JP4654912B2 - エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Description
【0001】
本発明は、離型性、連続成形性に優れた特性を有するエポキシ樹脂組成物及びそれを用いた耐半田性に優れた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
近年、電子機器の高度化、軽薄短小化が求められる中、半導体素子の高集積化、表面実装化が進んでいる。これに伴い、半導体封止用エポキシ樹脂組成物への要求は益々厳しくなっているのが現状である。特に半導体装置の薄型化に際しては、金型とエポキシ樹脂組成物の硬化物との間の離型性不足に伴う応力の発生により、半導体装置内部の半導体素子自体にクラックを生じたり、硬化物と半導体素子との界面における密着性が低下したりするといった問題が生じている。また、環境問題に端を発した有鉛半田から無鉛半田への移行にともない、半田処理時の温度が従来よりも高くなってきており、半導体装置中の水分の気化による内部応力の発生および耐半田性の低下の問題が顕著になっている。
【0003】
従来、耐半田性を向上させる目的で、エポキシ樹脂又はフェノール樹脂として、主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル型の樹脂を用いることが提案されている(特許文献1)。こうした樹脂は、その骨格中に疎水性の構造を多く含むことから、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は吸湿率が低く、また架橋密度が低いためガラス転移温度以上の高温域での弾性率が小さくなる傾向がある。このため、このエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置は、半田処理時における水分の気化による爆発的な応力を低減でき、また熱時に低弾性率であることから半田処理時に発生する熱応力が小さくなり、結果として良好な耐半田性が得られる。 しかし、後述する一般式(1a)や式(1b)で示される骨格を有する樹脂は、疎水部を多く含むためにリードフレーム等の金属系部材との密着力に劣り、且つ低い官能基密度に起因する硬化性不足による離型性不足から成形離型時において半導体装置に不要な応力がかかるため、更に金属系部材との密着力を低下させる。
【0004】
離型性向上のためにカルナバワックス等の離型剤を添加することも考えられるが、このようにしても十分な離型性が得ることは難しく、かえって金属系部材との密着力が低下し、ひいては耐半田性の低下を引き起こす結果となる。
離型性向上の他の技術として、無機充填材の高充填化が可能な低粘度型エポキシ樹脂であるビフェニル型エポキシ樹脂と離型性に優れた離型剤等を含むエポキシ樹脂組成物が提案されているが(特許文献2、3)、無機充填材の高充填化による弾性率の著しい上昇により、耐半田性の低下が生じる場合がある。
また特許文献2と同様な離型剤だが、樹脂との相溶性に優れる酸価が高い領域の離型剤を含むエポキシ樹脂組成物も提案されている(特許文献4)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】
特開平9−143345号公報
【特許文献2】
特開2003−128750号公報
【特許文献3】
特開平7−37041号公報
【特許文献4】
特開平11−152393号公報
【発明の開示】
【0006】
本発明者が種々検討した結果、エポキシ樹脂組成物の離型性向上には、エポキシ樹脂組成物中の樹脂成分と離型剤との相溶性のバランスが重要であること、即ち樹脂成分と離型剤との相溶性が過不足なく、最適領域があるとの知見を得た。たとえば特許文献3で提案されている技術では、エポキシ樹脂組成物中の樹脂成分と離型剤との相溶性があまりにも良すぎるため、十分な離型性を達成できないものと考えられる。
【0007】
本発明によれば、
(A)主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、
(B)フェノール樹脂、
(C)硬化促進剤、
(D)無機質充填材、及び
(E)滴点60〜140℃、酸価10〜100mg KOH/g、数平均分子量500〜20000、平均粒径15〜100μmの酸化ポリエチレンワックスを配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物が提供される。
【0008】
また本発明によれば、
(A)エポキシ樹脂、
(B)主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル型フェノール樹脂、
(C)硬化促進剤、
(D)無機質充填材、及び
(E)滴点60〜140℃、酸価10〜100mg KOH/g、数平均分子量500〜20000、平均粒径15〜100μmの酸化ポリエチレンワックスを配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物が提供される。このエポキシ樹脂組成物において、前記(A)エポキシ樹脂を、主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂としてもよい。
【0009】
本発明に係るエポキシ樹脂組成物において、
前記(A)エポキシ樹脂が、下記一般式(1a)
【0010】
【化1】
【0011】
(Rは、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。Xはグリシジルエーテル基である。nは1以上の数である。)
で表されるエポキシ樹脂としてもよい。
【0012】
また、本発明に係るエポキシ樹脂組成物において、(B)フェノール樹脂が、下記一般式(1b)
【0013】
【化2】
【0014】
(Rは、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。Xは水酸基である。nは1以上の数である。)
で表されるフェノール樹脂としてもよい。
【0015】
なお、上記式(1a)、(1b)において、nは平均値を指し、3以下とすることがより好ましい。
【0016】
本発明のエポキシ樹脂組成物において、(E)酸化ポリエチレンワックスの含有量は、当該エポキシ樹脂組成物全体に対して0.01〜1重量%とすることができる。
【0017】
さらに本発明によれば、上記エポキシ樹脂組成物により半導体素子が封止されている半導体装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0018】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
【図1】 離型荷重評価金型の中型にカル、ランナー、成形品が充填した状態の下面側から見た平面図である。
【図2】 図1のA部の拡大断面図である。
【図3】 本発明に係る封止樹脂を用いた半導体装置の一例について断面構造を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
本発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、以下の成分からなる。
(A)エポキシ樹脂、
(B)フェノール樹脂、
(C)硬化促進剤、
(D)無機質充填材、及び
(E)酸化ポリエチレンワックス
【0020】
エポキシ樹脂組成物全体を基準として、(A)〜(D)成分の含有量は、たとえば以下のようにすることができる。
(A):1〜40重量%、
(B):1〜40重量%、
(C):0.001〜5重量%、
(D):40〜97重量%
【0021】
本発明で用いられるフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、とりわけ一般式(1a)で示される骨格を有するエポキシ樹脂(Xはグリシジルエーテル基)は、樹脂骨格中に疎水性の構造を多く含むことから、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は吸湿率が低く、また架橋密度が低いため、ガラス転移温度以上の高温域での弾性率が小さいといった特徴を有している。これを用いたエポキシ樹脂組成物の樹脂硬化物は低い吸湿性を有し、半田処理時における水分の気化による爆発的な応力を低減できる。また高温時に低弾性率であることから半田処理時に発生する熱応力が小さくなり、優れた耐半田性を発揮する。
【0022】
本発明において、一般式(1a)で示される骨格を有するエポキシ樹脂(Xはグリシジルエーテル基)の特性が損なわれない範囲で、他のエポキシ樹脂と併用することができる。併用する場合の他のエポキシ樹脂としては、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル(フェニレン骨格を含む)型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等があり、これらは単独でも混合して用いてもよい。
【0023】
一般式(1a)で示される骨格を有するエポキシ樹脂(Xはグリシジルエーテル基)の具体例を式(2)に示すが、これらに限定されるものではない。
【0024】
【化3】
【0025】
(nは、平均値で1〜3の正数)
本発明で用いられるフェノールアラルキル型フェノール樹脂、とりわけ一般式(1b)で示される骨格を有するフェノール樹脂(Xは水酸基)は、樹脂骨格中に疎水性の構造を多く含むことから、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は吸湿率が低く、また架橋密度が低いため、ガラス転移温度以上の高温域での弾性率が小さいといった特徴を有している。これを用いたエポキシ樹脂組成物の樹脂硬化物は低吸湿率を示し、半田処理時における水分の気化による爆発的な応力を低減できる。また熱時に低弾性率であることから半田処理時に発生する熱応力が小さくなり、結果として耐半田性に優れる。
【0026】
本発明で用いられる一般式(1b)を基本骨格とするフェノール樹脂(Xは水酸基)の特性が損なわれない範囲で、他のフェノール樹脂と併用できる。併用する場合の他のフェノール樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂(フェニレン骨格を含む)、ナフトールアラルキル樹脂等があり、これらは単独でも混合して用いてもよい。一般式(1b)を基本骨格とするフェノール樹脂(Xは水酸基)の具体例を式(3)に示すが、これらに限定されるものではない。
【0027】
【化4】
【0028】
(nは、平均値で1〜3の正数)
【0001】
本発明に用いられる全エポキシ樹脂のエポキシ基と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基の当量比としては、好ましくは0.5〜2であり、特に0.7〜1.5が望ましい。こうすることにより、耐湿性、硬化性等が良好となる。
【0029】
本発明で用いられる硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応の触媒となり得るものを用い、例えばトリブチルアミン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、2−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。またこれらの硬化促進剤は単独でも混合して用いてもよい。
【0030】
本発明で用いられる無機質充填材としては、例えば溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ等が挙げられる。無機質充填材の配合量を特に多くする場合は、溶融シリカを用いるのが一般的である。溶融シリカは破砕状、球状のいずれでも使用可能であるが、溶融シリカの配合量を高め、かつエポキシ樹脂組成物の粘度の上昇を抑えるためには、球状のものを主に用いる方が好ましい。更に球状シリカの配合量を高めるためには、球状シリカの粒度分布がより広くなるように調整することが望ましい。
【0031】
本発明で用いられる酸化ポリエチレンワックスは、一般的にカルボン酸等からなる極性基と長い炭素鎖からなる非極性基を有しているため、成形時に極性基は樹脂硬化物側に配向し、逆に非極性基は金型側に配向することにより離型剤として作用する。本発明で用いられる酸化ポリエチレンワックスの滴点は、60〜140℃で、好ましくは100〜130℃である。下限値未満だと熱安定性が十分でないため、連続成形時に酸化ポリエチレンワックスの焼き付きが発生し、離型性が悪化し、連続成形性を損なう。上限値を越えるとエポキシ樹脂組成物の硬化の際、酸化ポリエチレンワックスが十分に溶融しないことにより、酸化ポリエチレンワックスの分散性が低下し、酸化ポリエチレンワックスの硬化物表面への偏析による金型汚れや樹脂硬化物外観の悪化を引き起こす。酸価は10〜100mg KOH/gで、好ましくは15〜40mg KOH/gである。酸価は樹脂硬化物との相溶性に影響し、下限値未満だと酸化ポリエチレンワックスは相分離を起こし、金型汚れや樹脂硬化物外観の悪化を引き起こす。上限値を越えるとエポキシ樹脂マトリックスとの相溶性がよすぎるため、硬化物表面に染み出すことが出来ず、十分な離型性を確保することができない。数平均分子量は500〜20000で、好ましくは1000〜15000である。数平均分子量が下限値未満だと酸化ポリエチレンワックスは樹脂マトリックスとの親和性が高まり、十分な離型性を得ることができない。上限値を越えると相分離を起こし、金型汚れや樹脂硬化物外観の悪化を引き起こす。平均粒径は15〜100μmで、好ましくは15〜50μmである。下限値未満だと酸化ポリエチレンワックスがエポキシ樹脂マトリックスとの相溶性がよすぎるため、硬化物表面に染み出すことが出来ず、十分な離型付与効果が得られない。上限値を越えると酸化ポリエチレンワックスが偏析し、金型汚れや樹脂硬化物外観の悪化を引き起こす。酸化ポリエチレンワックスの含有量はエポキシ樹脂組成物中に、0.01〜1重量%であり、好ましくは0.03〜0.50重量%である。下限値未満だと離型性不足となり、上限値を越えるとリードフレーム部材との密着性が損なわれ、半田処理時に部材との剥離が発生する。また、金型汚れや樹脂硬化物外観の悪化を引き起こす。
【0032】
本発明で用いられる酸化ポリエチレンワックスの特性を損なわない範囲で他の離型剤を併用することもできる。例えばカルナバワックス等の天然ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸の金属塩類等が挙げられる。
【0033】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、(A)〜(E)成分を必須成分とするが、これ以外に必要に応じてカップリング剤、臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム、合成ゴム等の低応力剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合してもよい。
【0034】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、(A)〜(E)成分及びその他の添加剤等をミキサー等を用いて混合後、加熱ニーダ、熱ロール、押し出し機等を用いて加熱混練し、続いて冷却、粉砕して得られる。
【0035】
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。
【0036】
図3は、本発明に係る封止樹脂を用いた半導体装置の一例について断面構造を示した図である。ダイパッド2上に、ダイボンド材硬化体を介して半導体素子101が固定されている。半導体素子101とリードフレーム104との間は金線103によって接続されている。半導体素子101は、封止樹脂105によって封止されている。この半導体装置は、封止樹脂105として上述した構成の樹脂組成物を用いトランスファー成形することにより得られる。
【実施例】
【0037】
以下、本発明を実施例で具体的に説明する。配合割合は重量部とする。実施例において、酸化ポリエチレンワックスやシリカの粒子径は平均粒径であり、数平均の値である。測定方法はレーザー回折式(島津製作所製粒度分布測定装置、SALD−7000)にしたがった。
【0038】
実施例1
式(2)のエポキシ樹脂(主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂)[日本化薬製、NC3000P、軟化点58℃、エポキシ当量273]:8.80重量部
【0039】
【化5】
【0040】
n=2.8
式(5)のフェノール樹脂(フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂[三井化学(株)製、XLC−4L、軟化点65℃、水酸基当量174]:5.40重量部
【0041】
【化6】
【0042】
n=3.3
1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、「DBU」という):0.20重量部
球状溶融シリカ(平均粒径30.0μm):85.20重量部
カーボンブラック:0.30重量部
離型剤▲1▼:酸化ポリエチレンワックス(滴点120℃、酸価20mg KOH/g、数平均分子量2000、平均粒径50μm):0.10重量部をミキサーを用いて混合した後、表面温度が95℃と25℃の2本ロールを用いて20回混練し、得られた混練物シートを冷却後粉砕して、エポキシ樹脂組成物とした。得られたエポキシ樹脂組成物の特性を以下の方法で評価した。
【0043】
なお、従来用いられている酸化ポリエチレンワックスの特性は、通常、以下のような範囲にある。
滴点:120〜125℃
酸化:15〜19mgKOH/g
数平均分子量:2000前後
平均粒径:150μm前後
【0044】
評価方法
評価金型:
▲1▼離型荷重評価金型は、上型、図1に示す中型、下型からなる。成形後中型に付着する成形品の形状は、直径14.0mm、高さ1.5mm厚である(トランスファー成形)。図1において、1は中型を示し、2はカルを示し、3はランナーを示す。4は成形品を示し、5はエアベントを示す。6は、取っ手、7はプッシュプルゲージ挿入用の穴を、それぞれ示す。
【0045】
▲2▼金型表面汚れ性・耐半田性用の金型は、100pTQFP半導体封止用金型で、パッケージサイズは14mm×14mm、1.4mm厚(トランスファー成形)。
【0046】
金型表面処理方法:前記金型をクリーニングするため、メラミン樹脂等の金型用クリーニング材、型なじみ材を成形して、金型に離型性付与処理を施した。金型温度は175℃であり、注入圧力7.3MPaである。
【0047】
離型荷重評価:▲1▼前記離型性付与処理を施した離型荷重評価金型を用いて、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間2分の成形条件でエポキシ樹脂組成物を成形し、型開き20秒以内に中型に付着した8ヶの成形品から任意に指定した4ヶを決められた順番に中型の上部の穴からプッシュプルゲージを当て、成形品を突き出すのに要する荷重を1、10、50、100ショット目の成形品で測定した。これら4つの荷重データについて平均値を算出した。単位はNである。
【0048】
連続成形性:100pTQFP半導体封止用金型に離型性付与処理を施した後に、半導体素子をマウントしていないリードフレームで、金型温度175℃、注入圧力7.3MPa、硬化時間1分の成形条件でエポキシ樹脂組成物を用いて100pTQPFを500回連続で成形した。その際の成形品表面と金型表面の汚れ具合(特に曇り・白化)の変化を評価した。成形品が離型時に金型に張り付いた場合は×、曇り・白化・油浮きが発生した場合は△、問題ない場合は○とした。
【0049】
スパイラルフロー(流動性):EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間2分で測定した。単位はcmである。
【0050】
ショアD硬度:16pSOP(20mm×6.5mm、3.3mm厚)のパッケージを175℃の金型温度、注入圧力7.3MPaで2分間トランスファー成形し、金型が開いた後10秒後の成形品の表面硬度ショアD硬度計で測定した。
【0051】
熱時密着性:トランスファー成形機を用いて175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間2分で、剪断接着力測定用の成形品(円錐の上部を切除した形状、上面の直径2.5mm、下面の直径3.0mm、高さ3.0mm)を基材(長さ30mm、幅9mm、厚さ150μm材質はCu)上に成形し、更に175℃、8時間で後硬化した。剪断荷重試験機を用いて、基材を固定し、240℃に1分保持し、その温度で成形品の下面から高さ125μmの部位に横から加重をかけ、引き剥がすまでにかかった荷重を測定した。剪断接着力の単位はN/mm2である。
【0052】
耐半田性:上記の500回連続成形を行った後、金型温度175℃、注入圧力7.3MPa、硬化時間1分の成形条件でエポキシ樹脂組成物を100pTQFP(半導体素子のサイズは8.0×8.0mm、リードフレームは42アロイ製)を成形、175℃、8時間で後硬化し、得られたパッケージを85℃、相対湿度85%で168時間放置し、その後240℃の半田槽に10秒間浸漬した。リードフレーム基材(アイランド裏面及びインナーリード先端部)とエポキシ樹脂組成物の硬化物の剥離面積を超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率((剥離面積)/(半導体素子面積)×100)を計算した。n=10。単位は%。
【0053】
実施例2〜10、比較例1〜9
表1に示す割合で各成分を配合し、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
【0054】
実施例1以外で用いた成分について、以下に示す。
式(3)のフェノール樹脂(主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル樹脂)[明和化成(株)製、MEH7851SS、軟化点67℃、水酸基当量203]
【0055】
【化7】
【0056】
n=2.5
式(4)のエポキシ樹脂(ビフェニル型エポキシ樹脂)[ジャンエポキシレジン(株)製、YX−4000H、融点105℃、エポキシ当量191]
【0057】
【化8】
【0058】
離型剤▲2▼:酸化ポリエチレンワックス(滴点70℃、酸価20mg KOH/g、数平均分子量750、平均粒径50μm)
離型剤▲3▼:酸化ポリエチレンワックス(滴点120℃、酸価75mg KOH/g、数平均分子量2000、平均粒径50μm)
離型剤▲4▼:酸化ポリエチレンワックス(滴点130℃、酸価20mg KOH/g、数平均分子量15000、平均粒径50μm)
離型剤▲5▼:酸化ポリエチレンワックス(滴点120℃、酸価20mg KOH/g、数平均分子量2000、平均粒径15μm)
離型剤▲6▼:酸化ポリエチレンワックス(滴点120℃、酸価20mg KOH/g、数平均分子量2000、平均粒径90μm)
離型剤▲7▼:酸化ポリエチレンワックス(滴点50℃、酸価20mg KOH/g、数平均分子量1000、平均粒径50μm)
離型剤▲8▼:酸化ポリエチレンワックス(滴点160℃、酸価20mg KOH/g、数平均分子量4000、平均粒径50μm)
離型剤▲9▼:酸化ポリエチレンワックス(滴点120℃、酸価5mg KOH/g、数平均分子量2000、平均粒径50μm)
離型剤▲10▼:酸化ポリエチレンワックス(滴点120℃、酸価150mg KOH/g、数平均分子量2000、平均粒径50μm)
離型剤▲11▼:酸化ポリエチレンワックス(滴点55℃、酸価20mg KOH/g、数平均分子量350、平均粒径50μm)
離型剤▲12▼:酸化ポリエチレンワックス(滴点150℃、酸価20mg KOH/g、数平均分子量30000、平均粒径50μm)
離型剤▲13▼:酸化ポリエチレンワックス(滴点120℃、酸価20mg KOH/g、数平均分子量3000、平均粒径3μm)
離型剤▲14▼:酸化ポリエチレンワックス(滴点120℃、酸価20mg KOH/g、数平均分子量2000、平均粒径200μm)
【0059】
上記実施例で示したエポキシ樹脂組成物は、離型性、低吸湿、低応力性に優れた特性を有している。このエポキシ樹脂組成物を用いることにより、半導体素子を成形封止する時の離型性、連続成形性に優れ、且つリードフレーム等の金属系部材に対し密着力が高く、耐半田性に優れた半導体装置を得ることができる。
【0060】
なお、上記実施例において、離型剤(酸化ポリエチレンワックス)の含有量として0.02重量%〜0.80重量%の範囲で有効性が確認されたが、0.01重量%〜1.0重量%の範囲でも同様な効果が得られることが確認された。
【0061】
【表1】
【0062】
【表2】
Claims (7)
- (A)主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、
(B)フェノール樹脂、
(C)硬化促進剤、
(D)無機質充填材、及び
(E)滴点60〜140℃、酸価10〜100mg KOH/g、数平均分子量500〜20000、平均粒径15〜100μmの酸化ポリエチレンワックス
を配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - (A)エポキシ樹脂、
(B)主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル型フェノール樹脂、
(C)硬化促進剤、
(D)無機質充填材、及び
(E)滴点60〜140℃、酸価10〜100mg KOH/g、数平均分子量500〜20000、平均粒径15〜100μmの酸化ポリエチレンワックス
を配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 請求項2に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記(A)エポキシ樹脂が、主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 請求項1乃至5いずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記(E)酸化ポリエチレンワックスの含有量が、当該エポキシ樹脂組成物全体に対して0.01〜1重量%である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 請求項1乃至6いずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物により半導体素子が封止されている半導体装置。
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