JP4672653B2 - カーボンナノチューブ触媒の選択付与方法 - Google Patents
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Description
複数のエミッタの先端にカーボンナノチューブを選択的に生成する方法としては、非特許文献1及び非特許文献2に開示される方法がある。非特許文献1に開示の方法は、エミッタチップ表面全体に触媒を付着し、基板垂直方向に電界をかけながらCVD(Chemical Vapor Deposition)を行うことで電界が集中するチップ先端に選択的にCNT成長がなされるとしている。また、エミッタの先端の各々にCNT成長用の触媒を付与することも有効であり、非特許文献2に開示の方法は、触媒であるNi金属をFIB(Focused Ion Beam)により所望の位置に配置することでその位置に選択的にCNT成長が可能であるとしている。
請求項7に係わる発明の触媒付与方法は、導電性材料からなる基板の基板面の少なくとも1つの所定位置に電界放出用突起を形成し、該電界放出用突起にカーボンナノチューブ成長用の触媒を付与する方法であり、該所定位置の各々に対応する位置で該基板面に接する孔部を備える被膜層を該基板上に準備する準備工程と、該基板を基板面に略垂直な軸周りに回転しつつ導電性の材料粒子を該被膜層の上方から斜め照射することにより、該孔部が接する基板面部分に該電界放出用突起として錐状堆積物を堆積すると共に、該孔部の開口を閉塞するように伸長するひさし状堆積層を堆積する堆積工程と、該ひさし状堆積層の伸長に応じて、該開口の大きさを測定する測定工程と、該開口の大きさが所定の大きさと測定された場合に、該開口を通して該触媒の材料粒子を照射することにより該触媒を該錐状堆積物の先端に付与する触媒付与工程とを含むことを特徴とする。
図1A〜図1Eは、本発明の第1の実施例における触媒付与方法を示している。図1Aは、触媒付与方法を実施する装置及び基板が準備された準備工程の様子を示している。該装置は、Si基板等の導電性基板1と、導電性基板1を回転せしめる基板回転用モータ5と、DC電源6と、電流計7と、エミッタ及び開口を作成するための材料源8とを含む。導電性基板1の上には、その断面において孔部11を挟んで両側に誘電体層2と、導電層3と、剥離層4と順次積層されている。孔部11は、誘電体層2、導電層3及び剥離層4の各々に対応する材料を順次積層した後に、導電性基板1の平面に対して円形にエッチングを施すフォト・リソグラフィ処理により円筒状に形成される。誘電体層2、導電層3及び剥離層4の材料としては、例えば、各々SiO2、Al及びレジスト用樹脂とすることができる。尚、本実施例においては、説明の容易性のために1つ円筒状の孔部11が示されているが、配列状に配置される如くして多数の孔部が導電性基板1に形成されても良い。
図2は、第2の実施例における触媒付与方法を実現する構成を示している。本実施例においては、電子放出の引き出し電圧の違いをモニタすることにより、触媒付与に適切な時点を認識できるようにしている。本図に示されるように、導電性基板1上に第1の実施例と同様にして誘電体層2、導電層3及び剥離層4が積層されている。本実施例においては、導電性基板1と導電層3との間に、供給電圧を任意に変更し得る可変DC電源6’が適切な極性で接続されると共に電圧計19、電流計7が接続されている。
図3A乃至3Bは、第3の実施例における触媒付与方法を実現する構成を示している。本実施例においては、材料源8からの堆積粒子を荷電粒子として基板側への付着量をモニタする構成を示している。材料源8からの堆積粒子は、導電性基板1上のひさし状堆積層10及び円錐状堆積物9として堆積される。この際に、堆積粒子が担う電荷を電流として検出することで、その付着量を把握する。
図4は、第4の実施例における触媒付与方法を実現する構成を示している。本実施例においては、ひさし状堆積層の微小開口を通して飛び出した電界放出電子をアノード電極により捕捉することにより、より直接的に微小開口の状態を把握する構成である。本図に示されるように、導電性基板1上に第1の実施例と同様にして誘電体層2、導電層3及び剥離層4が積層されている。本実施例においては、更に、誘電体層2、導電層3及び剥離層4により形成される孔部11を含む導電性基板1の上部にアノード電極14が設けられる。
2 誘電体
3 導電層
4 剥離層
5 回転用モータ
6、6a、6b、6’ DC電源
7 電流計
8 材料源
9 円錐形堆積物
10 ひさし状堆積層
11 孔部
12 触媒材料源
13 触媒
14 アノード電極
15 シャッター
16 スイッチ
17 電源
19 電圧計
Claims (7)
- 導電性材料からなる基板の基板面の少なくとも1つの所定位置にカーボンナノチューブ成長用の触媒を付与する方法であって、
前記所定位置の各々に対応する位置で前記基板面に接する孔部を備える被膜層を前記基板上に準備する準備工程と、
前記基板を基板面に略垂直な軸周りに回転しつつ導電性の材料粒子を前記被膜層の上方から斜め照射することにより、前記孔部が接する基板面部分に錐状堆積物を堆積すると共に、前記孔部の開口を閉塞するように伸長するひさし状堆積層を堆積する堆積工程と、
前記ひさし状堆積層の伸長に応じて、前記開口の大きさを測定する測定工程と、
前記開口の大きさが所定の大きさと測定された場合に、前記開口を通して前記触媒の材料粒子を照射することにより前記触媒を前記錐状堆積物の先端に付与する触媒付与工程と、を含むことを特徴とする触媒付与方法。 - 前記測定工程は、前記錐状堆積物から放出され前記ひさし状堆積層により捕捉される電界放出電子により生じる電流を測定する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の触媒付与方法。
- 前記測定工程は、前記錐状堆積物から放出され前記ひさし状堆積層により捕捉され得る電界放出電子が発生する電界放出開始電圧を測定する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の触媒付与方法。
- 前記測定工程は、前記錐状堆積物から放出され且つ前記開口を通過し外部電極により捕捉される電界放出電子により生じる電流を測定する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の触媒付与方法。
- 前記測定工程は、前記導電性の材料粒子が担う電荷を前記錐状堆積物により捕捉することにより生じる電流を測定する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の触媒付与方法。
- 前記触媒付与工程は、前記錐状堆積物と前記ひさし状堆積層との間の電圧印加により誘起される電位分布により前記触媒のイオン化材料粒子を前記錐状堆積物の先端に集める工程を含むことを特徴とする先行する請求項1〜5の何れかに記載の触媒付与方法。
- 導電性材料からなる基板の基板面の少なくとも1つの所定位置に電界放出源を形成し、前記電界放出源にカーボンナノチューブ成長用の触媒を付与する方法であって、
前記所定位置の各々に対応する位置で前記基板面に接する孔部を備える被膜層を前記基板上に準備する準備工程と、
前記基板を基板面に略垂直な軸周りに回転しつつ導電性の材料粒子を前記被膜層の上方から斜め照射することにより、前記孔部が接する基板面部分に前記電界放出源として錐状堆積物を堆積すると共に、前記孔部の開口を閉塞するように伸長するひさし状堆積層を堆積する堆積工程と、
前記ひさし状堆積層の伸長に応じて、前記開口の大きさを測定する測定工程と、
前記開口の大きさが所定の大きさと測定された場合に、前記開口を通して前記触媒の材料粒子を照射することにより前記触媒を前記錐状堆積物の先端に付与する触媒付与工程と、を含むことを特徴とする触媒付与方法。
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