観察方向により変化した色光を与えるものである。この回折格子は格子間隔dが一定であれば、光の波長によって回折角度φが異なり、また光の波長が一定であれば、格子間隔dによって回折角度φが異なる。この関係は下記の(式1)で示される。
λ=d(sinω+sinφ) (式1)
λ:波長 d:格子間隔 ω:入射角度 φ:回折角度
この光回折格子パターンの形成法としては、機械的に切削するもののほか、電子線描画装置によりレジスト上にパターン形成しフォトエッチングの方法で蝕刻することができ、これらの原版を複製用の型版にとり、型押しして転写する方法が採用される。
【0029】
一方、ホログラムパターン13は、2または3次元画像を再生可能な表面凹凸パターンとして形成されたものである。この表面凹凸パターンとしては、物体光と参照光との光の干渉による干渉縞の光の強度分布が凹凸模様で記録されたレリーフホログラムを使用可能であり、その他のホログラムとしては、フレネルホログラム、フラウンホーファホログラム、レンズレスフーリエ変換ホログラム、イメージホログラム等のレーザ再生ホログラム、およびレインボーホログラム等の白色光再生ホログラム、さらにそれらの原理を利用したカラーホログラム、コンピュータホログラム、ホログラムディスプレイ、マルチプレックスホログラム、ホログラフィックスステレオグラム等が挙げられる。ホログラムの場合も干渉縞のピッチ、凹凸の深さは、回折格子と同程度のものである。
【0030】
強磁性体層15と樹脂層12の間または樹脂層12と基材11との間には、光反射層14を設けることができる。すなわち、強磁性体層15を設ける前に、樹脂層12または基材11上に直接光反射層を全面に設ける。
このようにする場合には、非磁性金属の光沢色が反射光として外部から観測されるようになり、外見上は一般の光輝性転写箔と変わらない偽造防止用磁気転写箔が与えられる。
このような光反射層は反射性の非磁性金属材料が使用され、金、銀、アルミニウム、クロム、ニッケル等が使われる。一般的にはコストおよび技術上の問題からアルミニウムが好ましく採用され、その厚さは、10nm〜200nm程度に形成できるが、好ましくは20nm〜100nm程度の厚みである。
【0031】
ヒートシール剤層または粘着剤層は、偽造防止用磁気転写箔10を所定の被転写媒体に転写した際に、十分な接着強度を得るためのものであり、用途に合わせて従来より公知の感熱接着剤や粘着剤が用いられる。
ヒートシール剤としては、塩酢ビ系ホットメルト型樹脂、アクリル系樹脂、ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、アミド系樹脂、エポキシ系樹脂、等があげられ、また、粘着剤としては、アクリル系、ゴム系のものがあげられる。その塗布厚みは、1〜数μm以内のものであってよい。
通常、当該層が粘着剤層である場合は、転写箔上に設ける保護用剥離紙に粘着剤を付与してから、この保護用剥離紙と転写箔を一体にし、転写箔を使用する際に、剥離紙を除去すると強磁性体層上に粘着剤が転移して使用できる状態になる。従って、強磁性体層上に直接、粘着剤を塗布する工程を行うことは少ない。
【0032】
次に、偽造防止用磁気転写箔の実施形態についてさらに説明する。
図3は、偽造防止用磁気転写箔の各種実施形態の断面構成を示す図である。
図3(A)は、基材11上に2層の真空成膜法による強磁性体層151,152を非磁性体層161を介して積層した場合を示す。ヒートシール剤層または粘着剤層はいずれも図示を省略されている。
この場合、強磁性体層151,152は同一の強磁性体からなる層であっても角型比の異なる強磁性体であってもよい。また、いずれかまたは双方の強磁性体がアモルファス強磁性体であってもよい。これらの強磁性体層に交流磁界を印加した際に後述するようにそれぞれ異なる読み取り特性を与えることになる。
また、角型比の異なる強磁性体の場合は、図6のようなヒステリシス曲線を示すことになる。
前述のように非磁性体層16も真空成膜法または印刷法により設ける。当該層は省略してもよいが設けた場合には後述するように波形の分離が明瞭となる。
【0033】
図3(B)は、3層の真空成膜法による強磁性体層151,152,153を、非磁性体層161,162を介して積層した場合を示す。
強磁性体層151,152,153および非磁性体層161,162は、図3(A)の場合と同様に形成することができる。
図3(C)は、印刷法による強磁性体層151と真空成膜法による強磁性体層152の積層を示す。印刷法による強磁性体層が入る場合、印刷インキのバインダーが非磁性体層の役割を兼ねるので当該強磁性体層151に隣接して非磁性体層を設ける必要はない。
図3(D)は、2層の真空成膜法による強磁性体層151,152と非磁性体層161を積層し、さらに樹脂層12とホログラムパターン13および光反射層14を設けた場合を示す。光反射層14はホログラムパターンと重畳して設けられることが多い。この場合、強磁性体層151,152と非磁性体層161の効果は図3(A)の場合と同等であるが、転写箔を観察した場合、ホログラムパターン13や光反射層14により光輝性をもたらす効果を有する。
【0034】
図4は、偽造防止用磁気転写箔を被転写媒体に転写する状態を示す断面図である。偽造防止用磁気転写箔10を被転写媒体30に転写する際は、ヒートシール剤である場合は、熱ロール等で加熱加圧しながらあるいはホットスタンプ箔を転写する状態で箔押しするようにして被転写媒体30に転写する。
粘着剤である場合は、保護用剥離紙を剥離してから粘着剤層を直接、被転写媒体30に加圧して接触させることにより転写できる。この際、基材11は離型層17から剥離して除去されるので、偽造防止用磁気転写箔の強磁性体層の部分だけを転写することができる。離型層17は、前記のように被転写媒体30側に残るようにして保護被覆の機能を持たせることが好ましい。
【0035】
次に、本発明の真偽判定方法について説明する。
図7は、読取り装置を説明する図である。図7(A)は、磁気ヘッド41を交流励磁し(5〜10kHz,2〜5Vpp)、検知コイル43で出力電圧を検知する装置、図7(B)は、磁気ヘッド41を交流励磁し参照コイル44の信号波形と、検知コイル出力波形を比較して検知する場合を示す。
【0036】
図8は、図3(A)の磁気層が2層の転写箔に交流磁界を印加する状態を示す。図9は、転写箔に交流磁界を印加した場合の出力波形を示す。
図7(A)の磁気ヘッドを用いて図9(A)に示す交流磁界を印加した場合、検知コイルからの出力は、磁性体が無い場合、図9(B)のようになる。
本発明で使用する保磁力(Hc)が小さく角型比が大きい強磁性体がある場合は図9(C)のようになる。これらの信号の差分をとると図9(D)の信号が得られる。この信号は、強磁性体固有の特性を表わすB−H曲線の微分値であり、B−H特性同様強磁性体材料固有の信号である。
図7(B)の磁気ヘッドを用いた場合、検知コイルからの出力と参照コイルからの出力の差分を取ることにより、図9(D)の信号を得ることができる。
【0037】
図10は、2層以上の強磁性体層による再生波形を示す。
図7(A)の磁気ヘッドを用いて図9(A)に示す交流磁界を印加し本発明における偽造防止用磁気転写箔の測定を行うと、2層もしくは2層以上の強磁性体の磁気特性を一度に測定することになり、それぞれの強磁性体層の磁気特性を反映する信号を重ね合せた図10のような特殊な信号が得られる。
それぞれの信号の強度は、強磁性体の磁気特性だけでなく強磁性体の膜厚によってもコントロールが可能である。したがって、この信号の▲1▼ピーク強度の比や、▲2▼ピークの位置、▲3▼ピークの半値幅、▲4▼それらの組み合わせから、あるいは ▲5▼ピーク重ね合わせ時のピークの形状、1/3値幅、1/2値幅の比較、または▲1▼から▲5▼の組み合わせを考察することにより、使用した磁性体材料や層構成が分かり真偽判定が可能となる。
【0038】
さらに、図8のように、磁気ヘッド31に近い第2の強磁性体層152と磁気ヘッド31から遠い第1の強磁性体層151とでは、磁気ヘッドからの出力磁界が同じ場合でも、第2の強磁性体層152は第1の強磁性体層151よりも大きな磁場が印加されている。これにより、非磁性体層をはさんで同一の磁性体があってもピーク出力位置に違いが出るため、2層の磁性体があることが明瞭に確認できる。また、異なった磁性体を使用した場合、磁気ヘッド31に近い第2の強磁性体層152に保磁力が小さい材料を、第1の強磁性体層151に第2の強磁性体層152と比較して保磁力が大きい材料を使用することにより明確にそれぞれの磁性体の特徴を判別することが可能となる。
そのため、再生磁束や再生電圧波形の発生位置も異なってくる。この判別原理は強磁性体のB−H特性を利用したもので材料固有の特性を示す。
非磁性体層161がある場合は、無い場合よりも読み取り再生波形ピークの分離が明瞭となる。ただし、同一の強磁性体層が非磁性体層が無い状態で積層された場合でも異なる工程で形成すれば通常分離したピークを出現する。
【0039】
前記のように、2層の強磁性体層の場合は、図10(A)のように強弱の2点のピークP1,P2が出現し、3層の強磁性体層からなる場合は、図10(B)のように、3つのピークP1,P2,P3を有する再生波形を出現する。
また、強磁性体層が印刷法により形成された層である場合は、印刷インキ中の強磁性体には各種粒径の粒子が混在し、強磁性体であっても一律な磁化特性を示さないため、ピークもシャープな形状を出現しないことになる。
従って、例えば、印刷法による1層の強磁性体層と真空成膜法による1層の強磁性体層とからなる合成再生波形は、図10(C)のような波形を出現する。
また、アモルファス強磁性体の場合は、Hc(保磁力)を小さく、かつ角型比を大きくし易いので一層シャープなピークを出現する。
本発明の真偽判定方法はこのように使用する磁性体材料の特性により再生波形の顕著な変化を特徴として把握することにより模造や偽造転写箔を明確に検出できる。
【0040】
【実施例】
<偽造防止用磁気転写箔の作製>
以下、本発明の実施例1〜4を図面を参照して説明する。なお、実施例2以下において使用する基材は実施例1と同条件である。
(実施例1)
偽造防止用磁気転写箔の樹脂フィルム基材11として、平滑性が良く透明なポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ株式会社製「ルミラー25T60」)〔厚み;25μm〕に剥離性を与えるため、メチルメタクリレート系アクリル樹脂をトルエンに希釈してグラビア印刷法により薄層の離型層17として塗工した。この離型層上全面に、鉄Fe−珪素Si系からなる第1の強磁性体層151を真空成膜法で、膜厚150nmになるように成膜した。
続いて、この強磁性体層151上に非磁性体層161として、厚み50nmのアルミ層を真空成膜法で形成し、さらに非磁性体層161上に、鉄Fe−珪素Si系からなる第2の強磁性体層152を、膜厚150nmになるよう同様に真空成膜法で成膜した。
【0041】
(実施例2)
実施例1と同一の基材11上に同様に離型層17を形成し、鉄Fe−珪素Si系からなる第1の強磁性体層151を真空成膜法で、膜厚150nmになるように成膜した。
続いて、この第1の強磁性体層151上に、下記インキ組成からなる強磁性体インキをグラビア印刷法により膜厚3μmになるように塗工した。
【0042】
(実施例3)
実施例1と同一の基材11上に同様に離型層17を形成し、第1の強磁性体層151、非磁性体層161、第2の強磁性体層152の形成までを実施例1と同一の工程で行った。
続いて、この第2の強磁性体層152上に、実施例2と同一インキ組成からなる強磁性体インキをグラビア印刷法により膜厚3μmになるように塗工した。
【0043】
(実施例4)
実施例1と同一の基材11上に同様に離型層17を形成し、常温で固体であり熱成形性を有する塩酢ビ系熱可塑性樹脂を厚み、3μmに塗工した。ホログラムパターンが凹凸状に形成されている原版を加圧接触させてホログラムパターンを転写し、空冷して硬化させた。この面に、光反射層としてAlによる蒸着膜を厚み30nmに形成してから、実施例1と同一の条件で第1の強磁性体層151、非磁性体層161、第2の強磁性体層152を形成した。
【0044】
<被転写媒体への転写>
実施例1〜実施例4の最上層の強磁性体層面に、塩酢ビ系ホットメルト型ヒートシール剤を1μmの厚みに塗布した後、スリッタ機を使用して幅6.25mmにスリッタして、本発明の偽造防止用磁気転写箔10を完成した。
その後、実施例1〜実施例4の偽造防止用磁気転写箔10を図4のように、塩化ビニル製の被転写媒体(カード基材)30に加熱ローラを使用して135°C、0.7秒に加熱して転写した。その際、基材11を離型層17から剥離して除去した。
【0045】
このように各実施例の偽造防止用磁気転写箔をカード基材に転写した後、図7の装置に交流磁界を印加して磁気特性を測定した。
実施例1の場合は、図10(A)のような波形を示し、実施例2の場合は、図10(C)のような波形を示し、実施例3の場合は、図10(D)のような波形を示し、実施例4の場合は、図10(A)のような波形を示した。
【0046】
【発明の効果】
本発明の偽造防止用磁気転写箔は、上述のように強磁性体層の2層以上の積層構成を有するので特有の磁気特性を有して、真偽判定が容易であるため、通常の磁気転写箔や光輝性転写箔では得られない模造、偽造防止効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の偽造防止用磁気転写箔の実施形態を示す図である。
【図2】 本発明の偽造防止用磁気転写箔の他の実施形態を示す図である。
【図3】 偽造防止用磁気転写箔の各種実施形態の断面構成を示す図である。
【図4】 偽造防止用磁気転写箔を被転写媒体に転写する状態を示す断面図である。
【図5】 磁性材料のヒステリシス曲線を示す図である。
【図6】 角型比が異なる2層の強磁性体層によるヒステリシス曲線を示す図である。
【図7】 読取り装置を説明する図である。
【図8】 磁気層が2層の転写箔に交流磁界を印加する状態を示す。
【図9】 転写箔に交流磁界を印加した場合の出力波形を示す。
【図10】 2層以上の強磁性体層による再生波形を示す。
【符号の説明】
10 偽造防止用磁気転写箔
11 基材
12 樹脂層
13 光回折格子またはホログラムパターン
14 光反射層
15,151,152,153 強磁性体層
16,161,162 非磁性体層
17 離型層
18 ヒートシール剤層または粘着剤層
30 被転写媒体
31,41 磁気ヘッド
Claims (8)
- 支持体となる樹脂フィルム基材上に、Hcが、40〜4000A/m(0.5〜50エルステッド)、Rsq(角型比)が、0.7〜1.0である強磁性体層を2層形成し、該強磁性体層間に非磁性体層を形成して積層した構造を持つとともに、さらに該強磁性体層上にヒートシール剤層または粘着剤層を形成したことを特徴とする偽造防止用磁気転写箔。
- 支持体となる樹脂フィルム基材上に、Hcが、40〜4000A/m(0.5〜50エルステッド)、Rsq(角型比)が、0.7〜1.0である強磁性体層を3層以上形成し、該強磁性体層間に非磁性体層を形成して積層した構造を持つとともに、さらに該強磁性体層上にヒートシール剤層または粘着剤層を形成したことを特徴とする偽造防止用磁気転写箔。
- 支持体となる樹脂フィルム基材上に、Hcが、40〜4000A/m(0.5〜50エルステッド)、Rsq(角型比)が、0.7〜1.0の範囲で磁気特性が異なる強磁性体層を2層形成し、該強磁性体層間に非磁性体層を形成して積層した構造を持つとともに、さらに該強磁性体層上にヒートシール剤層または粘着剤層を形成したことを特徴とする偽造防止用磁気転写箔。
- 支持体となる樹脂フィルム基材上に、Hcが、40〜4000A/m(0.5〜50エルステッド)、Rsq(角型比)が、0.7〜1.0の範囲で磁気特性が異なる強磁性体層を3層形成し、該強磁性体層間に非磁性体層を形成して積層した構造を持つとともに、さらに該強磁性体層上にヒートシール剤層または粘着剤層を形成したことを特徴とする偽造防止用磁気転写箔。
- 複数の強磁性体層または非磁性体層のうち少なくとも1層以上が真空成膜法により形成された層であることを特徴とする請求項1から請求項4記載の偽造防止用磁気転写箔。
- 複数の強磁性体層または非磁性体層のうち少なくとも1層以上が印刷法により形成された層であることを特徴とする請求項1から請求項4記載の偽造防止用磁気転写箔。
- 少なくとも1層の強磁性体層がアモルファス強磁性体であることを特徴とする請求項1から請求項6記載の偽造防止用磁気転写箔。
- 支持体となる基材上に、光回折格子またはホログラムパターンを設けたことを特徴とする請求項1から請求項7記載の偽造防止用磁気転写箔。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001073605A JP4686041B2 (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | 偽造防止用磁気転写箔 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001073605A JP4686041B2 (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | 偽造防止用磁気転写箔 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002279369A JP2002279369A (ja) | 2002-09-27 |
JP4686041B2 true JP4686041B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=18931003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001073605A Expired - Fee Related JP4686041B2 (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | 偽造防止用磁気転写箔 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4686041B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101498570B1 (ko) * | 2013-04-19 | 2015-03-04 | 주식회사 에프씨엔 | 다층 구조의 고기능 자성 필름 및 그 제조 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03281397A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-12 | Toppan Printing Co Ltd | 磁気記録カード及びその製造方法 |
JPH0737240A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 磁気記録媒体および磁気記録媒体の記録方法 |
JPH0863741A (ja) * | 1994-08-23 | 1996-03-08 | Toppan Printing Co Ltd | 情報記録媒体 |
JPH08221532A (ja) * | 1995-02-17 | 1996-08-30 | Toppan Printing Co Ltd | 情報記録媒体並びに磁気転写箔及びそれらの読取方法 |
JPH1055533A (ja) * | 1996-08-12 | 1998-02-24 | Iwatsu Electric Co Ltd | 強磁性体膜を有する記録媒体 |
JPH10105031A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Iwatsu Electric Co Ltd | 情報記録媒体 |
JP2001011794A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-01-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 偽造防止用スレッドとそれを用いた偽造防止用紙 |
-
2001
- 2001-03-15 JP JP2001073605A patent/JP4686041B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03281397A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-12 | Toppan Printing Co Ltd | 磁気記録カード及びその製造方法 |
JPH0737240A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 磁気記録媒体および磁気記録媒体の記録方法 |
JPH0863741A (ja) * | 1994-08-23 | 1996-03-08 | Toppan Printing Co Ltd | 情報記録媒体 |
JPH08221532A (ja) * | 1995-02-17 | 1996-08-30 | Toppan Printing Co Ltd | 情報記録媒体並びに磁気転写箔及びそれらの読取方法 |
JPH1055533A (ja) * | 1996-08-12 | 1998-02-24 | Iwatsu Electric Co Ltd | 強磁性体膜を有する記録媒体 |
JPH10105031A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Iwatsu Electric Co Ltd | 情報記録媒体 |
JP2001011794A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-01-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 偽造防止用スレッドとそれを用いた偽造防止用紙 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002279369A (ja) | 2002-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6502757B1 (en) | Information recorded medium, device for reading the information, information recorded medium transfer foil, and method for producing information recorded medium | |
US20090207464A1 (en) | Holograms and Hologram Fabrication Methods and Apparatus | |
JP2001315472A (ja) | 光回折構造を有する情報記録媒体およびカード、並びに光回折構造体 | |
JP2008015071A (ja) | 偽造防止磁気テープ転写シートおよびカード | |
JP4713284B2 (ja) | 新規構成の高意匠性光回折構造体付きカード | |
JP4193377B2 (ja) | 潜像形成可能な転写箔及び潜像を有する転写媒体 | |
JP4620280B2 (ja) | 真正性の判別可能なカード | |
JP2007284817A (ja) | 光回折層を有するスレッド、及びそれを用いた偽造防止用紙 | |
JP4562925B2 (ja) | 真正性識別部、真正性識別部貼付け用ラベル、および真正性識別部転写シート | |
JP4390913B2 (ja) | 偽造防止用スレッドとそれを用いた偽造防止用紙 | |
JP4686042B2 (ja) | 偽造防止用磁気転写箔 | |
JP3967137B2 (ja) | 偽造防止用スレッドとそれを用いた偽造防止用紙 | |
JP4686041B2 (ja) | 偽造防止用磁気転写箔 | |
JP4562926B2 (ja) | 真正性識別体 | |
JP3710963B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP4170727B2 (ja) | 識別媒体およびそれを用いた真正品の真贋識別方法 | |
JP5282514B2 (ja) | 真正性識別体 | |
JP4467676B2 (ja) | 磁気情報転写箔およびそれを用いた磁気情報形成方法 | |
JP4910599B2 (ja) | 回折構造転写箔及び偽造防止媒体の製造方法 | |
JP5509843B2 (ja) | ホログラムラベル | |
JP4765189B2 (ja) | 偽造防止画像形成体およびその製造方法 | |
JP4170618B2 (ja) | 真正性識別方法 | |
JP2002266290A (ja) | 偽造防止用スレッドとそれを用いた偽造防止用紙及び真偽判定方法 | |
JP5423091B2 (ja) | 真正性識別体 | |
JP2011013287A (ja) | 真正性識別体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071009 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100906 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110201 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110214 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4686041 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |