JP4646796B2 - Voltage generation circuit and ion generator - Google Patents
Voltage generation circuit and ion generator Download PDFInfo
- Publication number
- JP4646796B2 JP4646796B2 JP2005361769A JP2005361769A JP4646796B2 JP 4646796 B2 JP4646796 B2 JP 4646796B2 JP 2005361769 A JP2005361769 A JP 2005361769A JP 2005361769 A JP2005361769 A JP 2005361769A JP 4646796 B2 JP4646796 B2 JP 4646796B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- circuit
- charge
- transformer
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
Description
本発明は、電圧発生回路に関し、特にイオン発生器等に用いられる比較的高い電圧を発生する電圧発生回路に関する。また、本発明は、電圧発生回路を備えたイオン発生器に関する。 The present invention relates to a voltage generation circuit, and more particularly to a voltage generation circuit that generates a relatively high voltage used in an ion generator or the like. The present invention also relates to an ion generator provided with a voltage generation circuit.
従来より、イオン発生器やイオン発生器を備えた空気清浄機や複写機等の様々な電気機器においては、数ｋＶ（キロボルト）の高電圧を出力できる電圧発生回路（高圧駆動回路）が搭載されている。 Conventionally, various electrical devices such as ion generators and air purifiers and copiers equipped with ion generators have been equipped with voltage generation circuits (high voltage drive circuits) that can output high voltages of several kV (kilovolts). ing.
このような電気機器に対しては、特に小型化及び低コスト化の要望が高いため、それらに用いられる電圧発生回路の小型化及び低コスト化は、非常に重要である。 Since there is a high demand for downsizing and cost reduction for such electrical devices, it is very important to reduce the size and cost of voltage generation circuits used for them.
また、下記特許文献１には、被電圧検出部と接地線との間に接続され、かつ、該被電圧検出部に係る第１の電圧に基づいて第１の電圧より小さい第２の電圧を出力する電圧出力回路と、前記第２の電圧に基づいて該被電圧検出部に係る電圧検出信号を出力する信号検出回路とを具備し、少なくとも、前記被電圧検出部を含む第１の電圧の供給線に電流検出用ダミー電界効果トランジスタが接続されることを特徴とする電圧検出回路が、開示されている。
Further, in
また、下記特許文献２には、イオン発生器の出力電圧を制御する制御回路が開示されている。
また、イオン発生器を（特に空気の汚れた環境下において）長時間使用すると、放電面に汚染物質が付着し、放電が弱まってイオン生成量が低下するという問題があるが、このような問題を解決するべく、清掃部材などの機械的手段によって放電面の清掃を行う手法が知られている（例えば、下記特許文献３参照）。
In addition, if the ion generator is used for a long time (especially in an airy environment), there is a problem that contaminants adhere to the discharge surface, the discharge is weakened, and the amount of generated ions is reduced. In order to solve this problem, a technique for cleaning the discharge surface by mechanical means such as a cleaning member is known (see, for example,
上述したように、数ｋＶ（キロボルト）の高電圧を出力できる電圧発生回路を小型化すること及び低コスト化することは、非常に重要な課題である。 As described above, downsizing and cost reduction of a voltage generation circuit capable of outputting a high voltage of several kV (kilovolt) are very important issues.
尚、上記特許文献１に記載の技術は、負荷回路を構成するトランジスタの耐圧に依存した電圧制御を行うこと等を目的とした技術であって、上記のような課題を解決する技術ではない。また、上記特許文献２において、出力電圧の制御回路はイオン量の増減等を行うことを目的とした回路であり、また、その具体的な制御手法は開示されていない。従って、特許文献２に記載の技術では、上記のような課題を解決することはできない。
The technique described in
また、上記特許文献３に記載されている技術のように、清掃部材などの機械的手段によって放電面の清掃を行う場合、部品点数が増加して、機器の大型化及びコストアップを招く。そのため、そのような技術は採用しがたい。
Further, when the discharge surface is cleaned by mechanical means such as a cleaning member as in the technique described in
本発明は、上記の点に鑑み、小型化及び低コスト化を実現することのできる電圧発生回路を提供することを目的とする。また、本発明は、長期的に安定したイオン発生器の実現等を可能とする電圧発生回路を提供することを目的とする。また、本発明は、それらの電圧発生回路を備えたイオン発生器を提供することを目的とする。 In view of the above points, an object of the present invention is to provide a voltage generation circuit capable of realizing downsizing and cost reduction. Another object of the present invention is to provide a voltage generation circuit that can realize a long-term stable ion generator. Moreover, an object of this invention is to provide the ion generator provided with those voltage generation circuits.
上記目的を達成するために本発明に係る電圧発生回路は、トランスと、トランス一次側の通電のオン／オフをスイッチングするスイッチ回路と、電源とトランス一次側との間に介在し、トランスに供給する電荷を蓄える充放電回路と、を備え、前記スイッチ回路は、前記充放電回路の蓄積電荷量に対応した電圧を受けるツェナーダイオードと、電源とトランス一次側との間に介在し、前記ツェナーダイオードに流れる電流が規定値以上のときに、オンとなるサイリスタと、を備えていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a voltage generation circuit according to the present invention is provided between a transformer, a switch circuit that switches on / off of energization on the primary side of the transformer, and a power source and the primary side of the transformer, and supplies the transformer. A charge / discharge circuit that stores a charge to be stored, and the switch circuit is interposed between a Zener diode that receives a voltage corresponding to a stored charge amount of the charge / discharge circuit, and a power source and a transformer primary side, and the Zener diode And a thyristor that is turned on when a current flowing through the capacitor is greater than or equal to a specified value.
電源から電荷の供給を受け充放電回路に所定の電荷が蓄えられると、ツェナーダイオードが導通してツェナーダイオードに流れる電流が規定値に達する。この時、電源とトランス一次側との間に介在するサイリスタがオンとなるため、トランス一次側に充放電回路に蓄えられた電荷分の電流が流れる。このように、充放電回路は、トランス一次側の通電がオフの時には電源からの電力を充電し、トランス一次側の通電がオンの時には充電した電力をトランスへ供給する。 When the charge is supplied from the power source and a predetermined charge is stored in the charge / discharge circuit, the Zener diode becomes conductive and the current flowing through the Zener diode reaches a specified value. At this time, since the thyristor interposed between the power supply and the transformer primary side is turned on, a current corresponding to the charge stored in the charge / discharge circuit flows on the transformer primary side. As described above, the charging / discharging circuit charges the power from the power source when the current on the primary side of the transformer is off, and supplies the charged power to the transformer when the current on the primary side of the transformer is on.
充放電回路に蓄えられた電荷の放出が進行し、トランス一次側に流れる電流がサイリスタの保持電流を下回ると、サイリスタはオフとなって、再び充放電回路への電荷の蓄積が開始される。このような動作により、サイリスタがオンする周期と同じ周期で、トランス二次側に電圧が表れる。 When the discharge of the charge stored in the charge / discharge circuit proceeds and the current flowing to the primary side of the transformer falls below the holding current of the thyristor, the thyristor is turned off and charge accumulation in the charge / discharge circuit is started again. By such an operation, a voltage appears on the secondary side of the transformer in the same cycle as the cycle in which the thyristor is turned on.
従って、トランスの巻線比等を適切に設定すれば、サイリスタがオンする周期と同じ周期で、トランス二次側に高電圧（例えば、絶対値が１ｋＶ〜１０ｋＶの電圧）が表れる。 Accordingly, if the winding ratio of the transformer is appropriately set, a high voltage (for example, a voltage having an absolute value of 1 kV to 10 kV) appears on the secondary side of the transformer in the same cycle as the cycle in which the thyristor is turned on.
上記の電圧発生回路は、少ない部品点数で構成することができ、電圧発生回路の小型化及び低コスト化が図られる。 The voltage generating circuit can be configured with a small number of parts, and the voltage generating circuit can be reduced in size and cost.
また、トランスの二次側に電極等を接続してイオン発生器を構成する場合、イオンの発生量は、高電圧が発生する周期と高電圧の値に依存することになる。一方において、電圧発生回路を上記のように構成した場合、ツェナーダイオードのツェナー電圧を変更すれば、ツェナーダイオードに流れる電流（ツェナー電流）が規定値に達するために必要な充放電回路の蓄積電荷量が変化するため、サイリスタがオンする周期（高電圧が発生する周期）が変化すると共に同時に二次側に発生する高電圧の値が変化する。 In addition, when an ion generator is configured by connecting an electrode or the like to the secondary side of the transformer, the amount of ions generated depends on the cycle in which the high voltage is generated and the value of the high voltage. On the other hand, when the voltage generation circuit is configured as described above, if the Zener voltage of the Zener diode is changed, the accumulated charge amount of the charge / discharge circuit required for the current flowing through the Zener diode (Zener current) to reach the specified value Therefore, the cycle in which the thyristor is turned on (cycle in which the high voltage is generated) changes, and at the same time, the value of the high voltage generated on the secondary side changes.
つまり、上記のように構成される電圧発生回路をイオン発生器に適用した場合、ツェナー電圧を変更することで容易にイオン発生量を変更することができる。 That is, when the voltage generation circuit configured as described above is applied to an ion generator, the amount of ion generation can be easily changed by changing the Zener voltage.
具体的には、例えば、前記スイッチ回路は、前記ツェナーダイオードとトリガ用抵抗とを直列接続して構成される直列回路を有し、前記ツェナーダイオードに流れる電流によって前記トリガ用抵抗に発生した電圧が前記サイリスタのゲートに供給される。 Specifically, for example, the switch circuit has a series circuit configured by connecting the Zener diode and a trigger resistor in series, and a voltage generated in the trigger resistor by a current flowing through the Zener diode is generated. Supplied to the gate of the thyristor.
また、例えば、前記スイッチ回路は、更に前記ツェナーダイオードと直列接続された可変抵抗を有して構成されるようにしてもよい。 Further, for example, the switch circuit may further include a variable resistor connected in series with the Zener diode.
ツェナーダイオードと直列接続されるように可変抵抗を設ければ、可変抵抗の抵抗値を調整することでツェナー電流を調整することができ、サイリスタをオンとするために必要な充放電回路の蓄積電荷量を変化させることができる。他方、サイリスタがオンする周期と同じ周期でトランスの二次側に発生する電圧は、例えば、充放電回路の蓄積電荷量に依存している。 If a variable resistor is provided so as to be connected in series with the Zener diode, the Zener current can be adjusted by adjusting the resistance value of the variable resistor, and the charge accumulated in the charge / discharge circuit required to turn on the thyristor The amount can be varied. On the other hand, the voltage generated on the secondary side of the transformer in the same cycle as the cycle in which the thyristor is turned on depends on, for example, the accumulated charge amount of the charge / discharge circuit.
ツェナーダイオードのツェナー電圧には、ある程度のばらつきがあるため、トランスの二次側に発生する電圧の値とその発生する周期は変動する。しかしながら、上記のように可変抵抗を設けることにより、トランスの二次側に発生する電圧と周期を調整することができ、ツェナー電圧のばらつきをキャンセルすることが可能となる。 Since the Zener voltage of the Zener diode varies to some extent, the value of the voltage generated on the secondary side of the transformer and the cycle in which the voltage is generated vary. However, by providing the variable resistor as described above, it is possible to adjust the voltage and period generated on the secondary side of the transformer, and to cancel the variation of the Zener voltage.
また、例えば、前記スイッチ回路は、更に前記ツェナーダイオードと直列接続されたサーミスタを有して構成されるようにしてもよい。 For example, the switch circuit may further include a thermistor connected in series with the Zener diode.
より具体的には、例えば、前記充放電回路は、第１の温度よりも高い第２の温度における静電容量が、第１の温度における静電容量よりも小さくなる特性を有するコンデンサを備え、該コンデンサに前記電荷を蓄えるように構成されており、前記サーミスタは、正の温度特性のサーミスタである。 More specifically, for example, the charge / discharge circuit includes a capacitor having a characteristic that the capacitance at a second temperature higher than the first temperature is smaller than the capacitance at the first temperature, The capacitor is configured to store the electric charge, and the thermistor is a thermistor having a positive temperature characteristic.
また、例えば、前記充放電回路は、第１の温度よりも低い第３の温度における静電容量が、第１の温度における静電容量よりも小さくなる特性を有するコンデンサを備え、該コンデンサに前記電荷を蓄えるように構成されており、前記サーミスタは、負の温度特性のサーミスタである。 Further, for example, the charging / discharging circuit includes a capacitor having a characteristic that a capacitance at a third temperature lower than the first temperature is smaller than a capacitance at the first temperature, and the capacitor includes the capacitor The thermistor is configured to store electric charge, and the thermistor is a thermistor having a negative temperature characteristic.
上記のようなサーミスタを設けることにより、比較的高温時や比較的低温時に生じうる二次側に発生する電圧の値の減少を抑制することができる。 By providing the thermistor as described above, it is possible to suppress a decrease in the value of the voltage generated on the secondary side that may occur at a relatively high temperature or a relatively low temperature.
また、例えば、前記ツェナーダイオードに流れる電流を規定値以上とするための前記充放電回路の蓄積電荷量が可変となるように、前記サイリスタがオンとなるタイミングを可変にするタイミング可変回路を更に備えるようにしてもよい。 In addition, for example, a timing variable circuit that further varies a timing at which the thyristor is turned on so that an accumulated charge amount of the charge / discharge circuit for making a current flowing through the Zener diode equal to or higher than a predetermined value is variable. You may do it.
ツェナーダイオードに流れる電流を規定値以上とするための（即ち、サイリスタをオンとするための）充放電回路の蓄積電荷量が変化すれば、トランス二次側に発生する電圧の大きさも変化する。つまり、上記タイミング可変回路を設けることにより、トランス二次側に発生する電圧の大きさを変えることが可能となる。 When the amount of accumulated charge in the charge / discharge circuit for making the current flowing through the Zener diode equal to or greater than the specified value (that is, for turning on the thyristor) changes, the magnitude of the voltage generated on the secondary side of the transformer also changes. That is, by providing the timing variable circuit, the magnitude of the voltage generated on the transformer secondary side can be changed.
例えば、トランス二次側にイオン発生用の高電圧を発生させる場合、上記タイミング可変回路を用いてトランス二次側に発生する高電圧を一時的に大きくすると、イオン発生用の放電面に付着した汚染物質を飛ばすことが可能になる。つまり、上記の電圧発生回路を用いることにより、長期的に安定したイオン発生器を構成することも可能となる。 For example, when generating a high voltage for generating ions on the secondary side of the transformer, if the high voltage generated on the secondary side of the transformer is temporarily increased using the timing variable circuit, the ion is attached to the discharge surface for generating ions. It is possible to fly the pollutant. In other words, by using the voltage generation circuit, it is possible to configure an ion generator that is stable for a long time.
具体的には例えば、前記スイッチ回路は、前記ツェナーダイオードとトリガ用抵抗とタイミング変更用抵抗とを直列接続して構成される直列回路を有し、前記ツェナーダイオードに流れる電流によって前記トリガ用抵抗に発生した電圧が前記サイリスタのゲートに供給され、前記直列回路と前記トランス一次側には、前記充放電回路の蓄積電荷量に対応した電圧が印加され、前記タイミング可変回路は、前記タイミング変更用抵抗に接続されたバイパス回路を備え、前記タイミング変更用抵抗と前記バイパス回路を介して流れるバイパス電流の電流量を制御することにより、前記サイリスタがオンとなるタイミングを変化させる。 Specifically, for example, the switch circuit has a series circuit configured by connecting the Zener diode, a trigger resistor, and a timing changing resistor in series, and the trigger resistor is connected to the trigger resistor by a current flowing through the Zener diode. The generated voltage is supplied to the gate of the thyristor, and a voltage corresponding to the amount of charge accumulated in the charge / discharge circuit is applied to the series circuit and the transformer primary side, and the timing variable circuit includes the timing changing resistor. The timing at which the thyristor is turned on is changed by controlling the current amount of the bypass current flowing through the timing change resistor and the bypass circuit.
上記バイパス電流の電流量を制御することにより、タイミング変更用抵抗に発生する電圧が変化する。そうすると、ツェナーダイオードに流れる電流を規定値以上とするために（即ち、サイリスタをオンするために）上記直列回路に印加すべき電圧も変化する。つまり、ツェナーダイオードに流れる電流を規定値以上とするための充放電回路の蓄積電荷量が変化して、サイリスタがオンとなるタイミングも変化する。 By controlling the amount of the bypass current, the voltage generated in the timing changing resistor changes. Then, the voltage to be applied to the series circuit also changes in order to make the current flowing through the Zener diode equal to or higher than a specified value (that is, to turn on the thyristor). That is, the amount of charge accumulated in the charge / discharge circuit for setting the current flowing through the Zener diode to a specified value or more changes, and the timing at which the thyristor is turned on also changes.
また、例えば、前記タイミング可変回路は、前記電源からの電源電圧の供給を受けて動作し、該電源電圧の立ち上がり時の電源電圧値の変化を利用して、自動的に前記バイパス電流の電流量を制御する。 Further, for example, the timing variable circuit operates by receiving a power supply voltage from the power supply, and automatically uses the change in the power supply voltage value at the rise of the power supply voltage to automatically generate the current amount of the bypass current. To control.
また、例えば、前記タイミング可変回路は、前記電源からの電源電圧を受けるローパスフィルタを備え、該電源電圧の立ち上がり時の前記ローパスフィルタの出力信号値に応じて前記バイパス回路を制御することにより、自動的に前記バイパス電流の電流量を制御するようにしてもよい。 Further, for example, the timing variable circuit includes a low-pass filter that receives a power supply voltage from the power supply, and automatically controls the bypass circuit according to an output signal value of the low-pass filter when the power supply voltage rises. In particular, the amount of the bypass current may be controlled.
上記のように構成すれば、タイミング可変回路を動作させるために別途の電源を設ける必要はなくなる。また、サイリスタがオンとなるタイミングを変化させるための制御を別途行う必要もなくなる。 With the above configuration, it is not necessary to provide a separate power source for operating the timing variable circuit. Further, it is not necessary to separately perform control for changing the timing at which the thyristor is turned on.
また、例えば、前記タイミング可変回路は、前記電源からの電源電圧の立ち上がりごとに、所定期間における、前記ツェナーダイオードに流れる電流を規定値以上とするための前記充放電回路の蓄積電荷量を、他の期間のそれと異ならせる。 In addition, for example, the timing variable circuit may change an accumulated charge amount of the charge / discharge circuit for setting a current flowing through the Zener diode to a predetermined value or more during a predetermined period every time a power supply voltage from the power supply rises. Different from that of the period.
これを利用してイオン発生器を構成した場合、例えば、通電ごとに放電面から汚染物質を飛ばすための高電圧を発生させる、といったことが可能となる。 When an ion generator is configured using this, for example, it is possible to generate a high voltage for flying contaminants from the discharge surface every time power is applied.
また、例えば、前記タイミング可変回路は、外部からの信号に基づいて前記サイリスタがオンとなるタイミングを変化させる。 Further, for example, the timing variable circuit changes the timing at which the thyristor is turned on based on an external signal.
また、上記目的を達成するために本発明に係るイオン発生器は、上記の何れかに記載の電圧発生回路を備え、前記電圧発生回路の前記トランスの二次側に発生する電圧を利用してイオンを発生させることを特徴とする。 In order to achieve the above object, an ion generator according to the present invention includes the voltage generation circuit according to any one of the above, and uses a voltage generated on the secondary side of the transformer of the voltage generation circuit. Ion is generated.
上述した通り、本発明によれば、電圧発生回路の小型化及び低コスト化を実現することができる。また、本発明によれば、長期的に安定したイオン発生器等を提供することが可能となる。 As described above, according to the present invention, the voltage generation circuit can be reduced in size and cost. In addition, according to the present invention, it is possible to provide an ion generator or the like that is stable for a long period of time.
＜＜第１実施形態＞＞
以下、本発明に係る電圧発生回路を高圧駆動回路に適用した第１実施形態につき、図面を参照して説明する。後述する第２及び第３実施形態は、第１実施形態を改良したものに相当するため、第１実施形態に示される技術は、第２及び第３実施形態にとっての参考技術（関連技術）である、とも言える。
<< First Embodiment >>
Hereinafter, a first embodiment in which a voltage generation circuit according to the present invention is applied to a high-voltage drive circuit will be described with reference to the drawings. Since the second and third embodiments described later correspond to improvements of the first embodiment, the technique shown in the first embodiment is a reference technique (related technique) for the second and third embodiments. It can be said that there is.
図１は、第１実施形態に係る高圧駆動回路（電圧発生回路）のブロック構成図である。本実施形態に係る高圧駆動回路は、電源１と、充放電回路（充放電部）２と、トランス（昇圧トランス）３と、タイミング発生回路（タイミング発生部）５と、スイッチ回路（スイッチ部）６と、を有し、トランス３に高電圧出力部（イオン発生部）４を接続して構成される。高電圧出力部４には、イオンを発生するための電極が配置されているため、図１に示す高圧駆動回路と高電圧出力部４は、イオン発生器を構成しているとも言える。
FIG. 1 is a block configuration diagram of a high-voltage drive circuit (voltage generation circuit) according to the first embodiment. The high-voltage drive circuit according to the present embodiment includes a
（構成の説明）
図２に、図１の高圧駆動回路と高電圧出力部４の回路構成例を示す。図２において、図１と同一の部分には、同一の符号を付す。
(Description of configuration)
FIG. 2 shows a circuit configuration example of the high voltage drive circuit and the high
充放電回路２は、抵抗１１とコンデンサ１２とから成るローパスフィルタを備えている。高電圧出力部（イオン発生部）４は、電極４ａ及び電極４ｂを備えている。タイミング回路５は、分圧抵抗１３、分圧抵抗１４、ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタ１６及びシャントレギュレータ１７を備えている。スイッチ回路６は、サイリスタ（ＳＣＲ；Silicon Controlled Rectifier）１８と、コンデンサ２０、抵抗２１及びダイオード２２を備えている。
The charge /
電源１は、一定の直流電圧（例えば、１２Ｖ）を出力する直流電源である。電源１において、正電圧出力側は、抵抗１１の一端とバイポーラトランジスタ１６のエミッタに共通接続されていると共に、抵抗１５を介してバイポーラトランジスタ１６のベースに接続され、負電圧出力側は接地されている。
The
抵抗１１の他端は、コンデンサ１２を介して接地されていると共に、分圧抵抗１３及び分圧抵抗１４から成る直列回路を介しても接地されている。トランス３の一次巻線３ａの一端は抵抗１１とコンデンサ１２との接続点に接続されており、一次巻線３ａの他端はサイリスタ１８のアノードに接続されている。また、サイリスタ１８のカソードは接地されている。
The other end of the
バイポーラトランジスタ１６のベースは、シャントレギュレータ１７のカソードに接続され、シャントレギュレータ１７のアノードは接地されている。分圧抵抗１３と分圧抵抗１４の接続点は、シャントレギュレータ１７の基準電圧を入力すべき端子に接続されている。
The base of the
バイポーラトランジスタ１６のコレクタは、抵抗１９を介してコンデンサ２０の一端、抵抗２１の一端、ダイオード２２のカソード及びサイリスタ１８のゲートに共通接続されている。コンデンサ２０の他端、抵抗２１の他端及びダイオード２２のアノードは、それぞれ接地されている。
The collector of the
トランス３の二次巻線３ｂの一端には電極４ａが接続され、トランス３の二次巻線３ｂの他端には電極４ｂが接続されている。電極４ｂ側は、例えば接地されている（不図示）。電極４ａと電極４ｂは、電極４ａ−電極４ｂ間に高電圧（例えは、絶対値が１ｋＶ〜１０ｋＶの電圧）が印加されたとき、コロナ放電等によってそこからイオン（マイナスイオンとプラスイオンの少なくとも一方）が発生するように構成されている。例えば、電極４ａは針状の放電極であり、電極４ｂは電極４ａと対向するように配置された導電性の接地電極である。尚、電極４ａ及び電極４ｂは、一方が放電電極、他方が誘導電極となって、イオンを発生することが可能なように構成されておれば、どのような形状でもよく、必ずしも電極４ａ及び電極４ｂのいずれかを針状の放電極とする必要はない。電極４ａと電極４ｂに挟まれた領域には、空気を介在させても良いし、固体誘電体を介在させても良い。空気よりも高い絶縁抵抗を持ち且つ空気よりも高い誘電率を持つ固体誘電体を介在させることにより、電極間距離を狭くすることができ、また、イオンを発生させるための電極間の印加電圧を低く設定することができる。
An
（動作の説明）
次に、図２のように構成される高圧駆動回路と高電圧出力部４の動作について、図３を参照しながら説明する。図３は、図２に示される回路の各部の電圧波形を示したものである。図３において、電圧波形５０は、抵抗１１とコンデンサ１２との接続点の電圧（充放電回路２の出力電圧）Ｖａの波形であり、電圧波形５１は、分圧抵抗１３と分圧抵抗１４との接続点の電圧Ｖｂの波形であり、電圧波形５２は、サイリスタ１８のゲートに加わる電圧Ｖｃの波形である。電圧波形５３は、電極４ａと電極４ｂとの間に印加される電圧Ｖｄの波形である。
(Description of operation)
Next, the operation of the high voltage drive circuit configured as shown in FIG. 2 and the high
まず、コンデンサ１２に電荷が蓄えられていない状態から、電源１より抵抗１１を介してコンデンサ１２に電荷が供給され、コンデンサ１２に電荷が蓄えられていく（充放電回路２が充電されていく）。これに伴って、電圧Ｖａが徐々に上昇し、電圧Ｖｂの電圧も徐々に上昇する。
First, from the state where no charge is stored in the
ここで、シャントレギュレータ１７は、電圧Ｖｂが予め定められた基準電圧Ｖｒｅｆより低い場合、カソード−アノード間が非導通になるように、且つ電圧Ｖｂが基準電圧Ｖｒｅｆより高い場合にカソード−アノード間が導通するように構成されている。そして、電圧Ｖａと所定の電圧Ｖｏとが等しくなった時、電圧Ｖｂが基準電圧Ｖｒｅｆと一致するように、分圧抵抗１３と分圧抵抗１４の各抵抗値は定められている。また、サイリスタ１８は、ゲートに所定の正のゲートトリガ電圧Ｖｔ（例えば、０．７Ｖ）が加わった時に、自身のアノード−カソード間が導通（オン）するように構成されている。また、バイポーラトランジスタ１６がオンのとき、電圧Ｖｃが上記ゲートトリガ電圧Ｖｔ以上となるように、電源１の出力電圧と、抵抗１９及び抵抗２１の各抵抗値は定められている。
Here, the shunt regulator 17 causes the cathode-anode to become non-conductive when the voltage Vb is lower than a predetermined reference voltage Vref, and between the cathode and anode when the voltage Vb is higher than the reference voltage Vref. It is configured to conduct. The resistance values of the
従って、電圧Ｖａが電圧Ｖｏより低いタイミングにおいては、バイポーラトランジスタ１６はオフとなるため、サイリスタ１８はオフ（アノード−カソード間が非導通）となり、トランス３の一次巻線３ａには電流が流れない（トランス３の一次側の通電がオフとなる）。
Therefore, at the timing when the voltage Va is lower than the voltage Vo, the
電圧Ｖａは、電源１の出力電圧と抵抗１１の抵抗値とコンデンサ１２の静電容量とで決定される時間をかけて電圧Ｖｏまで上昇してゆく。電圧Ｖａが電圧Ｖｏに達すると、電圧Ｖｂが基準電圧Ｖｒｅｆに達するため、シャントレギュレータ１７が抵抗１５を介して電源１から電流を引き込む。これによって、バイポーラトランジスタ１６がオンとなり、抵抗２１に生じる電圧に相当する電圧Ｖｃは、サイリスタ１８のゲートトリガ電圧Ｖｔに達する。
The voltage Va rises to the voltage Vo over time determined by the output voltage of the
すると、サイリスタ１８はオンとなって（トランス３の一次側の通電がオンとなって）、トランス３の一次巻線３ａにコンデンサ１２の両端間に加わる電圧が印加され、コンデンサ１２に蓄えられた電荷（エネルギー）は、トランス３の一次巻線３ａとサイリスタ１８を介して放電される。この放電によって、コンデンサ１２の両端間に加わる電圧はゼロに戻ると共に、サイリスタ１８に流れる電流が保持電流（例えば、１０ｍＡ）を下回ってサイリスタ１８がオフとなる。
Then, the
サイリスタ１８がオフとなった後は、再び電源１より抵抗１１を介してコンデンサ１２に電荷が供給され、コンデンサ１２に電荷が蓄えられていく。このような充放電回路２による充放電（一次巻線３ａの通電のオン／オフ）が、電源１の出力電圧、抵抗１１の抵抗値及びコンデンサ１２の静電容量、分圧抵抗１３及び分圧抵抗１４の各抵抗値、ゲートトリガ電圧Ｖｔ並びに基準電圧Ｖｒｅｆによって定まる周期（時間Ｔの逆数）を持って、繰り返される。
After the
上記の如く、サイリスタ１８がオン／オフを繰り返すことにより、１次側のエネルギーがトランス３の二次巻線３ｂに伝達され、電極４ａ−電極４ｂ間には、サイリスタ１８のオン／オフ切り換えのタイミングに同期する形で、インパルス状の電圧Ｖｄが発生する。
As described above, when the
トランス３の一次巻線３ａと二次巻線３ｂの巻線比は、十分に大きく設定してあり、このインパルス状の電圧の正と負の波高値は、イオンの発生が行われる程度に高くなっている。例えば、電圧Ｖｄの正の波高値は、１〜１０ｋＶ（キロボルト）程度であり、電圧Ｖｄの負の波高値は、−１〜−１０ｋＶ（キロボルト）程度である。このようにして、高電圧が所定の周期（時間Ｔの逆数）で電極４ａ−電極４ｂ間に印加される。
The winding ratio between the primary winding 3a and the secondary winding 3b of the
図２の構成においては、主としてタイミング発生回路５がサイリスタ１８のオンするタイミングを決定する。そして、そのタイミングに合わせてスイッチ回路６が起動することで、トランス３の二次側に高電圧が発生する。つまり、高電圧を発生するために、タイミング発生回路５とスイッチ回路６が必要であり、部品点数が多くなると共に回路が複雑になる。
In the configuration of FIG. 2, the
＜＜第２実施形態＞＞
そこで、第１実施形態を改良した第２実施形態について、以下説明する。第２実施形態も、本発明に係る電圧発生回路を高圧駆動回路に適用した実施形態に相当する。
<< Second Embodiment >>
Therefore, a second embodiment obtained by improving the first embodiment will be described below. The second embodiment also corresponds to an embodiment in which the voltage generation circuit according to the present invention is applied to a high-voltage drive circuit.
図４は、第２実施形態に係る高圧駆動回路のブロック構成図である。図４において、図１と同一の部分には、同一の符号を付す。本実施形態に係る高圧駆動回路は、電源１と、充放電回路（充放電部）２と、トランス（昇圧トランス）３と、スイッチ回路（スイッチ部）７と、を有し、トランス３に高電圧出力部（イオン発生部）４を接続して構成される。高電圧出力部４には、イオンを発生するための電極が配置されているため、図４に示す高圧駆動回路と高電圧出力部４は、イオン発生器を構成しているとも言える。
FIG. 4 is a block configuration diagram of the high-voltage drive circuit according to the second embodiment. In FIG. 4, the same parts as those in FIG. The high-voltage drive circuit according to the present embodiment includes a
（構成の説明）
図５に、図４の高圧駆動回路と高電圧出力部４の回路構成例を示す。図５において、図２及び図４と同一の部分には、同一の符号を付す。
(Description of configuration)
FIG. 5 shows a circuit configuration example of the high voltage drive circuit and the high
充放電回路２は、抵抗１１とコンデンサ１２とから成るローパスフィルタを備えている。高電圧出力部（イオン発生部）４は、電極４ａ及び電極４ｂを備えている。スイッチ回路７は、サイリスタ（ＳＣＲ；Silicon Controlled Rectifier）１８と、コンデンサ３０、抵抗（トリガ用抵抗）３１、ダイオード３２及びツェナーダイオード３３を備えている。
The charge /
電源１は、一定の直流電圧（例えば、１２Ｖ）を出力する直流電源である。電源１において、正電圧出力側は抵抗１１の一端に接続され、負電圧出力側は接地されている。
The
抵抗１１の他端は、コンデンサ１２を介して接地されていると共に、ツェナーダイオード３３のカソードに接続されている。トランス３の一次巻線３ａの一端は抵抗１１とコンデンサ１２との接続点に接続されており、一次巻線３ａの他端はサイリスタ１８のアノードに接続されている。また、サイリスタ１８のカソードは接地されている。
The other end of the
ツェナーダイオード３３のアノードは、コンデンサ３０の一端、抵抗３１の一端、ダイオード３２のカソード及びサイリスタ１８のゲートに共通接続されている。コンデンサ３０の他端、抵抗３１の他端及びダイオード３２のアノードは、それぞれ接地されている。
The anode of the
トランス３の二次巻線３ｂの一端には電極４ａが接続され、トランス３の二次巻線３ｂの他端には電極４ｂが接続されている。電極４ｂ側は、例えば接地されている（不図示）。電極４ａと電極４ｂは、電極４ａ−電極４ｂ間に高電圧（例えは、絶対値が１ｋＶ〜１０ｋＶの電圧）が印加されたとき、コロナ放電等によってそこからイオン（マイナスイオンとプラスイオンの少なくとも一方）が発生するように構成されている。例えば、電極４ａは針状の放電極であり、電極４ｂは電極４ａと対向するように配置された導電性の接地電極である。
An
（動作の説明）
次に、図５のように構成される高圧駆動回路と高電圧出力部４の動作について、図６を参照しながら説明する。図６は、図５に示される回路の各部の電圧波形を示したものである。図６において、電圧波形６０は、抵抗１１とコンデンサ１２との接続点の電圧（充放電回路２の出力電圧）Ｖ１の波形であり、電圧波形６２は、サイリスタ１８のゲートに加わる電圧Ｖ３の波形である。電圧波形６３は、電極４ａと電極４ｂとの間に印加される電圧Ｖ４の波形である。
(Description of operation)
Next, the operation of the high voltage drive circuit configured as shown in FIG. 5 and the high
まず、コンデンサ１２に電荷が蓄えられていない状態から、電源１より抵抗１１を介してコンデンサ１２に電荷が供給され、コンデンサ１２に電荷が蓄えられていく（充放電回路２が充電されていく）。これに伴って、電圧Ｖ１が徐々に上昇する。
First, from the state where no charge is stored in the
ここで、サイリスタ１８は、ゲートに所定の正のゲートトリガ電圧Ｖｔ（例えば、０．７Ｖ）が加わった時に、自身のアノード−カソード間が導通（オン）するように構成されている。
Here, the
従って、電圧Ｖ１が電圧Ｖｏ＝Ｖｚｄ＋Ｖｔ（但し、Ｖｚｄは、ツェナーダイオード３３のツェナー電圧）より低いタイミングにおいては、サイリスタ１８はオフ（アノード−カソード間が非導通）となり、トランス３の一次巻線３ａには電流が流れない（トランス３の一次側の通電がオフとなる）。
Therefore, at a timing when the voltage V1 is lower than the voltage Vo = Vzd + Vt (where Vzd is the Zener voltage of the Zener diode 33), the
電圧Ｖ１は、電源１の出力電圧と抵抗１１の抵抗値とコンデンサ１２の静電容量とで決定される時間をかけて上昇してゆく。コンデンサ１２の両端子間電圧がゼロである状態から時間Ｔａが経過すると、電圧Ｖ１がツェナー電圧Ｖｚｄに到達し、抵抗３１に電流が流れ始めて電圧Ｖ３が上昇し始める。コンデンサ１２の両端子間電圧がゼロである状態から時間Ｔが経過すると、電圧Ｖ１が電圧Ｖｏ＝Ｖｚｄ＋Ｖｔに到達し、抵抗３１に生じる電圧に相当する電圧Ｖ３は、サイリスタ１８のゲートトリガ電圧Ｖｔに達する。
The voltage V1 increases over time determined by the output voltage of the
すると、サイリスタ１８はオンとなって（トランス３の一次側の通電がオンとなって）、トランス３の一次巻線３ａにコンデンサ１２の両端間に加わる電圧が印加され、コンデンサ１２に蓄えられた電荷（エネルギー）は、トランス３の一次巻線３ａとサイリスタ１８を介して放電される。この放電によって、コンデンサ１２の両端間に加わる電圧はゼロに戻ると共に、サイリスタ１８に流れる電流が保持電流（例えば、１０ｍＡ）を下回ってサイリスタ１８がオフとなる。
Then, the
サイリスタ１８がオフとなった後は、再び電源１より抵抗１１を介してコンデンサ１２に電荷が供給され、コンデンサ１２に電荷が蓄えられていく。このような充放電回路２による充放電（一次巻線３ａの通電のオン／オフ）が、電源１の出力電圧、抵抗１１の抵抗値及びコンデンサ１２の静電容量、ツェナー電圧Ｖｚｄ、抵抗３１の抵抗値並びにゲートトリガ電圧Ｖｔによって定まる周期（時間Ｔの逆数）を持って、繰り返される。
After the
上記の如く、サイリスタ１８がオン／オフを繰り返すことにより、１次側のエネルギーがトランス３の二次巻線３ｂに伝達され、電極４ａ−電極４ｂ間には、サイリスタ１８のオン／オフ切り換えのタイミングに同期する形で、インパルス状の電圧Ｖｄが発生する。
As described above, when the
トランス３の一次巻線３ａと二次巻線３ｂの巻線比は、十分に大きく設定してあり、このインパルス状の電圧の正と負の波高値は、イオンの発生が行われる程度に高くなっている。例えば、電圧Ｖｄの正の波高値は、１〜１０ｋＶ（キロボルト）程度であり、電圧Ｖｄの負の波高値は、−１〜−１０ｋＶ（キロボルト）程度である。このようにして、高電圧が所定の周期（時間Ｔの逆数）で電極４ａ−電極４ｂ間に印加される。
The winding ratio between the primary winding 3a and the secondary winding 3b of the
図２の回路構成と図５の回路構成との比較から分かるように、図５に示す高圧駆動回路は、部品点数が少なく極めて簡素な回路構成となっている。つまり、高圧駆動回路の小型化及び低コスト化が実現される。 As can be seen from a comparison between the circuit configuration of FIG. 2 and the circuit configuration of FIG. 5, the high-voltage drive circuit shown in FIG. 5 has a very simple circuit configuration with a small number of parts. That is, the high-voltage drive circuit can be reduced in size and cost.
また、第１実施形態の構成（図２）においては、主としてタイミング発生回路５がサイリスタ１８のオンするタイミングを決定する。そして、そのタイミングに合わせてスイッチ回路６が起動することで、トランス３の二次側に高電圧が発生する。一方、第２実施形態の構成（図５）においては、主としてツェナーダイオード３３と抵抗３１との直列回路がサイリスタ１８のオンするタイミングを決定し、抵抗３１の両端子間電圧がスイッチ回路６を起動させる（サイリスタ１８をオンする）。つまり、第２実施形態の構成は、第１実施形態におけるものより動作が簡素化されており、安定した動作が実現できる。
In the configuration of the first embodiment (FIG. 2), the
また、ツェナーダイオード３３のツェナー電圧Ｖｚｄを変更すれば、時間Ｔａ及び時間Ｔが変わる。また、電圧Ｖｏ（＝Ｖｚｄ＋Ｖｔ）も変わるため、二次側に出力される高電圧の値（波高値）も変わる。つまり、ツェナー電圧Ｖｚｄを変更することで、高電圧が発生する周期（時間Ｔの逆数）と高電圧の値を同時に変更することができる。
Further, if the Zener voltage Vzd of the
電極４ａ及び電極４ｂで発生するイオンの量は、高電圧が発生する周期と高電圧の値に依存するため、ツェナー電圧Ｖｚｄを変更することで容易にイオン発生量を変更することができる。
Since the amount of ions generated at the
例えば、ツェナー電圧Ｖｚｄを小さくすれば時間Ｔａが短くなると共に時間Ｔが短くなり、同時に電圧Ｖｏが小さくなることで、二次側に出力される高電圧の値（波高値）も小さくなる。 For example, if the Zener voltage Vzd is decreased, the time Ta is shortened and the time T is shortened. At the same time, the voltage Vo is decreased, so that the high voltage value (crest value) output to the secondary side is also decreased.
（図７；可変抵抗追加）
また、図５に示す回路を図７のように変形してもよい。つまり、抵抗１１とコンデンサ１２とトランス３の一次巻線３ａの一端との接続点と、ツェナーダイオード３３のカソードとの間に、可変抵抗ＶＲを挿入するのである。可変抵抗ＶＲは、ツェナーダイオード３３と直列に接続される。図７において、図５と同一の部分には同一の符号を付し、その構成及び動作の説明を省略する。スイッチ回路７ａは、スイッチ回路７に可変抵抗ＶＲを追加した構成となっている。
(Fig. 7: Variable resistance added)
Further, the circuit shown in FIG. 5 may be modified as shown in FIG. That is, the variable resistor VR is inserted between the connection point of the
ツェナーダイオード３３のツェナー電圧Ｖｚｄには、ある程度のばらつきがあるため、トランス３の二次側に発生する高電圧の値とその高電圧の発生する周期が変動する。具体的な一例として、ツェナー電圧Ｖｚｄは中心値から約±２．５〜３．０％でばらつく。ツェナー電圧Ｖｚｄが中心値から２．５％だけ小さいとき、周期は１０％大きくなると共に高電圧の値は２％小さくなる。ツェナー電圧Ｖｚｄが中心値から２．５％だけ大きいとき、周期は１０％小さくなると共に高電圧の値は２％大きくなる。しかし、図７のように可変抵抗ＶＲを設ければ、可変抵抗ＶＲの抵抗値を調整することで電圧Ｖ１がツェナー電圧Ｖｚｄ以上となっているときのツェナー電流を調整することができ、電圧Ｖｏの値、ひいては二次側に発生する高電圧の値を調整することができると共に、高電圧の発生する周期を調整することができるようになる。つまり、ツェナー電圧Ｖｚｄのばらつきを吸収して、所望の高電圧を二次側で得ることができ、また所望の周期を得ることができる。但し、図７の構成においては、電圧Ｖｏ＝Ｖｚｄ＋Ｖｔ＋ＶVRとなっている。ＶVRは、抵抗３１の両端子間電圧がゲートトリガ電圧Ｖｔを等しくなっているときに、可変抵抗ＶＲに加わる電圧である。
Since the Zener voltage Vzd of the
例えば、可変抵抗ＶＲの抵抗値を大きくすれば、電圧Ｖ１がツェナー電圧Ｖｚｄ以上となっているときのツェナー電流が減少し、サイリスタ１８がオンするまでの時間Ｔが大きくなる。これによって、電圧Ｖｏが大きくなり、二次側に発生する高電圧の値（波高値）も大きくなると共に高電圧が発生する周期も変更される（小さくなる）。
For example, if the resistance value of the variable resistor VR is increased, the Zener current when the voltage V1 is equal to or higher than the Zener voltage Vzd decreases, and the time T until the
また、ツェナーダイオード３３のアノードと、サイリスタ１８のゲートと抵抗３１との接続点との間に可変抵抗ＶＲを直列に挿入するようにしても構わない。
Further, the variable resistor VR may be inserted in series between the anode of the
（図８；サーミスタ追加）
また、図５に示す回路を図８のように変形してもよい。つまり、抵抗１１とコンデンサ１２とトランス３の一次巻線３ａの一端との接続点と、ツェナーダイオード３３のカソードとの間に、サーミスタＴＨを挿入するのである。サーミスタＴＨは、ツェナーダイオード３３と直列に接続される。図８において、図５と同一の部分には同一の符号を付し、その構成及び動作の説明を省略する。スイッチ回路７ｂは、スイッチ回路７にサーミスタＴＨを追加した構成となっている。
(Figure 8; Thermistor added)
Further, the circuit shown in FIG. 5 may be modified as shown in FIG. That is, the thermistor TH is inserted between the connection point of the
第１の温度（例えば、３０℃）よりも高い第２の温度（例えば、５０℃）における静電容量が、第１の温度における静電容量よりも小さくなる特性を有するコンデンサ、例えば、温度が上昇に伴って静電容量が低下する特性を有するコンデンサ（例えば、セラミックコンデンサ）を、充放電回路２のコンデンサ１２として用いると、比較的高温時にコンデンサＣ１２に蓄えられる電荷が減少する。つまり、コンデンサ１２の両端子間電圧に相当する電圧Ｖ１が電圧Ｖｏであるときにおいてコンデンサ１２に蓄えられる電荷が、高温になるにつれて低減する。この結果、比較的高温時においては、サイリスタ１８がオンしたときにトランス３の一次巻線３ａに流れる電流量も低減し、二次側に発生する高電圧の値も減少してしまう。
A capacitor having a characteristic that the capacitance at a second temperature (for example, 50 ° C.) higher than the first temperature (for example, 30 ° C.) is smaller than the capacitance at the first temperature, for example, the temperature is When a capacitor (for example, a ceramic capacitor) having a characteristic in which the capacitance decreases with increase is used as the
このような場合は、サーミスタＴＨとして、正の温度特性を有するサーミスタ（ＰＴＣ ；positive temperature coefficient）を採用すればよい。正の温度特性を有するサーミスタは、温度の上昇につれて自身の抵抗値が上昇するため、高温時にツェナー電流を抑制する方向に働く。この結果、比較的高温時に、サイリスタ１８のゲートにゲートトリガ電圧Ｖｔが加わる電圧Ｖ１の値、即ち電圧Ｖｏが大きくなり、二次側に発生する高電圧の値の減少が抑制される。但し、図８の構成においては、電圧Ｖｏ＝Ｖｚｄ＋Ｖｔ＋ＶTHとなっている。ＶTHは、抵抗３１の両端子間電圧がゲートトリガ電圧Ｖｔを等しくなっているときに、サーミスタＴＨに加わる電圧である。
In such a case, a thermistor having a positive temperature characteristic (PTC; positive temperature coefficient) may be employed as the thermistor TH. A thermistor having a positive temperature characteristic increases its resistance as the temperature rises, and thus acts to suppress the Zener current at a high temperature. As a result, at a relatively high temperature, the value of the voltage V1 to which the gate trigger voltage Vt is applied to the gate of the
第１の温度（例えば、３０℃）よりも低い第３の温度（例えば、１０℃）における静電容量が、第１の温度における静電容量よりも小さくなる特性を有するコンデンサ、例えば、温度が低下に伴って静電容量が低下する特性を有するコンデンサ（例えば、フィルムコンデンサ）を、充放電回路２のコンデンサ１２として用いると、比較的低温時にコンデンサＣ１２に蓄えられる電荷が減少する。つまり、コンデンサ１２の両端子間電圧に相当する電圧Ｖ１が電圧Ｖｏであるときにおいてコンデンサ１２に蓄えられる電荷が、低温になるにつれて低減する。この結果、比較的低温時においては、サイリスタ１８がオンしたときにトランス３の一次巻線３ａに流れる電流量も低減し、二次側に発生する高電圧の値も減少してしまう。
A capacitor having a characteristic that the capacitance at a third temperature (for example, 10 ° C.) lower than the first temperature (for example, 30 ° C.) is smaller than the capacitance at the first temperature, for example, the temperature is When a capacitor (for example, a film capacitor) having a characteristic that the electrostatic capacity decreases with a decrease is used as the
このような場合は、サーミスタＴＨとして、負の温度特性を有するサーミスタ（ＮＴＣ；negative temperature coefficient）を採用すればよい。負の温度特性を有するサーミスタは、温度の低下につれて自身の抵抗値が上昇するため、低温時にツェナー電流を抑制する方向に働く。この結果、比較的低温時に、サイリスタ１８のゲートにゲートトリガ電圧Ｖｔが加わる電圧Ｖ１の値、即ち電圧Ｖｏが大きくなり、二次側に発生する高電圧の値の減少が抑制される。
In such a case, a thermistor having a negative temperature characteristic (NTC: negative temperature coefficient) may be employed as the thermistor TH. A thermistor having a negative temperature characteristic increases its resistance as the temperature decreases, and thus acts to suppress the Zener current at low temperatures. As a result, at a relatively low temperature, the value of the voltage V1 to which the gate trigger voltage Vt is applied to the gate of the
また、ツェナーダイオード３３のアノードと、サイリスタ１８のゲートと抵抗３１との接続点との間にサーミスタＴＨを直列に挿入するようにしても構わない。
Further, the thermistor TH may be inserted in series between the anode of the
上記のようにサーミスタＴＨを挿入することで、比較的高温時や比較的低温時に生じうる二次側に発生する高電圧の値の減少を抑制することができる。 By inserting the thermistor TH as described above, it is possible to suppress a decrease in the value of the high voltage generated on the secondary side that may occur at a relatively high temperature or a relatively low temperature.
尚、図７の構成と図８の構成は、自由に組合せ可能である。例えば、可変抵抗ＶＲとサーミスタＴＨの双方を、抵抗１１とコンデンサ１２とトランス３の一次巻線３ａの一端との接続点と、ツェナーダイオード３３のカソードとの間や、ツェナーダイオード３３のアノードと、サイリスタ１８のゲートと抵抗３１との接続点との間に挿入するようにしても構わない。
7 and FIG. 8 can be freely combined. For example, both the variable resistor VR and the thermistor TH are connected between the connection point of the
＜＜第３実施形態＞＞
次に、第２実施形態を変形した第３実施形態について説明する。
<< Third Embodiment >>
Next, a third embodiment, which is a modification of the second embodiment, will be described.
図９は、第３実施形態に係る高圧駆動回路のブロック構成図である。図９において、図１及び図４と同一の部分には、同一の符号を付す。本実施形態に係る高圧駆動回路は、電源１と、充放電回路（充放電部）２と、トランス（昇圧トランス）３と、スイッチ回路（スイッチ部）７ｃと、タイミング可変回路８と、を有し、トランス３に高電圧出力部（イオン発生部）４を接続して構成される。高電圧出力部４には、イオンを発生するための電極が配置されているため、図９に示す高圧駆動回路と高電圧出力部４は、イオン発生器を構成しているとも言える。
FIG. 9 is a block diagram of a high-voltage drive circuit according to the third embodiment. 9, parts that are the same as those in FIGS. 1 and 4 are given the same reference numerals. The high-voltage drive circuit according to this embodiment includes a
図１０に、図９の高圧駆動回路と高電圧出力部４の回路構成例を示す。図１０において、図５と同一の部分には同一の符号を付す。図１０の高圧駆動回路は、図５の高圧駆動回路におけるスイッチ回路７がスイッチ回路７ｃに置換されている点と、タイミング可変回路８が新たに設けられている点とを除けば、図５の高圧駆動回路と一致しており、一致する部分の重複する説明を省略する。
FIG. 10 shows a circuit configuration example of the high voltage drive circuit and the high
スイッチ回路７ｃは、スイッチ回路７に抵抗（タイミング変更用抵抗）４１を追加した構成となっている。スイッチ回路７ｃの回路構成は、抵抗１１とコンデンサ１２とトランス３の一次巻線３ａの一端との接続点と、ツェナーダイオード３３のカソードとの間に、抵抗４１を挿入している点以外、図５のスイッチ回路７の回路構成と一致している。
The
タイミング可変回路８は、抵抗４２、４４、４５、４６及び４７、コンデンサ４３、並びにＮＰＮ型バイポーラトランジスタであるトランジスタＴＲ１及びＴＲ２を有して構成される。
The timing
電源１と抵抗１１との接続点（即ち、電源１の正電圧出力側）は、抵抗４４を介してトランジスタＴＲ１のコレクタに接続されていると共に、抵抗４２を介してトランジスタＴＲ１のベースに接続されている。また、トランジスタＴＲ１のベースは、コンデンサ４３を介して接地されており、トランジスタＴＲ１のエミッタは、そのまま配線を介して接地されている。
The connection point between the
トランジスタＴＲ１のコレクタは、抵抗４５を介してトランジスタＴＲ２のベースに接続されており、トランジスタＴＲ２のベースは、抵抗４６を介してトランジスタＴＲ２のエミッタに接続されている。トランジスタＴＲ２のエミッタは接地されている。トランジスタＴＲ２のコレクタは、抵抗４７を介してツェナーダイオード３３のカソードと抵抗４１との接続点に接続されている。
The collector of the transistor TR1 is connected to the base of the transistor TR2 via the
今、抵抗４１に発生する電圧をＶｒで表す。勿論、電圧Ｖｒは、抵抗４１に流れる電流量に応じて変化する。そして、他の実施形態と同じように、サイリスタ１８のゲートトリガ電圧をＶｔ、ツェナーダイオード３３のツェナー電圧をＶｚｄ、とすると、電圧Ｖ１がＶｏ＝Ｖｚｄ＋Ｖｔ＋Ｖｒより低いタイミングにおいては、サイリスタ１８はオフとなる。電圧Ｖ１がＶｏ＝Ｖｚｄ＋Ｖｔ＋Ｖｒに到達すると、サイリスタ１８はオンとなって、コンデンサ１２に蓄えられた電荷（エネルギー）は、トランス３の一次巻線３ａとサイリスタ１８を介して放電される。
Now, the voltage generated in the
サイリスタ１８をオンにする電圧Ｖｏの成分のうち、（Ｖｚｄ＋Ｖｔ）は略一定となっているが、電圧Ｖｒは、タイミング発生回路８の制御によって変化する。このタイミング発生回路８の動作を説明する。
Among the components of the voltage Vo that turns on the
電源１が起動し、電源１の出力電圧（電源１からの上記直流電圧）が規定電圧値にまで立ち上がると、抵抗１１と抵抗４４との接続点の電圧値は、０Ｖから該規定電圧値に上昇する。この電源１の出力電圧の立ち上がり時点を、以下、タイミングＴ０と呼ぶ。
When the
タイミングＴ０では、トランジスタＴＲ１はオフとなっており、電源１からの電流が抵抗４４、４５及び４６を介して流れることにより、トランジスタＴＲ２がオンする。タイミングＴ０にて上記規定電圧値が加わると、抵抗４２の抵抗値とコンデンサ４３の静電容量とによって定まる時定数に従って、トランジスタＴＲ１のベース電圧は徐々に上昇していく。そして、該ベース電圧が約０．７Ｖに達すると、トランジスタＴＲ１がオンとなって、トランジスタＴＲ２のベース電圧が低下し、トランジスタＴＲ２はオフとなる。トランジスタＴＲ２がオフとなるタイミングを、タイミングＴ１と呼ぶ。
At timing T0, the transistor TR1 is turned off, and the current from the
図１１に、タイミングＴ０−Ｔ１間（タイミングＴ０とＴ１との間）の期間を含む、電圧Ｖ１及びＶ４の電圧波形を示す。タイミングＴ０以降は、第１及び第２実施形態で説明したのと同様にサイリスタ１８のオン／オフが繰り返されるが、同一の電圧Ｖ１に対する電圧Ｖｒは、タイミングＴ１以前の方がタイミングＴ１以降よりも大きくなる。タイミングＴ１以前においては、抵抗４１に流れる電流の一部または全部が、トランジスタＴＲ２を介してグランドライン（接地）に流れるからである。
FIG. 11 shows voltage waveforms of the voltages V1 and V4 including a period between the timings T0 and T1 (between the timings T0 and T1). After the timing T0, the
このため、サイリスタ１８をオンするためにコンデンサ１２に蓄えるべき電荷量は、タイミングＴ１以前の方がタイミングＴ１以降よりも大きくなる。換言すると、サイリスタ１８をオンするために必要な電圧Ｖ１（＝Ｖｚｄ＋Ｖｔ＋Ｖｒ）は、トランジスタＴＲ２にバイパスされる電流量分だけ、タイミングＴ１以前の方がタイミングＴ１以降よりも大きい。
For this reason, the amount of charge to be stored in the
この結果、図１１に示す如く、タイミングＴ１以前では、タイミングＴ１以降よりも、トランス３の二次側に発生する高電圧の電圧値（波高値）が大きくなると共に高電圧の発生周期が長くなる。タイミング発生回路８は、サイリスタ１８がオンとなるタイミング（周期）を変化させる手段として機能する。
As a result, as shown in FIG. 11, before the timing T1, the voltage value (crest value) of the high voltage generated on the secondary side of the
イオン発生器を（特に空気の汚れた環境下において）長時間使用すると、放電面に汚染物質が付着し、放電が弱まってイオン生成量が低下するが、タイミングＴ０−Ｔ１間における比較的大きな高電圧が上記汚染物質を放電面から飛ばす。このため、本実施形態によれば、長期的に安定したイオン発生器を構成することが可能である。また、最初に放電を行うときの（放電１回目の）放電開始電圧（放電を開始するために必要な最低電圧）は、それ以降における放電開始電圧よりも通常高いことが知られているが、上記の如く、通電初期に放電面に与える電圧を一時的に高くすることで、通電初期における放電のスムーズ化が図られる。また、放電開始電圧は、放電面に対する汚染物質の付着によっても増加するが、通電初期における比較的大きな高電圧が該汚染物質を飛ばすように作用するため、これによっても放電のスムーズ化が図られる。 If the ion generator is used for a long time (especially in an airy environment), pollutants adhere to the discharge surface, and the discharge is weakened to reduce the amount of generated ions. However, the ion generation amount is relatively large between timings T0 and T1. The voltage blows the contaminants off the discharge surface. For this reason, according to this embodiment, it is possible to constitute an ion generator that is stable for a long period of time. Further, it is known that the discharge start voltage (first voltage required for starting discharge) at the first discharge (the first voltage required for starting discharge) is usually higher than the discharge start voltage thereafter. As described above, by temporarily increasing the voltage applied to the discharge surface in the initial stage of energization, smooth discharge can be achieved in the initial stage of energization. The discharge start voltage also increases due to the adhesion of contaminants to the discharge surface. However, since a relatively large high voltage at the initial stage of energization acts so as to fly the contaminants, this also facilitates smooth discharge. .
また、例えばイオン発生器の電源がオフとなって電源１がオフとなると、電源１の出力電圧は０Ｖとなる。そして、次回に、そのイオン発生器の電源をオンとすると、電源１がオンとなって電源１の出力電圧は０Ｖから上記規定電圧値まで上昇し、上述のタイミングＴ０以降の動作が繰り返される。つまり、イオン発生器の電源のオンごとに（電源１の出力電圧の立ち上がりことに）、上記のタイミングＴ０−Ｔ１間の動作が自動的に行われる。
For example, when the power supply of the ion generator is turned off and the
尚、図１１にも表されているが、タイミングＴ０−Ｔ１間の期間の長さは、サイリスタ１８のオン／オフの周期の逆数（サイリスタ１８がオンとなってから次にオンとなるまでの期間の長さ）よりも長く、例えば、それの数倍〜数１０００倍とされる。また、図１１では、タイミングＴ１とサイリスタ１８のオンのタイミングが一致しているが、それらの一致または不一致は任意である。
As shown in FIG. 11, the length of the period between timings T0 and T1 is the reciprocal of the on / off cycle of the thyristor 18 (from the time when the
抵抗４２とコンデンサ４３は、電源１の出力電圧（電源電圧とも呼べる）を入力信号とするローパスフィルタを構成しており、該ローパスフィルタの出力信号値によって、トランジスタＴＲ２を含んで構成されるバイパス回路に流れる電流量が自動的に制御される。つまり、図１０のタイミング可変回路８は、電源１の出力電圧の立ち上がり時における、電源１からの電圧の電圧値変化（即ち、０Ｖから規定電圧値までの変化）を利用して、上記バイパス回路に流れる電流量を自動的に制御する回路である。
The
図１０に示したタイミング可変回路８の回路構成は一例であり、「所定期間、サイリスタ１８がオンとなるタイミング（周期）を変化させてトランス３の二次側の高電圧を変化させる」という機能を損なわない限り、様々な変形が可能である。
The circuit configuration of the timing
例えば、図示されないマイクロコンピュータ等からの信号を用いてトランジスタＴＲ２のオン／オフを制御することにより、タイミングＴ１以降の任意のタイミングＴ２において、トランジスタＴＲ２をオンするようにしてもよい。そして、タイミングＴ２以降の任意のタイミングＴ３において、再度トランジスタＴＲ２をオフにする。 For example, the transistor TR2 may be turned on at an arbitrary timing T2 after the timing T1 by controlling on / off of the transistor TR2 using a signal from a microcomputer (not shown). Then, at an arbitrary timing T3 after the timing T2, the transistor TR2 is turned off again.
具体的には、図１２のように高圧駆動回路を構成する。図１２において、他の図と同一の部分には同一の符号を付してある。図１２の回路では、抵抗４２及び４４、コンデンサ４３並びにトランジスタＴＲ１が省略されている代わりに、マイクロコンピュータ等からの外部信号を受ける端子５０が設けられている。端子５０は、抵抗４５を介してトランジスタＴＲ２のゲートに接続されている。このように構成することにより、任意のタイミングで、任意の長さだけ、トランジスタＴＲ２をオンとして、サイリスタ１８のオンとするタイミング（周期）を変化させることが可能となる。
Specifically, a high voltage drive circuit is configured as shown in FIG. In FIG. 12, the same parts as those in the other figures are denoted by the same reference numerals. In the circuit of FIG. 12, a terminal 50 for receiving an external signal from a microcomputer or the like is provided instead of omitting the
また、図１０及び図１２において、可変抵抗またはサーミスタを抵抗４１として採用しても良い。また、図１０及び図１２において、抵抗４１とツェナーダイオード３３との間に直列に可変抵抗またはサーミスタを別途挿入するようにしてもよい。
10 and 12, a variable resistor or thermistor may be used as the
第１〜第３実施形態に係る高圧駆動回路をイオン発生器に適用したものを例示しているが、本発明に係る高圧駆動回路は、空気清浄機、静電プリンタ、複写機、オゾナ（オゾン）発生装置、除電装置（静電気除去装置）等、様々な機器に適用可能である。また、第１〜第３実施形態に係る高圧駆動回路を備えたイオン発生器は、小型化及び低コスト化が図られているため、空気調和機、除湿器、加湿器、空気清浄機、冷蔵庫、ファンヒータ、電子レンジ、洗濯乾燥機、掃除機、殺菌装置などの様々な電気機器に好適である。 Although the high voltage drive circuit according to the first to third embodiments is applied to an ion generator, the high voltage drive circuit according to the present invention is an air purifier, electrostatic printer, copying machine, ozona (ozone). ) Applicable to various devices such as generator, static eliminator (static eliminator). Moreover, since the ion generator provided with the high voltage | pressure drive circuit which concerns on 1st-3rd embodiment is aiming at size reduction and cost reduction, an air conditioner, a dehumidifier, a humidifier, an air cleaner, a refrigerator It is suitable for various electric devices such as fan heaters, microwave ovens, washing / drying machines, vacuum cleaners, and sterilizers.
１ 電源
２ 充放電回路
３ トランス
３ａ 一次巻線
３ｂ 二次巻線
４ 高電圧出力部
４ａ、４ｂ 電極
５ タイミング発生回路
６、７、７ａ、７ｂ、７ｃ スイッチ回路
８ タイミング可変回路
１１ 抵抗
３１ 抵抗（トリガ用抵抗）
１２ コンデンサ
１８ サイリスタ
３３ ツェナーダイオード
ＶＲ 可変抵抗
ＴＨ サーミスタ
４１ 抵抗（タイミング変更用抵抗）
ＴＲ１、ＴＲ２ トランジスタ
DESCRIPTION OF
12
TR1, TR2 transistors
Claims (11)
トランス一次側の通電のオン／オフをスイッチングするスイッチ回路と、
電源とトランス一次側との間に介在し、トランスに供給する電荷を蓄える充放電回路と、
を備え、
前記スイッチ回路は、
前記充放電回路の蓄積電荷量に対応した電圧を受けるツェナーダイオードと、
電源とトランス一次側との間に介在し、前記ツェナーダイオードに流れる電流が規定値以上のときに、オンとなるサイリスタと、
前記ツェナーダイオードとトリガ用抵抗とを直列接続して構成される直列回路と、
前記ツェナーダイオードと直列接続された可変抵抗と、
を備え、
前記ツェナーダイオードに流れる電流によって前記トリガ用抵抗に発生した電圧が前記サイリスタのゲートに供給されることを特徴とする電圧発生回路。 With a transformer,
A switch circuit for switching on / off of energization on the primary side of the transformer;
A charge / discharge circuit that is interposed between the power source and the transformer primary side and stores electric charge supplied to the transformer;
With
The switch circuit is
A Zener diode that receives a voltage corresponding to the amount of charge accumulated in the charge / discharge circuit;
A thyristor that is interposed between a power source and a transformer primary side and is turned on when a current flowing through the zener diode is equal to or greater than a specified value;
A series circuit configured by connecting the Zener diode and the trigger resistor in series;
A variable resistor connected in series with the Zener diode ;
With
It characterized electrostatic pressure generation circuit to be supplied to the gate of the voltage generated in the resistor for the trigger by a current flowing through the Zener diode is the thyristor.
トランス一次側の通電のオン／オフをスイッチングするスイッチ回路と、
電源とトランス一次側との間に介在し、トランスに供給する電荷を蓄える充放電回路と、
を備え、
前記スイッチ回路は、
前記充放電回路の蓄積電荷量に対応した電圧を受けるツェナーダイオードと、
電源とトランス一次側との間に介在し、前記ツェナーダイオードに流れる電流が規定値以上のときに、オンとなるサイリスタと、
前記ツェナーダイオードとトリガ用抵抗とを直列接続して構成される直列回路と、
前記ツェナーダイオードと直列接続されたサーミスタと、
を備え、
前記ツェナーダイオードに流れる電流によって前記トリガ用抵抗に発生した電圧が前記サイリスタのゲートに供給されることを特徴とする電圧発生回路。 With a transformer,
A switch circuit for switching on / off of energization on the primary side of the transformer;
A charge / discharge circuit that is interposed between the power source and the transformer primary side and stores electric charge supplied to the transformer;
With
The switch circuit is
A Zener diode that receives a voltage corresponding to the amount of charge accumulated in the charge / discharge circuit;
A thyristor that is interposed between a power source and a transformer primary side and is turned on when a current flowing through the zener diode is equal to or greater than a specified value;
A series circuit configured by connecting the Zener diode and the trigger resistor in series;
A thermistor connected in series with the Zener diode ;
With
It characterized electrostatic pressure generation circuit to be supplied to the gate of the voltage generated in the resistor for the trigger by a current flowing through the Zener diode is the thyristor.
前記サーミスタは、正の温度特性のサーミスタである
ことを特徴とする請求項２に記載の電圧発生回路。 The charge / discharge circuit includes a capacitor having a characteristic that a capacitance at a second temperature higher than the first temperature is smaller than a capacitance at the first temperature, and the charge is stored in the capacitor. Is composed of
The voltage generation circuit according to claim 2 , wherein the thermistor is a thermistor having a positive temperature characteristic.
前記サーミスタは、負の温度特性のサーミスタである
ことを特徴とする請求項２に記載の電圧発生回路。 The charge / discharge circuit includes a capacitor having a characteristic that a capacitance at a third temperature lower than the first temperature is smaller than a capacitance at the first temperature, and stores the charge in the capacitor. Is composed of
The voltage generation circuit according to claim 2 , wherein the thermistor is a thermistor having a negative temperature characteristic.
トランス一次側の通電のオン／オフをスイッチングするスイッチ回路と、
電源とトランス一次側との間に介在し、トランスに供給する電荷を蓄える充放電回路と、
タイミング可変回路と、
を備え、
前記スイッチ回路は、
前記充放電回路の蓄積電荷量に対応した電圧を受けるツェナーダイオードと、
電源とトランス一次側との間に介在し、前記ツェナーダイオードに流れる電流が規定値以上のときに、オンとなるサイリスタと、
前記ツェナーダイオードとトリガ用抵抗とを直列接続して構成される直列回路と、
前記ツェナーダイオードと直列接続された可変抵抗と、
を備え、
前記ツェナーダイオードに流れる電流によって前記トリガ用抵抗に発生した電圧が前記サイリスタのゲートに供給され、
前記タイミング可変回路は、
前記ツェナーダイオードに流れる電流を規定値以上とするための前記充放電回路の蓄積電荷量が可変となるように、前記サイリスタがオンとなるタイミングを可変にする
ことを特徴とする電圧発生回路。 With a transformer,
A switch circuit for switching on / off of energization on the primary side of the transformer;
A charge / discharge circuit that is interposed between the power source and the transformer primary side and stores electric charge supplied to the transformer;
A variable timing circuit;
With
The switch circuit is
A Zener diode that receives a voltage corresponding to the amount of charge accumulated in the charge / discharge circuit;
A thyristor that is interposed between a power source and a transformer primary side and is turned on when a current flowing through the zener diode is equal to or greater than a specified value;
A series circuit configured by connecting the Zener diode and the trigger resistor in series;
A variable resistor connected in series with the Zener diode;
With
The voltage generated in the trigger resistor by the current flowing through the Zener diode is supplied to the gate of the thyristor,
The timing variable circuit includes:
Wherein as the amount of charges stored in the charge and discharge circuit for the current flowing through the Zener diode prescribed value or is variable, you the timing at which the thyristor is turned on variable
It shall be the feature and this electric pressure generating circuit.
前記直列回路と前記トランス一次側には、前記充放電回路の蓄積電荷量に対応した電圧が印加され、
前記タイミング可変回路は、前記タイミング変更用抵抗に接続されたバイパス回路を備え、前記タイミング変更用抵抗と前記バイパス回路を介して流れるバイパス電流の電流量を制御することにより、前記サイリスタがオンとなるタイミングを変化させる
ことを特徴とする請求項５に記載の電圧発生回路。 The series circuit is composed of said zener diode and the trigger resistor further resistor for timing changes connected in series,
The front SL series circuit with the transformer primary side, the voltage corresponding to the accumulated charge amount of the charge-discharge circuit is applied,
The timing variable circuit includes a bypass circuit connected to the timing changing resistor, and the thyristor is turned on by controlling a current amount of a bypass current flowing through the timing changing resistor and the bypass circuit. 6. The voltage generation circuit according to claim 5 , wherein the timing is changed.
ことを特徴とする請求項６に記載の電圧発生回路。 The timing variable circuit operates by receiving a power supply voltage from the power supply, and automatically controls a current amount of the bypass current by using a change in a power supply voltage value when the power supply voltage rises. The voltage generation circuit according to claim 6 .
ことを特徴とする請求項６に記載の電圧発生回路。 The timing variable circuit includes a low-pass filter that receives a power supply voltage from the power supply, and automatically controls the bypass by controlling the bypass circuit according to an output signal value of the low-pass filter at the time of rising of the power supply voltage. The voltage generation circuit according to claim 6 , wherein the amount of current is controlled.
所定期間における、前記ツェナーダイオードに流れる電流を規定値以上とするための前記充放電回路の蓄積電荷量を、他の期間のそれと異ならせる
ことを特徴とする請求項５〜請求項８の何れかに記載の電圧発生回路。 The timing variable circuit, for each rise of the power supply voltage from the power supply,
In a predetermined period, the accumulated charge amount of the charging and discharging circuit for the current flowing through the Zener diode prescribed value or more, any one of claims 5 to claim 8, wherein varying from that of other periods The voltage generation circuit described in 1.
ことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の電圧発生回路。 The timing adjustment circuit includes a voltage generating circuit according to claim 5 or claim 6, characterized in that changing the timing at which the thyristor is turned on based on a signal from the outside.
前記電圧発生回路の前記トランスの二次側に発生する電圧を利用してイオンを発生させる
ことを特徴とするイオン発生器。 A voltage generation circuit according to any one of claims 1 to 10 ,
An ion generator that generates ions using a voltage generated on a secondary side of the transformer of the voltage generation circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005361769A JP4646796B2 (en) | 2004-12-22 | 2005-12-15 | Voltage generation circuit and ion generator |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004370511 | 2004-12-22 | ||
| JP2005361769A JP4646796B2 (en) | 2004-12-22 | 2005-12-15 | Voltage generation circuit and ion generator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006204087A JP2006204087A (en) | 2006-08-03 |
| JP4646796B2 true JP4646796B2 (en) | 2011-03-09 |
Family
ID=36961580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005361769A Expired - Fee Related JP4646796B2 (en) | 2004-12-22 | 2005-12-15 | Voltage generation circuit and ion generator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4646796B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5098522B2 (en) * | 2007-08-30 | 2012-12-12 | 株式会社村田製作所 | Inverter device design method |
| JP5467791B2 (en) * | 2009-04-09 | 2014-04-09 | 日東光学株式会社 | LED lighting device and LED light emitting device |
| US11349021B2 (en) | 2020-03-24 | 2022-05-31 | Littelfuse, Inc. | Thyristor assembly |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4214528Y1 (en) * | 1964-04-03 | 1967-08-18 | ||
| JPS5254927A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-04 | Sugiyama Kazuya | Electrode member for discharge generating spark for gas firing |
| JPS52120069A (en) * | 1976-04-01 | 1977-10-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Spark generating circuit |
-
2005
- 2005-12-15 JP JP2005361769A patent/JP4646796B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4214528Y1 (en) * | 1964-04-03 | 1967-08-18 | ||
| JPS5254927A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-04 | Sugiyama Kazuya | Electrode member for discharge generating spark for gas firing |
| JPS52120069A (en) * | 1976-04-01 | 1977-10-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Spark generating circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006204087A (en) | 2006-08-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4489090B2 (en) | Ion generator and electrical equipment | |
| JP4519333B2 (en) | Pulse AC type static eliminator | |
| US20100091421A1 (en) | Inrush current preventing circuit | |
| JP4646796B2 (en) | Voltage generation circuit and ion generator | |
| KR940007076B1 (en) | Circuit for producing high voltage pulse | |
| CN117353431B (en) | Circuit structure with adjustable duty ratio | |
| JP6675243B2 (en) | Charge control circuit | |
| JP2009021110A (en) | High voltage generating circuit, ion generating device, and electric equipment | |
| JP2007087932A (en) | High voltage generation circuit and ionizer | |
| KR101054244B1 (en) | Trigger device and driving method for impulse generator | |
| JP4514664B2 (en) | Ion generator and air conditioner | |
| JP2023038969A (en) | High-voltage power source device | |
| JP2006032231A (en) | Ion generator and air conditioner | |
| JP4770953B2 (en) | Static eliminator | |
| JP4157359B2 (en) | Static eliminator | |
| JP4515351B2 (en) | Ion generator and air conditioner | |
| JP2004088953A (en) | Concurrent high-voltage generating circuit for ion generator and high-voltage generating circuit for ion generation and for igniter | |
| WO2020194661A1 (en) | Power supply device | |
| JP2002027753A (en) | Switching power supply circuit | |
| JP2009295546A (en) | Ion generator | |
| JP2007018905A (en) | High voltage driving circuit and ion generator | |
| JP2003235263A (en) | Variable power source | |
| JP3093249U (en) | Air ion generator | |
| JP3661305B2 (en) | DC power supply | |
| JP4739146B2 (en) | Ion generator and air conditioner |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20071108 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100921 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101110 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101207 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101207 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |