JP4682001B2 - 水晶薄膜の製造装置 - Google Patents
水晶薄膜の製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4682001B2 JP4682001B2 JP2005272746A JP2005272746A JP4682001B2 JP 4682001 B2 JP4682001 B2 JP 4682001B2 JP 2005272746 A JP2005272746 A JP 2005272746A JP 2005272746 A JP2005272746 A JP 2005272746A JP 4682001 B2 JP4682001 B2 JP 4682001B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- supply pipe
- reaction vessel
- substrate
- thin film
- gas supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
(1)反応容器の外側に加熱具が配設されていて、そして第一気体供給管の先端開口部、第二気体供給管の先端開口部及び基板ホルダを挟んで互いに間隔をあけて反応容器の内側に配置されている、各々が気体を流通させる透孔を備えた一対の隔壁が備えられている。
(2)上記の加熱具が、反応容器の第一気体供給管から基板ホルダに向かう方向に沿って複数の加熱ユニットに分割されていて、各加熱ユニットの加熱条件が互いに独立に制御される。
(3)第二気体供給管の先端開口ユニットが屈曲している。
酸化アルミニウム、炭化珪素、あるいは四窒化三珪素から形成された筒状遮蔽体15を嵌め合わせると、反応容器の内側表面への水晶薄膜の付着が防止され、そして筒状遮蔽体の内側表面にも水晶が付着し難いため、基板上への水晶薄膜の成膜速度を増加させることができる。また、反応容器を石英ガラスから形成した場合には、その交換頻度を低くすることができる。
優れる水晶結晶薄膜を形成することができ、また上記非特許文献1の記載内容に従って基板上に各々水晶薄膜からなる二層のバッファ層(具体的には、上側のバッファ層として用いる水晶薄膜の結晶性は、下側のバッファ層として用いる水晶薄膜の結晶性よりも高くなるように各々のバッファ層の結晶性が調整される)を形成すると、これらのバッファ層の上にATカット面に優先的に配向した水晶結晶薄膜を形成することができる。
11 排気口
12 反応容器
12a 筒状容器
12b 蓋部
13 基板ホルダ
14 基板
15 筒状遮蔽体
16 環状遮蔽体
17 基板ホルダ固定具
18 Oリング
19 気化器
21 第一気体供給管
21a 供給管本体
21b 先端開口ユニット
22 第二気体供給管
22a 供給管本体
22b 先端開口ユニット
23 第三気体供給管
24 第四気体供給管
31、32、33、34、35 加熱ユニット
36 加熱具
41、42、43、44、45 加熱ユニット制御装置
46 加熱具の制御装置
51a、51b、51c ガスボンベ
52a、52b、52c 手動式バルブ
53a、53b、53c 圧力センサ
54a、54b、54c、54d 空気作動式バルブ
55a、55b、55c、55d、55e マスフローコントローラ
60 水晶薄膜製造装置
62 反応容器
62a 筒状容器
62b 蓋部
63 基板ホルダ
67 基板ホルダ固定具
70 水晶薄膜製造装置
91、92、93 隔壁
91a、92a、93a 透孔
101、102、103、104 支持具
Claims (4)
- 排気口を備えた反応容器、反応容器内に装着された基板ホルダ、反応容器の外部から内部に原料の珪素アルコキシドを含有する気体を供給する気体供給管であって、基板ホルダに支持される基板の表面もしくは該基板表面を含む平面上の基板の周囲の領域に間隔を介して先端開口部が向けられて配置されている第一気体供給管、そして反応容器の外部から内部に酸素含有気体を供給する気体供給管であって、基板と第一気体供給管の先端開口部との間隔よりも短い間隔を介して上記基板の表面もしくは基板周囲の領域に先端開口部が向けられて配置されている第二気体供給管を含み、前記の各々の気体供給管が、供給管本体と供給管本体の先端に着脱可能に装着されている先端開口ユニットとからなる水晶薄膜製造装置。
- 反応容器の外側に加熱具が配設されていて、そして第一気体供給管の先端開口部、第二気体供給管の先端開口部及び基板ホルダを挟んで互いに間隔をあけて反応容器の内側に配置されている、各々が気体を流通させる透孔を備えた一対の隔壁が備えられている請求項1に記載の水晶薄膜製造装置。
- 加熱具が、反応容器の第一気体供給管から基板ホルダに向かう方向に沿って複数の加熱ユニットに分割されていて、各加熱ユニットの加熱条件が互いに独立に制御される請求項2に記載の水晶薄膜製造装置。
- 第二気体供給管の先端開口ユニットが屈曲している請求項1に記載の水晶薄膜製造装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005272746A JP4682001B2 (ja) | 2004-12-24 | 2005-09-20 | 水晶薄膜の製造装置 |
TW094146241A TWI390090B (zh) | 2004-12-24 | 2005-12-23 | 製造石英薄膜的設備 |
KR1020050128925A KR101146547B1 (ko) | 2004-12-24 | 2005-12-23 | 석영 박막 제조 장치 |
CN2005101191473A CN1807295B (zh) | 2004-12-24 | 2005-12-24 | 用于制造石英膜的设备 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004374208 | 2004-12-24 | ||
JP2005272746A JP4682001B2 (ja) | 2004-12-24 | 2005-09-20 | 水晶薄膜の製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006199570A JP2006199570A (ja) | 2006-08-03 |
JP4682001B2 true JP4682001B2 (ja) | 2011-05-11 |
Family
ID=36957898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005272746A Expired - Fee Related JP4682001B2 (ja) | 2004-12-24 | 2005-09-20 | 水晶薄膜の製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4682001B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017038568A1 (ja) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | 株式会社村田製作所 | 水晶片及び水晶振動子 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53131300A (en) * | 1977-10-03 | 1978-11-15 | Tdk Corp | Production of silicon oxide film |
JPH07321057A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Nippon Steel Corp | 半導体装置用成膜装置 |
JPH0891977A (ja) * | 1994-07-18 | 1996-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 水晶型結晶構造を有する酸化物薄膜及びその製造方法 |
JPH08321469A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-12-03 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜気相成長装置 |
JP2002080296A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-19 | Humo Laboratory Ltd | 水晶薄膜およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-09-20 JP JP2005272746A patent/JP4682001B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53131300A (en) * | 1977-10-03 | 1978-11-15 | Tdk Corp | Production of silicon oxide film |
JPH07321057A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Nippon Steel Corp | 半導体装置用成膜装置 |
JPH0891977A (ja) * | 1994-07-18 | 1996-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 水晶型結晶構造を有する酸化物薄膜及びその製造方法 |
JPH08321469A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-12-03 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜気相成長装置 |
JP2002080296A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-19 | Humo Laboratory Ltd | 水晶薄膜およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006199570A (ja) | 2006-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4534978B2 (ja) | 半導体薄膜製造装置 | |
JP6925548B1 (ja) | 酸化ガリウム半導体膜の製造方法及び成膜装置 | |
JP2023030097A (ja) | 結晶性酸化物薄膜 | |
TWI436409B (zh) | 於金屬-氮化物生長模片層上形成主體三族-氮化物材料之方法及應用此等方法所形成之構造 | |
JP4682001B2 (ja) | 水晶薄膜の製造装置 | |
JP2002080296A (ja) | 水晶薄膜およびその製造方法 | |
JP4786982B2 (ja) | 水晶薄膜の製造装置 | |
JP4980598B2 (ja) | 水晶薄膜の製造装置 | |
KR101146547B1 (ko) | 석영 박막 제조 장치 | |
JP7349341B2 (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP2008088048A (ja) | Iii族窒化物の製造方法およびその装置 | |
JP2001284269A (ja) | 気相成長装置及び方法 | |
JP2007039274A (ja) | 気相成長装置、iii族窒化物半導体基板の製造方法、iii族窒化物半導体基板 | |
JP5524758B2 (ja) | 結晶成長装置 | |
JP7436333B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP7313530B2 (ja) | 成膜方法 | |
JP4591415B2 (ja) | 窒化ガリウム結晶の成長方法 | |
JP2007039271A (ja) | ハイドライド気相成長装置、iii族窒化物半導体基板の製造方法、iii族窒化物半導体基板 | |
JP2004292255A (ja) | 炭化珪素結晶の成長方法及び炭化珪素結晶の成長装置 | |
JPS6353160B2 (ja) | ||
JP2004315364A (ja) | 水晶薄膜 | |
JP2001085335A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
JP2005243964A (ja) | 化学気相成長装置および化学気相成長方法 | |
JPS63188934A (ja) | 気相成長装置 | |
JP2007039275A (ja) | 気相成長装置、iii族窒化物半導体基板の製造方法、iii族窒化物半導体基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080910 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100709 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100906 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110125 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110207 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |