JP4684725B2 - Hydrophilic treatment equipment - Google Patents
Hydrophilic treatment equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP4684725B2 JP4684725B2 JP2005122581A JP2005122581A JP4684725B2 JP 4684725 B2 JP4684725 B2 JP 4684725B2 JP 2005122581 A JP2005122581 A JP 2005122581A JP 2005122581 A JP2005122581 A JP 2005122581A JP 4684725 B2 JP4684725 B2 JP 4684725B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- gas
- gas flow
- insulator
- outer conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 142
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 25
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000004323 axial length Effects 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 103
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
Description
本発明は、大気圧プラズマ源から発生されるイオンやラジカルを用いた親水性処理装置に関する。 The present invention relates to a hydrophilic treatment apparatus using ions and radicals generated from an atmospheric pressure plasma source.
従来、プラズマを用いて物質の表面を処理する装置として、下記特許文献１、２が知られている。この装置は、電極間でプラズマを発生させて、プラズマをガス流に乗せて外部に出力して、物体の表面に照射する装置である。また、眼用レンズの表面改質方法として、下記特許文献３に記載の方法が知られている。この装置では、電極間にガスを導入すると共に、この電極間に１０ｋＶ〜２０ｋＶで、２０〜３０ｋＨｚの電圧を印加して、プラズマを発生させるものである。
Conventionally,
しかし、これらの装置においては、単に、平行に置かれた電極に交流高圧の電圧を印加する方式であるので、大気圧状態において、安定してプラズマを発生することが困難であり、大気圧プラズマの発生効率が悪く、所望量のラジカルを被対象物に照射することができず、表面改質の効果が大きくはなかった。 However, since these devices simply apply an AC high voltage to parallel electrodes, it is difficult to stably generate plasma in an atmospheric pressure state. The generation efficiency was not good, the target object could not be irradiated with a desired amount of radicals, and the effect of surface modification was not great.
本発明は、上記の課題を解決するために成されたものであり、その目的は、大気圧プラズマの発生効率を向上させることにより、被処理物体に対してイオン、ラジカルを高濃度で照射できるようにすることである。
また、親水性処理装置自体を小型化することで、プラズマ照射トーチの姿勢や位置制御を容易にすることである。
The present invention has been made to solve the above-described problems, and its object is to improve the generation efficiency of atmospheric pressure plasma to irradiate an object to be processed with ions and radicals at a high concentration. Is to do so.
In addition, the hydrophilic processing apparatus itself is downsized to facilitate the control and position control of the plasma irradiation torch.
上記の課題を解決するためには、以下の手段が有効である。
即ち、本発明の第１の手段は、コンタクトレンズの表面を親水性処理する親水性処理装置において、空洞の外殻部を形成する中空の筒状の金属製の外導体と、少なくとも一部が外導体の内部に配置された、外導体と同軸の筒状の絶縁体と、一部が絶縁体の内部に配置され、外導体と導通された、外導体と同軸の筒状の金属製のプラズマ材料ガス導入管と、外導体の内部でかつ絶縁体の外周に配置され、空洞へマイクロ波を放射する、外導体と同軸のループを有する同軸結合アンテナと、絶縁体の内部でかつプラズマ材料ガス導入管のガス吹き出し口の前方に配置された金属製の放電アンテナとを有し、絶縁体の前方開口端をコンタクトレンズの表面に対面させ、外導体をθ方向とこれに直交するφ方向に揺動させ、絶縁体の前方開口端からコンタクトレンズの表面に向けて大気圧プラズマを放出することにより、コンタクトレンズの表面を親水性処理できるようにしたことを特徴とする親水性処理装置である。
In order to solve the above problems, the following means are effective.
That is, the first means of the present invention is a hydrophilic treatment apparatus for hydrophilic treatment of the surface of a contact lens, and at least a part of a hollow cylindrical metal outer conductor forming a hollow outer shell portion. A cylindrical insulator coaxial with the outer conductor, disposed inside the outer conductor, and a cylindrical metal coaxial with the outer conductor, part of which is disposed inside the insulator and is electrically connected to the outer conductor. A plasma material gas introduction pipe, a coaxially coupled antenna having a loop coaxial with the outer conductor, disposed inside the outer conductor and on the outer periphery of the insulator, and radiating microwaves to the cavity; and inside the insulator and the plasma material A metal discharge antenna disposed in front of the gas outlet of the gas introduction tube, the front opening end of the insulator is opposed to the surface of the contact lens, and the outer conductor is in the φ direction perpendicular to the θ direction. Swing from the front open end of the insulator The hydrophilic processing apparatus is characterized in that the surface of the contact lens can be subjected to hydrophilic processing by emitting atmospheric pressure plasma toward the surface of the tact lens.
ただし、上記の絶縁体としては、例えば、石英、石英ガラス、セラミックスなどを用いることができる。
以下、本明細書においては、上記の大気圧プラズマが放出される側を本発明のプラズマ発生装置の前方とする。したがって、上記のプラズマ材料ガス導入管においてプラズマ材料ガスが導入される導入口は、本発明の改質装置の後方に位置する。
However, as the insulator, for example, quartz, quartz glass, ceramics, or the like can be used.
Hereinafter, in the present specification, the side from which the atmospheric pressure plasma is emitted is the front of the plasma generator of the present invention. Therefore, the introduction port into which the plasma material gas is introduced in the plasma material gas introduction pipe is located behind the reformer of the present invention.
また、本発明の第２の手段は、上記の第１の手段において、上記の絶縁体を貫通させる貫通口を軸上に有する略円錐台形の側壁部から、上記の外導体の前部を形成することである。 According to a second means of the present invention, in the first means, the front portion of the outer conductor is formed from a substantially frustoconical side wall portion having a through-hole on the shaft for penetrating the insulator. It is to be.
また、本発明の第３の手段は、上記の第１または第２の手段において、上記の空洞の軸方向の全長の３等分点上に、上記の同軸結合アンテナのループを配置することである。ただし、この３等分点は上記の全長の内分点とする。 According to a third means of the present invention, in the first or second means described above, the loop of the coaxially coupled antenna is arranged on a bisector of the total axial length of the cavity. is there. However, this trisection point is the internal division point of the full length.
この内分点は２点存在するが、何れか一方に上記の同軸結合アンテナのループを配置しても良いし、両方の３等分点上に上記の同軸結合アンテナを配置しても良い。ただし、両方の３等分点上に上記の同軸結合アンテナを配置する場合、双方のマイクロ波の位相をπ／２ずらさなくてはならないので、遅延回路が必要となる。したがって、構造の簡易化や小型化や軽量化などの点では、上記の同軸結合アンテナは１カ所に設けることが望ましい。 Although there are two internal dividing points, the above-described coaxially-coupled antenna loop may be disposed on either one, or the above-described coaxially-coupled antennas may be disposed on both bisectors. However, when the above coaxially coupled antennas are arranged on both halves, a delay circuit is required because the phases of both microwaves must be shifted by π / 2. Therefore, it is desirable to provide the above coaxially coupled antenna in one place in terms of simplification of structure, size reduction, and weight reduction.
また、本発明の第４の手段は、上記の第１乃至第３の何れか１つの手段において、大気圧プラズマを放出する向きに突き出した突起を上記の放電アンテナに設け、かつ、この突起を上記の絶縁体の軸上に配置することである。 According to a fourth means of the present invention, in any one of the first to third means, the discharge antenna is provided with a protrusion protruding in the direction in which atmospheric pressure plasma is emitted, and the protrusion is provided. It is arrange | positioning on the axis | shaft of said insulator.
また、本発明の第５の手段は、上記の第１乃至第４の何れか１つの手段において、放電アンテナは、螺旋状のフィラメントであることを特徴とする親水性処理装置である。
また、本発明の第６の手段は、上記の第１乃至第５の何れか１つの手段において、放電アンテナは、トリウムが混合されたタングステンから成ることを特徴とする。
A fifth means of the present invention is the hydrophilic processing apparatus according to any one of the first to fourth means, wherein the discharge antenna is a spiral filament.
According to a sixth means of the present invention, in any one of the first to fifth means, the discharge antenna is made of tungsten mixed with thorium.
また、本発明の第７の手段は、上記の第１乃至第６の何れか１つの手段において、同軸ケーブルによって上記の同軸結合アンテナに給電するようにしたことである。 According to a seventh means of the present invention, in any one of the first to sixth means, the coaxial coupling antenna is fed with a coaxial cable.
また、本発明の第８の手段は、上記の第１乃至第７の何れか１つの手段において、上記のプラズマ材料ガス導入管に、その軸方向の位置が調節可能な可変機構を設けることである。 According to an eighth means of the present invention, in any one of the first to seventh means, the plasma material gas introduction pipe is provided with a variable mechanism whose axial position can be adjusted. is there.
また、本発明の第９の手段は、コンタクトレンズの表面を親水性処理する親水性処理装置において、ガス流方向に垂直な方向に長辺方向を有するストライプ状の開口部を形成し、ガス流方向に１〜３０ｍｍの厚さと、長辺方向に長さを有する、それぞれの対向面を、間隙を挟んで配置した２つの電極を有し、２つの対向面のうち少なくとも一方の面に、ガス流方向の複数の箇所に、長辺方向に沿って連続し、ガス流方向の幅が１ｍｍ以下の溝が形成されており、２つの対向面の間に、ガス流方向に垂直な方向に電界を印加し、開口部とは逆側から間隙に大気圧においてプラズマを発生させるガスをガス流方向に注入することで、溝においてホローカソード放電によるプラズマを大気圧において発生可能とし、開口部からプラズマをガス流方向に放出可能とし、開口部をコンタクトレンズの表面に対面させ、電極をθ方向とこれに直交するφ方向に揺動させ、開口部からコンタクトレンズの表面に向けて大気圧プラズマを放出することにより、コンタクトレンズの表面を親水性処理できるようにしたことを特徴とする親水性処理装置である。 According to a ninth means of the present invention, in a hydrophilic treatment apparatus for hydrophilic treatment of the surface of a contact lens, a stripe-shaped opening having a long side direction in a direction perpendicular to the gas flow direction is formed. It has two electrodes with a thickness of 1 to 30 mm in the direction and a length in the long-side direction, with each facing surface arranged with a gap therebetween, and gas is applied to at least one of the two facing surfaces. Grooves that are continuous along the long side direction and have a width in the gas flow direction of 1 mm or less are formed at a plurality of locations in the flow direction, and an electric field is formed between the two opposing surfaces in a direction perpendicular to the gas flow direction. was applied, the gas for generating plasma at atmospheric pressure from the opposite side to the gap between the opening to inject the gas flow direction, the plasma by Oite hollow cathode discharge in the groove and can be generated at atmospheric pressure, opening Gas flow direction from plasma The opening is made to face the surface of the contact lens, the electrode is swung in the θ direction and the φ direction orthogonal thereto, and atmospheric pressure plasma is emitted from the opening toward the surface of the contact lens. A hydrophilic treatment apparatus characterized in that the surface of a contact lens can be subjected to a hydrophilic treatment.
また、本発明の第１０の手段は、第９の手段において、間隙にガスをガス流方向に流し、先端部においては、長辺方向に沿った矩形形状をし、ガスを導入する部分では円筒状をし、ガス流方向に沿ってテーパ状に拡大したガス流路を形成する治具を有することを特徴とする。
また、本発明の第１１の手段は、プラズマを発生させるガスは、窒素、酸素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、大気の少なくとも１種から成ることを特徴とする改質装置である。
According to a tenth means of the present invention, in the ninth means, a gas is caused to flow in the gap in the gas flow direction, the front end portion has a rectangular shape along the long side direction, and a cylinder is provided at a portion where the gas is introduced. And a jig for forming a gas flow path which is enlarged in a taper shape along the gas flow direction.
The eleventh means of the present invention is the reformer characterized in that the plasma generating gas is at least one of nitrogen, oxygen, helium, neon, argon, and air.
以上の本発明の手段によって得られる効果は以下の通りである。
即ち、本発明の第１の手段によれば、マイクロ波により上記の空洞内に高電界が発生し、上記の放電アンテナに電界が集中するので、プラズマ材料ガス導入管から導入されたプラズマ材料ガスは、効率よくプラズマ状態となる。この時、プラズマ材料ガス導入管や上記の絶縁体の管内は何れも略大気圧であるので、プラズマ材料ガスの注入流量を最適化することにより、本装置の前方に純度の良好なプラズマガスを放出することができる。同軸結合アンテナを用いたので、導波管を用いることなく、同軸ケーブルを用いて同軸結合アンテナに、マイクロ波を供給することができるので、装置を小型に構成することができる。この構成により、物体に対して、プラズマ、イオン、ラジカルを、効率良く照射することができ、物体の表面を改質することが可能となる。特に、コンタクトレンズに対して親水性処理をするのに効果がある。すなわち、ＯＨ、ＣＯＯＨ、ＮＨ2 、ＣＯ、ＳＯ3Ｈ基などに分解できるガスを用いることで、親水性基を被処理物質の表面原子に結合させて親水性処理を行うことができる。一般的には、酸素、窒素、イオンなどの原子を含む基は、親水性基となることができる。純水をバブリングした水素、窒素、不活性ガスなどのキャリアガスを用いることで、ＯＨ基を物質の表面に形成することができる。また、過酸化水素水などの殺菌作用を有する液体にプラズマ源となるガスを接触させるか、殺菌性作用を有するガスをプラズマ中に流すようにしても良い。この場合には、コンタクトレンズの表面が殺菌されることになる。
逆に、フッ素や塩素を含むガスを含むガスを用いることで、物質表面を撥水性処理したり、表面を加工することができる。
The effects obtained by the above-described means of the present invention are as follows.
That is, according to the first means of the present invention, since a high electric field is generated in the cavity by the microwave and the electric field is concentrated on the discharge antenna, the plasma material gas introduced from the plasma material gas introduction tube Becomes a plasma state efficiently. At this time, since the inside of the plasma material gas introduction pipe and the above-described insulator pipe is substantially atmospheric pressure, by optimizing the injection flow rate of the plasma material gas, a plasma gas with good purity is introduced in front of the apparatus. Can be released. Since the coaxially coupled antenna is used, microwaves can be supplied to the coaxially coupled antenna using a coaxial cable without using a waveguide, so that the apparatus can be made compact. With this configuration, the object can be efficiently irradiated with plasma, ions, and radicals, and the surface of the object can be modified. In particular, it is effective for hydrophilic treatment of contact lenses. That is, by using a gas that can be decomposed into OH, COOH, NH 2 , CO, SO 3 H groups, etc., hydrophilic treatment can be performed by bonding hydrophilic groups to surface atoms of the material to be treated. In general, groups containing atoms such as oxygen, nitrogen, ions, etc. can be hydrophilic groups. By using a carrier gas such as hydrogen, nitrogen, or an inert gas bubbling pure water, OH groups can be formed on the surface of the substance. Alternatively, a gas serving as a plasma source may be brought into contact with a liquid having a bactericidal action such as hydrogen peroxide, or a gas having a bactericidal action may be caused to flow into the plasma. In this case, the surface of the contact lens is sterilized.
On the other hand, by using a gas containing a gas containing fluorine or chlorine, the surface of the substance can be subjected to water repellency treatment or the surface can be processed.
また、本発明の第２の手段によれば、上記の貫通口付近に電界が良好に集中するので、上記の放電アンテナに、より効率良く電界が集中する。このため、プラズマ発生のために消費される電力を抑制することができる。 In addition, according to the second means of the present invention, the electric field is concentrated well in the vicinity of the through hole, so that the electric field is more efficiently concentrated on the discharge antenna. For this reason, the electric power consumed for plasma generation can be suppressed.
また、本発明の第３の手段によれば、軸方向の装置の全長を短く確保しつつ、効率良くマイクロ波を放電アンテナへ供給することができる。したがって、本発明の第３の手段によれば、装置の小型化と省電力化の双方を合理的に両立させることができる。 Further, according to the third means of the present invention, it is possible to efficiently supply the microwave to the discharge antenna while ensuring a short overall length of the axial device. Therefore, according to the third means of the present invention, both miniaturization and power saving of the apparatus can be rationally achieved.
また、本発明の第４の手段によれば、プラズマが発生する向きとプラズマを放出させるべき向きとが一致するので、生成されたプラズマの消滅、減衰などの無駄を極力排除しつつ即座に放出することができる。また、第５の手段によれば、放電アンテナを螺旋状のフィラメントとしたことから、この部分にマイクロ波を集中させて、プラズマを容易に発生させることができる。また、第６の手段によれば、放電アンテナを、トリウムが混合されたタングステンにより構成したので、マイクロ波による加熱により電子が放出され易くなるので、この部分に容易にプラズマを発生させることができる。 Further, according to the fourth means of the present invention, since the direction in which the plasma is generated coincides with the direction in which the plasma should be emitted, the generated plasma is immediately released while eliminating waste such as extinction and attenuation of the generated plasma as much as possible. can do. Further, according to the fifth means, since the discharge antenna is a spiral filament, it is possible to easily generate plasma by concentrating microwaves on this portion. According to the sixth means, since the discharge antenna is made of tungsten mixed with thorium, electrons are easily emitted by heating with microwaves, so that plasma can be easily generated in this portion. .
同軸ケーブルは、柔軟性があり小型にまとめることもでき、取り扱いが便利である。したがって、本発明の第７の手段によれば、装置に対して同軸ケーブルでマイクロ波を入力することが可能となり、取り扱いが容易でかつ、導波管などでマイクロ波を導入する場合よりも遥かにコンパクトな装置を構成することができる。同軸結合アンテナにより容易にマイクロ波を空洞に供給することができる。 また、Ｎ型同軸コネクタなどを利用すれば、着脱操作も容易となり、更に、これらの部品は規格化されたり市販されたりしているので、装置の設計や製造も簡単になる。 The coaxial cable is flexible and can be bundled in a small size, and is easy to handle. Therefore, according to the seventh means of the present invention, it is possible to input a microwave to the apparatus through a coaxial cable, which is easy to handle and far more than the case of introducing the microwave through a waveguide or the like. A compact apparatus can be configured. A microwave can be easily supplied to the cavity by the coaxially coupled antenna. Further, if an N-type coaxial connector or the like is used, it is easy to attach and detach, and furthermore, these parts are standardized or commercially available, so that the design and manufacture of the apparatus are simplified.
また、本発明の第８の手段によれば、上記のプラズマ材料ガス導入管の軸方向の位置を調整することによって、上記の同軸結合アンテナの空洞に対するマイクロ波の反射率を最小化することができる。
通常、プラズマが発生している場合とそうでない場合とでは、空洞と同軸結合アンテナとの間のインピーダンスマッチングの最適条件は異なる。しかしながら、上記の可変機構を随時利用すれば、容易にインピーダンス整合の最適化を図ることができるため、常時、電力の使用効率の高い親水性処理装置を実現することも可能となる。
Further, according to the eighth means of the present invention, the reflectance of the microwave to the cavity of the coaxially coupled antenna can be minimized by adjusting the position of the plasma material gas introduction pipe in the axial direction. it can.
Usually, the optimum conditions for impedance matching between the cavity and the coaxially coupled antenna differ depending on whether plasma is generated or not. However, since the impedance matching can be easily optimized by using the variable mechanism as needed, it is possible to always realize a hydrophilic processing apparatus with high power use efficiency.
また、第９、１０の手段によれば、電極を直流電源または交流電源に接続すると、負電位の印加された電極側の溝にホローカソード放電が生じ、当該溝に高密度のプラズマが発生する。本発明は当該プラズマがガス流に沿って放出され、開口部の形状で照射されるものである。このように本願発明により、２つの電極の間隙を所望の形状とすることで、微小な又は特殊な形状の領域に、プラズマを特に効率良く照射することが容易に達成できる。この際、直流電源を用いる場合は陰極側に、交流電源を用いる場合は少なくとも一方に、望ましくは両方に、一連の溝を形成すると良い。この構成により、物体に対して、プラズマ、イオン、ラジカルを、効率良く照射することができ、コンタクトレンズに対して親水性処理をするのに効果がある。すなわち、ＯＨ、ＣＯＯＨ、ＮＨ2 、ＣＯ、ＳＯ3Ｈ基などに分解できるガスを用いることで、親水性基を被処理物質の表面原子に結合させて親水性処理を行うことができる。一般的には、酸素、窒素、イオンなどの原子を含む基は、親水性基となることができる。純水をバブリングした水素、窒素、不活性ガスなどのキャリアガスを用いることで、ＯＨ基を物質の表面に形成することができる。また、過酸化水素水などの殺菌作用を有する液体にプラズマ源となるガスを接触させるか、殺菌性作用を有するガスをプラズマ中に流すようにしても良い。この場合には、コンタクトレンズの表面が殺菌されることになる。逆に、フッ素や塩素を含むガスを含むガスを用いることで、物質表面を撥水性処理したり、表面を加工することができる。 Further, according to the means of the ninth and tenth, when connecting the electrodes to a DC power supply or an AC power source, a hollow cathode discharge is generated in the groove of the applied electrode side of the negative potential, high-density plasma is generated in those grooves To do. In the present invention, the plasma is emitted along a gas flow and irradiated in the shape of an opening. As described above, according to the present invention, by making the gap between the two electrodes have a desired shape, it is possible to easily radiate plasma to a minute or specially shaped region particularly efficiently. In this case, a series of grooves may be formed on the cathode side when a DC power source is used, on at least one, preferably both, when an AC power source is used . The construction of this, with respect to the object, a plasma, ions, radicals, Ki de be efficiently irradiated, is effective to a hydrophilic processing to co down contact lens. That is, by using a gas that can be decomposed into OH, COOH, NH 2 , CO, SO 3 H groups, etc., hydrophilic treatment can be performed by bonding hydrophilic groups to surface atoms of the material to be treated. In general, groups containing atoms such as oxygen, nitrogen, ions, etc. can be hydrophilic groups. By using a carrier gas such as hydrogen, nitrogen, or an inert gas bubbling pure water, OH groups can be formed on the surface of the substance. Alternatively, a gas serving as a plasma source may be brought into contact with a liquid having a bactericidal action such as hydrogen peroxide, or a gas having a bactericidal action may be caused to flow into the plasma. In this case, the surface of the contact lens is sterilized. On the other hand, by using a gas containing a gas containing fluorine or chlorine, the surface of the substance can be subjected to water repellency treatment or the surface can be processed.
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
ただし、本発明の実施形態は、以下に示す個々の実施例に限定されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described based on specific examples.
However, the embodiments of the present invention are not limited to the following examples.
表面を改質する物体としては任意であり、例えば、眼用レンズ、コンタクトレンズ、眼鏡レンズ、光学レンズなどである。眼用レンズ、コンタクトレンズには、シリコン含有含水性ソフトコンタクトレンズ、シリコン含有非含水性ソフトコンタクトレンズ、シリコン含有ガス透過性ハードコンタクトレンズ、エチルメタクリレートを主成分としたポリマーから成る眼内レンズ等を挙げることができる。改質は表面に親水性基を形成して、表面を親水性処理することや、フッ素ラジカルを用いたプラズマＣＶＭ（Chemical Vaporization Machining)法により表面を物体の表面原子と化学反応させて揮発性のフッ化物に変えて蒸発させることで、表面を加工することや、洗浄処理することを意味する。
本発明は絶縁体の前方開口端付近においてプラズマを発生させ、開口端の開口部付近に配置された非処理物体に当該プラズマを照射させるので、他の大きなプラズマ発生領域は必要ではない。開口部の形状は、非処理物体に合わせて形成すれば良い。開口部は物体の表面形状に合せて、線状や、曲線状のスリットに形成するのが良い。勿論、円形であってもかまわない。放電アンテナやプラズマガス導入管は、ステンレス、モリブデン、タンタル、ニッケル、銅、タングステン、又は、これらの合金などを使用することができる。絶縁体の前方開口端の長さは、ガスの流路方向に２０〜５０ｍｍ程度の長さとするのが望ましい。開口部を線状とする場合に、円形から線状への形状変化を滑らかに行うことができる。プラズマを発生させるためのガスは、大気圧で、空気、酸素、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａｒその他の希ガス、窒素、水素などを用いることができる。ガスの流速、供給量、或いは真空度は任意に設定できる。
The object for modifying the surface is arbitrary, and examples thereof include an ophthalmic lens, a contact lens, a spectacle lens, and an optical lens. Ophthalmic lenses and contact lenses include silicon-containing hydrous soft contact lenses, silicon-containing non-hydrous soft contact lenses, silicon-containing gas-permeable hard contact lenses, and intraocular lenses composed of polymers based on ethyl methacrylate. Can be mentioned. In the modification, a hydrophilic group is formed on the surface and the surface is treated with a hydrophilic property, or the surface is chemically reacted with the surface atoms of the object by a plasma CVM (Chemical Vaporization Machining) method using fluorine radicals. By changing to a fluoride and evaporating, it means that the surface is processed or washed.
Since the present invention generates plasma in the vicinity of the front opening end of the insulator and irradiates the non-processed object disposed in the vicinity of the opening at the opening end, no other large plasma generation region is required. What is necessary is just to form the shape of an opening part according to a non-processed object. The opening is preferably formed in a linear or curved slit in accordance with the surface shape of the object. Of course, it may be circular. Stainless steel, molybdenum, tantalum, nickel, copper, tungsten, or alloys thereof can be used for the discharge antenna and the plasma gas introduction tube. The length of the front opening end of the insulator is preferably about 20 to 50 mm in the gas flow path direction. When the opening is linear, the shape can be smoothly changed from a circular shape to a linear shape. As a gas for generating plasma, air, oxygen, for example, He, Ne, Ar or other rare gas, nitrogen, hydrogen, or the like can be used at atmospheric pressure. The gas flow rate, supply amount, or degree of vacuum can be set arbitrarily.
また、絶縁体の前方開口端と物体との距離は、ガスの流速とも関係するが、２ｍｍ〜２０ｍｍの範囲が望ましい。さらに望ましくは、３ｍｍ〜１２ｍｍであり、最も望ましくは、４ｍｍ〜８ｍｍである。要するに、物体の表面において、親水性処理をするのであれば、親水性ラジカルの密度が最も高く、電子密度が最も低くなるような距離に、表面をＣＶＭ加工するのであればフッ素ラジカルの密度が最も高く、電子密度が最も低くなるような距離に、設定するのが良い。これにより、基板に対するチャージアップ損傷を防止でき、最も、効率の良い親水性処理や、研削加工が可能となる。 The distance between the front opening end of the insulator and the object is also related to the gas flow velocity, but is preferably in the range of 2 mm to 20 mm. More desirably, it is 3 mm to 12 mm, and most desirably 4 mm to 8 mm. In short, if hydrophilic treatment is performed on the surface of an object, the density of fluorine radicals is the highest if the surface is CVM processed at a distance where the density of hydrophilic radicals is highest and the electron density is lowest. It is preferable to set a distance that is high and has the lowest electron density. Thereby, charge-up damage to the substrate can be prevented, and the most efficient hydrophilic treatment and grinding can be performed.
また、電極の酸化防止には、窒素やＡｒ、又は、還元作用のある水素を含むガスを用いると良い。また、複数種類のプラズマを発生させることで、物体表面の構成原子だけに反応し、他の原子には反応しないようにすることが可能である。物体へのプラズマの照射部分から反応後のガスを吸引しておくのが望ましい。これにより物体と反応した分子が他の領域に付着することが防止される。さらに、プラズマの温度と密度をレーザ光の吸収分光分析などを用いて測定し、所定の温度と密度になるように、印加電圧の大きさ、パルス印加であれば、デューティ比、照射時間、ガス流速などをフィードバック制御することが望ましい。これにより、品質の高い親水性処理や研削加工の短縮を実現することができる。 For preventing oxidation of the electrode, nitrogen, Ar, or a gas containing hydrogen having a reducing action may be used. In addition, by generating a plurality of types of plasma, it is possible to react only with constituent atoms on the surface of the object and not with other atoms. It is desirable to suck the gas after the reaction from the irradiated part of the plasma to the object. This prevents molecules that have reacted with the object from adhering to other regions. Furthermore, the plasma temperature and density are measured using absorption spectroscopy analysis of laser light, and the magnitude of the applied voltage and, if a pulse is applied, the duty ratio, the irradiation time, and the gas so that the predetermined temperature and density are obtained. It is desirable to feedback control the flow rate. As a result, high-quality hydrophilic processing and shortening of the grinding process can be realized.
また、絶縁体の前方開口端の開放部の形状を直線状に形成したとして、開口部の幅と長さを適正に設定することにより、物体の全体や所望の領域にのみプラズマを照射することが可能となる。さらに、ガスを冷却しておいて、本装置に供給してプラズマ化するのが望ましい。これにより、プラズマの温度が上昇することが防止され、被処理物体に対する影響、たとえば、ソフトコンタクトレンズへの損傷を防止することが可能となる。この改質装置は、ガスを通過させる筒状の胴体部分とその先端に設けられた開口端とから成るので、非常に小型にすることができると共に、ガスの供給方向とプラズマの吹き出し方向や、吹き出しプラズマの形状などを任意に自由に設計することができる。よって、これらのプラズマを吹き出す開口部を複数設け、それぞれに、任意の方向からガスを供給させることも可能となる。したがって、物体における所望部分にのみプラズマを高密度で照射することが可能となると共に、狭い空間であっても、本改質装置を有効に取り付けることが可能となる。圧力は大気圧が望ましく、大気圧プラズマを形成するのが望ましい。 In addition, assuming that the shape of the opening at the front opening end of the insulator is linear, the width and length of the opening are set appropriately to irradiate the entire object or a desired region with plasma. Is possible. Furthermore, it is desirable to cool the gas and supply it to the apparatus to turn it into plasma. As a result, the temperature of the plasma is prevented from rising, and the influence on the object to be processed, for example, damage to the soft contact lens can be prevented. This reformer is composed of a cylindrical body part through which gas passes and an opening end provided at the tip thereof, so that it can be made very small, the gas supply direction and the plasma blowing direction, The shape of the blowout plasma can be arbitrarily designed. Therefore, it is possible to provide a plurality of openings through which these plasmas are blown and supply gas from any direction. Therefore, it is possible to irradiate plasma only at a desired portion of the object with high density, and it is possible to effectively attach the present reformer even in a narrow space. The pressure is preferably atmospheric pressure, and it is desirable to form atmospheric pressure plasma.
また、他の表面改質装置としては、上記のことの他に、以下のことがいえる。開口部を形成するためには、２つの電極と、それを固定するための絶縁体から成る治具が必要である。当該絶縁体にガス流路を設け、当該ガス流路の終端に２つの電極を配設することが最も簡単な構成となる。例えば矩形形状（ストライプ状）の開口部を形成するためには、２つの電極の互いに対峙する面と、絶縁体から成る治具により４辺（面）を形成すると良い。ガス流路を有する絶縁体から成る治具は、１個で構成しても、複数個の部品を組み合わせて構成しても良い。 In addition to the above, other surface modification devices can be described as follows. In order to form the opening, a jig composed of two electrodes and an insulator for fixing the electrodes is required. The simplest configuration is to provide a gas channel in the insulator and to provide two electrodes at the end of the gas channel. For example, in order to form a rectangular (stripe-shaped) opening, it is preferable to form four sides (surfaces) using a surface of two electrodes facing each other and a jig made of an insulator. A jig made of an insulator having a gas flow path may be constituted by one piece or a combination of a plurality of parts.
電極の材料としては、ステンレス、モリブデン、タンタル、ニッケル、銅、タングステン、又は、これらの合金などを使用することができる。ホローカソード放電を生じせしめる凹部を形成する面は、ガスの流路方向に１〜３０ｍｍ程度の厚さとするのが望ましい。厚くすることで、凹部を多段に形成することができ、ガスの流速を向上させてプラズマの生成密度を向上させることができる。ホローカソード放電を生じせしめる凹部は、例えば幅及び深さを１ｍｍ以下、０．５ｍｍ程度とすると良い。凹部はドット状に不連続に形成されても、溝状に連続して形成されても良いが、連続していた方が望ましい。凹部の形状は、円柱面状、半球面状、角柱面状、角錐状、その他任意に形成できる。 As the material of the electrode, stainless steel, molybdenum, tantalum, nickel, copper, tungsten, or an alloy thereof can be used. It is desirable that the surface on which the concave portion for causing hollow cathode discharge is formed has a thickness of about 1 to 30 mm in the gas flow path direction. By increasing the thickness, the recesses can be formed in multiple stages, the gas flow rate can be improved, and the plasma generation density can be improved. For example, the recesses that cause the hollow cathode discharge may have a width and a depth of about 1 mm or less and about 0.5 mm. The concave portions may be formed discontinuously in a dot shape or may be formed continuously in a groove shape, but it is desirable that the concave portions be continuous. The shape of the concave portion can be arbitrarily formed as a cylindrical surface, a hemispherical surface, a prismatic surface, a pyramid, or the like.
ガスの種類は上述した通りである。ガスの流速、供給量、或いは真空度は任意に設定できる。また、本発明は高周波によりプラズマを発生させるものではなく、電極に接続する電源は、直流、交流、その他任意であって、周波数に制限はない。 The type of gas is as described above. The gas flow rate, supply amount, or degree of vacuum can be set arbitrarily. Further, the present invention does not generate plasma by high frequency, and the power source connected to the electrode is direct current, alternating current, or any other, and the frequency is not limited.
また、開口部と被処理物体との距離は、ガスの流速とも関係するが、２ｍｍ〜２０ｍｍの範囲が望ましい。さらに望ましくは、３ｍｍ〜１２ｍｍであり、最も望ましくは、４ｍｍ〜８ｍｍである。要するに、物体の表面において酸素ラジカルの密度が最も高く、電子密度が最も低くなるような距離に設定するのが良い。これにより、物体の対するチャージアップ損傷を防止でき、最も、効率の良い洗浄が可能となる。 The distance between the opening and the object to be processed is also related to the gas flow velocity, but is preferably in the range of 2 mm to 20 mm. More desirably, it is 3 mm to 12 mm, and most desirably 4 mm to 8 mm. In short, it is preferable to set the distance such that the density of oxygen radicals is highest and the electron density is lowest on the surface of the object. Thereby, charge-up damage to the object can be prevented, and the most efficient cleaning is possible.
この改質装置は、ガスを通過させる筒状の胴体部分とその先端に設けられた対向電極を形成する開口部とから成るので、非常に小型にすることができると共に、ガスの供給方向とプラズマの吹き出し方向や、吹き出しプラズマの形状などを任意に自由に設計することができる。よって、これらのプラズマを吹き出す開口部を複数設け、それぞに、任意の方向からガスを供給させることも可能となる。したがって、物体の所望領域にのみプラズマを高密度で照射することが可能となると共に、狭い空間であっても、有効に本改質装置を有効に取り付けることが可能となる。 Since this reformer comprises a cylindrical body portion through which gas passes and an opening for forming a counter electrode provided at the tip thereof, it can be made very small, and the gas supply direction and plasma It is possible to freely design the blowing direction, the shape of the blowing plasma, and the like. Therefore, it is possible to provide a plurality of openings through which these plasmas are blown, and to supply gas from any direction. Therefore, it is possible to irradiate plasma only at a desired region of the object with high density, and it is possible to effectively attach the present reformer even in a narrow space.
この他の特徴は、上記の改質装置における説明と同様である。 Other features are the same as described in the reformer.
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
ただし、本発明の実施形態は、以下に示す個々の実施例に限定されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described based on specific examples.
However, the embodiments of the present invention are not limited to the following examples.
本実施例では、表面を改質する物体をコンタクトレンズとし、改質装置をコンタクトレンズの親水性処理を行う装置としている。
図１−Ａは、本実施例１の改質装置１０の軸上の断面図である。この改質装置１０は、セラミックスからなる高耐熱性の絶縁体４の前方開口端４ａからプラズマを出射するものである。先端が窄んだ略円筒形の金属製の外導体２は、同軸空洞Ｒの外殻部を形成している。外導体２、絶縁体４、及び金属製のプラズマ材料ガス導入管１は、何れも筒状に形成されて互いに同軸となる様に配置されており、この軸周辺に絶縁体４とプラズマ材料ガス導入管１が位置している。外導体２とプラズマ材料ガス導入管１とは、可変機構６付近で電気的に接続（導通）されている。
In this embodiment, the object whose surface is to be modified is a contact lens, and the modification device is a device that performs hydrophilic treatment of the contact lens.
FIG. 1A is a cross-sectional view on the shaft of the
プラズマ材料ガス導入管１の導入口１ａは、改質装置１０の最後部に配置されており、一方、プラズマ材料ガス導入管１のガス吹き出し口１ｂはその反対側に配置されている。そして、このガス吹き出し口１ｂの更に前部には、金属製の放電アンテナ５が配設されている。即ち、この放電アンテナ５は、絶縁体４の内壁に固定されており、絶縁体４内の軸と同軸上に配置されている。放電アンテナ５は周辺部が絶縁体４の内壁に接合するリング形状に構成されており、中心軸がプラズマを放出する側に突出した突起５１を有している。この放電アンテナ５付近においては、軸に対する外側方向には、プラズマ材料ガス導入管１が無く、かつ下記の略円錐台形の側壁部２ａがある。この様な配置により、この放電アンテナ５には、電界が集中し易くなっている。図１−Ｂに、この放電アンテナ５の正面図を示す。
The
外導体２の前部は、絶縁体４を貫通させる貫通口を軸上に有する略円錐台形の側壁部２ａから形成されている。側壁部２ａの貫通口付近が前方に向って窄んでいる構造もまた、生成される電界を放電アンテナ５に集中させるのに寄与している。
同軸結合アンテナ３は、その正面図を図１−Ｃに示す様に、先端がループ状になっている。このループの中を絶縁体４が貫通し、同時にプラズマ材料ガス導入管１もこのループの中を貫通している。
The front portion of the
The front end of the coaxially coupled
プラズマ材料ガス導入管１の位置を調整する可変機構６は、固定金具などを用いて形成されており、この可変機構６により、プラズマ材料ガス導入管１は、上記の絶縁体４の内壁面に案内されて、軸方向に（即ち、前後方向に）位置を変えることができる。Ｎ型同軸コネクタ７は、図略の同軸ケーブルを接続するための電気的な接続インターフェイスを提供している。この同軸ケーブルは、マイクロ波を給電するために用いられ、これによってＮ型同軸コネクタ７から入力された高周波電力は、同軸結合アンテナ３まで伝送される。同軸結合アンテナ３はこの給電に基づいて、同軸空洞Ｒに対して所定の周波数のマイクロ波を放射する。この時、このマイクロ波は、同軸空洞Ｒ内にて高電界を生成する。
The
プラズマ材料ガス導入管１の導入口１ａから流入されたプラズマ材料ガスは、上記の放電アンテナ５の隙間ｓを通って、この放電アンテナ５の突起先端ｔ付近にまで到達する。この突起先端ｔ付近には電界が集中するので、これによって上記のプラズマ材料ガスを電離することができる。この電離後の状態のものがプラズマであり、プラズマ材料ガスの流入速度に応じて前方開口端４ａから出射される。
The plasma material gas flowing in from the
上記の同軸結合アンテナ３は、同軸空洞Ｒの全長（軸方向の長さ）の３等分点上に配置されている。また、同軸空洞Ｒの全長は、上記のマイクロ波の管内波長λの３／４に設定されている。
外導体２の外径Ｄやプラズマ材料ガス導入管１の外径ｄは、例えばそれぞれ、Ｄ＝３０ｍｍ，ｄ＝３．２ｍｍ程度で良い。
プラズマ材料ガスとしては、例えば、空気、アルゴン（Ａｒ），酸素（Ｏ2 ）、水素（Ｈ2 ）、窒素などの一般に用いられている周知のガスを用いることができる。ガス流量は、本改質装置１０の場合、０．１〜１０リットル／分程度が適当である。
また、同軸結合アンテナ３に対する給電電力は、概ね１００Ｗ程度で良い。
The above-described coaxially coupled
The outer diameter D of the
As the plasma material gas, for example, commonly used gases such as air, argon (Ar), oxygen (O 2 ), hydrogen (H 2 ), nitrogen, and the like can be used. In the case of the
Further, the power supplied to the coaxially coupled
以上の様な構成に従えば、全長約１００ｍｍ程度の非常にコンパクトな改質装置１０を構成することができる。この様な改質装置は、従来よりも遥かに小型で、かつ非常に軽量であるので、その取り扱いは従来よりも格段に容易である。
According to the above configuration, a very
また、上記のプラズマ材料ガス導入管１の位置を調整する可変機構６によって、上記の同軸結合アンテナ３の同軸空洞Ｒに対するマイクロ波の反射率を最小化することができる。通常、プラズマが発生している場合とそうでない場合とでは、空洞と同軸結合アンテナとの間のインピーダンスマッチングの最適条件は異なるが、上記の可変機構６を利用すれば、容易にインピーダンス整合の最適化を図ることができる。
Further, the reflectivity of the microwave with respect to the coaxial cavity R of the coaxially coupled
上記の放電アンテナ５は、電子を放出し易い金属材料であれば良いが、特に、トリウムが混合されたタングステンで構成するのが望ましい。また、図１−Ａに示す放電アンテナの配設する位置（導入管１の先端部で絶縁体４の内部）に、図２−Ｂに示すように、コイル状のフィラメント５２から成る放電アンテナ５を設けても良い。このフィラメント５２は、トリウムが混合されたタングステンである。この構成により、このフィラメント５２がマイクロ波で加熱されて、電子を効果的に放出することができ、この部分でプラズマを容易に発生させることが可能となる。
The
図３に示すように、上記した改質装置１０の開口部４ａが被処理物であるコンタクトレンズ４０に対向するように、改質装置１０を配置する。改質装置１０をθ方向とこれに直交するφ方向に揺動運動させることで、コンタクトレンズ４０の表面全体に、プラズマ、ラジカルを照射することが可能となる。これにより、親水性基がコンタクトレンズの表面原子と化学結合し、親水性処理が行われる。
As shown in FIG. 3, the
次に、他の改質装置を用いた実施例について説明する。
図４は本発明の具体的な一実施例に係る改質装置の特徴ある要部の構成を示す図であり、図４．Ａは開口部１０１付近を示す外観図、図４．Ｂはガス流路２０１に沿った断面図、図４．Ｃは電極１１０Ａ及び１１０Ｂの溝部１１の詳細を示す断面図である。
Next, an embodiment using another reformer will be described.
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a characteristic main part of a reformer according to a specific embodiment of the present invention. A is an external view showing the vicinity of the
図４．Ｂのように、ガス流路２０１を中心に有する筒状の絶縁体から成る治具２０と、２つの屈曲した板状の電極１１０Ａ及び１１０Ｂを組み合わせる。この際、図４．Ａのように、２つの電極１１０Ａ及び１１０Ｂと治具２０と囲まれた、４辺（面）を有する開口部１０１が形成される。電極１１０Ａ及び１１０Ｂには、図４．Ｃのように互いに対峙する面において、幅及び深さが共に0.5mmの凹部１１が２箇所形成されており、当該凹部１１は開口部１０１の長辺の長さを有する溝部となっている。凹部１１の断面は１辺が除かれた矩形状である。尚、ガス流路２０１の形状は、ガスを導入する接続部２０３付近においては円筒状でありテーパ部２０１ｔを経由して先端部２０２においては断面が矩形状である。また、電極１１０Ａ及び１１０Ｂはボルト３０Ａ及び３０Ｂで各々治具２０に固定されている。
FIG. Like B, the jig |
電極１１０Ａ及び１１０Ｂを交流電源に接続して電圧を印加し、治具２０のガス流路２０１を通して開口部１０１へプラズマを発生させるためのガスを流すと、電極１１０Ａ及び１１０Ｂのうち負電位が印加された側の凹部１１において、ホローカソード放電により放出された電子がガスに衝突してプラズマが高密度に発生する。このホローカソード放電によって発生したプラズマはガス流に乗って開口部１０１から照射される。これにより、被加工物の開口部１０１に面した狭い領域に効率良くプラズマが照射される。
When the
図５は、電極１１０Ａ及び１１０Ｂ及び治具２０の形状を説明するための斜視図であり、図５．Ａは組み立て前の斜視図、図５．Ｂは組み立て後の斜視図である。図５．Ａのように、電極１１０Ｂの溝部１１は、開口部１０１の長手方向に対応して一連の溝となっている。電極１１０Ａの溝部１１も同様に形成される。治具２０のガス流路２０１の先端部２０２は図５．Ａに示す通り矩形状である。治具２０はガス流路２０１の先端部２０２よりも上部に、突出部２１１を有し、また、電極１１０Ａを組み付けるための凹部２１０Ａを有している。また、電極１１０Ｂを組み付けるための凹部２１０Ｂも同様に有している。図５．Ｂの如く、治具２０の突出部２１１の内面と、電極１１０Ａ及び１１０Ｂとで矩形状の開口部１０１が形成される。
5 is a perspective view for explaining the shapes of the
図６は治具２０の形状を詳細に説明するための図であり、図６．Ａはガス流路２０１の先端部２０２側から見た平面図、図６．Ｂは正面図、図６．Ｃは図６．ＡのＣ矢視方向の断面図、図６．Ｄ及び図６．Ｅは各々図６．ＢでＤ、Ｅ矢視方向の断面図である。図５でも示した通り、ガス流路２０１を有する直方体に、治具２０はガス流路２０１の矩形状の先端部２０２よりも先に突出部２１１を設け、電極１１０Ａ及び１１０Ｂを組み付けるための凹部２１０Ａ及び２１０Ｂを設け、ガスを導入する接続部２０３を設けた形状である。図６．Ｃ、６．Ｄ及び６．Ｅに示す通り、ガス流路２０１の形状は、ガスを導入する接続部２０３付近においては円筒状でありテーパ部２０１ｔを経由して矩形状の先端部２０２になっている。
6 is a diagram for explaining the shape of the
尚、図６の各図においては、ボルト３０Ａ及び３０Ｂを組み付けるための穴や、ガスを導入する接続部２０３のネジ山は省略した。また、電極１１０Ａ及び１１０Ｂの組み付けは、各々１個のボルト３０Ａ及び３０Ｂによるものに限定されない。例えばガス流路２０１の矩形状の先端部２０２付近に更に開口部１０１の空隙幅調整用のワッシャ及びボルトを設ける等の任意の公知の技術を追加又は置換することができる。また、図４乃至図６は改質装置の要部である「プラズマ発生部分」を示したものであるが、これを改質装置に組み込むことで、様々な加工処理を可能とする改質装置を構成できる。この際、図４乃至６に示した、電極１１０Ａ及び１１０Ｂを固定した治具２０を、任意の手段で固定し、電源を接続し、接続部２０３にガス供給系を接続することは、全て本願発明の実施に当たる。尚、説明の都合上「開口部が上向き」の図を掲載しているが、プラズマを下向きに放出するダウンフロープラズマを発生させる構成が本願発明に包含されることは当然である。
In addition, in each figure of FIG. 6, the hole for assembling | attaching
図４の構成は、ガス流路を有する絶縁物から成る治具２０に２つの電極を組み合わせて開口部を形成するものであったが、例えば図７のように、２つの電極１１０Ｃ及び１１０Ｄのみで開口部１０１を形成する構成としても良い。図７の構成においては、開口部１０１を形成する電極１１０Ｃ及び１１０Ｄの互いに対峙する面に、凹部を形成する。凹部を連続した溝とする場合は、開口部１０１の星型形状に対応するように、当該溝部（凹部）が星型様に形成される。尚、ガス流路を有する治具の形状及び治具と電極との固定方法、並びに電極と電源との接続方法については任意である。
In the configuration of FIG. 4, an opening is formed by combining two electrodes with a
その他、開口部の形状は、図８．Ａのように鉤型でも、また図８．Ｂのように幅広の部分を有するストライプ状でも良い。図８．Ｂのように開口部の幅が場所によって異なる場合は、必要に応じ、幅広部分において電極の対峙する面に形成する凹部を多くする。 In addition, the shape of the opening is shown in FIG. A saddle type like A is also shown in FIG. A stripe shape having a wide portion like B may be used. FIG. When the width of the opening varies depending on the location as in B, the number of concave portions formed on the facing surface of the electrode in the wide portion is increased as necessary.
図４では、下方からプラズマ発生ガスを導入し、被加工物を開口部１０１の上方向に配設することを想定して記載したが、開口部の向き、即ちプラズマの放出方向は上方向に限られない。図４は本発明の要部を説明するための一実施例であり、開口部を横方向、下方向として改質装置を構成しても良い。
In FIG. 4, it is assumed that a plasma generating gas is introduced from below and the workpiece is disposed above the
この改質装置で、コンタクトレンズ４０の表面を親水性処理する方法は、図３に示した方法と同一である。この装置は、軽量で作成できるので、揺動運動を容易に実行することができる。なお、コンタクトレンズ４０である被処理物体を回転し、姿勢を変化させる揺動運動させるようにしても良い。
The method of hydrophilically treating the surface of the
以上述べた実施例の他に、以下の変形例を採用することができる。上記実施例では、改質装置の中を流すガスはアルゴンなど希ガス、窒素ガス、水素ガスと反応性ガスとを流して、これらの混合ガスのグロー放電によりプラズマを生成している。これを、改質装置の中を流すガスはアルゴンなど希ガス、窒素ガス、水素ガスと反応性ガスとして、これらのガスのプラズマを安定させて発生させて、改質装置の出口のところに反応性ガスを流して、反応性ガスのラジカルを生成するようにしても良い。このようにすると、プラズマが反応性ガスにより影響を受けずに安定して発生する。また、反応性ガスの解離が抑制されるので、反応性ガスの分子状ラジカルを効率良く生成することができ、生成ラジカルが反応性ガスの流量や種類に影響されることが抑制される。 In addition to the embodiments described above, the following modifications can be employed. In the above embodiment, the gas flowing through the reformer flows a rare gas such as argon, nitrogen gas, hydrogen gas and reactive gas, and plasma is generated by glow discharge of these mixed gases. The gas flowing through the reformer is a rare gas such as argon, nitrogen gas, hydrogen gas and reactive gas, and these gases are stably generated and reacted at the outlet of the reformer. The reactive gas radical may be generated by flowing a reactive gas. In this way, the plasma is stably generated without being affected by the reactive gas. Further, since dissociation of the reactive gas is suppressed, molecular radicals of the reactive gas can be efficiently generated, and the generated radicals are suppressed from being affected by the flow rate and type of the reactive gas.
改質装置の照射口と被処理物体とを近づけて、グロー領域を用いると、電子やイオンの濃度が高く、窒化などの材料最表面の表面改質、指向性の高いエッチング等のイオンのアシストを必要とするプロセスに有効である。逆に、改質装置の照射口と被処理物体とを遠ざけて、ダウンフロー領域を用いると、ラジカルのみを被処理物体の表面に到達させることができるので、イオンによる損傷を受けることなく、表面クリーニングや膜堆積処理には有効である。 By using the glow region with the irradiation port of the reformer close to the object to be processed, the concentration of electrons and ions is high, surface modification of the outermost surface of the material such as nitriding, and ion assist such as highly directional etching It is effective for processes that require Conversely, if the downflow region is used by keeping the irradiation port of the reformer and the object to be treated, only the radicals can reach the surface of the object to be treated, so that the surface is not damaged by ions. It is effective for cleaning and film deposition processing.
また、改質装置に与える電力をパルスとした場合には、電力が印加されていない期間では、電子やイオンの存在は少なく、ラジカルが多く存在する。したがって、改質装置の照射口と被処理物体との距離が近くとも、印加パルスのデューティ比の制御により、イオンや電子に対するラジカルの割合を制御することができ、ラジカル密度を高い状態で、物体に対する処理を実行することができる。 Further, when the power applied to the reformer is a pulse, there are few electrons and ions and many radicals exist in a period in which no power is applied. Therefore, even if the distance between the irradiation port of the reformer and the object to be processed is short, the ratio of radicals to ions and electrons can be controlled by controlling the duty ratio of the applied pulse, and the object can be maintained with a high radical density. Can be executed.
本発明は、物体の表面を改質する改質装置に用いることができる。特に、コンタクトレンズの親水性処理や、光学レンズをＣＶＭするのに有効な装置に用いることができる。 The present invention can be used in a reforming apparatus that modifies the surface of an object. In particular, it can be used in a device effective for hydrophilic treatment of contact lenses and CVM of optical lenses.
１０ ： 改質装置
１ ： プラズマ材料ガス導入管
１ａ： 導入口
１ｂ： ガス吹き出し口
２ ： 外導体
２ａ： 略円錐台形の側壁部（外導体２の前部）
３ ： 同軸結合アンテナ
４ ： 絶縁体
４ａ： 前方開口端
５ ： 放電アンテナ
６ ： 可変機構
７ ： Ｎ型同軸コネクタ
Ｒ ： 同軸空洞
４０： ガラス基板
５１： 突起
５２： 放電アンテナ
１０１： 開口部
１１０Ａ、１１０Ｂ：電極
１１：凹部または溝部
１０１：開口部
２０：絶縁体から成る治具
２０１：ガス流路
２０１ｔ：ガス流路のテーパ部
２０２：ガス流路の先端部
２０３：接続部
２１０Ａ、２１０Ｂ：電極１０Ａ、１０Ｂを組付けるための凹部
２１１：突出部
３０Ａ、３０Ｂ：ボルト
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10: Reformer 1: Plasma material
3: Coaxial coupling antenna 4:
Claims (11)
前記空洞の外殻部を形成する中空の筒状の金属製の外導体と、
少なくとも一部が前記外導体の内部に配置された、前記外導体と同軸の筒状の絶縁体と、
一部が前記絶縁体の内部に配置され、前記外導体と導通された、前記外導体と同軸の筒状の金属製のプラズマ材料ガス導入管と、
前記外導体の内部でかつ前記絶縁体の外周に配置され、前記空洞へ前記マイクロ波を放射する、前記外導体と同軸のループを有する同軸結合アンテナと、
前記絶縁体の内部でかつ前記プラズマ材料ガス導入管のガス吹き出し口の前方に配置された金属製の放電アンテナと
を有し、
前記絶縁体の前方開口端を前記コンタクトレンズの前記表面に対面させ、前記外導体をθ方向とこれに直交するφ方向に揺動させ、前記絶縁体の前方開口端から前記コンタクトレンズの前記表面に向けて大気圧プラズマを放出することにより、前記コンタクトレンズの前記表面を親水性処理できるようにしたことを特徴とする親水性処理装置。 In a hydrophilic treatment apparatus that hydrophilically treats the surface of a contact lens ,
A hollow cylindrical metal outer conductor forming the outer shell of the cavity;
A cylindrical insulator coaxial with the outer conductor, at least partially disposed inside the outer conductor;
A cylindrical metal plasma material gas introduction pipe coaxial with the outer conductor, a part of which is disposed inside the insulator and is electrically connected to the outer conductor;
A coaxial coupling antenna having a loop coaxial with the outer conductor, disposed inside the outer conductor and on the outer periphery of the insulator, and radiates the microwave to the cavity;
A metal discharge antenna disposed inside the insulator and in front of a gas outlet of the plasma material gas introduction pipe, and
The front opening end of the insulator faces the surface of the contact lens, the outer conductor is swung in the θ direction and the φ direction perpendicular to the θ direction, and the surface of the contact lens is moved from the front opening end of the insulator. A hydrophilic treatment apparatus , wherein the surface of the contact lens can be subjected to a hydrophilic treatment by emitting atmospheric pressure plasma toward the surface .
ことを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れか１項に記載の親水性処理装置。 The hydrophilic processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the plasma material gas introduction pipe has a variable mechanism whose axial position is adjustable .
ガス流方向に垂直な方向に長辺方向を有するストライプ状の開口部を形成し、前記ガス流方向に１〜３０ｍｍの厚さと、前記長辺方向に長さを有する、それぞれの対向面を、間隙を挟んで配置した２つの電極を有し、
２つの前記対向面のうち少なくとも一方の面に、前記ガス流方向の複数の箇所に、前記長辺方向に沿って連続し、前記ガス流方向の幅が１ｍｍ以下の溝が形成されており、
２つの前記対向面の間に、前記ガス流方向に垂直な方向に電界を印加し、前記開口部とは逆側から前記間隙に大気圧においてプラズマを発生させるガスを前記ガス流方向に注入することで、前記溝においてホローカソード放電によるプラズマを大気圧において発生可能とし、前記開口部からプラズマを前記ガス流方向に放出可能とし、
前記開口部を前記コンタクトレンズの前記表面に対面させ、前記電極をθ方向とこれに直交するφ方向に揺動させ、前記開口部から前記コンタクトレンズの前記表面に向けて大気圧プラズマを放出することにより、前記コンタクトレンズの前記表面を親水性処理できるようにしたことを特徴とする親水性処理装置。 In a hydrophilic treatment apparatus that hydrophilically treats the surface of a contact lens ,
A stripe-shaped opening having a long side direction in a direction perpendicular to the gas flow direction is formed, and each opposing surface having a thickness of 1 to 30 mm in the gas flow direction and a length in the long side direction, Having two electrodes arranged with a gap in between;
A groove having a width in the gas flow direction of 1 mm or less is formed on at least one of the two opposing surfaces at a plurality of locations in the gas flow direction along the long side direction.
An electric field is applied between the two facing surfaces in a direction perpendicular to the gas flow direction, and a gas for generating plasma at atmospheric pressure is injected into the gap from the side opposite to the opening in the gas flow direction . it is, a plasma generated by Oite hollow cathode discharge in the groove and can be generated at atmospheric pressure, and can emit a plasma from the opening to the gas flow direction,
The opening is made to face the surface of the contact lens, the electrode is swung in a θ direction and a φ direction orthogonal thereto, and atmospheric pressure plasma is emitted from the opening toward the surface of the contact lens. Thus, a hydrophilic treatment apparatus characterized in that the surface of the contact lens can be subjected to a hydrophilic treatment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005122581A JP4684725B2 (en) | 2005-04-20 | 2005-04-20 | Hydrophilic treatment equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005122581A JP4684725B2 (en) | 2005-04-20 | 2005-04-20 | Hydrophilic treatment equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006302653A JP2006302653A (en) | 2006-11-02 |
| JP4684725B2 true JP4684725B2 (en) | 2011-05-18 |
Family
ID=37470709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005122581A Active JP4684725B2 (en) | 2005-04-20 | 2005-04-20 | Hydrophilic treatment equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4684725B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4881775B2 (en) * | 2007-03-26 | 2012-02-22 | 国立大学法人名古屋大学 | light source |
| JP4296523B2 (en) | 2007-09-28 | 2009-07-15 | 勝 堀 | Plasma generator |
| JP5145076B2 (en) * | 2008-02-22 | 2013-02-13 | Ｎｕエコ・エンジニアリング株式会社 | Plasma generator |
| JP5787284B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-09-30 | 国立大学法人名古屋大学 | Reactive species supply device and surface treatment equipment |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004533703A (en) * | 2001-03-28 | 2004-11-04 | シーピーフィルムズ、インク． | Bipolar plasma source, plasma sheet source, and effusion cell using bipolar plasma source |
| JP2004319285A (en) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Matsushita Electric Works Ltd | Plasma processing device and plasma processing method |
| JP2006196210A (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Univ Nagoya | Plasma generator |
| JP2006202662A (en) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Univ Nagoya | Plasma generator and its optimization method of power feed efficiency |
| JP2006272039A (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | Washing apparatus, substrate washing apparatus for liquid crystal display unit and liquid crystal display unit assembling apparatus |
| JP2006277976A (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | Washing device, substrate washing device of liquid crystal display and liquid crystal display mounting device |
-
2005
- 2005-04-20 JP JP2005122581A patent/JP4684725B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004533703A (en) * | 2001-03-28 | 2004-11-04 | シーピーフィルムズ、インク． | Bipolar plasma source, plasma sheet source, and effusion cell using bipolar plasma source |
| JP2004319285A (en) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Matsushita Electric Works Ltd | Plasma processing device and plasma processing method |
| JP2006196210A (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Univ Nagoya | Plasma generator |
| JP2006202662A (en) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Univ Nagoya | Plasma generator and its optimization method of power feed efficiency |
| JP2006272039A (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | Washing apparatus, substrate washing apparatus for liquid crystal display unit and liquid crystal display unit assembling apparatus |
| JP2006277976A (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | Washing device, substrate washing device of liquid crystal display and liquid crystal display mounting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006302653A (en) | 2006-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7442271B2 (en) | Miniature microwave plasma torch application and method of use thereof | |
| KR100189311B1 (en) | Microwave plasma torch and method for generating plasma | |
| US10229814B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| US20070262059A1 (en) | Electrode systems and methods of using electrodes | |
| JP2008056546A (en) | Production device and production method for carbon structure | |
| US10115565B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JP4684725B2 (en) | Hydrophilic treatment equipment | |
| JP2006202662A (en) | Plasma generator and its optimization method of power feed efficiency | |
| JP2008059837A (en) | Plasma generating device and work treatment device using this | |
| JP4296523B2 (en) | Plasma generator | |
| WO2017158671A1 (en) | Plasma generator | |
| JP2006302652A (en) | Plasma treatment device | |
| JP5522887B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| JP4684703B2 (en) | Cleaning device, liquid crystal display substrate cleaning device, and liquid crystal display assembly device | |
| WO2006075570A1 (en) | Plasma generating apparatus | |
| JP5126983B2 (en) | Plasma generator | |
| US5414235A (en) | Gas plasma generating system with resonant cavity | |
| JP5961899B2 (en) | Atmospheric pressure plasma generator | |
| JP2007258096A (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP2010251162A (en) | Plasma treatment device | |
| JP2003264098A (en) | Sheet plasma treatment apparatus | |
| JP2010129197A (en) | Plasma treatment device | |
| WO2023095420A1 (en) | Plasma generator | |
| KR102594269B1 (en) | Plasma Torch | |
| EP1283568A1 (en) | High-frequency discharge excited oxygen generator for iodine laser and high-frequency discharge excited oxygen generating method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080221 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101006 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101124 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110120 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110208 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110209 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4684725 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |