JP4632426B2 - 発光ダイオード組立体の組立方法および発光ダイオード組立体 - Google Patents
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Description
第1発明の発光ダイオード組立体の組立方法は、一対の配線が多数形成されたサブマウント基板の各配線上の所定位置に、金80%、錫20%からなる第1の共晶ハンダを載置し、前記各一対の配線の前記第1の共晶ハンダ上に、フリプチップ型発光ダイオードの各電極を配置した後、リフロー炉で加熱して、前記第1の共晶ハンダを介して前記配線と電極とを接続した後、前記サブマウント基板をダイシングして、一つのフリプチップ型発光ダイオードが載置されたサブマウントとし、前記サブマウントに形成された一対の配線に一対のリードを導電性熱硬化性接着剤、または融点が120℃から230℃である第2の共晶ハンダを介してそれぞれ接続したことを特徴とする。
第2発明の発光ダイオード組立体の組立方法は、一対の配線が多数形成されたサブマウント基板の各配線上に所定位置に、金80%、錫20%からなる第1の共晶ハンダを載置し、各一対の配線の前記第1の共晶ハンダ上に、フリプチップ型発光ダイオードの各電極を配置した後、リフロー炉で加熱して、前記第1の共晶ハンダを介して前記配線と電極とを接続した後、前記サブマウント基板をダイシングして、一つのフリプチップ型発光ダイオードが載置されたサブマウントとし、一方、複数のプラスチック製筒体と、前記複数のプラスチック製筒体を貫通するリードフレームとを一体成形により作製した後、前記リードフレームをカッティングして一個のプラスチック製筒体とし、前記一個のプラスチック製筒体の内部に突出する一対のリードを、導電性熱硬化性接着剤、または融点が120℃から230℃である第2の共晶ハンダを介して前記サブマウントに形成された一対の配線にそれぞれ接続し、前記プラスチック製筒体の上面を透明樹脂で封止したことを特徴とする。
第3発明の発光ダイオード組立体の組立方法は、一対の配線が多数形成されたサブマウント基板の各配線上の所定位置に、金80%、錫20%からなる第1の共晶ハンダ層を形成した後、前記第1の共晶ハンダ上にフラックスを載置し、各一対の配線のフラックス上に、フリプチップ型発光ダイオードの各電極を配置した後、リフロー炉で加熱して、前記第1の共晶ハンダを介して前記配線と電極とを接続した後、前記サブマウント基板をダイシングして、一つのフリプチップ型発光ダイオードが載置されたサブマウントとし、一方、複数のプラスチック製筒体と、前記複数のプラスチック製筒体を貫通するリードフレームとを一体成形により作製した後、前記リードフレームをカッティングして一個のプラスチック製筒体とし、前記一個のプラスチック製筒体の内部に突出する一対のリードを、導電性熱硬化性接着剤、または融点が120℃から230℃である第2の共晶ハンダを介して前記サブマウントに形成された一対の配線にそれぞれ接続し、前記プラスチック製筒体の上面を透明樹脂で封止したことを特徴とする。
第4発明の発光ダイオード組立体の組立方法は、第3発明の共晶ハンダ層が各配線上の所定位置に、蒸着法、スクリーン印刷法、またはメッキ法によって形成されていることを特徴とする。
第5発明の発光ダイオード組立体は、フリプチップ型発光ダイオードの一対の電極が金80%、錫20%からなる第1の共晶ハンダを介して一対の配線に接続されたサブマウントと、内部を貫通する一対のリードが一体成形により作製されたプラスチック製筒体と、前記プラスチック製筒体の内部に突出する一対のリードを、導電性熱硬化性接着剤、または融点が120℃から230℃である第2の共晶ハンダを介して前記サブマウントに形成された一対の配線にそれぞれ接続した発光部組立体と、前記発光部組立体の上面を封止した透明樹脂封止部材とから構成されていることを特徴とする。
第6発明の発光ダイオード組立体において、第5発明における第1の共晶ハンダは、金−錫共晶ハンダペーストであることを特徴とする。
第7発明の発光ダイオード組立体において、第5発明または第6発明におけるプラスチック製筒体により囲まれた1個のフリプチップ型発光ダイオードは、一つの印刷配線基板上にマトリクス状に組み立てられていることを特徴とする。
第8発明の発光ダイオード組立体において、第5発明または第6発明におけるプラスチック製筒体により囲まれた1個のフリプチップ型発光ダイオードは、一つの印刷配線基板上に所望の形状に組み立てられていることを特徴とする。
第9発明の発光ダイオード組立体において、第5発明から第8発明における発光ダイオード組立体におけるフリプチップ型発光ダイオードは、制御回路によって点滅制御されることを特徴とする。
第10発明の発光ダイオード組立体において、第5発明から第9発明におけるフリプチップ型発光ダイオードは、赤色、黄色、橙色、緑色、青色の内の一種類であることを特徴とする。
第11発明の発光ダイオード組立体において、第5発明から第9発明におけるフリプチップ型発光ダイオードは、赤色、黄色、橙色、緑色、青色の内の少なくとも複数種類が予め印刷配線基板に配置されていることを特徴とする。
(第1発明)
第1発明は、たとえば、シリコンからなる半導体ウエハのサブマウント基板上に絶縁膜を成形し、その上の所定位置に一対の配線が多数形成されている。そして、前記サブマウント基板に形成された一対の配線上には、金80%、錫20%からなる第1の共晶ハンダが所定位置に載置される。
第2発明は、たとえば、シリコンからなる半導体ウエハのサブマウント基板上に絶縁膜を成形し、その上の所定位置に一対の配線が多数形成されている。そして、前記サブマウント基板に形成された一対の配線上には、金80%、錫20%からなる第1の共晶ハンダが所定位置に載置される。
第3発明は、第2発明における金80%、錫20%からなる第1の共晶ハンダの代わりに共晶ハンダ層とするとともに、前記共晶ハンダ層の上にフラックスを載置している点で異なっている。
第4発明の発光ダイオード組立体の組立方法は、前記共晶ハンダ層の作製方法として、蒸着法、スクリーン印刷法、またはメッキ法が使用される。前記共晶ハンダ層は、蒸着法、スクリーン印刷法、またはメッキ法により所望の厚さで、しかも均一に形成されるため、一対の配線と一対の電極とが安定して接続される。
第5発明の発光ダイオード組立体は、フリプチップ型発光ダイオードの一対の電極が金80%、錫20%からなる第1の共晶ハンダを介してサブマウント基板に形成された一対の配線に接続されている。一方、プラスチック製筒体は、その内部を貫通するリードフレームが一体成形により作製されている。前記プラスチック製筒体は、前記リードフレームによって複数が同時に成形される。
第6発明は、第5発明における第1の共晶ハンダを金80%、錫20%からなる共晶ハンダペーストとしている。前記金−錫共晶ハンダペーストは、リフロー処理における温度であっても、はみだすことがなく、隣合った配線と短絡することがない。
第7発明の発光ダイオード組立体は、一つの印刷配線基板上にプラスチック製筒体により囲まれた1個のフリプチップ型発光ダイオードがマトリクス状に組み立てられているため、表示装置、掲示板、広告装置、信号装置等に利用することができる。
第8発明の発光ダイオード組立体は、一つの印刷配線基板上にプラスチック製筒体により囲まれた1個のフリプチップ型発光ダイオードが所望の形状に組み立てられているため、掲示板、広告装置、方向表示装置等に適している。
第9発明の発光ダイオード組立体は、印刷配線基板上の配線に接続された制御回路によってフリプチップ型発光ダイオードの点滅制御が行われるため、文字や画像を動かすことができる。また、第9発明の発光ダイオード組立体は、赤色のフリプチップ型発光ダイオード、橙色のフリプチップ型発光ダイオード、青色の発光ダイオードの三色をそれぞれ複数個並べ、それぞれの点灯を制御することで、道路における信号機等にすることができる。
第10発明の発光ダイオード組立体は、フリプチップ型発光ダイオードの種類を赤色、黄色、橙色、緑色、青色の内の一種類とした。前記一種類の発光ダイオード組立体は、文字等を表示するのに優れている。
第11発明の発光ダイオード組立体において、フリプチップ型発光ダイオードの種類は、赤色、黄色、橙色、緑色、青色の内の少なくとも複数種類が予め印刷配線基板に配置されている。第11発明の発光ダイオード組立体は、色を複数種類とすることで、画像に適し広告等に使用することができる。
第1共晶ハンダ 溶融温度
Sn−80Au 280℃
第2共晶ハンダ
Sn−0.75Cu 227℃
Sn−3.5Ag 221℃
Sn−0.7Ag−0.3Cu 217℃〜227℃
Sn−3.5Ag−0.75Cu 217℃〜219℃
Sn−2.5Ag−0.5Cu−1.0Bi 214℃〜221℃
Sn−2.0Ag−0.5Cu−2.0Bi 211℃〜221℃
Sn−2.5Ag−2.5Bi−2.5In 190℃〜210℃
Sn−3.5Ag−3.0Bi−6.0In 165℃〜206℃
Sn−9.0Zn 199℃
Sn−58Bi 139℃
Sn−8.0Zn−3.0Bi 187℃〜199℃
11・・・印刷配線基板
111・・・プリント配線
12・・・サブマウント基板またはサブマウント
121・・・導電性熱硬化性接着剤、または融点が120℃から230℃である第2の共晶ハンダ
122・・・配線
123・・・金80%、錫20%からなる第1の共晶ハンダ、前記共晶ハンダとフラックス、あるいは前記共晶ハンダペースト
13・・・プラスチック製筒体
14・・・リードフレームまたはリード
141・・・埋め込み部
142・・・折り曲げ部
15・・・フリプチップ型発光ダイオード
16・・・透明封止樹脂
Claims (11)
- 一対の配線が多数形成されたサブマウント基板の各配線上の所定位置に、金80%、錫20%からなる第1の共晶ハンダを載置し、
前記各一対の配線の前記第1の共晶ハンダ上に、フリプチップ型発光ダイオードの各電極を配置した後、リフロー炉で加熱して、前記第1の共晶ハンダを介して前記配線と電極とを接続した後、
前記サブマウント基板をダイシングして、一つのフリプチップ型発光ダイオードが載置されたサブマウントとし、
前記サブマウントに形成された一対の配線に一対のリードを導電性熱硬化性接着剤、または融点が120℃から230℃である第2の共晶ハンダを介してそれぞれ接続したことを特徴とする発光ダイオード組立体の組立方法。 - 一対の配線が多数形成されたサブマウント基板の各配線上の所定位置に、金80%、錫20%からなる第1の共晶ハンダを載置し、
前記各一対の配線の前記第1の共晶ハンダ上に、フリプチップ型発光ダイオードの各電極を配置した後、リフロー炉で加熱して、前記第1の共晶ハンダを介して前記配線と電極とを接続した後、
前記サブマウント基板をダイシングして、一つのフリプチップ型発光ダイオードが載置されたサブマウントとし、
一方、複数のプラスチック製筒体と、前記複数のプラスチック製筒体を貫通するリードフレームとを一体成形により作製した後、前記リードフレームをカッティングして一個のプラスチック製筒体とし、
前記一個のプラスチック製筒体の内部に突出する一対のリードを、導電性熱硬化性接着剤、または融点が120℃から230℃である第2の共晶ハンダを介して前記サブマウントに形成された一対の配線にそれぞれ接続し、
前記プラスチック製筒体の上面を透明樹脂で封止したことを特徴とする発光ダイオード組立体の組立方法。 - 一対の配線が多数形成されたサブマウント基板の各配線上の所定位置に、金80%、錫20%からなる第1の共晶ハンダ層を形成した後、前記共晶ハンダ上にフラックスを載置し、
前記各一対の配線のフラックス上に、フリプチップ型発光ダイオードの各電極を配置した後、リフロー炉で加熱して、前記第1の共晶ハンダを介して前記配線と電極とを接続した後、
前記サブマウント基板をダイシングして、一つのフリプチップ型発光ダイオードが載置されたサブマウントとし、
一方、複数のプラスチック製筒体と、前記複数のプラスチック製筒体を貫通するリードフレームとを一体成形により作製した後、前記リードフレームをカッティングして一個のプラスチック製筒体とし、
前記一個のプラスチック製筒体の内部に突出する一対のリードを、導電性熱硬化性接着剤、または融点が120℃から230℃である第2の共晶ハンダを介して前記サブマウントに形成された一対の配線にそれぞれ接続し、
前記プラスチック製筒体の上面を透明樹脂で封止したことを特徴とする発光ダイオード組立体の組立方法。 - 前記第1の共晶ハンダ層は、各配線上の所定位置に、蒸着法、スクリーン印刷法、またはメッキ法によって形成されたことを特徴とする請求項3に記載された発光ダイオード組立体の組立方法。
- フリプチップ型発光ダイオードの一対の電極が金80%、錫20%からなる第1の共晶ハンダを介して一対の配線に接続されたサブマウントと、
内部を貫通する一対のリードが一体成形により作製されたプラスチック製筒体と、
前記プラスチック製筒体の内部に突出する一対のリードを、導電性熱硬化性接着剤、または融点が120℃から230℃である第2の共晶ハンダを介して前記サブマウントに形成された一対の配線にそれぞれ接続した発光部組立体と、
前記発光部組立体の上面を封止した透明樹脂封止部材と、
から構成されることを特徴とする発光ダイオード組立体。 - 前記第1の共晶ハンダは、金−錫共晶ハンダペーストであることを特徴とする請求項5に記載された発光ダイオード組立体。
- 前記プラスチック製筒体により囲まれた1個のフリプチップ型発光ダイオードは、一つの印刷配線基板上にマトリクス状に組み立てられていることを特徴とする請求項5または請求項6に記載された発光ダイオード組立体。
- 前記プラスチック製筒体により囲まれた1個のフリプチップ型発光ダイオードは、一つの印刷配線基板上に所望の形状に組み立てられていることを特徴とする請求項5または請求項6に記載された発光ダイオード組立体。
- 前記発光ダイオード組立体におけるフリプチップ型発光ダイオードは、制御回路によって点滅制御されることを特徴とする請求項5から請求項8のいずれか1項に記載された発光ダイオード組立体。
- 前記フリプチップ型発光ダイオードは、赤色、黄色、橙色、緑色、青色の内の一種類であることを特徴とする請求項5から請求項9のいずれか1項に記載された発光ダイオード組立体。
- 前記フリプチップ型発光ダイオードは、赤色、黄色、橙色、緑色、青色の内の少なくとも複数種類が予め印刷配線基板に配置されていることを特徴とする請求項5から請求項9のいずれか1項に記載された発光ダイオード組立体。
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Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JPH05121642A (ja) * | 1991-10-26 | 1993-05-18 | Nec Corp | 半導体装置 |
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JP2003110144A (ja) * | 2001-10-01 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05121642A (ja) * | 1991-10-26 | 1993-05-18 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2003046135A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2003110144A (ja) * | 2001-10-01 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2006054209A (ja) * | 2003-09-30 | 2006-02-23 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2005117041A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Agilent Technol Inc | 高出力発光ダイオードデバイス |
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