JP4667524B2 - Chuck system with an array of fluid chambers - Google Patents

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Description

本発明は、流体チャンバのアレイを備えるチャック・システムに関する。   The present invention relates to a chuck system comprising an array of fluid chambers.

ナノ加工には、例えば、ナノメートル台又はそれより小さいフィーチャを有する微細構造の加工が関与する。ナノ加工が相当のインパクトを持つ１つの分野が集積回路の加工である。半導体加工業界が一層大きな生産高を追求し、同時に基板上に形成される単位面積当たりの回路数を増すにつけ、ナノ加工はますます重要になる。ナノ加工によって、より大規模なプロセス制御を可能とすると同時に、形成された構造の極小フィーチャ寸法を更に一段と縮めることが可能になる。ナノ加工が用いられてきた他の開発分野には、バイオテクノロジー、光学テクノロジー、機械システム等がある。   Nanofabrication involves, for example, processing of microstructures having features on the order of nanometers or smaller. One area where nanofabrication has a significant impact is the fabrication of integrated circuits. Nanofabrication is becoming increasingly important as the semiconductor processing industry pursues greater output and at the same time increases the number of circuits per unit area formed on a substrate. Nanofabrication allows greater process control at the same time, while at the same time further reducing the minimum feature size of the formed structure. Other development areas where nanofabrication has been used include biotechnology, optical technology, mechanical systems, and the like.

典型的なナノ加工技術はインプリント・リソグラフィと一般的に称される。典型的なインプリント・リソグラフィ・プロセスが多数の刊行物に、例えば、米国特許出願第１０／２６４９６０号“Ｍｅｔｈｏｄ ａｎｄ ａ Ｍｏｌｄ ｔｏ Ａｒｒａｎｇｅ Ｆｅａｔｕｒｅｓ ｏｎ ａ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｔｏ Ｒｅｐｌｉｃａｔｅ Ｆｅａｔｕｒｅｓ ｈａｖｉｎｇ Ｍｉｎｉｍａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ Ｖａｒｉａｂｉｌｉｔｙ”の米国特許出願公開公報第２００４／００６５９７６号、米国特許出願第１０／２６４９２６号”Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｆｏｒｍｉｎｇ ａ Ｌａｙｅｒ ｏｎ ａ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｔｏ Ｆａｃｉｌｉｔａｔｅ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ”の米国特許出願公開公報第２００４／００６５２５２号、及び米国特許第６９３６１９４号公報”Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌ ｆｏｒ Ｉｍｐｒｉｎｔ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ”に詳細に記載されており、これら例示の案件はすべて本発明の譲受人に譲渡されている。   A typical nanofabrication technique is commonly referred to as imprint lithography. Typical imprint lithography processes have been published in numerous publications, for example, US patent application Ser. No. 10/264960 “Method and a Mold to Arrange Features on a Substrate to Replicate Featuring Haven Minimal Publication”. Publication No. 2004/0065976, U.S. Patent Application No. 10/264926, "Method of Forming a Layer on a Substratate to Facility Fabrication of Metrology Standards", U.S. Patent Application Publication No. 2004/006525 The "Functional Patterning Material for Imprint Lithography Processes" is described in detail, and all of these examples are assigned to the assignee of the present invention.

前述の米国特許出願公開公報及び米国特許公報でそれぞれ開示されたインプリント・リソグラフィ技術には、レリーフ・パターンを重合可能な層に形成し、そのレリーフ・パターンに対応するパターンを下にある基板に転写することが含まれる。基板はステージに置かれ、パターン形成を容易にする所望の位置が得られる。そのため、基板から離したモールドが使用され、形成用液体がモールドと基板の間に介在する。液体は凝固してパターン化層を形成し、同層には液体に接するモールドの表面形状に合致するパターンが記録される。モールドは次いでパターン化層から分離され、モールドと基板は離隔される。基板とパターン化層は次いで、パターン化層のパターンに対応するレリーフ・イメージを基板に転写する工程に掛けられる。   In the imprint lithography techniques disclosed in the aforementioned U.S. Patent Application Publications and U.S. Patent Publications, a relief pattern is formed on a polymerizable layer, and a pattern corresponding to the relief pattern is formed on an underlying substrate. Includes transcription. The substrate is placed on the stage to obtain the desired position that facilitates pattern formation. Therefore, a mold separated from the substrate is used, and a forming liquid is interposed between the mold and the substrate. The liquid solidifies to form a patterned layer, in which a pattern is recorded that matches the surface shape of the mold in contact with the liquid. The mold is then separated from the patterned layer, and the mold and the substrate are separated. The substrate and patterned layer are then subjected to a process of transferring a relief image corresponding to the pattern of the patterned layer to the substrate.

必要に応じテンプレートの寸法を容易に変えるための改良されたチャック・システムが依然必要とされている。   There remains a need for an improved chuck system for easily changing the dimensions of a template as needed.

これは、請求項１のチャック・システムによって達成される。本発明の好ましい実施態様は従続請求項において特徴づけられる。   This is achieved by the chuck system of claim 1. Preferred embodiments of the invention are characterized in the subclaims.

本発明の実施形態を以下に図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１に関し、基板１２上にレリーフ・パターンを形成するためのシステム１０を示す。基板１２は、以下に更に説明する基板チャック１４に結合させられる。基板１２と基板チャック１４は、ステージ１６により支持される。更に、ステージ１６、基板１２、基板チャック１４はベース（図示せず）上に位置付けされる。ステージ１６は、ｘ及びｙ軸の周りを動くことができる。   With reference to FIG. 1, a system 10 for forming a relief pattern on a substrate 12 is shown. The substrate 12 is coupled to a substrate chuck 14 which will be further described below. The substrate 12 and the substrate chuck 14 are supported by a stage 16. Furthermore, the stage 16, the substrate 12, and the substrate chuck 14 are positioned on a base (not shown). The stage 16 can move around the x and y axes.

基板１２から離れた位置にテンプレート１８があり、テンプレートは、基板１２側に延びパターン形成面２２を備えたメサ２０を有する。メサ２０はモールド２０と称されることもある。メサ２０は、ナノインプリント・モールド２０と称されることもある。別の実施形態においては、テンプレート１８に実質的にはモールド２０が無い場合もある。テンプレート１８及び／又はモールド２０は、融解石英、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサン・ポリマー、ホウケイ酸ガラス、フッ素樹脂、金属、硬化サファイア等を含む材料から形成されるが、これらに限らない。図示の通り、パターン形成面２２は、複数の分離された凹溝２４と凸部２６によって形成されたフィーチャを備える。しかし、別の実施形態において、パターン形成面２２は実質的に円滑及び／又は平坦とされる場合もある。パターン形成面２２は、基板１２上に形成されるパターンの基礎を形成するオリジナル・パターンを決める。テンプレート１８はテンプレート・チャック２８と結合され、テンプレート・チャック２８は、本明細書に援用する米国特許第６８７３０８７号「Ｈｉｇｈ−Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ａｎｄ Ｇａｐ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｓｔａｇｅｓ ｆｏｒ Ｉｍｐｒｉｎｔ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｐｒｏｃｅｓｓ」に記載の真空式、ピン形、溝形、電磁式を含む任意のチャックでよいが、これらに限らない。更に、テンプレート・チャック２８は、テンプレート１８、且つしたがってモールド２０を動かすために、インプリント・ヘッド３０と結合される。   There is a template 18 at a position away from the substrate 12, and the template has a mesa 20 that extends toward the substrate 12 and has a pattern forming surface 22. The mesa 20 is sometimes referred to as a mold 20. The mesa 20 is sometimes referred to as a nanoimprint mold 20. In another embodiment, the template 18 may be substantially free of the mold 20. Template 18 and / or mold 20 are formed from materials including, but not limited to, fused silica, quartz, silicon, organic polymer, siloxane polymer, borosilicate glass, fluororesin, metal, hardened sapphire, and the like. As illustrated, the pattern forming surface 22 includes features formed by a plurality of separated concave grooves 24 and convex portions 26. However, in other embodiments, the patterned surface 22 may be substantially smooth and / or flat. The pattern forming surface 22 determines the original pattern that forms the basis of the pattern formed on the substrate 12. Template 18 is coupled to template chuck 28, which is described in U.S. Pat. No. 6,873,087, "High-Precision Orientation Alignment and Gap Control Stages for Imprint Lithography Process," incorporated herein by reference. Any chuck including a shape, a groove shape, and an electromagnetic type may be used, but is not limited thereto. Further, template chuck 28 is coupled with imprint head 30 to move template 18 and thus mold 20.

システム１０は、更に流体分配システム３２を備える。流体分配システム３２は、基板１２と流体連通し、それによって高分子材料３４を基板に堆積させることが可能である。システム１０は、任意の数の流体分配器を含むことが可能で、流体分配システム３２は、複数の分配ユニットをシステム内に含むことが可能である。高分子材料３４は、知られている任意の技法、例えば滴下分配、スピン・コーティング、浸漬塗装、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、薄膜堆積、厚膜堆積、その他を使用して基板１２上に配置される。図２に示す通り、高分子材料３４は、基板１２上に複数の離隔された小滴３６として堆積され、マトリックス・アレイ３８が形成される。一例においては、各小滴３６の単位ボリュームは約１〜１０ピコリットルである。マトリックス・アレイ３８の小滴３６は、５つの縦列ｃ1〜ｃ5及び５つの横列ｒ1〜ｒ5に配列されている。しかし、小滴３６は任意の二次元構成で基板１２上に配列可能である。一般には、高分子材料３４は、所望のボリュームがモールド２０と基板１２の間に形成されるより前に、基板１２上に配置される。しかし、高分子材料３４は、所望のボリュームが得られた後にボリュームを満たすことも可能である。 The system 10 further includes a fluid distribution system 32. The fluid distribution system 32 can be in fluid communication with the substrate 12, thereby depositing the polymeric material 34 on the substrate. System 10 can include any number of fluid distributors, and fluid distribution system 32 can include a plurality of distribution units within the system. The polymeric material 34 can be formed using any known technique, such as drop dispensing, spin coating, dip coating, chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), thin film deposition, thick film deposition, etc. 12 is arranged. As shown in FIG. 2, the polymeric material 34 is deposited as a plurality of spaced droplets 36 on the substrate 12 to form a matrix array 38. In one example, the unit volume of each droplet 36 is about 1-10 picoliters. The droplets 36 of the matrix array 38 are arranged in five columns c 1 to c 5 and five rows r 1 to r 5 . However, the droplets 36 can be arranged on the substrate 12 in any two-dimensional configuration. In general, the polymeric material 34 is disposed on the substrate 12 before the desired volume is formed between the mold 20 and the substrate 12. However, the polymeric material 34 can also fill the volume after the desired volume is obtained.

図１から３に関し、システム１０は、エネルギー４２を経路４４沿いに向けるように結合されるエネルギー４２のソース４０を更に備える。インプリント・ヘッド３０とステージ１６は、モールド２０と基板１２が重なって経路４４に配置されるように構成される。インプリント・ヘッド３０かステージ１６のいずれか、又は双方により、モールド２０と基板１２の間の間隔が変わることによって、その間が高分子材料３４によって満たされる所望のボリュームが形成される。より具体的には、小滴３６が凹溝２４に進入し且つこれを満たす。パターン形成面２２によって形成されたパターンを小滴３６が満たすのに要する時間を、モールド２０の充填時間と定める。所望のボリュームが高分子材料３４により満たされた後、ソース４０は広帯域紫外線放射等のエネルギーを発し、それによって高分子材料３４が凝固し及び／又は架橋され、基板１２の表面４６とパターン形成面２２の形状に合わせて基板１２上にパターン化層４８が形成される。パターン化層４８は、残留層５０と、凸部５２や凹部５４として示す複数のフィーチャとを備える。システム１０は、ステージ１６、インプリント・ヘッド３０、流体分配システム３２、ソース４０とデータ通信し、メモリ５８に格納されたコンピュータ読取り可能なプログラムに作用するプロセッサ５６によって調整される。   With reference to FIGS. 1-3, the system 10 further comprises a source 40 of energy 42 coupled to direct the energy 42 along the path 44. The imprint head 30 and the stage 16 are configured so that the mold 20 and the substrate 12 overlap each other and are disposed in the path 44. Either the imprint head 30 or the stage 16 or both change the spacing between the mold 20 and the substrate 12 to form a desired volume that is filled with the polymeric material 34 therebetween. More specifically, the droplet 36 enters and fills the groove 24. The time required for the droplets 36 to fill the pattern formed by the pattern forming surface 22 is determined as the filling time of the mold 20. After the desired volume is filled with the polymeric material 34, the source 40 emits energy, such as broadband ultraviolet radiation, which causes the polymeric material 34 to solidify and / or cross-link, and the surface 46 and patterning surface of the substrate 12 to be solidified. A patterned layer 48 is formed on the substrate 12 in accordance with the shape of 22. The patterned layer 48 includes a residual layer 50 and a plurality of features shown as convex portions 52 and concave portions 54. The system 10 is coordinated by a processor 56 that is in data communication with the stage 16, the imprint head 30, the fluid dispensing system 32, the source 40 and operates on a computer readable program stored in the memory 58.

図１及び図４から６を参照すると、上述の通り、システム１０は基板チャック１４を備える。基板チャック１４は、真空技術を使用して基板１２を保持するようにされている。基板チャック１４は、対向する第１と第２のサイド（側）６２、６４を有するチャック本体６０を備える。対向する第１及び第２のサイド６２、６４の間に側面すなわち端縁面６６が延びている。第１のサイド６２は、複数の流体チャンバ６８を備える。図示のように、基板チャック１４は流体チャンバ６８ａ〜６８ｕを備えるが、別の実施形態においては、基板チャック１４は任意の数の流体チャンバを備えることが可能である。図示の通り、流体チャンバ６８ａ〜６８ｕは５つの縦列ａ1〜ａ5及び５つの横列ｂ1〜ｂ5のアレイとして配置される。しかし、流体チャンバ６８は、任意の二次元配置でチャック本体６０上に配置可能である。図解を簡潔にするため、縦列ａ1〜ａ5及び横列ｂ1〜ｂ5は、図５、６にそれぞれ別々に示す。 Referring to FIGS. 1 and 4-6, the system 10 includes a substrate chuck 14 as described above. The substrate chuck 14 is adapted to hold the substrate 12 using vacuum technology. The substrate chuck 14 includes a chuck body 60 having first and second sides (sides) 62 and 64 facing each other. A side surface or edge surface 66 extends between the first and second sides 62 and 64 facing each other. The first side 62 includes a plurality of fluid chambers 68. As shown, the substrate chuck 14 includes fluid chambers 68a-68u, although in other embodiments, the substrate chuck 14 can include any number of fluid chambers. As shown, the fluid chamber 68a~68u is arranged as five columns a 1 ~a 5 and five arrays of rows b 1 ~b 5. However, the fluid chamber 68 can be disposed on the chuck body 60 in any two-dimensional arrangement. For the sake of simplicity, the columns a 1 to a 5 and the rows b 1 to b 5 are shown separately in FIGS.

図４から６に関し、各流体チャンバ６８は、支持区域７４と第２支持区域７６を区画する、第１凹溝７０と、第１凹溝７０から分離した第２凹溝７２とを備えている。第２支持区域７６は第２凹溝７２を取り囲む。第１支持区域７４は第２支持区域７６と、第１及び第２凹溝７０、７２とを取り囲む。チャック本体６０内には、複数の通路７８、８０が形成され、各流体チャンバ６８をポンプ・システム８２、８４にそれぞれ流体連通させる。より具体的には、流体チャンバ６８の各第１凹溝７０は通路７８を介してポンプ・システム８２と流体連通し、各第２凹溝７２は通路８０を介してポンプ・システム８４と流体連通している。各ポンプ・システム８２、８４は、１つ又は複数のポンプをシステム内に含む。   4-6, each fluid chamber 68 includes a first groove 70 that defines a support area 74 and a second support area 76, and a second groove 72 separated from the first groove 70. . The second support area 76 surrounds the second concave groove 72. The first support area 74 surrounds the second support area 76 and the first and second recessed grooves 70, 72. A plurality of passages 78, 80 are formed in the chuck body 60 to allow each fluid chamber 68 to be in fluid communication with the pump systems 82, 84, respectively. More specifically, each first groove 70 of fluid chamber 68 is in fluid communication with pump system 82 via passage 78 and each second groove 72 is in fluid communication with pump system 84 via passage 80. is doing. Each pump system 82, 84 includes one or more pumps in the system.

図４、５を参照すると、縦列ａ1〜ａ5の流体チャンバ６８における、各第１凹溝７０は通路７８を介してポンプ・システム８２と流体連通している。より具体的には、縦列ａ1の流体チャンバ６８ｄ、６８ｉ、６８ｎの第１凹溝７０は通路７８ａを介してポンプ・システム８２ａと流体連通し、縦列ａ2の流体チャンバ６８ａ、６８ｅ、６８ｊ、６８ｏ、６８ｓの第１凹溝７０は通路７８ｂを介してポンプ・システム８２ｂと流体連通し、縦列ａ3の流体チャンバ６８ｂ、６８ｆ、６８ｋ、６８ｐ、６８ｔの第１凹溝７０は通路７８ｃを介してポンプ・システム８２ｃと流体連通し、縦列ａ4の流体チャンバ６８ｃ、６８ｇ、６８ｌ、６８ｑ、６８ｕの第１凹溝７０は通路７８ｄを介してポンプ・システム８２ｄと流体連通し、且つ縦列ａ5の流体チャンバ６８ｈ、６８ｍ、６８ｒの第１凹溝７０は通路７８ｅを介してポンプ・システム８２ｅと流体連通している。 Referring to FIGS. 4 and 5 , each first groove 70 in the fluid chamber 68 of the columns a 1 -a 5 is in fluid communication with the pump system 82 via a passage 78. More specifically, the first groove 70 of the fluid chamber 68d, 68i, 68n in the column a 1 is in fluid communication with the pump system 82a via the passage 78a, and the fluid chamber 68a, 68e, 68j, in the column a 2 The first groove 70 of 68o, 68s is in fluid communication with the pump system 82b via passage 78b, and the first groove 70 of the fluid chamber 68b, 68f, 68k, 68p, 68t of column a 3 is connected via passage 78c. pump through system 82c in fluid communication with Te, the fluid chamber 68c of the column a 4, 68g, 68l, 68q , first groove 70 of 68u communicates pump system 82d in fluid communication via a passage 78d, and column a 5 The first groove 70 of each of the fluid chambers 68h, 68m, 68r is in fluid communication with the pump system 82e via a passage 78e.

図４、６を参照すると、更に、横列ｂ1〜ｂ5の流体チャンバ６８の各第２凹溝７２は通路８０を介してポンプ・システム８４と流体連通している。より具体的には、横列ｂ1の流体チャンバ６８ａ、６８ｂ、６８ｃの第２凹溝７２は通路８０ａを介してポンプ・システム８４ａと流体連通し、横列ｂ2の流体チャンバ６８ｄ、６８ｅ、６８ｆ、６８ｇ、６８ｈの第２凹溝７２は通路８０ｂを介してポンプ・システム８４ｂと流体連通し、横列ｂ3の流体チャンバ６８ｉ、６８ｊ、６８ｋ、６８ｌ、６８ｍの第２凹溝７２は通路８０ｃを介してポンプ・システム８４ｃと流体連通し、横列ｂ4の流体チャンバ６８ｎ、６８ｏ、６８ｐ、６８ｑ、６８ｒの第２凹溝７２は通路８０ｄを介してポンプ・システム８４ｄと流体連通し、且つ流体チャンバ６８ｓ、６８ｔ、６８ｕの第２凹溝７２は通路８０ｅを介してポンプ・システム８４ｅと流体連通している。 Referring to FIGS. 4 and 6, each second groove 72 of fluid chamber 68 in rows b 1 -b 5 is in fluid communication with pump system 84 via passage 80. More specifically, the second recessed groove 72 of the fluid chamber 68a, 68b, 68c in the row b 1 is in fluid communication with the pump system 84a via the passage 80a, and the fluid chamber 68d, 68e, 68f in the row b 2 The second groove 72 of 68g, 68h is in fluid communication with the pump system 84b via passage 80b, and the second groove 72 of the fluid chambers 68i, 68j, 68k, 68l, 68m in row b 3 is through passage 80c. pump through system 84c in fluid communication with Te, the fluid chamber 68n row b 4, 68o, 68p, 68q , second groove 72 of 68r is through pump system 84d in fluid communication via a passage 80d, and the fluid chamber 68s , 68t, 68u are in fluid communication with pumping system 84e through passage 80e.

図１及び図４から６を参照すると、基板１２が基板チャック１４上に位置付けされるとき、基板１２はチャック本体６０の第１面６２に載せられ、流体チャンバ６８を覆い、より具体的には、各流体チャンバ６８の第１及び第２凹溝７０、７２を覆う。更に具体的には、流体チャンバ６８の各第１凹溝７０と基板１２の一部が重なって、第１チャンバ８６を形成し、且つ流体チャンバ６８の各第２凹溝７２と基板１２の一部が重なって、第２チャンバ８８を形成する。更に、ポンプ・システム８２が作用することにより第１チャンバ８６内の加圧／真空が制御され、ポンプ・システム８４が作用することによって第２チャンバ８８内の加圧／真空が制御される。第１チャンバ８６、８８内の加圧／真空は、基板１２の形状を変えている間に、基板１２の基板チャック１４からの分離を回避しないまでも低減させる。追って更に説明する。ポンプ・システム８２、８４は、プロセッサ５６とデータ通信し、メモリ５８に格納されたコンピュータ読取り可能なプログラムに作用してポンプ・システム８２、８４を制御する。   1 and 4-6, when the substrate 12 is positioned on the substrate chuck 14, the substrate 12 rests on the first surface 62 of the chuck body 60 and covers the fluid chamber 68, more specifically. The first and second concave grooves 70 and 72 of each fluid chamber 68 are covered. More specifically, each first concave groove 70 of the fluid chamber 68 and a part of the substrate 12 overlap to form the first chamber 86, and one of the second concave grooves 72 of the fluid chamber 68 and one of the substrates 12. The parts overlap to form a second chamber 88. Furthermore, the pressurization / vacuum in the first chamber 86 is controlled by the action of the pump system 82, and the pressurization / vacuum in the second chamber 88 is controlled by the action of the pump system 84. The pressurization / vacuum in the first chambers 86 and 88 is reduced even if the separation of the substrate 12 from the substrate chuck 14 is not avoided while changing the shape of the substrate 12. Further explanation will be given later. Pump systems 82, 84 are in data communication with processor 56 and operate on computer readable programs stored in memory 58 to control pump systems 82, 84.

図４、５を参照すると、更に具体的には、ポンプ・システム８２ａは、縦列ａ1の流体チャンバ６８ｄ、６８ｉ、６８ｎの第１チャンバ８６内の加圧／真空を制御するように作用し、ポンプ・システム８８ｂは、縦列ａ2の流体チャンバ６８ａ、６８ｅ、６８ｊ、６８ｏ、６８ｓの第１チャンバ８６内の加圧／真空を制御するように作用し、ポンプ・システム８８ｃは、縦列ａ3の流体チャンバ６８ｂ、６８ｆ、６８ｋ、６８ｐ、６８ｔの第１チャンバ８６内の加圧／真空を制御するように作用し、ポンプ・システム８８ｄは縦列ａ4の流体チャンバ６８ｃ、６８ｇ、６８ｌ、６８ｑ、６８ｕの第１チャンバ８６内の加圧／真空を制御するように作用し、且つポンプ・システム８８ｅは縦列ａ5の流体チャンバ６８ｈ、６８ｍ、６８ｒの第１チャンバ８６内の加圧／真空を制御するように作用する。 4 and 5, more specifically, the pump system 82a serves to control the pressurization / vacuum in the first chamber 86 of the fluid chambers 68d, 68i, 68n of the column a 1 ; pump system 88b, the fluid chamber 68a of the column a 2, 68e, 68j, 68o , acts to control the pressure / vacuum in the first chamber 86 of the 68s, the pump system 88c includes a column a 3 fluid chamber 68b, 68f, 68k, 68p, acts to control the pressure / vacuum in the first chamber 86 of the 68t, pump system 88d fluid chamber in column a 4 68c, 68g, 68l, 68q, 68u the first act to control the pressure / vacuum in the chamber 86, and pump system 88e is a fluid chamber of the column a 5 68h, 68m, first tea 68r of The pressure / vacuum in the chamber 86 is controlled.

図４及び６を参照すると、尚更に、ポンプ・システム８４ａは横列ｂ1の流体チャンバ６８ａ、６８ｂ、６８ｃの第２チャンバ８８内の加圧／真空を制御するように作用し、ポンプ・システム８４ｂは横列ｂ2の流体チャンバ６８ｄ、６８ｅ、６８ｆ、６８ｇ、６８ｈの第２チャンバ８８内の加圧／真空を制御するように作用し、ポンプ・システム８４ｃは横列ｂ3の流体チャンバ６８ｉ、６８ｊ、６８ｋ、６８ｌ、６８ｍの第２チャンバ８８内の加圧／真空を制御するように作用し、ポンプ・システム８４ｄは横列ｂ4の流体チャンバ６８ｎ、６８ｏ、６８ｐ、６８ｑ、６８ｒの第２チャンバ８８内の加圧／真空を制御するように作用し、且つポンプ・システム８４ｅは横列ｂ5の流体チャンバ６８ｓ、６８ｔ、６８ｕの第２チャンバ８８内の加圧／真空を制御するように作用する。 4 and 6, still further, the pump system 84a serves to control the pressurization / vacuum in the second chamber 88 of the fluid chambers 68a, 68b, 68c in the row b 1 and the pump system 84b. Acts to control the pressurization / vacuum in the second chamber 88 of the row b 2 fluid chambers 68d, 68e, 68f, 68g, 68h, and the pump system 84c is adapted to control the row b 3 fluid chambers 68i, 68j, 68k, 68l, acts to control the pressure / vacuum of the second chamber 88 of 68m, pump system 84d fluid chamber row b 4 68n, 68o, 68p, 68q, second chamber 88 in the 68r the act to control the pressure / vacuum, and pump system 84e is a fluid chamber row b 5 68s, 68t, the second chamber 88 of 68u Acts to control pressurization / vacuum.

図４から７を参照すると、各流体チャンバ６８は、以下に更に説明する所望の用途により、１）チャンバに関係してチャックされた状態か、又は２）チャックされない／湾曲状態を有する。より具体的には、上述の通り、第１及び第２チャンバ８６、８８は第１及び第２凹溝７０、７２にそれぞれ関係する。そのため、基板１２の一部分に掛かる力は、基板１２のその一部分と重なる第１及び第２凹溝の面積の大きさと、基板１２のその一部分と重なる第１及び第２チャンバ８６、８８内の加圧／真空の大きさによって決まる。より具体的には、流体チャンバ６８のサブセットと重なる基板１２の一部分９０に対しては、一部分９０に掛かる力は、第１チャンバ８６に対して第１凹溝７０と重なる一部分９０の小部分９２に掛かる力Ｆ1と、第２チャンバ８８に対して第２凹溝７２と重なる一部分９０の小部分９４に掛かる力Ｆ2とを併せた力とされる。図示の通り、力Ｆ1、Ｆ2とも基板１２から離れる方向に向かう。しかし、力Ｆ1、Ｆ2は基板１２側に向かう場合もある。更に、力Ｆ1、Ｆ2は対向方向に向かう場合もある。そのため、小部分９２に掛かる力Ｆ1は以下の通り定められ、
Ｆ1＝Ａ1×Ｐ1 （１）
式中、Ａ1は第１凹溝７０の面積で、Ｐ1は第１チャンバ８６に関係する加圧／真空であり、小部分９４に掛かる力Ｆ2は以下の通り定められ、
Ｆ2＝Ａ2×Ｐ2 （２）
式中、Ａ2は第２凹溝７２の面積で、Ｐ1は第２チャンバ８８に関係する加圧／真空である。流体チャンバ６８に関係する力Ｆ1、Ｆ2は、包括的に基板チャック１４によって基板１２に掛かるチャック力Ｆcと称される。 Referring to FIGS. 4-7, each fluid chamber 68 has either 1) a chucked state relative to the chamber, or 2) an unchucked / curved state, depending on the desired application described further below. More specifically, as described above, the first and second chambers 86 and 88 are related to the first and second concave grooves 70 and 72, respectively. Therefore, the force applied to a part of the substrate 12 is determined by the size of the area of the first and second grooves that overlap the part of the substrate 12 and the application in the first and second chambers 86 and 88 that overlap the part of the substrate 12. Determined by pressure / vacuum size. More specifically, for the portion 90 of the substrate 12 that overlaps a subset of the fluid chamber 68, the force applied to the portion 90 is a small portion 92 of the portion 90 that overlaps the first recessed groove 70 relative to the first chamber 86. The force F 1 applied to the second chamber 88 and the force F 2 applied to the small portion 94 of the portion 90 overlapping the second concave groove 72 with respect to the second chamber 88 are combined. As illustrated, both the forces F 1 and F 2 are directed away from the substrate 12. However, the forces F 1 and F 2 may be directed toward the substrate 12 side. Further, the forces F 1 and F 2 may be directed in the opposite direction. Therefore, the force F 1 applied to the small portion 92 is determined as follows:
F 1 = A 1 × P 1 (1)
Where A 1 is the area of the first groove 70, P 1 is the pressure / vacuum associated with the first chamber 86, and the force F 2 applied to the small portion 94 is determined as follows:
F 2 = A 2 × P 2 (2)
Where A 2 is the area of the second groove 72 and P 1 is the pressure / vacuum associated with the second chamber 88. The forces F 1 and F 2 related to the fluid chamber 68 are collectively referred to as a chuck force F c applied to the substrate 12 by the substrate chuck 14.

図１及び図４から６を参照すると、その目的のため、特に、小滴３６、基板１２、モールド２０の間の空間的関係により、別々の流体チャンバ６８を別々の状態とすることが望まれる場合があろう。第１及び第２チャンバ８６、８８の状態は、力Ｆ1、Ｆ2の方向次第による。より具体的には、基板１２を向く方向の力Ｆ1に対し、第１チャンバ８６は加圧状態とされ、基板１２から離れる方向の力Ｆ1に対し、第１チャンバ８６は真空状態とされ、基板１２を向く方向の力Ｆ2に対し、第２チャンバ８８は加圧状態とされ、且つ基板１２から離れる方向の力Ｆ2に対し、第２チャンバ８８は真空状態とされる。 With reference to FIGS. 1 and 4-6, for that purpose, it is desirable to have separate fluid chambers 68 in separate states, particularly due to the spatial relationship between the droplets 36, the substrate 12, and the mold 20. There will be cases. The state of the first and second chambers 86 and 88 depends on the direction of the forces F 1 and F 2 . More specifically, with respect to the direction of the force F 1 directed to the substrate 12, first chamber 86 is in the pressurized state, to the direction of force F 1 away from the substrate 12, first chamber 86 is in the vacuum state , to the direction of the force F 2 which faces the substrate 12, the second chamber 88 is in the pressure state, and to the direction of the force F 2 away from the substrate 12, second chamber 88 is in the vacuum state.

そのため、第１及び第２チャンバ８６、８８がそれぞれ２つの異なる状態となる可能性がある結果、流体チャンバ６８は関係する４通りの組み合わせのうち１つの状態となる。下の表１に、第１及び第２チャンバ８６、８８内の真空／加圧の４通りの組み合わせとその結果による流体チャンバ６８の状態を示す。   Thus, each of the first and second chambers 86, 88 can be in two different states, resulting in the fluid chamber 68 being in one of four related combinations. Table 1 below shows the four combinations of vacuum / pressurization in the first and second chambers 86, 88 and the resulting fluid chamber 68 conditions.

Figure 0004667524
Figure 0004667524

第１及び第４の組み合わせにおいては、第１及び第２チャンバ８６、８８が状態を同じくする。より具体的には、第１の組み合わせでは、第１チャンバ８６が真空状態にあり且つ第２チャンバ８８が真空状態にあり、その結果、流体チャンバ６８はチャックされた状態とされる。更に、第４の組み合わせでは、第１チャンバ８６が加圧状態にあり且つ第２チャンバ８８が加圧状態にあり、その結果、流体チャンバ６８はチャックされない／湾曲状態とされる。   In the first and fourth combinations, the first and second chambers 86 and 88 are in the same state. More specifically, in the first combination, the first chamber 86 is in a vacuum state and the second chamber 88 is in a vacuum state, so that the fluid chamber 68 is in a chucked state. Further, in the fourth combination, the first chamber 86 is in a pressurized state and the second chamber 88 is in a pressurized state, so that the fluid chamber 68 is not chucked / curved.

第２及び第３の組み合わせにおいては、第１及び第２チャンバ８６、８８が異なる状態とされる。しかし、流体チャンバ６８はチャックされた状態とされる。そのため、第１及び第２凹溝７０、７２の面積Ａ1及びＡ2の比率は、第１及び第２チャンバ８６、８８に関係する与えられた圧力Ｋp及び与えられた真空Ｋvについて、第１及び第２チャンバ８６、８８の真空状態に関係する力Ｆ1、Ｆ2の力の大きさが第１及び第２チャンバ８６、８８の加圧状態に関係する残余の力Ｆ1、Ｆ2の大きさに勝る比率とされる。そのため、上述の第２の組み合わせでは、第１チャンバ８６は真空状態、第２チャンバ８８は加圧状態とされる。 In the second and third combinations, the first and second chambers 86 and 88 are in different states. However, the fluid chamber 68 is in a chucked state. Therefore, the ratio of the areas A 1 and A 2 of the first and second concave grooves 70, 72 is as follows for a given pressure K p and a given vacuum K v related to the first and second chambers 86, 88: The magnitudes of the forces F 1 and F 2 related to the vacuum state of the first and second chambers 86 and 88 are the remaining forces F 1 and F related to the pressurized state of the first and second chambers 86 and 88. The ratio is greater than 2 . Therefore, in the second combination described above, the first chamber 86 is in a vacuum state and the second chamber 88 is in a pressurized state.

真空状態である流体チャンバ６８に対しては、
｜Ｆ1｜＞｜Ｆ2｜ （３）
したがって、上述の式（１）及び（２）を用い、
｜Ａ1×ＫV｜＞｜Ａ2×ＫP｜ （４）
したがって、第１及び第２凹溝７０、７２それぞれの面積Ａ1とＡ2の比率は、
Ａ1／Ａ2＞｜ＫP／ＫV｜ （５） For fluid chamber 68 in a vacuum state,
| F 1 | >> F 2 | (3)
Therefore, using the above equations (1) and (2),
| A 1 × K V | >> | A 2 × K P | (4)
Accordingly, the ratio of the areas A 1 and A 2 of the first and second concave grooves 70 and 72 is as follows:
A 1 / A 2 > | K P / K V | (5)

上述の第３の組み合わせにおいては、第１チャンバ８６は加圧状態とされ、第２チャンバ８８は真空状態とされる。そのため、流体チャンバ６８が真空状態とされるには、
｜Ｆ2｜＞｜Ｆ1｜ （６）
且つしたがって、上述の式（１）及び（２）を用い、
｜Ａ2×ＫV｜＞｜Ａ1×ＫP｜ （７）
且つしたがって、第１及び第２凹溝７０、７２それぞれの面積Ａ1とＡ2の比率は、
Ａ1／Ａ2＜｜ＫV／ＫP｜ （８） In the third combination described above, the first chamber 86 is in a pressurized state, and the second chamber 88 is in a vacuum state. Therefore, in order for the fluid chamber 68 to be in a vacuum state,
| F 2 | >> | F 1 | (6)
And therefore, using the above equations (1) and (2),
| A 2 × K V | >> | A 1 × K P | (7)
Therefore, the ratio of the areas A 1 and A 2 of the first and second concave grooves 70 and 72 is as follows:
A 1 / A 2 <| K V / K P | (8)

そのため、第１及び第２チャンバ８６、８８の状態が異なるときに流体チャンバ６８が真空状態とされるには、第１及び第２凹溝７０、７２それぞれの面積Ａ1とＡ2は明らかに以下のように定められる。
｜ＫP／ＫV｜＜Ａ1／Ａ2＜｜ＫV／ＫP｜ （９） Therefore, in order for the fluid chamber 68 to be in a vacuum state when the states of the first and second chambers 86 and 88 are different, the areas A 1 and A 2 of the first and second concave grooves 70 and 72 are clearly determined. It is determined as follows.
| K P / K V | <A 1 / A 2 <| K V / K P | (9)

一例においては、Ｋpは約４０ｋＰａとされ、Ｋvは約−８０ｋＰａとされ、したがって、面積Ａ1対Ａ2の比率は以下のように定められる。
０．５＜Ａ1／Ａ2＜２． （１０） In one example, K p is about 40 kPa and K v is about −80 kPa, so the ratio of area A 1 to A 2 is defined as follows:
0.5 <A 1 / A 2 <2. (10)

更に、チャックされない／湾曲状態にある流体チャンバ６８内の圧力の大きさを変えることが可能である。より具体的には、メモリ５８に格納されたコンピュータ読取り可能なプログラムに作用するプロセッサ５６は、ポンプ・システム８２、８４と電気的に連通する結果、ポンプ・システム８２、８４を介して第１及び第２チャンバ８６、８８内の圧力の大きさを変えることが可能である。   Furthermore, it is possible to vary the amount of pressure in the fluid chamber 68 that is unchucked / curved. More specifically, the processor 56 acting on the computer readable program stored in the memory 58 is in electrical communication with the pump systems 82, 84, resulting in the first and second via the pump systems 82, 84. The magnitude of the pressure in the second chamber 86, 88 can be changed.

図１から３を参照すると、前述の通り、モールド２０と基板１２の間の間隔は、高分子材料３４によって満たされる所望のボリュームをそれらの間に決めるように、変えられる。更に、凝固した後、高分子材料３４は基板１２の表面及びパターン形成面２２の形状に合わせ、基板１２上にパターン化層４８を形成する。そのため、マトリックス・アレイ３８の小滴３６の間に形成されたボリューム９６にはガスが存在する。このガス及び／又はガス・ポケットは、空気、窒素、二酸化炭素、ヘリウム等のガスであるが、これらに限らない。基板１２とモールド２０の間のガスは、主に基板１２とモールド２０の平面度に起因する。そのため、前述したモールド２０の充填時間の短縮が望まる。充填時間は、基板１２とモールド２０の間やパターン化層４８内のガス及び／又はガス・ポケットが、基板１２とモールド２０の間から排出され及び／又は高分子材料３４中に溶解し及び／又は高分子材料３４中に拡散するのに要する時間に特に依存する。そのため、モールド２０と基板１２の間のガスのトラッピングを防止しないまでも最小にする方法とシステムを以下に説明する。   With reference to FIGS. 1-3, as described above, the spacing between the mold 20 and the substrate 12 can be varied to determine the desired volume filled by the polymeric material 34 therebetween. Further, after solidifying, the polymer material 34 forms a patterned layer 48 on the substrate 12 in accordance with the shape of the surface of the substrate 12 and the pattern forming surface 22. Thus, gas is present in the volume 96 formed between the droplets 36 of the matrix array 38. The gas and / or gas pocket is a gas such as, but not limited to, air, nitrogen, carbon dioxide, helium. The gas between the substrate 12 and the mold 20 is mainly due to the flatness of the substrate 12 and the mold 20. Therefore, it is desirable to shorten the filling time of the mold 20 described above. The filling time is such that gases and / or gas pockets between the substrate 12 and the mold 20 and in the patterned layer 48 are evacuated from between the substrate 12 and the mold 20 and / or dissolved in the polymeric material 34 and / or. Or it depends in particular on the time required to diffuse into the polymeric material 34. Therefore, a method and system for minimizing the gas trapping between the mold 20 and the substrate 12 if not prevented will be described below.

図１、８を参照すると、基板１２とモールド２０の間のガスを放出する方法を示す。より具体的には、ステップ１００で、前述の通り、高分子材料３４が滴下分配法、スピン・コーティング、浸漬被覆法、化学蒸着法（ＣＶＤ）、物理蒸着法（ＰＶＤ）、薄膜堆積法、厚膜堆積法、その他によって基板１２上に置かれる。別の実施形態では、高分子材料３４をモールド２０に置くことが可能である。   1 and 8, a method for releasing gas between the substrate 12 and the mold 20 is shown. More specifically, in step 100, as described above, the polymer material 34 is dropped and distributed, spin coating, dip coating, chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), thin film deposition, thickness, It is placed on the substrate 12 by a film deposition method or the like. In another embodiment, the polymeric material 34 can be placed on the mold 20.

図５、６、８、９を参照すると、ステップ１０２で、基板１２の形状は、モールド２０と基板１２の間に基板１２の中央部分での間隔ｄ1が、モールド２０と基板１２の間に基板１２の残余部分での間隔より小さくなるように変えることが可能である。一例においては、間隔ｄ1は、間隔ｄ2、即ち基板１２の端縁での間隔を下回る。更に別の実施形態では、間隔ｄ1は基板１２のどの所望の部位でも決めることができる。基板１２の形状は、複数の流体チャンバ６８内の加圧／真空を制御することによって変えることが可能である。より具体的には、基板１２の一部分９８と重なる流体チャンバ６８がチャックされない／湾曲状態にあり、それによって基板１２の一部分９８はモールド２０側に且つ基板チャック１４から離れて湾曲する。更に、チャックされない／湾曲状態の基板１２の一部分９８と重なる流体チャンバ６８と同時に、基板１２の一部分９９と重なる残余の流体チャンバ６８はチャックされた状態にあり、基板１２は基板チャック１４に保持される。 Referring to FIGS. 5, 6, 8, and 9, in step 102, the shape of the substrate 12 is such that the distance d 1 between the mold 20 and the substrate 12 in the central portion of the substrate 12 is between the mold 20 and the substrate 12. It is possible to change the distance so as to be smaller than the interval in the remaining portion of the substrate 12. In one example, the spacing d 1 is less than the spacing d 2 , ie, the spacing at the edge of the substrate 12. In yet another embodiment, the spacing d 1 can be determined at any desired location on the substrate 12. The shape of the substrate 12 can be changed by controlling the pressurization / vacuum within the plurality of fluid chambers 68. More specifically, the fluid chamber 68 that overlaps the portion 98 of the substrate 12 is unchucked / curved so that the portion 98 of the substrate 12 curves toward the mold 20 and away from the substrate chuck 14. Further, at the same time as the fluid chamber 68 that overlaps the portion 98 of the unchucked / curved substrate 12, the remaining fluid chamber 68 that overlaps the portion 99 of the substrate 12 is in a chucked state, and the substrate 12 is held by the substrate chuck 14. The

図７、１０、１１を参照すると、ステップ１０４で、図１に関して前述した通り、図１に示したインプリント・ヘッド３０とステージ１６の一方、或いは双方を、図９に示した間隔ｄ1をモールド２０の一部分が小滴３６の一部分に接するように変えることが可能である。図示の通り、モールド２０の中央部分は、モールド２０の残余部分が小滴３６中の残余の小滴に接するより先に、小滴３６の一部分に接する。しかし、別の実施形態では、モールド２０の任意の部分がモールド２０の残余部分より先に小滴３６に接触する。そのため、図示の通り、モールド２０は図２に示した縦列ｃ3に関係する全ての小滴３６にほぼ同時に接する。それによって、小滴３６は広がり、高分子材料３４による一続きの液体シート１２０を生成する。液体シート１２０の端縁１２２ａ、１２２ｂは、ボリューム９６のガスを端縁１２８ａ、１２８ｂ、１２８ｃ、１２８ｄ側に押し出すように作用する液−ガス境界１２４ａ、１２４ｂをそれぞれ形成する。縦列ｃ1〜ｃ5の小滴３６間のボリューム９６はガス流路を形成し、同流路によってガスは端縁１２８ａ、１２８ｂ、１２８ｃ、１２８ｄ側に押し進められる。その結果、液−ガス境界１２４ａ、１２４ｂは、ガス流路と共に液体シート１２０のガスのトラッピングを防止しないまでも低減させる。 Referring to FIG. 7, 10, 11, at step 104, as described above with respect to FIG. 1, one of the imprint head 30 and the stage 16 shown in FIG. 1, or both, the distance d 1 as shown in FIG. 9 It is possible to change so that a part of the mold 20 contacts a part of the droplet 36. As shown, the central portion of the mold 20 contacts a portion of the droplet 36 before the remaining portion of the mold 20 contacts the remaining droplet in the droplet 36. However, in another embodiment, any portion of the mold 20 contacts the droplet 36 prior to the remainder of the mold 20. Therefore, as shown, the mold 20 contacts almost all the droplets 36 related to the column c 3 shown in FIG. 2 almost simultaneously. Thereby, the droplets 36 spread and produce a continuous liquid sheet 120 with the polymeric material 34. The edges 122a, 122b of the liquid sheet 120 form liquid-gas boundaries 124a, 124b, respectively, which act to push the gas in the volume 96 toward the edges 128a, 128b, 128c, 128d. The volume 96 between the droplets 36 in the columns c 1 to c 5 forms a gas flow path, and the gas is pushed toward the edges 128a, 128b, 128c, and 128d by the flow path. As a result, the liquid-gas boundaries 124a and 124b are reduced together with the gas flow path even if the gas trapping of the liquid sheet 120 is not prevented.

図４から６及び図８を参照すると、ステップ１０６で、図１に関して前述したように、モールド２０と基板１２の間に形成された所望のボリュームが高分子材料３４によって満たされるように、間隔ｄ1を更に狭めて基板１２の形状を更に変える。より具体的には、基板１２の形状は、間隔ｄ1をインプリント・ヘッド３０か、ステージ１６、又は双方を介して更に狭めるとともに、流体チャンバ６８を介して変えることが可能である。更に具体的には、前述の通り、図９に示す基板１２の一部分９８と重なる流体チャンバ６８の第１及び第２チャンバ８６、８８内の圧力の大きさを変えることが可能である。そのため、図９に示す間隔ｄ1が狭まると、図９に示す基板１２の一部分９８と重なる流体チャンバ６８の第１及び第２チャンバ８６、８８内の圧力の大きさが減少される。図９に示す間隔ｄ1が狭まり、図９に示す基板１２の一部分９８と重なる流体チャンバ６８の第１及び第２チャンバ８６、８８内の前述圧力が下がった結果、図２に示す縦列ｃ2とｃ4の小滴３６に関係する高分子材料３４が広がり、図１２に示すように一続きの流体シート１２０に含まれるようになる。図９に示す間隔ｄ1は、図９に示す基板１２の一部分９８と重なる流体チャンバ６８の第１及び第２チャンバ８６、８８内の圧力の大きさの減少とともに更に狭まり、それによって、モールド２０が次いで縦列ｃ1とｃ5に関係する小滴３６と接触し、これと関係する高分子材料３４が広がり、図１３に示すように一続きのシート１２０に含まれるようになる。更に別の実施形態では、基板１２の一部分９８と重なる流体チャンバ６８の第１及び第２チャンバ８６、８８内の圧力を減少させることによって、図１４に示すように、基板１２の一部分９８を基板チャック１４上に位置付けさせる。更に別の実施形態においては、基板１２の一部分９８と重なる流体チャンバ６８の第１及び第２チャンバ８６、８８は、小滴３６の広がりに続いて内部を真空とされる。 Referring to FIGS. 4-6 and FIG. 8, in step 106, the spacing d is set such that the desired volume formed between the mold 20 and the substrate 12 is filled with the polymeric material 34, as described above with respect to FIG. 1 is further narrowed to further change the shape of the substrate 12. More specifically, the shape of the substrate 12 can be varied through the fluid chamber 68 while further reducing the spacing d 1 through the imprint head 30, the stage 16, or both. More specifically, as described above, the magnitude of the pressure in the first and second chambers 86 and 88 of the fluid chamber 68 overlapping the portion 98 of the substrate 12 shown in FIG. 9 can be changed. Therefore, when the distance d 1 shown in FIG. 9 is narrowed, the magnitude of the pressure in the first and second chambers 86 and 88 of the fluid chamber 68 overlapping the portion 98 of the substrate 12 shown in FIG. 9 is reduced. As a result of the decrease in the distance d 1 shown in FIG. 9 and the aforementioned pressure in the first and second chambers 86 and 88 of the fluid chamber 68 overlapping the portion 98 of the substrate 12 shown in FIG. 9, the column c 2 shown in FIG. And the polymeric material 34 associated with the c 4 droplets 36 spread and become contained in a continuous fluid sheet 120 as shown in FIG. The spacing d 1 shown in FIG. 9 further narrows with decreasing pressure magnitude in the first and second chambers 86, 88 of the fluid chamber 68 that overlaps the portion 98 of the substrate 12 shown in FIG. Will then contact the droplets 36 associated with columns c 1 and c 5 , and the associated polymeric material 34 will spread and become contained in a series of sheets 120 as shown in FIG. In yet another embodiment, by reducing the pressure in the first and second chambers 86, 88 of the fluid chamber 68 that overlaps the portion 98 of the substrate 12, as shown in FIG. Position on chuck 14. In yet another embodiment, the first and second chambers 86, 88 of the fluid chamber 68 that overlap the portion 98 of the substrate 12 are evacuated internally following the spread of the droplets 36.

図８、１３を参照すると分かるように、境界１２４ａ、１２４ｂがそれぞれ端縁１２８ｃ、１２８ａ側に移動したため、図１１に示す残余のボリューム９６のガスが両端縁に達する経路に妨げが無くなる。これによって、図１１に示すボリューム９６のガスは、モールド２０と基板１２の間から端縁１２８ａ、１２８ｂ、１２８ｃ、１２８ｄに向かって追い出される。このようにして、基板１２とモールド２０の間及び図３に示すパターン化層４８内のガス及び／又はガス・ポケットのタッピングは、防止されないまでも最小限に留められる。   As can be seen with reference to FIGS. 8 and 13, since the boundaries 124a and 124b have moved to the end edges 128c and 128a, respectively, the path of the remaining volume 96 gas shown in FIG. As a result, the gas in the volume 96 shown in FIG. 11 is expelled from between the mold 20 and the substrate 12 toward the end edges 128a, 128b, 128c, and 128d. In this way, tapping of gases and / or gas pockets between the substrate 12 and the mold 20 and in the patterned layer 48 shown in FIG. 3 is minimized if not prevented.

図１、８を参照すると、ステップ１０８で、図１に関して前述した通り、高分子材料３４は次いで凝固及び／又は架橋し、図３に示すパターン化層４８が形成される。次いでステップ１１０で、モールド２０がパターン化層４８から分離される。   Referring to FIGS. 1 and 8, at step 108, the polymeric material 34 is then solidified and / or crosslinked, as described above with respect to FIG. 1, to form the patterned layer 48 shown in FIG. Next, at step 110, the mold 20 is separated from the patterned layer 48.

図１、８、１５を参照すると、前述の通り、基板１２の形状は第１の方向沿いに変えられる。しかし、更に別の実施形態では、基板１２の形状は第１及び、第１方向に対し直交して延びている第２方向に同時に変えられてもよい。より具体的には、図１０に関して前述したように、基板１２の中央部分がモールド２０に接し、且つしたがって、小滴３６の中央部分が小滴３６の残余の小滴がモールド２０に接するより先にモールド２０に接するように基板１２を変える。それによって、小滴３６が広がり且つ高分子材料３４の一続きの液体シート１２０を生成し、ボリューム９６のガスを外向き半径方向に押し出す作用をする一続きの液体−ガス境界１２４が形成される。一例においては、液体シート１２０の液体−ガス境界１２４が円形又は円に近い形で拡張し、ボリューム９６のガスを端縁１２８ａ、１２８ｂ、１２８ｃ、１２８ｄ側に外向き半径方向に押し出す作用をする。しかし、更に別の実施形態では、基板１２の形状は任意の方向に変えて、ボリューム９６のガスを端縁１２８ａ、１２８ｂ、１２８ｃ、１２８ｄ側に外向き半径方向に押し出し易くするように、所望の半球形状、円筒状ほか任意の幾何学形状の液体シート１２０を生成し、それによって図３に示す基板１２及びモールド２０とパターン化層４８の間のガス及び／又はガス・ポケットのトラッピングを防止しないまでも最小にすることが可能である。更に別の実施形態では、第１及び第２チャンバ８６、８８の一部の横列又は縦列をそれぞれ加圧／真空が生じない状態とする。   Referring to FIGS. 1, 8 and 15, as described above, the shape of the substrate 12 is changed along the first direction. However, in yet another embodiment, the shape of the substrate 12 may be changed simultaneously in the first and second directions extending perpendicular to the first direction. More specifically, as described above with respect to FIG. 10, the central portion of the substrate 12 contacts the mold 20, and therefore, the central portion of the droplet 36 precedes the remaining droplet of the droplet 36 contacts the mold 20. The substrate 12 is changed so as to contact the mold 20. Thereby, a series of liquid-gas boundaries 124 are formed which serve to spread the droplets 36 and produce a continuous liquid sheet 120 of polymeric material 34 to push the gas of volume 96 outward radially. . In one example, the liquid-gas boundary 124 of the liquid sheet 120 expands in a circular or near-circular shape, and acts to push the gas in the volume 96 outward radially toward the edges 128a, 128b, 128c, 128d. However, in yet another embodiment, the shape of the substrate 12 can be changed in any direction to facilitate pushing the gas in the volume 96 outward radially toward the edges 128a, 128b, 128c, 128d. Produces a liquid sheet 120 of hemispherical, cylindrical, or any other geometric shape, thereby preventing trapping of gas and / or gas pockets between the substrate 12 and mold 20 and the patterned layer 48 shown in FIG. Can be minimized. In yet another embodiment, some rows or columns of the first and second chambers 86, 88 are not subjected to pressure / vacuum, respectively.

図１６を参照すると、更に別の実施形態においては、基板チャック１４を更に使用してモールド２０と基板１２上に置かれたパターン化層４８との間の分離を容易にする。より具体的には、モールド２０のパターン化層４８からの分離は分離力Ｆsをテンプレート１８とモールド２０に掛けることによって達成される。分離力Ｆsは、モールド２０とパターン化層４８の間の密着力と歪み（変形）に対する基板１２の抵抗を克服するのに充分な大きさとされる。基板１２の一部分の変形はモールド２０のパターン化層４８からの分離を促進すると考えられる。そのため、モールド２０のパターン化層４８からの分離を達成するための分離力Ｆsの大きさを最小にすることが望まれる。分離力Ｆsの大きさを最小にすることによって、特に、モールド２０と基板１２の間の整合が促進され、テンプレート全面域に対するテンプレート・パターン化面域の比率が増大し、テンプレート１８、モールド２０、基板１２、パターン化層４８の構造を損傷する可能性を最小にする。 Referring to FIG. 16, in yet another embodiment, the substrate chuck 14 is further used to facilitate separation between the mold 20 and the patterned layer 48 placed on the substrate 12. More specifically, separation of the mold 20 from the patterned layer 48 is accomplished by applying a separation force F s to the template 18 and the mold 20. The separation force F s is made large enough to overcome the adhesion force between the mold 20 and the patterned layer 48 and the resistance of the substrate 12 to distortion (deformation). It is believed that deformation of a portion of the substrate 12 facilitates separation of the mold 20 from the patterned layer 48. Therefore, it is desirable to minimize the magnitude of the separation force F s to achieve separation of the mold 20 from the patterned layer 48. By minimizing the magnitude of the separation force F s , in particular, the alignment between the mold 20 and the substrate 12 is promoted, the ratio of the template patterning area to the entire template area is increased, and the template 18, mold 20 is increased. Minimize the possibility of damaging the structure of the substrate 12, patterned layer 48.

そのため、前述のように、流体チャンバ６８内の圧力の大きさを変えることが可能である。そのため、モールド２０をパターン化層４８から分離中に、基板１２の一部分１３と重なる流体チャンバ６８をチャックされない／湾曲状態とする。その結果、基板１２の一部分１３と重なる流体チャンバ６８は、チャック力Ｆc、図７に示す力Ｆ1、Ｆ2を分離力Ｆsの方向とほぼ同じ方向に加える。その結果、モールド２０をパターン化層４８から分離するために必要な分離力Ｆsの大きさが減少する。より具体的には、基板１２の一部分１３と重なるチャック力Ｆcの大きさが基板１２の一部分１３の歪み（変形）を促すように分離力Ｆsに応じて定められる。基板１２の一部分１３と重なるチャック力Ｆcの大きさは、分離力Ｆsを受けたときに基板１２の一部分１３以外の部分が基板チャック１４上に保持される所望の値としてよいことに留意されたい。 Therefore, as described above, the magnitude of the pressure in the fluid chamber 68 can be changed. Therefore, while separating the mold 20 from the patterned layer 48, the fluid chamber 68 that overlaps the portion 13 of the substrate 12 is left unchucked / curved. As a result, the fluid chamber 68 that overlaps the portion 13 of the substrate 12 applies the chucking force F c and the forces F 1 and F 2 shown in FIG. 7 in substantially the same direction as the direction of the separating force F s . As a result, the magnitude of the separation force F s required to separate the mold 20 from the patterned layer 48 is reduced. More specifically, the magnitude of the chucking force F c that overlaps the portion 13 of the substrate 12 is determined according to the separation force F s so as to promote distortion (deformation) of the portion 13 of the substrate 12. Note that the magnitude of the chucking force F c that overlaps the portion 13 of the substrate 12 may be a desired value at which portions other than the portion 13 of the substrate 12 are held on the substrate chuck 14 when subjected to the separation force F s. I want to be.

図１を参照すると、更に別の実施形態では、基板チャック１４を介して基板１２を曲げる前述の方法は、テンプレート１８／モールド２０にも同様に適用可能である。より具体的には、テンプレート１８／モールド２０を基板チャック１４上に置き、基板１２に対して、上述したのと実質的に同じ方法で、テンプレート１８／モールド２０を曲げることが可能である。そのため、曲がりやすくするためテンプレート１８／モールド２０の厚さを１ｍｍとする。更に別の実施形態においては、基板チャック１４に代え、或いはこれと共に複数のアクチュエータを使用して基板１２を変えることも可能である。   Referring to FIG. 1, in yet another embodiment, the aforementioned method of bending the substrate 12 via the substrate chuck 14 is equally applicable to the template 18 / mold 20. More specifically, the template 18 / mold 20 can be placed on the substrate chuck 14 and the template 18 / mold 20 can be bent relative to the substrate 12 in substantially the same manner as described above. Therefore, the thickness of the template 18 / mold 20 is set to 1 mm in order to facilitate bending. In yet another embodiment, a plurality of actuators may be used to change the substrate 12 instead of or in conjunction with the substrate chuck 14.

以上に説明した本発明の実施形態は例として示したものである。以上に詳述した開示に対して多くの変形及び変更が実施されるが、同時にそれらは本発明の範囲内に属する。したがって、本発明の範囲は以上の記述によって制限されるべきではなく、添付の特許請求の範囲を参照するとてその均等物一切と共に判断されるべきである。   The embodiment of the present invention described above is shown as an example. Many variations and modifications may be made to the disclosure detailed above, but at the same time they fall within the scope of the invention. Accordingly, the scope of the invention should not be limited by the foregoing description, but should be determined with reference to the appended claims, along with all of their equivalents.

基板から離隔されたモールド、基板チャック上に置かれた基板を有するリソグラフィック・システムの簡略化された側面図である。1 is a simplified side view of a lithographic system having a mold spaced from a substrate, a substrate placed on a substrate chuck; FIG. 図１に示す基板の一区域に置かれたインプリント材料の小滴のアレイを示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an array of droplets of imprint material placed on an area of the substrate shown in FIG. パターン化層が載置された、図１に示す基板の簡略化された側面図である。FIG. 2 is a simplified side view of the substrate shown in FIG. 1 with a patterned layer placed thereon. 図１に示す基板チャックの側面図である。FIG. 2 is a side view of the substrate chuck shown in FIG. 1. 図１に示す基板チャックの平面図で、基板チャックの複数の流体チャンバと流体連通する複数縦列のポンプ・システムを示す図である。FIG. 2 is a plan view of the substrate chuck shown in FIG. 1 showing a plurality of tandem pump systems in fluid communication with a plurality of fluid chambers of the substrate chuck. 図１に示す基板チャックの平面図で、基板チャックの複数の流体チャンバと流体連通する複数横列のポンプ・システムを示す図である。FIG. 2 is a plan view of the substrate chuck shown in FIG. 1 showing multiple rows of pump systems in fluid communication with multiple fluid chambers of the substrate chuck. 図１に示す基板チャックと基板の一部分の分解図である。FIG. 2 is an exploded view of a portion of the substrate chuck and substrate shown in FIG. 1. 図１に示す基板の一区域のパターン形成方法を示す流れ図である。It is a flowchart which shows the pattern formation method of the area of the board | substrate shown in FIG. 基板の形状が変えられた、図１に示すモールド及び基板の側面図である。FIG. 2 is a side view of the mold and the substrate shown in FIG. 1 in which the shape of the substrate is changed. 図９に示すモールド及び基板の側面図で、モールドが図２に示すインプリント材料の小滴の一部に接している様を示す図である。FIG. 10 is a side view of the mold and the substrate shown in FIG. 9 and shows that the mold is in contact with a part of a droplet of the imprint material shown in FIG. 図９に示す形状を変えた基板を使用中の、図２に示す小滴の圧縮を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing the compression of the droplets shown in FIG. 2 while using the substrate having the changed shape shown in FIG. 9. 図１０に示すモールド及び基板の側面図で、基板が基板チャック上に置かれた様を示す図である。FIG. 11 is a side view of the mold and the substrate shown in FIG. 10 and shows a state where the substrate is placed on a substrate chuck. 更に別の実施形態において、図１０に示す形状を変えた基板を使用中の、図２に示す小滴の圧縮を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing the compression of the droplet shown in FIG. 2 while using the substrate having the changed shape shown in FIG. 10 in yet another embodiment. 図１に示すモールド及び基板の側面図で、モールドが部分的に基板から分離された様を示す図である。FIG. 2 is a side view of the mold and the substrate shown in FIG. 1, showing that the mold is partially separated from the substrate.

Claims (19)

ある基板の第１部分を保持すると同時に前記基板の第２部分を湾曲させるためのチャック・システムであって、
第１および第２の上下に対向するサイドを有するチャック本体と、
複数の流体チャンバと流体連通している圧力制御システムと、
を備え、
前記第１のサイドは、縦列と横列に配置された前記流体チャンバの配列を有し、前記流体チャンバの配列は、前記基板の第１部分に重なる第１の流体チャンバと、前記基板の第２部分と重なる第２の流体チャンバより構成され、
それぞれの流体チャンバは、間隔をおいて配置される第１と第２の支持区域を定めるための、間隔を置いて配置された第１と第２の凹溝を有し、前記第１の支持区域は前記第２の支持区域と前記第１と第２の凹溝を取り囲み、前記第２の支持区域は前記第２の凹溝を取り囲み、前記基板は前記第１と第２の支持区域に支えられ、これらの構成により、前記第１の凹溝とそれに重なる前記基板の一部分が第１のチャンバを決定し、第２の凹溝とそれに重なる前記基板の一部分が第２のチャンバを決定し、それぞれの前記第１のチャンバと、それぞれの前記第２のチャンバは、異なる流体源に流体連通して前記流体チャンバの配列における流体の流れを制御し、前記第１の流体チャンバの前記第１のチャンバは真空状態にあり、前記第１の流体チャンバの前記第２のチャンバおよび前記第２の流体チャンバの前記第１と第２のチャンバは加圧状態にあることを特徴とするシステム。A chuck system for holding a first portion of a substrate and simultaneously curving the second portion of the substrate,
A chuck body having first and second vertically opposed sides;
A pressure control system in fluid communication with the plurality of fluid chambers;
With
Said first side has the sequence of said fluid chambers arranged in columns and rows, the sequence of the fluid chamber, a first fluid chamber overlapping the first portion of the substrate, the second of said substrate A second fluid chamber overlapping the portion ,
Each fluid chamber has first and second recessed grooves spaced apart to define spaced first and second support areas, the first support An area surrounds the second support area and the first and second grooves, the second support area surrounds the second groove, and the substrate is in the first and second support areas. underpinned is, by these configurations, the portion of the first groove and the substrate overlapping it determines a first chamber, a portion of the second groove and the substrate overlapping it determines the second chamber and the each of the first chamber, each of said second chambers is different to a fluid source in fluid communication to control the flow of fluid in the array of the fluid chamber, said first fluid chamber first 1 chamber is in a vacuum state and the first fluid channel is System wherein the second chamber and the first and second chamber of the second fluid chambers of the Nba is characterized in that in a pressurized state. 前記流体チャンバの縦列にあるそれぞれの第１のチャンバは共通の流体源と流体連通していることを特徴とする請求項１記載のチャック・システム。The chuck system of claim 1, wherein each first chamber in the fluid chamber tandem is in fluid communication with a common fluid source . 前記流体チャンバの横列にあるそれぞれの第２のチャンバは共通の流体源と流体連通していることを特徴とする請求項１記載のチャック・システム。The chuck system of claim 1, wherein each second chamber in a row of the fluid chambers is in fluid communication with a common fluid source . 前記流体チャンバの縦列にあるそれぞれの第１のチャンバは第１の共通の流体源と流体連通し、前記流体チャンバの横列にあるそれぞれの第２のチャンバは前記第１の共通の流体源とは異なる第２の共通の流体源と流体連通していることを特徴とする請求項１記載のチャック・システム。Each first chamber in the column of fluid chambers is in fluid communication with a first common fluid source, and each second chamber in a row of the fluid chambers is with the first common fluid source. The chuck system of claim 1, wherein the chuck system is in fluid communication with different second common fluid sources . 前記流体チャンバの配列における各流体チャンバは、互いに分離して封止されることを特徴とする請求項１記載のチャック・システム
。The chuck system of claim 1, wherein each fluid chamber in the array of fluid chambers is sealed separately from each other . 複数の通路を備え、前記第１のチャンバの各縦列と前記第２のチャンバの各横列は異なる通路に結合され、前記第１と第２のチャンバは前記異なる流体源に流体連通するように配置されることを特徴とする請求項１記載のチャック・システム。A plurality of passages, wherein each column of the first chamber and each row of the second chamber are coupled to different passages, and the first and second chambers are disposed in fluid communication with the different fluid sources; The chuck system of claim 1, wherein: ある基板の第１部分を保持すると同時に前記基板の第２部分を湾曲するためのチャック・システムであって、
第１および第２の上下に対向するサイドを有するチャック本体と、
複数の流体チャンバと流体連通している圧力制御システムと、
を備え、
前記第１のサイドは、縦列と横列に配置された前記流体チャンバの配列を有し、前記流体チャンバの配列は、前記基板の第１部分に重なる第１の流体チャンバと、前記基板の第２部分と重なる第２の流体チャンバより構成され、
それぞれの流体チャンバは、間隔をおいて配置される第１と第２の支持区域を定めるための、間隔を置いて配置された第１と第２の凹溝を有し、前記第１の支持区域は前記第２の支持区域と前記第１と第２の凹溝を取り囲み、前記第２の支持区域は前記第２の凹溝を取り囲み、前記基板は前記第１および第２の支持区域に支えられ、これらの構成により、前記第１の凹溝とそれに重なる前記基板の一部分が第１のチャンバを決定し、第２の凹溝とそれに重なる前記基板の一部分が第２のチャンバを決定し、
前記圧力制御システムは、前記第１の流体チャンバと前記第２の流体チャンバの前記第１と第２のチャンバのそれぞれに流体連通することで、前記第１の流体チャンバの前記第１と第２のチャンバは正の圧力を有し、前記第２の流体チャンバの前記第１と第２のチャンバが負の圧力を有するように前記第１および第２のチャンバ内の圧力を制御し、前記第１の流体チャンバが重なる前記基板の一部に対して負の力を掛けられるように前記第１及び第２の凹溝の間の面積の比率は決定されており、前記第１の流体チャンバの前記第１と第２のチャンバ内には正の圧力、および前記第２の流体チャンバの前記第１と第２のチャンバ内には負の圧力が与えられることを特徴とするチャック・システム。A chuck system for holding a first portion of a substrate and simultaneously bending the second portion of the substrate,
A chuck body having first and second vertically opposed sides;
A pressure control system in fluid communication with the plurality of fluid chambers;
With
The first side has an array of fluid chambers arranged in columns and rows, the array of fluid chambers comprising: a first fluid chamber overlying a first portion of the substrate; and a second of the substrate. A second fluid chamber overlapping the portion,
Each fluid chamber has first and second recessed grooves spaced apart to define spaced first and second support areas, the first support An area surrounds the second support area and the first and second concave grooves, the second support area surrounds the second concave groove, and the substrate is in the first and second support areas. With these configurations, the first groove and the portion of the substrate overlapping it determine the first chamber, and the second groove and the portion of the substrate overlapping it determine the second chamber. ,
The pressure control system is in fluid communication with each of the first and second chambers of the first fluid chamber and the second fluid chamber, whereby the first and second of the first fluid chamber. Control the pressure in the first and second chambers such that the first and second chambers of the second fluid chamber have a negative pressure, and the first fluid chamber has a positive pressure, the ratio of the area between the first and second grooves on so that hanging a negative force to a portion 1 of the fluid chamber of Naru heavy the substrate is determined, said first fluid A chuck system wherein a positive pressure is provided in the first and second chambers of the chamber and a negative pressure is provided in the first and second chambers of the second fluid chamber. . 前記第１の流体チャンバの前記第１および第２チャンバのそれぞれを、前記圧力制御システムと流体連通させるための第１および第２通路をさらに含むことを特徴とする請求項７記載のチャック・システム。  8. The chuck system of claim 7, further comprising first and second passages for fluidly communicating each of the first and second chambers of the first fluid chamber with the pressure control system. . 前記圧力制御システムは複数の流体源を備え、前記第１チャンバの各縦列及び前記第２チャンバの各横列は、前記複数の流体源の中の異なる流体源と流体連通することによって前記流体チャンバの配列における流体の流れを制御することを特徴とする前記請求項７記載のチャック・システム。The pressure control system includes a plurality of fluid sources, each row of each column and the second chamber of the first chamber, the fluid chamber by a fluid source in fluid communication with different medium of the plurality of fluid sources 8. The chuck system of claim 7, wherein the chuck system controls fluid flow in the array . 前記流体チャンバの縦列のそれぞれの第１チャンバは、共通の流体源と流体連通することを特徴とする請求項９記載のチャック・システム。The chuck system of claim 9, wherein each first chamber of the fluid chamber column is in fluid communication with a common fluid source . 前記流体チャンバの横列のそれぞれの第２チャンバは、共通の流体源と流体連通することを特徴とする請求項９記載のチャック・システム。The chuck system of claim 9, wherein each second chamber in the row of fluid chambers is in fluid communication with a common fluid source . 前記流体チャンバの縦列にある各第１チャンバは第１の共通の流体源と流体連通し、前記流体チャンバの横列にある各第２チャンバは前記第１の共通流体源と異なる第２の共通の流体源と流体連通することを特徴とする請求項９記載のチャック・システム。Each first chamber in the column of fluid chambers is in fluid communication with a first common fluid source, and each second chamber in a row of the fluid chambers is in a second common different from the first common fluid source . The chuck system of claim 9 , wherein the chuck system is in fluid communication with a fluid source . 前記流体チャンバの配列における各流体チャンバは、互いに分離して封止されることを特徴とする請求項９に記載のチャック・システム。The chuck system of claim 9 , wherein each fluid chamber in the fluid chamber arrangement is sealed separately from each other . 複数の通路をさらに有し、前記第１チャンバの各縦列および前記第２チャンバの各横列は異なる通路に接続され、前記第１及び第２チャンバは前記異なる流体源と流体連通するように配置されることを特徴とする請求項９に記載のチャック・システム。Further comprising a plurality of passages, each row of each column and the second chamber of the first chamber is connected to a different channel, the first and second chambers are placed in fluid communication with said different fluid source The chuck system according to claim 9 . ある基板の第１部分を保持すると同時に前記基板の第２部分を湾曲するためのチャック・システムであって、
第１および第２の上下に対向するサイドを有するチャック本体と、
複数の流体源を有する圧力制御システムと、
を備え、
前記第１のサイドは、横列および縦列に配置された前記流体チャンバの配列を有し、前記流体チャンバの配列は、第１の流体チャンバと第２の流体チャンバより構成され、
前記第１及び第２の流体チャンバのそれぞれは、間隔をおいて配置される第１と第２の支持区域を定めるための、間隔を置いて配置された第１と第２の凹溝を有し、前記第１の支持区域は前記第２の支持区域と前記第１と第２の凹溝を取り囲み、前記第２の支持区域は前記第２の凹溝を取り囲み、前記基板は前記第１および第２の支持区域に支えられ、これらの構成により、前記第１の凹溝とそれに重なる前記基板の一部分が第１のチャンバを決定し、第２の凹溝とそれに重なる前記基板の一部分が第２のチャンバを決定し、
前記圧力制御システムは、前記複数の流体源のうち、互いに異なる流体源と流体連通する前記第１チャンバの各縦列と前記第２チャンバの各横列を備え、これらの構成により、前記第１の流体チャンバの前記第１および第２チャンバが正の圧力を有し、前記第２の流体チャンバの前記第１および第２チャンバが負の圧力を有するように前記第１および第２チャンバ内の圧力を制御し、前記第１の流体チャンバが重なる前記基板の一部に対して負の力を掛けられるように前記第１及び第２の凹溝の間の面積の比率は決定されており、前記第１の流体チャンバの前記第１と第２のチャンバ内には正の圧力、および前記第２の流体チャンバの前記第１と第２のチャンバ内には負の圧力が与えられることを特徴とするチャック・システム。A chuck system for holding a first portion of a substrate and simultaneously bending the second portion of the substrate,
A chuck body having first and second vertically opposed sides;
A pressure control system having a plurality of fluid sources ;
With
It said first side has the sequence of said fluid chambers arranged in rows and columns, the array of fluid chambers is constructed from the first fluid chamber and a second fluid chamber,
Each of the first and second fluid chambers has spaced first and second recessed grooves to define spaced first and second support areas. The first support area surrounds the second support area and the first and second grooves, the second support area surrounds the second groove, and the substrate is the first groove. Supported by the second support area, and with these configurations, the first groove and a portion of the substrate overlapping it define a first chamber, and the second groove and the portion of the substrate overlapping it are Determine a second chamber;
Said pressure control system, the plurality of fluid sources, comprising a respective row of each column and the second chamber of the first chamber to different fluid sources in fluid communication with each other, these configurations, the first fluid The pressure in the first and second chambers such that the first and second chambers of the chamber have a positive pressure and the first and second chambers of the second fluid chamber have a negative pressure. controlling the ratio of the area between the first of said first and second grooves on so that hanging a negative force to a portion of the substrate fluid chamber Naru heavy has been determined, A positive pressure is applied in the first and second chambers of the first fluid chamber, and a negative pressure is applied in the first and second chambers of the second fluid chamber. Chuck system. 前記流体チャンバの縦列にあるそれぞれの第１のチャンバは共通の流体源と流体連通していることを特徴とする請求項１５記載のチャック・システム。 16. The chuck system of claim 15, wherein each first chamber in the fluid chamber tandem is in fluid communication with a common fluid source . 前記流体チャンバの横列にあるそれぞれの第２のチャンバは共通の流体源と流体連通することを特徴とする請求項１５記載のチャック・システム。The chuck system of claim 15, wherein each second chamber in a row of the fluid chambers is in fluid communication with a common fluid source . 前記流体チャンバの縦列にあるそれぞれの第１のチャンバは第１の共通流体源と流体連通し、前記流体チャンバの横列にあるそれぞれの第２のチャンバは前記第１の共通流体源とは異なる第２の共通流体源を流体連通することを特徴とする請求項１５記載のチャック・システム。Each first chamber in the column of fluid chambers is in fluid communication with a first common fluid source, and each second chamber in a row of the fluid chambers is different from the first common fluid source . The chuck system of claim 15, wherein the two common fluid sources are in fluid communication. 複数の通路をさらに有し、前記第１チャンバの各縦列および前記第２チャンバの各横列は異なる通路に接続され、前記第１及び第２チャンバは前記異なる流体源と流体連通するように配置されることを特徴とする請求項１５に記載のチャック・システム。A plurality of passages, wherein each column of the first chambers and each row of the second chambers are connected to different passages, and the first and second chambers are arranged in fluid communication with the different fluid sources. The chuck system according to claim 15 .
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