JP4631552B2 - Coil substrate manufacturing method - Google Patents

Coil substrate manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP4631552B2
JP4631552B2 JP2005163289A JP2005163289A JP4631552B2 JP 4631552 B2 JP4631552 B2 JP 4631552B2 JP 2005163289 A JP2005163289 A JP 2005163289A JP 2005163289 A JP2005163289 A JP 2005163289A JP 4631552 B2 JP4631552 B2 JP 4631552B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
conductive layer
coil
manufacturing
partition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005163289A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2006339460A (en
Inventor
雅也 平田
展幸 宮川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2005163289A priority Critical patent/JP4631552B2/en
Publication of JP2006339460A publication Critical patent/JP2006339460A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4631552B2 publication Critical patent/JP4631552B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)

Description

本発明は、電線等に流れる交流電流の測定に用いられるコイル基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a coil substrate used for measuring an alternating current flowing in an electric wire or the like.

従来から、電気、電子部品、磁気検出センサ等において、電線等に流れる交流電流を測定するために空芯のコイルが用いられており、このような空芯のコイルは、鉄芯がないため軽量で、また鉄芯による飽和がないという利点がある。   Conventionally, air core coils have been used to measure alternating currents flowing in electric wires, etc. in electrical, electronic parts, magnetic detection sensors, etc., and such air core coils are lightweight because there is no iron core. In addition, there is an advantage that there is no saturation due to the iron core.

代表的な空芯のコイルとしてはロゴスキコイルがあり、このロゴスキコイルは、分電盤内で主幹ブレーカだけでなく各々の分岐ブレーカに流れる電流計測に従来用いられていた変流器のような電流センサに代わり、電流検出用コイルとして用いられ、その特徴である鉄芯による飽和がない点を生かして、ダイナミックレンジが広く、大電流を検出できる電流センサを実現している。   A typical air core coil is a Rogowski coil. This Rogowski coil is a current sensor such as a current transformer that has been used in the past to measure not only the main breaker but also each branch breaker in the distribution board. Instead, a current sensor that can be used as a current detection coil and has a wide dynamic range and can detect a large current is realized by taking advantage of the feature that there is no saturation due to the iron core.

ところで、電流検出用コイルとしてロゴスキコイルを用いる場合には、ロゴスキコイルを貫通する電線の位置による影響を抑えるために、コイルの巻きピッチのばらつきを抑えてコイルを精度良く巻く必要が生じる。加えて、ロゴスキコイルは、一般的な負荷電流に対する出力電圧が非常に小さいので、出力電圧を大きくするためには、コイルの単位長さ当たりの巻数を増やしたり、コイルの断面積を大きくすることが必要である。   By the way, when a Rogowski coil is used as the current detection coil, in order to suppress the influence of the position of the electric wire passing through the Rogowski coil, it is necessary to suppress the coil winding pitch variation and wind the coil with high accuracy. In addition, the Rogowski coil has a very small output voltage with respect to a general load current. To increase the output voltage, it is necessary to increase the number of turns per unit length of the coil or increase the cross-sectional area of the coil. is necessary.

したがって、このようなロゴスキコイルを製造するためには、コイルの巻きピッチのばらつきを抑えてコイルを精度良く巻く作業を、十分な出力電圧が得られるような巻数となるまで行わなくてはならず、このようなコイル巻き作業は非常に困難なものであるから、ロゴスキコイルの製造を容易に行うことができなかった。   Therefore, in order to manufacture such a Rogowski coil, the work of winding the coil with high accuracy while suppressing variations in the coil winding pitch must be performed until the number of turns is such that a sufficient output voltage is obtained, Since such a coil winding operation is very difficult, the Rogowski coil cannot be easily manufactured.

上記の問題を解決するために、近年では、プリント基板等の基板上にコイル線路を形成したコイル基板を用いることが行われている。このようなコイル基板を用いたロゴスキコイルの製造方法としては、プリント基板の表面側及び裏面側の両面に所定の導電パターンを形成するとともに、両面の導電パターンをプリント基板に形成したスルーホールを介して電気的に接続することでコイル線路を形成するものが提供されている（特許文献１）。
特開平６−１７６９４７号公報（第１図） In order to solve the above problem, in recent years, a coil substrate in which a coil line is formed on a substrate such as a printed circuit board has been used. As a method for manufacturing a Rogowski coil using such a coil substrate, a predetermined conductive pattern is formed on both the front surface side and the back surface side of the printed circuit board, and through both through holes formed on the printed circuit board. A device that forms a coil line by electrical connection is provided (Patent Document 1).
JP-A-6-176947 (FIG. 1)

特許文献１のロゴスキコイルによれば、プリント基板にコイル線路を形成しているので、コイル巻きと比較するとピッチのばらつきを抑えることができていた。   According to the Rogowski coil of Patent Document 1, since the coil line is formed on the printed circuit board, the variation in pitch can be suppressed as compared with the coil winding.

しかしながら、特許文献１のロゴスキコイルでは、プリント基板の両面の導電パターンの接続を１ターン毎にスルーホールで行うために、穴あけ、めっき処理等工程が多く必要になり、製造コストが高くなるという問題があった。また、コイルのピッチを細かくするためには、スルーホールの穴径を小さくする必要があり、スルーホールの穴径を小さくした際には、プリント基板の表裏の導電パターンとスルーホールとの位置合わせを行うことが難しく、しかも、スルーホールの内周面にめっきが付着しにくくなって導通不良の原因となるので、製品の歩留りが低下してしまうという問題があった。   However, in the Rogowski coil disclosed in Patent Document 1, in order to connect the conductive patterns on both sides of the printed circuit board with a through hole every turn, many steps such as drilling and plating are required, which increases the manufacturing cost. there were. In addition, in order to make the coil pitch fine, it is necessary to reduce the hole diameter of the through hole. When the hole diameter of the through hole is reduced, the conductive pattern on the front and back of the printed circuit board is aligned with the through hole. In addition, there is a problem that the yield of the product is lowered because plating is difficult to adhere to the inner peripheral surface of the through hole and causes a conduction failure.

本発明は上述の点に鑑みて為されたもので、その目的は、製造コストを低減できるとともに、歩留りを向上できるコイル基板の製造方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a method of manufacturing a coil substrate that can reduce the manufacturing cost and improve the yield.

上記の課題を解決するために、請求項１のコイル基板の製造方法の発明では、絶縁材料製のフィルムの一面に、凹部を長手方向が並行するように複数列設するとともに、フィルムの一面を仕切って前記凹部の長手方向一端側と他の凹部の長手方向他端側とをこれら凹部の底面よりもフィルムの一面側に位置する面を経て連結する経路を構成する仕切部を形成する第１工程と、第１工程の後にコイル線路形成用の導電層を前記フィルムの一面側全面を覆うように形成する第２工程と、第２工程の後に前記仕切部を覆う導電層の部位を除去して前記凹部と前記経路とを覆う導電層の部位が互いの連結部位を除いて絶縁されてなる蛇行状のコイル線路を形成する第３工程と、第３工程の後に導電層にめっき処理を行ってコイル線路の表面にめっき層を形成する第４工程とを有していることを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, in the invention of the method for manufacturing a coil substrate according to claim 1, a plurality of recesses are arranged in one side of the film made of an insulating material so that the longitudinal directions thereof are parallel to each other. A first partition that forms a path that partitions and connects one end in the longitudinal direction of the recess and the other end in the longitudinal direction of the other recess via a surface located on one surface side of the film from the bottom surface of the recess. A step of forming a conductive layer for forming a coil line after the first step so as to cover the entire surface of the one surface of the film; and removing a portion of the conductive layer covering the partition after the second step. A third step of forming a meandering coil line in which the portions of the conductive layer covering the recess and the path are insulated except for the connecting portions, and the conductive layer is plated after the third step Plating layer on the surface of the coil line Characterized in that it has a fourth step of forming.

請求項１のコイル基板の製造方法の発明によれば、凹部及び仕切部を形成したフィルムの一面に導電層を形成した後に、この導電層の不要部分を除去するだけでコイル線路を形成することができるから、従来のように基板の両面に形成した導電パターンをスルーホールで電気的に接続する場合に比べて、コイル線路用のスルーホールを形成する必要がなくなる。これによりスルーホールを形成するための穴あけやめっき処理等の複雑な加工工程や、導電パターンとスルーホールとの微細な位置合わせ作業等が必要なくなるので、製造コストを低減することができる。しかも、スルーホールの内周面にめっきが十分に付着しないことに起因する導通不良が生じることがないから、歩留りを向上することができる。   According to the invention of the method for manufacturing a coil substrate of claim 1, after forming a conductive layer on one surface of the film on which the concave portion and the partition portion are formed, the coil line is formed only by removing unnecessary portions of the conductive layer. Therefore, it is not necessary to form a through hole for the coil line as compared with the conventional case where the conductive patterns formed on both surfaces of the substrate are electrically connected through the through hole. This eliminates the need for complicated processing steps such as drilling and plating for forming the through hole, and fine alignment work between the conductive pattern and the through hole, thereby reducing the manufacturing cost. In addition, since there is no conduction failure caused by insufficient plating on the inner peripheral surface of the through hole, the yield can be improved.

請求項２のコイル基板の製造方法の発明では、請求項１の構成に加えて、仕切部は、フィルムの一面に突設された壁部であり、第３工程において、仕切部の頂部に形成された導電層の部位を除去することを特徴とする。   In the invention of the method for manufacturing a coil substrate according to claim 2, in addition to the configuration of claim 1, the partition portion is a wall portion protruding from one surface of the film, and is formed on the top portion of the partition portion in the third step. A portion of the conductive layer formed is removed.

請求項２のコイル基板の製造方法の発明によれば、第３工程において、仕切部の頂部に形成された導電層の部位のみをエッチング液に浸漬して除去するので、フィルム全体をエッチング液に浸漬する場合とは異なり、導電層の形成条件や、エッチング液の濃度、エッチング時間等に左右されることなく除去したい部分のみを確実に除去することができ、これにより製造を容易に行え、歩留りを向上することができる。   According to the invention of the coil substrate manufacturing method of claim 2, in the third step, only the portion of the conductive layer formed on the top of the partitioning portion is immersed and removed in the etching solution, so that the entire film is used as the etching solution. Unlike the case of dipping, only the part to be removed can be surely removed without being affected by the formation conditions of the conductive layer, the concentration of the etching solution, the etching time, etc. Can be improved.

請求項３のコイル基板の製造方法の発明では、請求項１の構成に加えて、仕切部は、フィルムの一面に凹設された溝部であり、第３工程において、仕切部の内周面に形成された導電層の部位を除去することを特徴とする。   In the invention of the method for manufacturing a coil substrate according to claim 3, in addition to the configuration of claim 1, the partition portion is a groove portion recessed in one surface of the film, and in the third step, the inner periphery surface of the partition portion is formed. A portion of the formed conductive layer is removed.

請求項３のコイル基板の製造方法の発明によれば、仕切部を溝部とすることで仕切部に形成される導電層の厚みを小さくできるので、導電層の除去する部位と除去しない部位とで厚みの差を大きくつけることができ、これにより第３工程においてエッチングの条件幅を広く設定することが可能になるから、コイル線路の形成を容易に行え、また歩留りを向上することができる。   According to the invention of the manufacturing method of the coil substrate of claim 3, since the thickness of the conductive layer formed on the partitioning portion can be reduced by using the partitioning portion as the groove portion, the portion where the conductive layer is removed and the portion which is not removed Since the difference in thickness can be increased, and the etching condition width can be set wide in the third step, the coil line can be easily formed and the yield can be improved.

請求項４のコイル基板の製造方法の発明では、請求項３の構成に加えて、第１工程では、フィルムの一面に凹部と仕切部とを形成した後に、フィルムの一面を平面形状の型で加熱プレスして、凹部の短手方向における内側面の開口縁部に凹部内へ突出する突出部を形成することを特徴とする。 In the invention of the method for manufacturing a coil substrate according to claim 4, in addition to the configuration of claim 3 , in the first step, after forming the concave portion and the partitioning portion on one surface of the film, the one surface of the film is formed with a planar mold. A projecting portion projecting into the recess is formed on the opening edge of the inner surface in the short direction of the recess by heat pressing.

請求項４のコイル基板の製造方法の発明によれば、突出部を形成していることにより、第２工程時に凹部の短手方向の内側面に形成される導電層の厚みを小さくすることができるから、第３工程においてエッチングの条件幅をさらに広く設定することができるようになり、これによりコイル線路Ｌの形成を容易に行え、また歩留りを向上することができる。   According to the invention of the method for manufacturing a coil substrate of claim 4, by forming the protruding portion, the thickness of the conductive layer formed on the inner side surface in the short direction of the concave portion can be reduced in the second step. Therefore, the etching condition width can be set wider in the third step, whereby the coil line L can be easily formed and the yield can be improved.

請求項５のコイル基板の製造方法の発明では、請求項３の構成に加えて、第１工程では、フィルムの一面に所定の型を加熱プレスすることで凹部と仕切部とを形成するとともに、フィルムの一面側の温度がガラス転移温度から２０度低い温度とガラス転移温度との範囲内にあるうちにフィルムを離型して、凹部の短手方向における内側面の開口縁部に凹部内へ突出する突出部を形成することを特徴とする。 In the invention of the method for manufacturing a coil substrate according to claim 5, in addition to the configuration of claim 3 , in the first step, the concave portion and the partition portion are formed by heat pressing a predetermined mold on one surface of the film, The film is released while the temperature on one side of the film is within the range of a temperature 20 ° lower than the glass transition temperature and the glass transition temperature, and into the recess at the opening edge of the inner surface in the short direction of the recess A protruding portion that protrudes is formed.

請求項５のコイル基板の製造方法の発明によれば、突出部を形成していることにより、第２工程時に凹部の短手方向の内側面に形成される導電層の厚みを小さくすることができるから、第３工程においてエッチングの条件幅をさらに広く設定することができるようになり、これによりコイル線路Ｌの形成を容易に行え、また歩留りを向上することができる。   According to the invention of the method for manufacturing a coil substrate according to claim 5, by forming the protruding portion, the thickness of the conductive layer formed on the inner side surface in the short direction of the concave portion can be reduced in the second step. Therefore, the etching condition width can be set wider in the third step, whereby the coil line L can be easily formed and the yield can be improved.

請求項６のコイル基板の製造方法の発明では、請求項１の構成に加えて、仕切部は、隣接する経路間に設けられる段差であることを特徴とする。   In addition to the configuration of the first aspect, the partition portion is a step provided between adjacent paths.

請求項６のコイル基板の製造方法の発明によれば、凹部及び仕切部を形成したフィルムの一面に導電層を形成した後に、この導電層の不要部分を除去するだけでコイル線路を形成することができるから、従来のように基板の両面に形成した導電パターンをスルーホールで電気的に接続する場合に比べて、コイル線路用のスルーホールを形成する必要がなくなる。これによりスルーホールを形成するための穴あけやめっき処理等の複雑な加工工程や、導電パターンとスルーホールとの微細な位置合わせ作業等が必要なくなるので、製造コストを低減することができる。しかも、スルーホールの内周面にめっきが十分に付着しないことに起因する導通不良が生じることがないから、歩留りを向上することができる。   According to the invention of the method for manufacturing a coil substrate according to claim 6, after forming the conductive layer on one surface of the film in which the concave portion and the partition portion are formed, the coil line is formed only by removing unnecessary portions of the conductive layer. Therefore, it is not necessary to form a through hole for the coil line as compared with the conventional case where the conductive patterns formed on both surfaces of the substrate are electrically connected through the through hole. This eliminates the need for complicated processing steps such as drilling and plating for forming the through hole, and fine alignment work between the conductive pattern and the through hole, thereby reducing the manufacturing cost. In addition, since there is no conduction failure caused by insufficient plating on the inner peripheral surface of the through hole, the yield can be improved.

請求項７のコイル基板の製造方法の発明では、請求項１〜６のいずれか１項の構成に加えて、第２工程では、スパッタ法又は真空蒸着法を用いて、フィルムの一面に略直交する方向からフィルムの一面側に導体粒子を付着させて、導電層を形成することを特徴とする。   In addition to the structure of any one of Claims 1-6, in 2nd process, in the invention of the manufacturing method of the coil board | substrate of Claim 7, it is substantially orthogonal to one surface of a film using a sputtering method or a vacuum evaporation method. The conductive layer is formed by adhering conductive particles to one side of the film from the direction in which the film is formed.

請求項７のコイル基板の製造方法の発明によれば、導体粒子がフィルムの一面に略直交する方向からフィルムに付着するようにしているので、導電層を形成する面の面方向によって導電層の厚みを選択でき、例えば導電層で覆う必要がある面では導電層の厚みを大きくするようにし、導電層で覆う必要がない面では導電層の厚みを小さくするようにすれば、第３工程で導電層の厚みが小さい部位のみを容易に除去することが可能になる。そのため第３工程においてエッチングの条件幅を広く設定することができるようになり、これによりコイル線路の形成を容易に行え、また歩留りを向上することができる。   According to the coil substrate manufacturing method of the present invention, since the conductive particles are attached to the film from a direction substantially orthogonal to one surface of the film, the conductive layer is formed according to the surface direction of the surface on which the conductive layer is formed. The thickness can be selected. For example, if the thickness of the conductive layer is increased on the surface that needs to be covered with the conductive layer, and the thickness of the conductive layer is decreased on the surface that does not need to be covered with the conductive layer, the third step Only the portion where the thickness of the conductive layer is small can be easily removed. Therefore, it becomes possible to set a wide range of etching conditions in the third step, whereby the coil line can be easily formed and the yield can be improved.

このような構成のコイル基板の製造方法は、凹部及び仕切部を形成したフィルムの一面に導電層を形成した後に、この導電層の不要部分を除去するだけでコイル線路を形成することができるから、従来のように基板の両面に形成した導電パターンをスルーホールで電気的に接続する場合に比べて、コイル線路用のスルーホールを形成する必要がなくなり、これによりスルーホールを形成するための穴あけやめっき処理等の複雑な加工工程や、導電パターンとスルーホールとの微細な位置合わせ作業等が必要なくなるので、製造コストを低減することができるという効果があり、しかも、スルーホールの内周面にめっきが十分に付着しないことに起因する導通不良が生じることがないから、歩留りを向上することができるという効果がある。   In the method of manufacturing a coil substrate having such a configuration, a coil line can be formed simply by removing unnecessary portions of the conductive layer after forming the conductive layer on one surface of the film on which the concave portion and the partition portion are formed. Compared to the case where the conductive patterns formed on both sides of the substrate are electrically connected through the through holes as in the prior art, it is not necessary to form the through holes for the coil lines, thereby making the holes for forming the through holes. This eliminates the need for complicated processing steps such as metal plating and fine alignment work between the conductive pattern and the through hole, and can reduce the manufacturing cost, and the inner peripheral surface of the through hole. In this case, there is no conduction failure due to insufficient adhesion of the plating to the surface, so that the yield can be improved.

以下に、本発明の実施形態について図１〜図７を用いて説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS.

（実施形態１）
本実施形態のコイル基板１（図２参照）は、図１（ａ）（イ）に示すように、十分な可撓性を有するようにアクリル、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の絶縁性を有する熱可塑性樹脂を用いて例えば厚みが２００μｍ〜５００μｍとなるように形成されたフィルム１ａの一面（本実施形態では上面）に、蛇行状のコイル線路Ｌ（図１（ａ）（ニ）参照）を形成したものであり、以下にこのようなコイル基板１の製造方法について説明する。 (Embodiment 1)
As shown in FIGS. 1A and 1A, the coil substrate 1 of the present embodiment (see FIG. 2) is a heat having insulating properties such as acrylic and PET (polyethylene terephthalate) so as to have sufficient flexibility. For example, a meandering coil line L (see FIGS. 1A and 1D) is formed on one surface (upper surface in this embodiment) of a film 1a formed to have a thickness of 200 μm to 500 μm using a plastic resin. A method for manufacturing such a coil substrate 1 will be described below.

このコイル基板１の製造方法は、次に述べる第１工程〜第４工程の計４つの工程で構成されている。   The method for manufacturing the coil substrate 1 is composed of a total of four processes, a first process to a fourth process described below.

第１工程は、図１（ａ）（イ）に示すような未加工のフィルム１ａの上面に、図１（ｂ）（イ）に示すような例えば５つの略矩形状の凹部２ａ〜２ｅを形成するとともに、図１（ａ）（ロ）に示すようにフィルム１ａの上面を仕切ってコイル線路Ｌ用の経路４ａ〜４ｆを構成する仕切部となる壁部３を形成する工程である。そして、この第１工程では、所定の金型でフィルム１ａの上面を加熱プレスすることによってフィルム１ａの上面に凹部２ａ〜２ｅ及び壁部３を形成する。すなわち、凹部２ａ〜２ｅ及び壁部３の凹凸を反転させた形状を有する金型で、ガラス転移温度（Ｔｇ）以上となるまで加熱したフィルム１ａの上面をプレスすることで金型形状を転写し、これによりフィルム１ａの上面に凹部２ａ〜２ｅ及び壁部３を形成するのである。   In the first step, for example, five substantially rectangular recesses 2a to 2e as shown in FIGS. 1B and 1A are formed on the upper surface of the raw film 1a as shown in FIGS. It is a process of forming the wall part 3 which becomes a partition part which partitions off the upper surface of the film 1a and forms the path | routes 4a-4f for coil lines L, as shown to Fig.1 (a) (b). And in this 1st process, recessed part 2a-2e and the wall part 3 are formed in the upper surface of the film 1a by heat-pressing the upper surface of the film 1a with a predetermined metal mold | die. That is, the mold shape is transferred by pressing the upper surface of the film 1a heated to a glass transition temperature (Tg) or higher with a mold having an inverted shape of the recesses 2a to 2e and the wall 3 unevenness. Thus, the recesses 2a to 2e and the wall 3 are formed on the upper surface of the film 1a.

この第１工程により図１（ａ）（ロ）に示すように、凹部２ａ〜２ｅ及び壁部３が形成されたフィルム１ａが得られ、ここで、凹部２ａ〜２ｅは、例えば短手方向の幅寸法が最大で７０μｍ、深さが１００μｍに形成されており、フィルム１ａの上面に長手方向が並行するように所定間隔で列設されている。また凹部２ａ〜２ｅは、底面側（下面側）から開口面側（上面側）へ向かうほど長手方向が拡開するように形成されており、これにより凹部２ａ〜２ｅの長手方向の内側面は、面方向が斜め上方を向いたなだらかな傾斜面となっている。さらに凹部２ａ〜凹部２ｅの短手方向の各内側面と、フィルム１ａの上面の面方向との間の角度は、それぞれ５度程度となるようにしている。   As shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), the film 1a in which the recesses 2a to 2e and the wall part 3 are formed is obtained by the first step. Here, the recesses 2a to 2e are formed in, for example, the short direction. The width dimension is 70 μm at the maximum and the depth is 100 μm, and they are arranged at predetermined intervals on the upper surface of the film 1 a so that the longitudinal directions thereof are parallel to each other. The recesses 2a to 2e are formed so that the longitudinal direction expands from the bottom surface side (lower surface side) toward the opening surface side (upper surface side), whereby the inner surfaces in the longitudinal direction of the recesses 2a to 2e are The surface direction is a slanted surface that faces obliquely upward. Furthermore, the angle between each inner side surface in the short direction of the recesses 2a to 2e and the surface direction of the upper surface of the film 1a is set to about 5 degrees.

一方、壁部３は、フィルム１ａの上面に、例えば高さが５μｍ、幅が５μｍとなるように突設されており、この壁部３によりフィルム１の上面を仕切ることで、凹部２ａの一端側と凹部２ｂの他端側とを凹部２ａ，２ｂの底面よりも上方に位置する面（本実施形態ではフィルム１ａの上面）を経て連結する略Ｓ字状の経路４ａが構成されている。また、壁部３によって凹部２ａの他端側と凹部２ｃの一端側を連結する経路４ｂと、凹部２ｂの一端側と凹部２ｄの他端側とを連結する経路４ｃと、凹部２ｃの他端側と凹部２ｅの一端側とを連結する経路４ｄとが構成され、これら経路４ｂ〜４ｄは経路４ａと同様に略Ｓ字状となっている。さらに、フィルム１ａの上面には、壁部３によって凹部２ｄの一端側とコイル線路Ｌの入力端子形成部位（図示せず）とを連結する経路４ｅと、凹部２ｅの他端側とコイル線路Ｌの出力端子形成部位（図示せず）とを連結する経路４ｆとが形成されている。つまり、フィルム１ａの上面は壁部３によって、凹部２ａ〜２ｅ、経路４ａ〜４ｆ、及び両端子形成部位からなるコイル線路Ｌ形成用の部位と、その他の部位とに仕切られているのである。   On the other hand, the wall 3 protrudes from the upper surface of the film 1a so as to have a height of 5 μm and a width of 5 μm, for example, and the wall 3 partitions the upper surface of the film 1 so that one end of the recess 2a is formed. A substantially S-shaped path 4a is configured to connect the side and the other end side of the recess 2b via a surface (in this embodiment, the upper surface of the film 1a) positioned above the bottom surface of the recesses 2a and 2b. Further, a path 4b connecting the other end of the recess 2a and one end of the recess 2c by the wall 3, a path 4c connecting the one end of the recess 2b and the other end of the recess 2d, and the other end of the recess 2c. 4d which connects the side and the one end side of the recessed part 2e is comprised, and these paths 4b-4d are substantially S-shaped similarly to the path | route 4a. Further, on the upper surface of the film 1a, a path 4e connecting one end side of the recess 2d and the input terminal forming portion (not shown) of the coil line L by the wall portion 3, and the other end side of the recess 2e and the coil line L A path 4f is formed to connect the output terminal forming portion (not shown). That is, the upper surface of the film 1a is partitioned by the wall portion 3 into the recesses 2a to 2e, the paths 4a to 4f, and the coil line L forming portion including both terminal forming portions and the other portions.

第２工程は、第１工程の後にコイル線路Ｌ形成用の導電層５をスパッタ法により少なくともフィルム１ａの上面側全面を覆うように形成する工程である。ここで、導電層５の材料としてはＣｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｉ等の導電性を有する金属材料を用いている。そして、導電層５は、次のようにして形成される。まず、図１（ｂ）（ロ）に示すように、フィルム１ａの上面とスパッタリングターゲット（以下、単にターゲットという）１００の放出面１０１とが平行して対向するように、フィルム１ａとターゲット１００とを配置する。この後に、イオンをターゲット１００の放出面１０１に衝突させることで放出面１０１から導体粒子１０２を放出させ、このような導体粒子１０２をフィルム１ａの上面側に付着させることで、図１（ａ）（ハ）に示すようにフィルム１ａの上面側全面を覆う導電層５が得られる。尚、このような導電層５は厚みが非常に小さいものであるから、図１（ａ）（ハ），（ニ）では、説明の簡略化のために導電層５を網掛けで示すようにしている。   The second step is a step of forming the conductive layer 5 for forming the coil line L so as to cover at least the entire upper surface side of the film 1a by the sputtering method after the first step. Here, as the material of the conductive layer 5, a conductive metal material such as Cu, Ag, Al, Sn, or Ni is used. The conductive layer 5 is formed as follows. First, as shown in FIGS. 1B and 1B, the film 1a and the target 100 are arranged so that the upper surface of the film 1a and the emission surface 101 of the sputtering target (hereinafter simply referred to as target) 100 face each other in parallel. Place. Thereafter, by causing the ions to collide with the emission surface 101 of the target 100, the conductive particles 102 are emitted from the emission surface 101, and such conductive particles 102 are attached to the upper surface side of the film 1 a, so that FIG. As shown in (c), the conductive layer 5 covering the entire upper surface side of the film 1a is obtained. Since such a conductive layer 5 has a very small thickness, in FIGS. 1A, 1C, and 2D, the conductive layer 5 is shown in a shaded manner for simplification of explanation. ing.

上述したように第２工程では、導電層５の形成時に、フィルム１ａの上面とターゲット１００の放出面１０１とを平行に対向させることで、ターゲット１００から放出される導体粒子１０２がフィルム１ａの上面に略直交する方向（上方）からフィルム１ａに付着するようにしている。そのため、フィルム１ａの上面側において、面方向が放出面１０１の面方向に略並行するような面ほど導電層５の厚みが大きくなり、面方向が放出面１０１の面方向に略直交するような面ほど導電層５の厚みが小さくなる。具体的には、図１（ｂ）（ハ）に示すように、フィルム１ａの上面において、凹部２ａ〜２ｅの底面や傾斜面、経路４ａ〜４ｆの上面、壁部３の上面等の面方向が略上方を向いている面（面方向が放出面１０１の面方向と略並行する面）上に形成される導電層５の部位５ａで厚みが大きく、凹部２ａ〜２ｅの短手方向内側面や、壁部３の側面等の面方向が上方に略直交する方向を向いている面（面方向が放出面１０１の面方向と略直交する面）上に形成される導電層５の部位５ｂで厚みが小さくなり、例えば、導電層５を部位５ａの厚みが３００ｎｍ〜５００ｎｍとなるように形成した際には、部位５ｂの厚みは１００ｎｍ程度と均一な値になる。   As described above, in the second step, when the conductive layer 5 is formed, the upper surface of the film 1a and the emission surface 101 of the target 100 are made to face each other in parallel, so that the conductive particles 102 emitted from the target 100 become the upper surface of the film 1a. It adheres to the film 1a from the direction (upper direction) substantially orthogonal to. Therefore, on the upper surface side of the film 1a, the thickness of the conductive layer 5 increases as the surface direction is substantially parallel to the surface direction of the emission surface 101, and the surface direction is substantially orthogonal to the surface direction of the emission surface 101. The thickness of the conductive layer 5 decreases as the surface increases. Specifically, as shown in FIGS. 1B and 1C, on the top surface of the film 1a, the surface direction such as the bottom surfaces and inclined surfaces of the recesses 2a to 2e, the top surfaces of the paths 4a to 4f, the top surface of the wall 3 and the like. Is thick at the portion 5a of the conductive layer 5 formed on the surface facing substantially upward (the surface direction is substantially parallel to the surface direction of the emission surface 101), and the short side inner surfaces of the recesses 2a to 2e Or a portion 5b of the conductive layer 5 formed on a surface in which a surface direction such as a side surface of the wall portion 3 is oriented in a direction substantially orthogonal to the upper side (a surface direction is a surface substantially orthogonal to the surface direction of the emission surface 101). For example, when the conductive layer 5 is formed so that the thickness of the portion 5a is 300 nm to 500 nm, the thickness of the portion 5b is a uniform value of about 100 nm.

尚、この第２工程はスパッタ法に限られるものではなく、真空蒸着法を用いても同様な導電層５を形成することができる。   Note that the second step is not limited to the sputtering method, and the same conductive layer 5 can be formed by using a vacuum deposition method.

第３工程は、第２工程の後にコイル線路Ｌに不要な導電層５の部位（本実施形態では部位５ｂ）をエッチングにより除去して、図１（ａ）（ニ）に示すように、凹部２ａ〜２ｅの底面及び傾斜面と、経路４ａ〜４ｆと、コイル線路Ｌの両端子形成部位とを覆う導電層５とが互いの連結部位を除いて絶縁されてなる蛇行状のコイル線路Ｌを形成する工程である。ここで、導電層５除去用のエッチング液としては、過硫酸類エッチング液（過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム等）や、過酸化水素水と硫酸とを混合したエッチング液等を用いている。そして、この第３工程のエッチング作業は、例えば、数％濃度（重量百分率濃度）のエッチング液中にフィルム１ａを数十秒程度浸すことで行われ、これにより図１（ａ）（ニ），（ｂ）（ニ）に示すように、厚みが小さい導電層５の部位５ｂのみが除去されて、厚みが大きい導電層５の部位５ａはそのまま残ることになる。   In the third step, the portion of the conductive layer 5 unnecessary for the coil line L (the portion 5b in the present embodiment) is removed by etching after the second step, and as shown in FIGS. A meandering coil line L in which the bottom and inclined surfaces of 2a to 2e, the paths 4a to 4f, and the conductive layer 5 covering both terminal forming portions of the coil line L are insulated except for the mutual connection portions. It is a process of forming. Here, as the etching solution for removing the conductive layer 5, a persulfuric acid etching solution (ammonium persulfate, sodium persulfate, etc.), an etching solution in which hydrogen peroxide and sulfuric acid are mixed, or the like is used. The etching process in the third step is performed, for example, by immersing the film 1a in an etching solution having a concentration of several percent (weight percentage concentration) for about several tens of seconds. (B) As shown in (d), only the portion 5b of the conductive layer 5 having a small thickness is removed, and the portion 5a of the conductive layer 5 having a large thickness remains as it is.

この第３工程によって、図１（ａ）（ニ）に示すように、コイル線路Ｌの両端子形成部位（図示せず）と、凹部２ａ〜２ｅの底面及び傾斜面と、経路４ａ〜４ｆとに形成された導電層５の部位５ａからなる蛇行状のコイル線路Ｌがフィルム１ａの上面に形成され、このコイル線路Ｌは、入力端子（図示せず）、経路４ｅ、凹部２ｄ、経路４ｃ、凹部２ｂ、経路４ａ、凹部２ａ、経路４ｂ、凹部２ｃ、経路４ｄ、凹部２ｅ、経路４ｆ、出力端子（図示せず）の順に電流が流れる電路を有している。   By this third step, as shown in FIGS. 1A and 1D, both terminal forming portions (not shown) of the coil line L, the bottom and inclined surfaces of the recesses 2a to 2e, and the paths 4a to 4f A meandering coil line L made of a portion 5a of the conductive layer 5 formed on the upper surface of the film 1a is formed on an input terminal (not shown), a path 4e, a recess 2d, a path 4c, There is an electric path through which a current flows in the order of the recess 2b, the path 4a, the recess 2a, the path 4b, the recess 2c, the path 4d, the recess 2e, the path 4f, and an output terminal (not shown).

第４工程は、第３工程の後に導電層５にめっき処理を行ってコイル線路Ｌの表面にめっき層（図示せず）を形成する工程であり、例えば、電気めっき法を用いてコイル線路Ｌの表面に銅めっき層を形成する。ここで、銅めっき層の厚みは、コイル線路の抵抗値を考慮すると１０μｍ〜２０μｍ程度とすることが好ましい。また、めっき層を形成する方法としては、上記の電気めっき（電解めっき）に限らず、無電解めっきを用いることができ、めっき層の材料としては、Ｃｕに限らず、Ｎｉや、ＣｕとＮｉの合金等を用いることができる。   The fourth step is a step of plating the conductive layer 5 after the third step to form a plating layer (not shown) on the surface of the coil line L. For example, the coil line L using an electroplating method. A copper plating layer is formed on the surface. Here, the thickness of the copper plating layer is preferably about 10 μm to 20 μm in consideration of the resistance value of the coil line. In addition, the method for forming the plating layer is not limited to the above-described electroplating (electrolytic plating), and electroless plating can be used. The material for the plating layer is not limited to Cu, but Ni, Cu and Ni An alloy of the above can be used.

このような第１工程〜第４工程を経て形成されたコイル基板１は、例えば、図２に示すように電線６に流れる電流Ｉを測定するための電流センサにロゴスキコイルとして用いられるものであり、コイル基板１は、図２に示すように、フィルム１ａの例えば長手方向（本実施形態では凹部２ａから凹部２ｅに向かう方向）が電線６の周囲を囲むように環状に曲げられた状態で使用される。加えて、ロゴスキコイルの出力電圧は測定対象となる電線６に流れる電流Ｉを微分したものであるから、ロゴスキコイルを用いた電流センサでは、図２に示すように、ロゴスキコイルとして用いているコイル基板１の出力電圧から電線６の電流Ｉを得るための信号処理部９をコイル基板１とともに用いている。ここで、信号処理部９は、例えばコイル基板１から得られた出力電圧を積分する積分回路（図示せず）と、積分回路の積分出力をセンサ仕様に応じた電圧まで増幅する増幅回路（図示せず）とを備え、コイル基板１で検出する電流Ｉに対応した電流波形に復元した検出出力を出力端子９ａから出力するように構成されている。尚、フィルム１ａの厚みは、図２に示すように環状に曲げることができるような厚みであればよく、勿論前述の値に限ったものではない。   The coil substrate 1 formed through the first to fourth steps is used as a Rogowski coil for a current sensor for measuring the current I flowing through the electric wire 6 as shown in FIG. As shown in FIG. 2, the coil substrate 1 is used in a state in which, for example, the longitudinal direction of the film 1 a (in this embodiment, the direction from the recess 2 a to the recess 2 e) surrounds the periphery of the electric wire 6. The In addition, since the output voltage of the Rogowski coil is obtained by differentiating the current I flowing through the electric wire 6 to be measured, the current sensor using the Rogowski coil has a coil substrate 1 used as the Rogowski coil as shown in FIG. A signal processing unit 9 for obtaining the current I of the electric wire 6 from the output voltage is used together with the coil substrate 1. Here, the signal processing unit 9 is, for example, an integration circuit (not shown) that integrates an output voltage obtained from the coil substrate 1 and an amplification circuit (FIG. 5) that amplifies the integration output of the integration circuit to a voltage according to the sensor specifications. And a detection output restored to a current waveform corresponding to the current I detected by the coil substrate 1 is output from the output terminal 9a. The thickness of the film 1a may be any thickness that can be bent into an annular shape as shown in FIG. 2, and of course is not limited to the aforementioned value.

以上述べた本実施形態のコイル基板１の製造方法によれば、凹部２ａ〜２ｅ及び壁部３を形成したフィルム１ａの一面に導電層５を形成した後に、この導電層５の不要部分を除去するだけでコイル線路Ｌを形成することができるから、従来のように基板の両面に形成した導電パターンをスルーホールで電気的に接続する場合に比べて、コイル線路用のスルーホールを形成する必要がなくなる。これによりスルーホールを形成するための穴あけやめっき処理等の複雑な加工工程や、導電パターンとスルーホールとの微細な位置合わせ作業等が必要なくなるので、製造コストを低減することができる。しかも、スルーホールの内周面にめっきが十分に付着しないことに起因する導通不良が生じることがないから、歩留りを向上することができる。   According to the method for manufacturing the coil substrate 1 of the present embodiment described above, after the conductive layer 5 is formed on one surface of the film 1a on which the concave portions 2a to 2e and the wall portion 3 are formed, unnecessary portions of the conductive layer 5 are removed. Since the coil line L can be formed simply by doing this, it is necessary to form a through hole for the coil line as compared with the case where the conductive patterns formed on both surfaces of the substrate are electrically connected by the through hole as in the prior art. Disappears. This eliminates the need for complicated processing steps such as drilling and plating for forming the through hole, and fine alignment work between the conductive pattern and the through hole, thereby reducing the manufacturing cost. In addition, since there is no conduction failure caused by insufficient plating on the inner peripheral surface of the through hole, the yield can be improved.

また、本実施形態の第２工程によれば、上述したように、導電層５を形成する面の面方向によって導電層５の厚みを選択できるため、導電層５で覆う必要がある面では導電層５の厚みを大きくするようにし、導電層５で覆う必要がない面では導電層５の厚みを小さくするようにすれば、第３工程で導電層５の厚みが小さい部位５ｂのみを容易に除去することが可能になる。つまり、導電層５の除去する部位と除去しない部位とで厚みの差をつけることができるので、第３工程においてエッチングの条件幅を広く設定することができるようになり、これによりコイル線路Ｌの形成を容易に行え、また歩留りを向上することができる。   Further, according to the second step of this embodiment, as described above, the thickness of the conductive layer 5 can be selected according to the surface direction of the surface on which the conductive layer 5 is formed. If the thickness of the layer 5 is increased and the thickness of the conductive layer 5 is reduced on the surface that does not need to be covered with the conductive layer 5, only the portion 5b where the thickness of the conductive layer 5 is small can be easily obtained in the third step. It becomes possible to remove. That is, since a difference in thickness can be made between a portion where the conductive layer 5 is removed and a portion where the conductive layer 5 is not removed, the etching condition width can be set wide in the third step. Formation can be performed easily and the yield can be improved.

（実施形態２）
本実施形態のコイル基板の製造方法は、第３工程に特徴があり、その他の構成は上記実施形態１と同様であるから説明を省略する。 (Embodiment 2)
The manufacturing method of the coil substrate according to the present embodiment is characterized by the third step, and the other configuration is the same as that of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.

すなわち、本実施形態の第３工程は、第２工程の後に、壁部３の頂部、つまりは壁部３の上面に形成された導電層５の部位５ａ１（図３（ａ）参照）のみをエッチングにより除去する工程であり、このエッチング作業は次のようにして行う。まず、図３（ａ）に示すように、エッチング液２００で満たされた浴槽２０１にフィルム１ａを、フィルム１ａの上面とエッチング液２００の液面とを対向させた状態（つまりはフィルム１ａの上下を反転させた状態）で配置する。次に、図３（ｂ）に示すように、フィルム１ａの壁部３の上面に形成された導電層５の部位５ａ１のみをエッチング液２００に所定時間だけ浸して導電層５のエッチングを行う。これにより図３（ｃ）に示すように、壁部３の上面に形成された導電層５の部位５ａ１のみが除去されたフィルム１ａが得られ、このフィルム１ａでは、上記実施形態１と同様に、コイル線路Ｌが形成されることになる。   That is, in the third step of the present embodiment, only the portion 5a1 (see FIG. 3A) of the conductive layer 5 formed on the top of the wall portion 3, that is, the upper surface of the wall portion 3, after the second step. This is a step of removing by etching, and this etching operation is performed as follows. First, as shown in FIG. 3A, the film 1a is placed in the bathtub 201 filled with the etching solution 200, and the upper surface of the film 1a and the liquid surface of the etching solution 200 are opposed to each other (that is, the upper and lower sides of the film 1a). In the inverted state). Next, as shown in FIG. 3B, the conductive layer 5 is etched by immersing only the portion 5a1 of the conductive layer 5 formed on the upper surface of the wall 3 of the film 1a in the etching solution 200 for a predetermined time. As a result, as shown in FIG. 3C, a film 1a from which only the portion 5a1 of the conductive layer 5 formed on the upper surface of the wall portion 3 has been removed is obtained. In this film 1a, as in the first embodiment. A coil line L is formed.

本実施形態によれば、第３工程において、壁部３の頂部に形成された導電層５の部位５ａ１のみをエッチング液に浸漬して除去するので、フィルム１ａ全体をエッチング液に浸漬する場合とは異なり、導電層の形成条件や、エッチング液の濃度、エッチング時間等に左右されることなく除去したい部分のみを確実に除去することができ、これにより製造を容易に行え、歩留りを向上することができる。   According to the present embodiment, in the third step, only the portion 5a1 of the conductive layer 5 formed on the top of the wall 3 is removed by immersion in the etching solution, so that the entire film 1a is immersed in the etching solution. In contrast, it is possible to reliably remove only the portion to be removed regardless of the conductive layer formation conditions, the concentration of the etching solution, the etching time, etc., thereby facilitating manufacturing and improving the yield. Can do.

（実施形態３）
本実施形態のコイル基板の製造方法は、第１工程に特徴があり、その他の構成は上記実施形態１と同様であるから説明を省略する。 (Embodiment 3)
The manufacturing method of the coil substrate according to the present embodiment is characterized by the first step, and the other configuration is the same as that of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.

すなわち、本実施形態の第１工程は、図１（ａ）（イ）に示すような未加工のフィルム１ａの上面に、図４（ａ）に示すような例えば５つの略矩形状の凹部２ａ〜２ｅを形成するとともに、図４（ｂ），（ｃ）に示すようにフィルム１ａの上面を仕切ってコイル線路Ｌ用の経路４ａ〜４ｆを構成する仕切部となる溝部３０を形成する工程である。そして、この第１工程では、上記実施形態１と同様に所定の金型でフィルム１ａの上面を加熱プレスすることによってフィルム１ａの上面に凹部２ａ〜２ｅ及び溝部３０を形成する。   That is, the first step of the present embodiment includes, for example, five substantially rectangular recesses 2a as shown in FIG. 4A on the upper surface of the unprocessed film 1a as shown in FIGS. 4e and 2c, and the step of forming the groove 30 serving as a partition that forms the paths 4a to 4f for the coil line L by partitioning the upper surface of the film 1a as shown in FIGS. 4 (b) and 4 (c). is there. And in this 1st process, the recessed parts 2a-2e and the groove part 30 are formed in the upper surface of the film 1a by heat-pressing the upper surface of the film 1a with a predetermined metal mold | die like the said Embodiment 1. FIG.

この第１工程により図４（ａ）に示すように、凹部２ａ〜２ｅ及び溝部３０が形成されたフィルム１ａが得られ、ここで、凹部２ａ〜２ｅは、例えば短手方向の幅寸法が最大で８０μｍ、深さが１００μｍに形成されており、フィルム１ａの上面に長手方向が並行するように所定間隔で列設されている。また凹部２ａ〜２ｅは、底面側（下面側）から開口面側（上面側）へ向かうほど長手方向が拡開するように形成されており、これにより凹部２ａ〜２ｅの長手方向の内側面は、面方向が斜め上方を向いたなだらかな傾斜面となっている。さらに凹部２ａ〜凹部２ｅの短手方向の各内側面と、フィルム１ａの上面の面方向との間の角度は、それぞれ２度程度となるようにしている。   As shown in FIG. 4 (a), the film 1a in which the concave portions 2a to 2e and the groove portion 30 are formed is obtained by the first step. Here, the concave portions 2a to 2e have, for example, the maximum width dimension in the short direction. 80 μm and a depth of 100 μm, and are arranged at predetermined intervals on the upper surface of the film 1 a so that the longitudinal directions thereof are parallel to each other. The recesses 2a to 2e are formed so that the longitudinal direction expands from the bottom surface side (lower surface side) toward the opening surface side (upper surface side), whereby the inner surfaces in the longitudinal direction of the recesses 2a to 2e are The surface direction is a gentle inclined surface facing obliquely upward. Furthermore, the angle between each inner side surface in the short direction of the recesses 2a to 2e and the surface direction of the upper surface of the film 1a is set to about 2 degrees.

一方、溝部３０は、フィルム１ａの上面に、開口幅が非常に狭く、また開口幅に対して深さが非常に大きくなるように凹設されており、例えば開口幅が１０μｍ、深さが１１０μｍとなるように形成されている。そして、この溝部３０によりフィルム１の上面を仕切ることで、フィルム１ａの上面に上記実施形態１と同様の経路４ａ〜４ｆが形成されている。つまり、フィルム１ａの上面は溝部３０によって、凹部２ａ〜２ｅ、経路４ａ〜４ｆ、及び両端子形成部位からなるコイル線路Ｌ形成用の部位と、その他の部位とに仕切られているのである。   On the other hand, the groove 30 is recessed on the upper surface of the film 1a so that the opening width is very narrow and the depth is very large with respect to the opening width. For example, the opening width is 10 μm and the depth is 110 μm. It is formed to become. And the path | routes 4a-4f similar to the said Embodiment 1 are formed in the upper surface of the film 1a by partitioning the upper surface of the film 1 by this groove part 30. FIG. That is, the upper surface of the film 1a is partitioned by the groove 30 into the recesses 2a to 2e, the paths 4a to 4f, and the part for forming the coil line L composed of both terminal forming parts and the other parts.

このように壁部３の代わりに溝部３０を仕切部として用いたフィルム１ａに、上記の実施形態１と同様の第２工程を用いて導電層５を形成した際には、上記実施形態１と同様の理由から、フィルム１ａの上面において、凹部２ａ〜２ｅの底面や傾斜面、経路４ａ〜４ｆの上面等の面方向が略上方を向いている面（面方向が放出面１０１の面方向と略並行する面）上に形成される導電層５の部位で厚みが大きく、凹部２ａ〜２ｅの短手方向内側面や、溝部３０の内周面等の面方向が上方に略直交する方向を向いている面（面方向が放出面１０１の面方向と略直交する面）上に形成される導電層５の部位で厚みが小さくなる。   Thus, when the conductive layer 5 is formed on the film 1a using the groove portion 30 as a partitioning portion instead of the wall portion 3 by using the second step similar to that of the first embodiment, For the same reason, on the upper surface of the film 1a, the surfaces such as the bottom surfaces and inclined surfaces of the recesses 2a to 2e and the upper surfaces of the paths 4a to 4f are facing upward (the surface direction is the surface direction of the emission surface 101). The surface of the conductive layer 5 formed on the substantially parallel surface) is thick, and the inner surface in the short direction of the recesses 2a to 2e and the inner circumferential surface of the groove 30 are substantially perpendicular to the upper surface. The thickness is reduced at the portion of the conductive layer 5 formed on the facing surface (the surface direction is a surface substantially orthogonal to the surface direction of the emission surface 101).

このとき、本実施形態では、フィルム１ａの上面を仕切ってフィルム１ａの上面に経路４ａ〜４ｆを構成する仕切部として、図４（ｃ）に示すような、開口幅が非常に狭く、また開口幅に対して深さが非常に大きい溝部３０を用いているので、このような溝部３０の内周面には、導体粒子が付着しにくく、これにより溝部３０の内周面に形成される導電層５の厚みを非常に小さくすることができる。例えば、面方向が放出面１０１の面方向と略並行する面上に形成される導電層５の部位の厚みが３００ｎｍ〜５００ｎｍとなるように導電層５を形成した際には、溝部３０の内周面に形成される導電層５の部位の厚みを１００ｎｍ以下とすることができる。そのため、第３工程において溝部３０の内周面に形成された導電層５の部位を容易に除去できるようになる。   At this time, in this embodiment, as the partition part which partitions off the upper surface of the film 1a and constitutes the paths 4a to 4f on the upper surface of the film 1a, the opening width is very narrow as shown in FIG. Since the groove portion 30 having a very large depth with respect to the width is used, the conductive particles are less likely to adhere to the inner peripheral surface of the groove portion 30, thereby forming a conductive material formed on the inner peripheral surface of the groove portion 30. The thickness of the layer 5 can be made very small. For example, when the conductive layer 5 is formed so that the thickness of the portion of the conductive layer 5 formed on the surface substantially parallel to the surface direction of the emission surface 101 is 300 nm to 500 nm, The thickness of the portion of the conductive layer 5 formed on the peripheral surface can be 100 nm or less. Therefore, the part of the conductive layer 5 formed on the inner peripheral surface of the groove 30 in the third step can be easily removed.

以上述べたように、本実施形態によれば、上記実施形態１よりも、導電層５の除去する部位と除去しない部位とで厚みの差を大きくつけることができるので、第３工程においてエッチングの条件幅をさらに広く設定することができるようになり、これによりコイル線路Ｌの形成を容易に行え、また歩留りを向上することができる。   As described above, according to the present embodiment, the thickness difference between the portion where the conductive layer 5 is removed and the portion where the conductive layer 5 is not removed can be made larger than that in the first embodiment. The condition width can be set wider, whereby the coil line L can be easily formed and the yield can be improved.

（実施形態４）
本実施形態のコイル基板の製造方法は、第１工程に特徴があり、その他の構成は上記実施形態３と同様であるから説明を省略する。 (Embodiment 4)
The manufacturing method of the coil substrate according to the present embodiment is characterized by the first step, and the other configuration is the same as that of the third embodiment, so that the description thereof is omitted.

すなわち、本実施形態の第１工程は、図１（ａ）（イ）に示すような未加工のフィルム１ａの上面に、図４（ａ）に示すような例えば５つの略矩形状の凹部２ａ〜２ｅを形成するとともに、図４（ｂ），（ｃ）に示すようにフィルム１ａの上面を仕切ってコイル線路Ｌ用の経路４ａ〜４ｆを構成する仕切部となる溝部３０を形成する第１加熱プレス工程と、この第１加熱プレス工程の後に、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、フィルム１ａの一面を平面形状の金型３００で加熱プレスして突出部７を形成する第２加熱プレス工程とを有している。ここで、第１加熱プレス工程については、上記実施形態３の第１工程と同様の工程であるから、説明を省略する。   That is, the first step of the present embodiment includes, for example, five substantially rectangular recesses 2a as shown in FIG. 4A on the upper surface of the unprocessed film 1a as shown in FIGS. 4e and 2c, as shown in FIGS. 4B and 4C, the upper surface of the film 1a is partitioned to form a groove 30 serving as a partition that constitutes the paths 4a to 4f for the coil line L. After the hot pressing step and the first hot pressing step, as shown in FIGS. 5A to 5C, one surface of the film 1a is hot pressed with a planar mold 300 to form the protruding portion 7. A second heat pressing step. Here, the first heat press step is the same as the first step of the third embodiment, and thus the description thereof is omitted.

第２加熱プレス工程では、突出部７は次のようにして形成される。まず、図５（ａ）に示すように、フィルム１ａと金型３００とをフィルム１ａの上面と金型３００の平坦面３０１とを対向させた状態で配置し、フィルム１ａをガラス転移温度以上、好ましくはガラス転移温度よりも１０度以上高い温度に加熱する。そして、図５（ｂ）に示すように、フィルム１ａの上面に金型３００をプレスして、これによりフィルム１ａの上端部を潰して、フィルム１ａを上端部が下端部よりも側方へ突出した、所謂オーバーハング形状とすることで、図５（ｃ）に示すように、凹部２ａ〜凹部２ｅの短手方向における内側面の開口縁部に凹部２ａ〜２ｅ内へ突出する突出部７をそれぞれ形成するのである。このとき、溝部３０にも同様な突出部が形成される。   In the second heat press step, the protrusion 7 is formed as follows. First, as shown in FIG. 5 (a), the film 1a and the mold 300 are arranged with the upper surface of the film 1a and the flat surface 301 of the mold 300 facing each other, and the film 1a has a glass transition temperature or higher. Preferably, it is heated to a temperature higher by 10 degrees or more than the glass transition temperature. And as shown in FIG.5 (b), the metal mold | die 300 is pressed on the upper surface of the film 1a, and this crushes the upper end part of the film 1a, and the upper end part protrudes sideways rather than a lower end part from the film 1a. By forming the so-called overhang shape, as shown in FIG. 5 (c), the protruding portion 7 protruding into the recesses 2a to 2e is formed at the opening edge of the inner surface in the short direction of the recesses 2a to 2e. Each is formed. At this time, similar protrusions are also formed in the groove 30.

このような突出部７を備えるフィルム１ａに、上記の実施形態３と同様の第２工程を用いて導電層５を形成した際には、上記実施形態３と同様の理由から、フィルム１ａの上面において、凹部２ａ〜２ｅの底面や傾斜面、経路４ａ〜４ｆの上面等の面方向が略上方を向いている面（面方向が放出面１０１の面方向と略並行する面）上に形成される導電層５の部位で厚みが大きく、凹部２ａ〜２ｅの短手方向内側面や、溝部３０の側面等の面方向が上方に略直交する方向を向いている面（面方向が放出面１０１の面方向と略直交する面）上に形成される導電層５の部位で厚みが小さくなり、また、溝部３０の内周面に形成される導電層５の厚みが非常に小さくなる。   When the conductive layer 5 is formed on the film 1a having the protruding portion 7 by using the second step similar to that of the third embodiment, the upper surface of the film 1a is formed for the same reason as in the third embodiment. , The bottom surfaces of the recesses 2a to 2e, the inclined surfaces, the top surfaces of the paths 4a to 4f, etc. are formed on surfaces whose surface directions are substantially upward (surfaces whose surface direction is substantially parallel to the surface direction of the emission surface 101). The surface of the conductive layer 5 has a large thickness and the surface direction such as the inner side surface of the recesses 2a to 2e and the side surface of the groove portion 30 is substantially orthogonal to the upper side (the surface direction is the emission surface 101). The thickness of the conductive layer 5 formed on the inner peripheral surface of the groove portion 30 is very small.

加えて、本実施形態では、突出部７を形成していることにより、凹部２ａ〜２ｅの短手方向の内側面や溝部３０の内周面に導体粒子が付着することを抑制でき、これにより凹部２ａ〜２ｅの短手方向の内側面や溝部３０の内周面に形成される導電層５の厚みを上記実施形態３よりもさらに小さくすることができる。   In addition, in this embodiment, by forming the protruding portion 7, it is possible to suppress the conductor particles from adhering to the inner side surface in the short direction of the concave portions 2 a to 2 e and the inner peripheral surface of the groove portion 30. The thickness of the conductive layer 5 formed on the inner side surface in the short direction of the recesses 2a to 2e and the inner peripheral surface of the groove portion 30 can be made smaller than that in the third embodiment.

したがって、本実施形態によれば、上記実施形態３よりも、導電層５の除去する部位と除去しない部位とで厚みの差を大きくつけることができるので、第３工程においてエッチングの条件幅をさらに広く設定することができるようになり、これによりコイル線路Ｌの形成を容易に行え、また歩留りを向上することができる。   Therefore, according to the present embodiment, it is possible to increase the difference in thickness between the portion where the conductive layer 5 is removed and the portion where the conductive layer 5 is not removed, as compared with the third embodiment. Thus, the coil line L can be easily formed and the yield can be improved.

（実施形態５）
本実施形態のコイル基板の製造方法は、第１工程に特徴があり、その他の構成は上記実施形態３と同様であるから説明を省略する。 (Embodiment 5)
The manufacturing method of the coil substrate according to the present embodiment is characterized by the first step, and the other configuration is the same as that of the third embodiment, so that the description thereof is omitted.

すなわち、本実施形態の第１工程は、図１（ａ）（イ）に示すような未加工のフィルム１ａの上面に、例えば５つの略矩形状の凹部２ａ〜２ｅと、フィルム１ａの上面を仕切ってコイル線路Ｌ用の経路４ａ〜４ｆを構成する仕切部となる溝部３０とを形成するとともに、図６（ｃ）に示すように、フィルム１ａに突出部８を形成する工程である。   That is, in the first step of the present embodiment, for example, five substantially rectangular recesses 2a to 2e and the upper surface of the film 1a are formed on the upper surface of the unprocessed film 1a as shown in FIGS. This is a process of forming the groove 30 as a partition that forms the paths 4a to 4f for the coil line L and forming the protrusion 8 on the film 1a as shown in FIG. 6C.

以下に、本実施形態の第１工程について、フィルム１ａとしてガラス転移温度が１００℃であるアクリルフィルムを用いた例を挙げて詳しく説明する。この第１工程では、凹部２ａ〜２ｅ及び溝部３０の凹凸を反転させた形状を有する金型４００で、１００℃（ガラス転移温度）以上となるまで加熱したフィルム１ａの上面をプレスして金型形状を転写する。この後に、フィルム１ａを冷却した際に、フィルム１ａの下面側が６０℃〜７０℃程度、フィルム１ａの上面側が８５℃〜９０℃の範囲内であるうちに、図６（ａ），（ｂ）に示すように金型４００をフィルム１ａから上方へ離型させる。この離型時には、フィルム１ａの上面側は完全に硬化が終了していない半硬化状態であるため、金型３００の離型に伴なって上方へ引き伸ばされて、フィルム１ａを上端部が下端部よりも側方へ突出した所謂オーバーハング形状となる。これにより図６（ｃ）に示すように、凹部２ａ〜凹部２ｅの短手方向における内側面の開口縁部に凹部２ａ〜２ｅ内へ突出する突出部８が形成される。このとき、溝部３０においても同様な突出部８が形成される。   Below, the 1st process of this embodiment is demonstrated in detail, giving the example using the acrylic film whose glass transition temperature is 100 degreeC as the film 1a. In the first step, the upper surface of the film 1a heated to 100 ° C. (glass transition temperature) or higher is pressed with a mold 400 having a shape obtained by inverting the concave and convex portions 2a to 2e and the concave and convex portions of the groove portion 30. Transfer the shape. Thereafter, when the film 1a is cooled, the lower surface side of the film 1a is in the range of about 60 ° C. to 70 ° C., and the upper surface side of the film 1a is in the range of 85 ° C. to 90 ° C. FIG. The mold 400 is released upward from the film 1a as shown in FIG. At the time of mold release, the upper surface side of the film 1a is in a semi-cured state where the curing has not been completely completed. Therefore, the film 1a is stretched upward as the mold 300 is released, and the upper end of the film 1a is the lower end. It becomes what is called an overhang shape which protruded to the side rather than. Thereby, as shown in FIG.6 (c), the protrusion part 8 which protrudes in the recessed part 2a-2e in the opening edge part of the inner surface in the transversal direction of the recessed part 2a-recessed part 2e is formed. At this time, a similar protruding portion 8 is also formed in the groove portion 30.

このような突出部８を備えるフィルム１ａに、上記の実施形態３と同様の第２工程を用いて導電層５を形成した際には、上記実施形態３と同様の理由から、フィルム１ａの上面において、凹部２ａ〜２ｅの底面や傾斜面、経路４ａ〜４ｆの上面等の面方向が略上方を向いている面（面方向が放出面１０１の面方向と略並行する面）上に形成される導電層５の部位で厚みが大きく、凹部２ａ〜２ｅの短手方向内側面や、溝部３０の側面等の面方向が上方に略直交する方向を向いている面（面方向が放出面１０１の面方向と略直交する面）上に形成される導電層５の部位で厚みが小さくなり、また、溝部３０の内周面に形成される導電層５の厚みが非常に小さくなる。   When the conductive layer 5 is formed on the film 1a having the protruding portion 8 by using the second step similar to that of the third embodiment, the upper surface of the film 1a is formed for the same reason as in the third embodiment. , The bottom surfaces of the recesses 2a to 2e, the inclined surfaces, the top surfaces of the paths 4a to 4f, etc. are formed on surfaces whose surface directions are substantially upward (surfaces whose surface direction is substantially parallel to the surface direction of the emission surface 101). The surface of the conductive layer 5 has a large thickness and the surface direction such as the inner side surface of the recesses 2a to 2e and the side surface of the groove portion 30 is substantially orthogonal to the upper side (the surface direction is the emission surface 101). The thickness of the conductive layer 5 formed on the inner peripheral surface of the groove portion 30 is very small.

加えて、本実施形態では、突出部８を形成していることにより、凹部２ａ〜２ｅの短手方向の内側面や溝部３０の内周面に導体粒子が付着することを抑制でき、これにより凹部２ａ〜２ｅの短手方向の内側面や溝部３０の内周面に形成される導電層５の厚みを上記実施形態３よりもさらに小さくすることができる。   In addition, in this embodiment, by forming the protruding portion 8, it is possible to suppress the conductor particles from adhering to the inner side surface in the short direction of the recesses 2 a to 2 e and the inner peripheral surface of the groove portion 30. The thickness of the conductive layer 5 formed on the inner side surface in the short direction of the recesses 2a to 2e and the inner peripheral surface of the groove portion 30 can be made smaller than that in the third embodiment.

したがって、本実施形態によれば、上記実施形態３よりも、導電層５の除去する部位と除去しない部位とで厚みの差を大きくつけることができるので、第３工程においてエッチングの条件幅をさらに広く設定することができるようになり、これによりコイル線路Ｌの形成を容易に行え、また歩留りを向上することができる。   Therefore, according to the present embodiment, it is possible to increase the difference in thickness between the portion where the conductive layer 5 is removed and the portion where the conductive layer 5 is not removed, as compared with the third embodiment. Thus, the coil line L can be easily formed and the yield can be improved.

尚、上記の例は、フィルム１ａとしてガラス転移温度が１００℃のアクリルフィルムを使用した場合であるが、フィルム１ａとしてガラス転移温度が２５０℃と高いポリイミドフィルムを使用する場合には、フィルム１ａの冷却時に、フィルム１ａの下面側が２００℃程度、フィルム１ａの上面側が２３０℃〜２３５℃の範囲内であるうちに金型４００の離型を行えばよい。また尚、このような金型４００の離型は、少なくともフィルム１ａの上面側の温度が、フィルムのガラス転移温度からガラス転移温度より２０℃低い温度までの範囲内にあるうちに行えばよい。   In addition, although said example is a case where an acrylic film with a glass transition temperature of 100 degreeC is used as the film 1a, when using a polyimide film with a glass transition temperature as high as 250 degreeC as the film 1a, the film 1a During cooling, the mold 400 may be released while the lower surface side of the film 1a is about 200 ° C. and the upper surface side of the film 1a is in the range of 230 ° C. to 235 ° C. In addition, the mold 400 may be released while at least the temperature on the upper surface side of the film 1a is within the range from the glass transition temperature of the film to a temperature 20 ° C. lower than the glass transition temperature.

（実施形態６）
本実施形態のコイル基板の製造方法は、第１工程に特徴があり、その他の構成は上記実施形態１と同様であるから説明を省略する。 (Embodiment 6)
The manufacturing method of the coil substrate according to the present embodiment is characterized by the first step, and the other configuration is the same as that of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.

すなわち、本実施形態の第１工程は、図１（ａ）（イ）に示すような未加工のフィルム１ａの上面に、図７（ａ），（ｂ）に示すような例えば５つの略矩形状の凹部２ａ〜２ｅを形成するとともに、フィルム１ａの上面を仕切ってコイル線路Ｌ用の経路４ａ〜４ｆを構成する仕切部となる段差３１を形成する工程である。そして、この第１工程では、上記実施形態１と同様に所定の金型でフィルム１ａの上面を加熱プレスすることによってフィルム１ａの上面に凹部２ａ〜２ｅ及び段差３１を形成する。   That is, the first step of the present embodiment includes, for example, five substantially rectangular shapes as shown in FIGS. 7A and 7B on the upper surface of the unprocessed film 1a as shown in FIGS. This is a step of forming the concave portions 2a to 2e having the shape and forming the step 31 that becomes the partition portion that configures the paths 4a to 4f for the coil line L by partitioning the upper surface of the film 1a. And in this 1st process, the recessed parts 2a-2e and the level | step difference 31 are formed in the upper surface of the film 1a by heat-pressing the upper surface of the film 1a with a predetermined metal mold | die like the said Embodiment 1. FIG.

この第１工程により図７（ａ）に示すように、凹部２ａ〜２ｅ及び段差３１が形成されたフィルム１ａが得られ、ここで、凹部２ａ〜２ｅは、例えば短手方向の幅寸法が最大で７０μｍ、深さが９０μｍ〜１００μｍに形成されており、フィルム１ａの上面に長手方向が並行するように所定間隔で列設されている。また凹部２ａ〜２ｅは、底面側（下面側）から開口面側（上面側）へ向かうほど長手方向が拡開するように形成されており、これにより凹部２ａ〜２ｅの長手方向の内側面は、面方向が斜め上方を向いたなだらかな傾斜面となっている。さらに凹部２ａ〜凹部２ｅの短手方向の各内側面と、フィルム１ａの上面の面方向との間の角度は、それぞれ２度程度となるようにしている。   As shown in FIG. 7 (a), the film 1a in which the recesses 2a to 2e and the step 31 are formed is obtained by the first step. Here, the recesses 2a to 2e have, for example, the maximum width dimension in the lateral direction. 70 μm and a depth of 90 μm to 100 μm, and are arranged on the upper surface of the film 1 a at predetermined intervals so that the longitudinal directions thereof are parallel to each other. The recesses 2a to 2e are formed so that the longitudinal direction expands from the bottom surface side (lower surface side) toward the opening surface side (upper surface side), whereby the inner surfaces in the longitudinal direction of the recesses 2a to 2e are The surface direction is a gentle inclined surface facing obliquely upward. Furthermore, the angle between each inner side surface in the short direction of the recesses 2a to 2e and the surface direction of the upper surface of the film 1a is set to about 2 degrees.

一方、段差３１は、隣接する経路４ａ〜４ｆが同一平面上に位置しないように、隣接する経路４ａ〜４ｆの面が上下に５μｍ〜１０μｍずれた位置に位置するように形成されている。そして、この段差３１によりフィルム１の上面を仕切ることで、フィルム１ａの上面に上記実施形態１と同様の経路４ａ〜４ｆが形成されている。つまり、フィルム１ａの上面は段差３１によって、凹部２ａ〜２ｅ、経路４ａ〜４ｆ、及び両端子形成部位からなるコイル線路Ｌ形成用の部位と、その他の部位とに仕切られているのである。   On the other hand, the step 31 is formed such that the surfaces of the adjacent paths 4a to 4f are vertically displaced by 5 μm to 10 μm so that the adjacent paths 4a to 4f are not positioned on the same plane. And the path | routes 4a-4f similar to the said Embodiment 1 are formed in the upper surface of the film 1a by partitioning the upper surface of the film 1 by this level | step difference 31. FIG. In other words, the upper surface of the film 1a is partitioned by the step 31 into the recesses 2a to 2e, the paths 4a to 4f, the part for forming the coil line L composed of both terminal forming parts, and the other parts.

このように壁部３の代わりに段差３１を仕切部として用いたフィルム１ａに、上記の実施形態１と同様の第２工程を用いて導電層５を形成した際には、上記実施形態１と同様の理由から、フィルム１ａの上面において、凹部２ａ〜２ｅの底面や傾斜面、経路４ａ〜４ｆの上面等の面方向が略上方を向いている面（面方向が放出面１０１の面方向と略並行する面）上に形成される導電層５の部位で厚みが大きく、凹部２ａ〜２ｅの短手方向内側面や、段差３１の側面等の面方向が上方に略直交する方向を向いている面（面方向が放出面１０１の面方向と略直交する面）上に形成される導電層５の部位で厚みが小さくなり、例えば、面方向が放出面１０１の面方向と略並行する面上に形成される導電層５の部位の厚みが３００ｎｍ〜５００ｎｍとなるように導電層５を形成した際には、段差３１の側面に形成される導電層５の部位の厚みが１００ｎｍ程度と均一な値となる。   As described above, when the conductive layer 5 is formed on the film 1a using the step 31 as a partitioning portion instead of the wall portion 3 by using the second step similar to that of the first embodiment, For the same reason, on the upper surface of the film 1a, the surfaces such as the bottom surfaces and inclined surfaces of the recesses 2a to 2e and the upper surfaces of the paths 4a to 4f are facing upward (the surface direction is the surface direction of the emission surface 101). The surface of the conductive layer 5 formed on the substantially parallel surface) is thick, and the inner surface in the short direction of the recesses 2a to 2e and the surface direction such as the side surface of the step 31 are oriented in a direction substantially orthogonal to the upper side. The thickness is reduced at a portion of the conductive layer 5 formed on the surface where the surface (the surface direction is substantially orthogonal to the surface direction of the emission surface 101). For example, the surface direction is substantially parallel to the surface direction of the emission surface 101. The thickness of the portion of the conductive layer 5 formed thereon is 300 nm to 500 nm. When forming the conductive layer 5 in so that the thickness of the portion of the conductive layer 5 formed on the side surface of the step 31 becomes a uniform value and about 100 nm.

したがって、本実施形態によれば、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。尚、段差３１による経路間の高低差が小さいと、導電層５の除去する部位と除去しない部位とで厚みの差を大きくつけることができなくなるので、このような段差３１による高低差は、少なくとも５μｍ以上、好ましくは１０μｍ程度とするのがよい。   Therefore, according to the present embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained. If the height difference between the paths due to the step 31 is small, a difference in thickness between the portion where the conductive layer 5 is removed and the portion where the conductive layer 5 is not removed cannot be increased. The thickness is 5 μm or more, preferably about 10 μm.

（ａ）において（イ）は、本発明の実施形態１のコイル基板の加工前の部分斜視図であり、（ロ）は、第１工程後の部分斜視図であり、（ハ）は、第２工程後の部分斜視図であり、（ニ）は、第３工程後の部分斜視図であり、（ｂ）において、（イ）は、同図（ａ）（ロ）のＡ−Ａ線における部分断面図であり、（ロ）は、第２工程の概略説明図であり、（ハ）は、同図（ａ）（ハ）のＢ−Ｂ線における部分断面図であり、（ニ）は、同図（ａ）（ニ）のＣ−Ｃ線における部分断面図である。(A) (a) is a partial perspective view before processing of the coil substrate of Embodiment 1 of the present invention, (b) is a partial perspective view after the first step, and (c) is the first perspective view. It is the fragmentary perspective view after 2 processes, (d) is the fragmentary perspective view after the 3rd process, (b), (a) is in the AA line of the figure (a) (b) It is a partial sectional view, (B) is a schematic explanatory diagram of the second step, (C) is a partial sectional view taken along the line BB in (A) and (C), (D) FIG. 4A is a partial cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 本発明のコイル基板の使用例である。It is an example of use of the coil substrate of the present invention. 本発明の実施形態２のコイル基板の第３工程の概略説明図である。It is a schematic explanatory drawing of the 3rd process of the coil board | substrate of Embodiment 2 of this invention. （ａ）は、本発明の実施形態３のコイル基板の部分斜視図であり、（ｂ）は、同図（ａ）のＤ−Ｄ線における部分断面図であり、（ｃ）は、同図（ａ）のＥ−Ｅ線における部分断面図である。(A) is the fragmentary perspective view of the coil board | substrate of Embodiment 3 of this invention, (b) is the fragmentary sectional view in the DD line | wire of the figure (a), (c) is the figure It is a fragmentary sectional view in the EE line of (a). 本発明の実施形態４の第１工程の概略説明図である。It is a schematic explanatory drawing of the 1st process of Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施形態５の第１工程の概略説明図である。It is a schematic explanatory drawing of the 1st process of Embodiment 5 of this invention. （ａ）は、本発明の実施形態６のコイル基板の部分斜視図であり、（ｂ）は、同図（ａ）のＦ−Ｆ線における部分断面図である。(A) is a fragmentary perspective view of the coil board | substrate of Embodiment 6 of this invention, (b) is a fragmentary sectional view in the FF line | wire of the figure (a).

符号の説明Explanation of symbols

１ａ フィルム
２ａ〜２ｅ 凹部
３ 壁部
４ａ〜４ｆ 経路
５ 導電層
Ｌ コイル線路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a Film 2a-2e Recessed part 3 Wall part 4a-4f Path | route 5 Conductive layer L Coil line

Claims (7)

絶縁材料製のフィルムの一面に、凹部を長手方向が並行するように複数列設するとともに、フィルムの一面を仕切って前記凹部の長手方向一端側と他の凹部の長手方向他端側とをこれら凹部の底面よりもフィルムの一面側に位置する面を経て連結する経路を構成する仕切部を形成する第１工程と、第１工程の後にコイル線路形成用の導電層を前記フィルムの一面側全面を覆うように形成する第２工程と、第２工程の後に前記仕切部を覆う導電層の部位を除去して前記凹部と前記経路とを覆う導電層の部位が互いの連結部位を除いて絶縁されてなる蛇行状のコイル線路を形成する第３工程と、第３工程の後に導電層にめっき処理を行ってコイル線路の表面にめっき層を形成する第４工程とを有していることを特徴とするコイル基板の製造方法。   A plurality of recesses are arranged on one side of the film made of an insulating material so that the longitudinal directions thereof are parallel to each other, and one end side in the longitudinal direction of the recesses and the other end side in the longitudinal direction of the other recesses are partitioned by partitioning one surface of the film. A first step of forming a partition that forms a path connecting through a surface located on one surface side of the film with respect to the bottom surface of the recess; and a conductive layer for forming a coil line after the first step on the one surface side of the film A second step for covering the insulating layer, and a portion of the conductive layer that covers the partition after the second step, and the portion of the conductive layer that covers the recess and the path is insulated except for a mutual connection portion. A third step of forming a meandering coil line, and a fourth step of forming a plating layer on the surface of the coil line by plating the conductive layer after the third step. A coil substrate manufacturing method characterized by 仕切部は、フィルムの一面に突設された壁部であり、第３工程において、仕切部の頂部に形成された導電層の部位を除去することを特徴とする請求項１に記載のコイル基板の製造方法。   2. The coil substrate according to claim 1, wherein the partition portion is a wall portion projecting from one surface of the film, and a portion of the conductive layer formed on the top portion of the partition portion is removed in the third step. Manufacturing method. 仕切部は、フィルムの一面に凹設された溝部であり、第３工程において、仕切部の内周面に形成された導電層の部位を除去することを特徴とする請求項１に記載のコイル基板の製造方法。   2. The coil according to claim 1, wherein the partition portion is a groove portion recessed in one surface of the film, and a portion of the conductive layer formed on the inner peripheral surface of the partition portion is removed in the third step. A method for manufacturing a substrate. 第１工程では、フィルムの一面に凹部と仕切部とを形成した後に、フィルムの一面を平面形状の型で加熱プレスして、凹部の短手方向における内側面の開口縁部に凹部内へ突出する突出部を形成することを特徴とする請求項３に記載のコイル基板の製造方法。 In the first step, after forming a recess and a partition on one surface of the film, one surface of the film is heated and pressed with a flat mold, and protrudes into the recess at the opening edge of the inner surface in the short direction of the recess. The method of manufacturing a coil substrate according to claim 3 , wherein a protruding portion is formed. 第１工程では、フィルムの一面に所定の型を加熱プレスすることで凹部と仕切部とを形成するとともに、フィルムの一面側の温度がガラス転移温度から２０度低い温度とガラス転移温度との範囲内にあるうちにフィルムを離型して、凹部の短手方向における内側面の開口縁部に凹部内へ突出する突出部を形成することを特徴とする請求項３に記載のコイル基板の製造方法。 In a 1st process, while forming a recessed part and a partition part by heat-pressing a predetermined type | mold on the one surface of a film, the temperature of the one surface side of a film is 20 degree lower than a glass transition temperature, and the range of a glass transition temperature 4. The coil substrate manufacturing method according to claim 3 , wherein the film is released while being inside to form a protruding portion that protrudes into the concave portion at an opening edge portion of the inner side surface in the short direction of the concave portion. Method. 仕切部は、隣接する経路間に設けられる段差であることを特徴とする請求項１に記載のコイル基板の製造方法。   The method of manufacturing a coil substrate according to claim 1, wherein the partition portion is a step provided between adjacent paths. 第２工程では、スパッタ法又は真空蒸着法を用いて、フィルムの一面に略直交する方向からフィルムの一面側に導体粒子を付着させて、導電層を形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のコイル基板の製造方法。   In the second step, a conductive layer is formed by attaching conductive particles to one surface side of the film from a direction substantially orthogonal to one surface of the film using a sputtering method or a vacuum deposition method. The method for manufacturing a coil substrate according to any one of claims 6 to 6.
JP2005163289A 2005-06-02 2005-06-02 Coil substrate manufacturing method Expired - Fee Related JP4631552B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005163289A JP4631552B2 (en) 2005-06-02 2005-06-02 Coil substrate manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005163289A JP4631552B2 (en) 2005-06-02 2005-06-02 Coil substrate manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006339460A JP2006339460A (en) 2006-12-14
JP4631552B2 true JP4631552B2 (en) 2011-02-16

Family

ID=37559739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005163289A Expired - Fee Related JP4631552B2 (en) 2005-06-02 2005-06-02 Coil substrate manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4631552B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10258255B2 (en) 2011-09-14 2019-04-16 St. Jude Medical International Holding S.àr.l. Method for producing a miniature electromagnetic coil using flexible printed circuitry
TWI488198B (en) 2013-08-02 2015-06-11 Cyntec Co Ltd Method of manufacturing multi-layer coil
KR102563389B1 (en) * 2021-03-26 2023-08-07 한국해양대학교 산학협력단 Structure Design and Fabrication Techniques of a Rogowski Current Sensor Embedded inside the Spacer of GISs

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766532A (en) * 1993-08-26 1995-03-10 Polyplastics Co Formation of circuit and conductive circuit forming component
JP2000216504A (en) * 1999-01-26 2000-08-04 Matsushita Electric Works Ltd Circuit board
JP2003283071A (en) * 2002-03-26 2003-10-03 Matsushita Electric Works Ltd Solid wiring board and its producing method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766532A (en) * 1993-08-26 1995-03-10 Polyplastics Co Formation of circuit and conductive circuit forming component
JP2000216504A (en) * 1999-01-26 2000-08-04 Matsushita Electric Works Ltd Circuit board
JP2003283071A (en) * 2002-03-26 2003-10-03 Matsushita Electric Works Ltd Solid wiring board and its producing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006339460A (en) 2006-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4865453B2 (en) Wiring circuit board and manufacturing method thereof
KR101514499B1 (en) Method for manufacturing common mode filter and common mode filter
US10976355B2 (en) Shunt resistor mounting structure and mounting board
US10026539B2 (en) Thin film type coil component and method of manufacturing the same
JP2008085051A (en) Wired circuit board and its manufacturing method
JP4631552B2 (en) Coil substrate manufacturing method
US11222791B2 (en) Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board
CN109769344A (en) The manufacturing method of circuit board and the circuit board
JP5651933B2 (en) Suspension substrate and manufacturing method thereof
US9799598B2 (en) Method for producing an electronic chip support, chip support and set of such supports
JP2009259315A (en) Suspension board with circuit and production method thereof
TWI576870B (en) Inductor structure and manufacturing method thereof
US6248247B1 (en) Method of fortifying an air bridge circuit
JP5911824B2 (en) Multiple printed wiring board, method for manufacturing the same, and coil pattern inspection method
JP2008187074A (en) Printed circuit board and manufacturing method therefor
JP2007281138A (en) Wiring board
US8658903B2 (en) Wired circuit board
US20200367369A1 (en) Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board
JP2007317900A (en) Wiring circuit board and manufacturing method therefor
US20020086243A1 (en) Method for constructing multilayer circuit boards having air bridges
US20160219690A1 (en) Wiring board
US9472494B2 (en) Lead frame for semiconductor device
JP5351830B2 (en) Wiring circuit board and manufacturing method thereof
JP4934101B2 (en) Method for manufacturing printed circuit board
JP2005051050A (en) Voice coil and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080319

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100709

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100716

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100727

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100927

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101019

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101101

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees