JP4631600B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents
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Description
(実施例1)
実施例1として図1に示すように、ガラス基板上にホール注入電極としてアモルファスITO膜、ホール注入層としてNiO膜を用いたNiO/ITO構造を形成し、その上に有機EL素子を形成し、さらに保護膜で封止した構造の素子を作製した。アモルファスITO膜及びNiO膜は高周波(RF)マグネトロンスパッタリング法で形成した。アモルファスITO膜は酸化インジウムに10重量%酸化錫をドープした焼結ターゲットを用い、スパッタガスとしてAr/O2混合ガスを用い、基板温度は室温(25℃)にて形成した。アモルファスITO膜の膜厚は150nmとし、抵抗率は約500μΩcmとした。形成したITO膜がアモルファス状態であることは、X線回折装置(リガク製、RINT−2200型)を使用して、X線回折パターンを測定して確認した。結果を図2に示す。NiO膜は酸化ニッケルの焼結ターゲットを用い、スパッタガスとしてAr/O2混合ガス(混合比7:3)を用い、基板温度は室温(25℃)にて形成した。NiO膜の膜厚は3nmとした。NiO膜を形成した後、NiO膜の表面に対して、ガス圧3Pa、RF電力50W、時間1分の条件で酸素プラズマ処理を行った。
実施例2として、実施例1の試料において保護膜ではなく缶による封止を行った上で、アニール処理を行わなかった場合の試料を作製した。他の作製条件は実施例1の条件と同様とした。
実施例3として、実施例1の試料においてNiO膜表面に対して酸素プラズマ処理の代わりにArプラズマ処理を行った場合の試料を作製した。Arプラズマ処理の条件は、ガス圧3Pa、RF電力50W、時間1分とした。また、他の作製条件は実施例1の条件と同様とした。
実施例4として、実施例1の試料においてNiO膜表面に対して酸素プラズマ処理を行わなかった場合の試料を作製した。他の作製条件は実施例1の条件と同様とした。
比較例1として、アモルファスITO膜の上に直接有機EL素子を形成した試料を作製した。他の作製条件は実施例1の条件と同様とした。
比較例2として、アモルファスITO膜の上にホール注入層としてNiO膜の代わりにCuPc膜を形成し、その上に有機EL素子を形成した試料を作製した。CuPc膜の形成は真空蒸着法により行い膜厚は10nmとした。他の作製条件は実施例1の条件と同様とした。
比較例3として、実施例1の試料においてホール注入電極としてアモルファスITOの代わりに結晶化ITOを用いた場合の試料を作製した。結晶化ITO膜は高周波(RF)マグネトロンスパッタリング法で形成した。結晶化ITO膜は酸化インジウムに10重量%酸化錫をドープした焼結ターゲットを用い、スパッタガスとしてAr/O2混合ガスを用い、基板温度は300℃にて形成した。結晶化ITO膜の膜厚は150nmとし、抵抗率は約120μΩcmとした。他の作製条件は実施例1の条件と同様とした。形成したITO膜が結晶化状態であることは、X線回折装置(リガク製、RINT−2200型)を使用して、X線回折パターンを測定して確認した。結果を図2に示す。
比較例4として、比較例3の試料において結晶化ITO膜の上に直接有機EL素子を形成した試料を作製した。他の作製条件は比較例3の条件と同様とした。
比較例5として、ホール輸送層(TPTE)を形成せずに、NiO膜の上に直接発光層を形成した試料を作製した。他の作製条件は実施例1の条件と同様とした。
実施例1〜4及び比較例1〜4において作製した素子に11mA/cm2の電流を流したときの発光効率(cd/A)、駆動電圧(V)、効率(lm/W)、素子を室温にて初期輝度2400cd/m2で定電流駆動させたときの半減寿命(時間)を表1に示す。実施例2ではアニール処理を行わなかったために実施例1と比較して半減寿命がやや低下した。実施例3ではNiO膜表面に対して酸素プラズマ処理ではなくArプラズマ処理を行ったために実施例1と比較して半減寿命がやや低下した。実施例4では、NiO膜表面に対して酸素プラズマ処理を行わなかったため、実施例1,3と比較して半減寿命がやや低下した。
実施例1の素子において、最適なNiO膜の条件について述べる。実施例1の構造において、室温にて初期輝度2400cd/m2で定電流駆動させたときの半減寿命のNiO膜厚依存性を図3に、及び素子に11mA/cm2の電流を流したときの効率のNiO膜厚依存性を図4に示す。なお、図中の点線は最大値の70%の値を示す。また、保護膜形成後のアニール処理は省略した。膜厚が薄すぎるとNiO膜が連続膜とならないためにアモルファスITOの上に直接有機EL素子が形成された部位が支配的となり半減寿命は低下するが、1nmを超えると連続膜が形成されるために半減寿命は飛躍的に大きくなる。しかし、膜厚が増えるに従って効率が低下するために半減寿命も低下し10nm以上の膜厚で70%以下となる。以上よりNiO膜の膜厚は1nm以上10nm以下が望ましく、NiO膜厚を制御することで効率を高くできることがわかる。
実施例5として、バリア膜付樹脂基板上に実施例1と同様の構造の素子を形成した。樹脂基板として日東電工社製のエポキシ基板を用い、バリア膜として、「Proceedings of The 11th International Display Workshops(IDW’04)」,p.1367(2004)に報告されているSiNx/a−CNx:H積層バリア膜(膜厚1μm)を用いた。なお、実施例1で用いたNiO/ITO構造は室温で形成されているため、耐熱性に劣る樹脂基板上にも問題なく形成することが可能であった。本実施例の素子に11mA/cm2の電流を流したときの効率及び室温にて初期輝度2400cd/m2で定電流駆動させたときの半減寿命を評価した結果、それぞれ3.3lm/W、245.2時間と実施例1と同等の値が得られ、樹脂基板上有機EL素子にも好適に用いられることが示された。すなわち、本発明の構造を用いれば高効率で長寿命なフレキシブル有機ELディスプレイの作製が可能であることが示された。
Claims (6)
- 基板上に電子注入電極とアモルファス層を含むホール注入電極とを備え、前記電子注入電極と前記ホール注入電極との間にホール輸送層を含む2層以上の有機層を有する有機電界発光素子であって、
前記アモルファス層と前記ホール輸送層との間に酸化ニッケル層が挿入されていることを特徴とする有機電界発光素子。 - 請求項1に記載の有機電界発光素子であって、
前記酸化ニッケル層は、スパッタリング法により基板温度150℃以下で形成されることを特徴とする有機電界発光素子。 - 請求項1または2に記載の有機電界発光素子であって、
前記ホール注入電極は酸化インジウムを含むことを特徴とする有機電界発光素子。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機電界発光素子であって、
前記有機電界発光素子は、80℃以上の温度でアニール処理されることを特徴とする有機電界発光素子。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機電界発光素子であって、
前記酸化ニッケル層の表面は、酸素プラズマ処理されることを特徴とする有機電界発光素子。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機電界発光素子であって、
前記基板は、樹脂を含むことを特徴とする有機電界発光素子。
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JPH1140352A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-02-12 | Tdk Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
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