JP4631347B2

JP4631347B2 - 部分ｓｏｉ基板およびその製造方法

Info

Publication number: JP4631347B2
Application number: JP2004231479A
Authority: JP
Inventors: 真一冨田
Original assignee: Sumco Corp
Current assignee: Sumco Corp
Priority date: 2004-08-06
Filing date: 2004-08-06
Publication date: 2011-02-16
Anticipated expiration: 2024-08-06
Also published as: JP2006049725A

Description

この発明は部分ＳＯＩ基板およびその製造方法、詳しくは表面の平坦性が高く、基板内にボイドが発生しない部分ＳＯＩ基板およびその製造方法に関する。

近年、低消費電力、高速動作の実現を可能とするＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）デバイス技術の開発が進められている。
通常、ＳＯＩ厚が均一のＳＯＩ基板にＳＯＩトランジスタを作製しているが、このＳＯＩトランジスタを、バイポーラトランジスタと同一の基板上に形成すれば、多種多様のＬＳＩが作製可能となる。このようなＬＳＩを得るには、まず部分的にＳＯＩ構造を有した半導体基板、いわゆる部分ＳＯＩ基板を作製する必要がある。

部分ＳＯＩ基板の製造方法として、例えば特許文献１および特許文献２に記載されたものが知られている。特許文献１は、ＳＩＭＯＸタイプの部分ＳＯＩ基板の製造方法である。以下、図４を参照してこれを具体的に説明する。まず、ＳＩＭＯＸ基板１００を用意し（図４（ａ））、これを熱酸化装置に挿入して加熱し、活性層１０１の表面にシリコン酸化膜１０２を形成する（図４（ｂ））。次に、フォトリソグラフィ、ＨＦ溶液によるエッチングによりシリコン酸化膜１０２を部分的に溶失させ、窓部１０２ａを形成する（図４（ｃ））。次に、窓部１０２ａを通して、活性層１０１の一部およびＳｉＯ₂からなる埋め込み酸化膜１０２の一部をエッチングし、窓部１０２ａを深くする（図４（ｄ））。その後、窓部１０２ａから露出したバルク層１０４の一部にシリコン１０５をエピタキシャル成長させる（図４（ｅ））。そして、シリコン酸化膜をＨＦ洗浄により除去し、活性層１０１の表面研磨を施すことで、部分ＳＯＩ基板を作製する（図４（ｆ））。図４中、１０３は埋め込み酸化膜である。

次に、特許文献２の方法は、図５に示すように貼り合わせタイプの部分ＳＯＩ基板の製造方法である。まず、単結晶シリコンからなる活性層用ウェーハ２００と支持基板用ウェーハ２０１とを用意し（図５（ａ））、次いでパターン形成により、活性層用ウェーハ２００の貼り合わせ側の面に、酸化膜面が部分的に存在するような加工を施す。これにより、活性層用ウェーハ２００の貼り合わせ側の面に、部分的にシリコン酸化膜２０２が形成される（図５（ｂ））。そして、活性層用ウェーハ２００と支持基板用ウェーハ２０１とを室温で貼り合わせ、貼り合わせウェーハ２０３を形成し、その後、これを貼り合わせ熱処理する（図５（ｃ））。次に、貼り合わせウェーハ２０３の活性層用ウェーハ２００側の面に、表面研削と表面研磨とを順次施す。こうして、活性層用ウェーハ２００を減厚し、活性層２０４とした部分ＳＯＩ基板が作製される（図５（ｄ））。

特開平５−８２５２５号公報（第１頁、図１）特開２００１−１５７２０号公報（第１頁、図１）

しかしながら、特許文献１では、窓部１０２ａから露出したバルク層１０４の一部にシリコン１０５をエピタキシャル成長する際、成長途中でシリコン１０５がシリコン酸化膜１０２の領域を通過することになる。シリコン（Ｓｉ）とシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）とは、分子量および密度が異なる。分子量は、Ｓｉが２８．０９で、ＳｉＯ₂が６０．０８である。密度は、Ｓｉが２．３３で、ＳｉＯ₂が２．２４である。そのため、エピタキシャル成長中のシリコン１０５がシリコン酸化膜１０２の領域を通過する際、シリコン１０５に成長欠陥が発生し易かった。
また、特許文献２では、貼り合わせ側の面に部分的にシリコン酸化膜２０２が形成された活性層用ウェーハ２００と、支持基板用ウェーハ２０１とを貼り合わせる。このとき、両ウェーハ２００，２０１の貼り合わせ界面では、シリコン酸化膜２０２の部分と活性層用ウェーハ２００のシリコンの部分との境界に段差が発生し、パターン状のボイドが生じ易かった。

そこで、発明者は、鋭意研究の結果、部分ＳＯＩ基板の埋め込み酸化膜うち、活性層とバルク層とが連続した部分を、不活性ガスまたは還元ガスの雰囲気で高温アニールし、埋め込み酸化膜の一部を、酸素の熱拡散によって消滅させれば、活性層とバルク層とが連続した部分にエピタキシャル成長する必要がなく、また基板内にボイドも発生しないことを知見し、この発明を完成させた。

この発明は、活性層とバルク層とが連続した部分にエピタキシャル成長を行う必要がなく、また基板内にボイドも発生しない部分ＳＯＩ基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
また、この発明は、活性層の表面において、活性層とバルク層とが連続した部分と他の部分との段差を低減させることができる部分ＳＯＩ基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
さらに、この発明は、活性層の表面の平坦性を高めることができる部分ＳＯＩ基板およびその製造方法を提供することを目的としている。

請求項１の発明は、シリコン製の活性層とシリコン製のバルク層との間に埋め込み酸化膜が形成されたＳＯＩ基板の一部に、前記活性層とバルク層とが連続する部分ＳＯＩ構造を有した部分ＳＯＩ基板において、前記埋め込み酸化膜の一部の領域を、不活性ガスまたは還元ガスの雰囲気で高温アニールし、この一部の領域の埋め込み酸化膜を消滅させた部分ＳＯＩ基板である。

請求項１の発明によれば、活性層の表面を被う保護膜の一部に窓部が形成されたＳＯＩ基板を、不活性ガスまたは還元ガスの雰囲気で高温アニールする。その際、埋め込み酸化膜のうち、活性層とバルク層とを連続させた一部の領域の酸素が外方拡散する。これにより、その領域の酸素濃度が低下し、埋め込み酸化膜に含まれた酸素が溶解消滅して部分ＳＯＩ構造が形成される。その結果、部分ＳＯＩ構造の作製に際し、活性層とバルク層とが連続した部分に従来のようにエピタキシャル成長を行う必要がない。しかも、貼り合わせ方式による部分ＳＯＩ構造でないので、ＳＯＩ基板の内部にボイドも発生しない。

ここでいうバルク層とは、部分ＳＯＩ基板のうち、埋め込み酸化膜を中間にして活性層と対峙する、ＳＯＩ基板の本体となる部分を意味する。したがって、ＳＩＭＯＸ方式の部分ＳＯＩ基板におけるバルク層だけでなく、貼り合わせ方式の部分ＳＯＩ基板における支持基板用ウェーハなどを含む。
部分ＳＯＩ基板の種類は限定されない。例えば(1) 支持基板用ウェーハに埋め込み酸化膜を介して貼り合わせた活性層用ウェーハを減厚して活性層とした貼り合わせ方式の部分ＳＯＩウェーハ、(2) この活性層の薄膜化に選択エッチングを採用したＥＬＴＲＡＮ方式の部分ＳＯＩウェーハ、(3) 活性層の薄膜化に水素イオン剥離を採用したスマートカット方式の部分ＳＯＩウェーハ、(4) 活性層の薄膜化に局所プラズマエッチングを採用したＰＡＣＥ方式の部分ＳＯＩウェーハ、および、(5) 活性層とバルク層との間に、イオン注入および熱処理により埋め込み酸化膜を形成したＳＩＭＯＸ方式の部分ウェーハなどを採用することができる。
活性層および支持基板用ウェーハの素材としては、単結晶シリコンを採用することができる。
埋め込み酸化膜（埋め込み絶縁膜）としては、例えばシリコン酸化膜、窒化シリコンなどを採用することができる。埋め込み酸化膜の厚さは、例えば０．０１〜２．０μｍである。

請求項２の発明は、シリコン製の活性層とシリコン製のバルク層との間に埋め込み酸化膜が形成されたＳＯＩ基板の活性層側の面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜を部分的に除去して活性層の一部を露出させる窓部を形成する窓部形成工程と、該窓部の形成後、不活性ガスまたは還元ガスの雰囲気でＳＯＩ基板を高温アニールし、前記窓部を通して、前記埋め込み酸化膜の一部を消滅させ、前記活性層とバルク層とが部分的に連続した部分ＳＯＩ構造を形成させる高温アニール工程と、前記ＳＯＩ基板の活性層側の面から保護膜を除去する保護膜除去工程とを備えた部分ＳＯＩ基板の製造方法である。

請求項２の発明によれば、活性層を被覆する保護膜の一部に窓部が形成されたＳＯＩ基板を、不活性ガスまたは還元ガスの雰囲気で高温アニールする。その際、埋め込み酸化膜のうち、活性層とバルク層とを連続させる一部の領域の酸素が外方拡散して酸素濃度が低下し、埋め込み酸化膜に含まれた酸素が溶解消滅し、部分ＳＯＩ構造が形成される。その結果、部分ＳＯＩ構造の作製に際して、活性層とバルク層とが連続した部分に従来のようにエピタキシャル成長を行う必要がない。しかも、貼り合わせ方式による部分ＳＯＩ構造でないため、ＳＯＩ基板の内部にボイドも発生しない。

保護膜の形成方法としては、例えば熱酸化膜、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、スパッタリング法、エピタキシャル成長法、リソグラフィー法などを採用することができる。
窓部の形成方法としては、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、保護膜を部分的に溶失させる方法を採用することができる。エッチング液は、保護膜の素材に応じて適宜変更される。
不活性ガスとしては、例えばヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガス、ラドン（Ｒｎ）ガスが挙げられる。還元ガスとしては、例えば水素ガスを採用することができる。

高温アニールの条件は限定されない。アニール温度は１１００〜１３５０℃、好ましくは１１５０〜１２５０℃である。１１００℃未満では酸素の固溶度が小さく、酸化膜が溶解する速度が遅くなり処理時間が長くなる。また、１３５０℃を超えると保護膜が溶解したり、金属汚染やスリップが発生する。
アニール時間は１〜５時間である。雰囲気ガスには水素ガスやアルゴンガスを採用することができる。
保護膜を除去する方法は、保護膜の素材に応じて適宜選択される。例えば、保護膜がシリコン酸化膜の場合には、ＨＦ溶液などを採用することができる。

請求項３の発明は、前記高温アニール工程後、前記窓部を通して露出した活性層の表面の一部にシリコンを被着させ、前記埋め込み酸化膜の一部の消滅を原因とした活性層の表面の段差を低減する請求項２に記載の部分ＳＯＩ基板の製造方法である。

請求項３の発明において、高温アニール工程後とは、高温アニールの直後から活性層用の平坦化を行うまでの間である。
高温アニールの前または高温アニールの後において、窓部を通して露出した活性層の表面の一部にシリコンをエピタキシャル成長する。これにより、埋め込み酸化膜の一部の消滅を原因とした活性層の表面の段差を低減することができる。段差は酸化膜がＳｉに変化する場合に発生し、酸化膜が消滅した部分がへこむことにより起きる。
ここでのシリコンのエピタキシャル成長は、あくまでも活性層の表面の段差を低減させるためのものである。したがって、従来のように活性層とバルク層とを連続させる部分にシリコンを被着させなければ、部分ＳＯＩ構造が成り立たないというものではない。

シリコンを被着させる方法としては、例えばエピタキシャル成長を採用することができる。エピタキシャル成長条件は限定されない。原料ガスとしては、例えばＳｉＨ₄、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂、ＳｉＨＣｌ₃、ＳｉＣｌ₄などを採用することができる。
キャリアガスとしては、例えば水素ガス、不活性ガスなどを採用することができる。
エピタキシャル成長装置の反応炉の加熱手段としては、例えばハロゲンランプ、赤外線ランプなどを採用することができる。
エピタキシャル成長装置としては、半導体ウェーハを１枚ずつエピタキシャル成長処理する枚葉式でもよい。また、複数のウェーハを一度に処理するバッチ式のエピタキシャル成長装置でもよい。

請求項４の発明は、前記高温アニール工程前、前記窓部を通して露出した活性層の表面の一部にシリコンを被着させ、前記埋め込み酸化膜の一部の消滅を原因とした活性層の表面の段差を低減する請求項２に記載の部分ＳＯＩ基板の製造方法である。

請求項４の発明において、高温アニール工程前とは、活性層の一部に窓部が形成されてから、ＳＯＩ基板に高温アニールが施されるまでの間である。
高温アニールの前または高温アニールの後において、窓部を通して露出した活性層の表面の一部にシリコンをエピタキシャル成長する。これにより、埋め込み酸化膜の一部の消滅を原因とした活性層の表面の段差を低減することができる。

請求項５の発明は、前記保護膜除去工程後、再度、前記部分ＳＯＩ基板を不活性ガスまたは還元ガスの雰囲気で高温アニールし、前記活性層の表面を平坦化する請求項２〜請求項４のうち、何れか１項に記載の部分ＳＯＩ基板の製造方法である。

請求項５の発明によれば、保護膜除去工程後、再び部分ＳＯＩ基板を不活性ガスまたは還元ガスの雰囲気で高温アニールする。これにより、活性層の表面の平坦性を高めることができる。

ここでの高温アニールの条件も限定されない。例えば、アニール温度は１１００〜１３５０℃、好ましくは１１５０〜１２５０℃である。１１００℃未満では平坦化速度が遅い。また、１３５０℃を超えると埋め込み酸化膜が消滅したり、金属汚染やスリップが発生する。
アニール時間は０．５〜２時間である。雰囲気ガスには、水素ガスやアルゴンガスなどが挙げられる。

請求項１の部分ＳＯＩ基板および請求項２の部分ＳＯＩ基板の製造方法によれば、活性層とバルク層とが連続した埋め込み酸化膜の一部を、不活性ガスまたは還元ガスの雰囲気での高温アニールにより消滅させるので、活性層とバルク層とが連続した部分にエピタキシャル成長を行う必要がなく、また基板内にボイドが発生しない。

特に、請求項３および請求項４の部分ＳＯＩ基板の製造方法によれば、高温アニールの前または後において、窓部を通して露出した活性層の表面の一部にシリコンを被着させるので、埋め込み酸化膜の一部の消滅を原因とした活性層の表面の段差を低減することができる。

請求項５の部分ＳＯＩ基板の製造方法によれば、保護膜除去工程後、再度、部分ＳＯＩ基板を不活性ガスまたは還元ガスの雰囲気で高温アニールし、活性層の表面を平坦化するので、活性層の表面の平坦性を高めることができる。

以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。

図１に示す第１の実施例では、まずＳＩＭＯＸ基板（ＳＯＩ基板）１０を用意する（図１（ａ））。ＳＩＭＯＸ基板１０の製造方法は、次の通りである。まず、単結晶シリコンインゴットをＣＺ法により引き上げ、その単結晶シリコンインゴットに、ブロック切断、スライス、面取り、鏡面研磨などを施す。これにより、厚さ７２５μｍ、直径２００ｍｍ、比抵抗２０Ωｃｍの鏡面仕上げされたシリコンウェーハが得られる。
このシリコンウェーハの表面から、中電流イオン注入装置を使用し、１８０ｋｅＶの加速電圧で酸素イオンを注入する。このときのドーズ量は、４×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ²である。

その後、シリコンウェーハを熱処理炉に投入し、１３２０℃で１０時間、熱処理する。雰囲気ガスは、アルゴンと酸素との混合比が９９：１の混合ガスである。これにより、注入された酸素とシリコンとが結合し、酸素イオン注入領域にＳｉＯ₂からなる埋め込み酸化膜が形成される。その結果、シリコンウェーハの表面側に活性層１１が形成される。一方、シリコンウェーハの裏面側にバルク層１２が形成される。埋め込み酸化膜の膜厚は約０．１μｍである。これにより、活性層１１とバルク層１２との間に埋め込み酸化膜１３が介在されたＳＩＭＯＸ基板１０が作製される。

次いで、ＳＩＭＯＸ基板１０にシリコン酸化膜（保護膜）１４を形成する（図１（ｂ））。具体的には、ＳＩＭＯＸ基板１０を熱酸化炉に投入し、１０００℃で３０分間だけ加熱する。雰囲気ガスにはドライ酸素ガスを採用している。シリコン酸化膜１４の厚さは１０ｎｍ程度である。
それから、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、ＳＩＭＯＸ基板１０の活性層１１側のシリコン酸化膜１４に、所定ピッチで多数の窓部１４ａを形成する（図１（ｃ））。具体的には、まず活性層１１側のシリコン酸化膜１４にレジストを塗布する。それから、露光、現像することで、レジストに所定ピッチで多数の開口部を形成する。次いで、所定濃度のＨＦ溶液（室温）により、各開口部を介して多数の窓部１４ａを形成する。その後、レジストを除去する。

窓部１４ａの形成後、１００％の水素ガスの雰囲気で、ＳＩＭＯＸ基板１０を高温アニールする（図１（ｄ））。高温アニールの条件は、加熱温度１１５０℃で１時間である。これにより、各窓部１４ａを通して、埋め込み酸化膜１３の一部が酸素の熱拡散によって消滅する。その結果、活性層１１とバルク層１２とが部分的に連続した部分ＳＯＩ構造が得られる。その際、活性層１１の各窓部１４ａから露出した部分がへこむ。すなわち、埋め込み酸化膜１３から酸素を消滅させると、ＳｉとＳｉＯ₂との分子量、密度の差から、酸素消滅前の埋め込み酸化膜部分の体積が約２分の１となり、凹部が形成される。
次に、部分ＳＯＩ構造を有するＳＩＭＯＸ基板１０を、ＨＦ５重量％のＨＦ洗浄液（室温）に１０分間浸漬し、シリコン酸化膜１４を除去する（図１（ｅ））。

その後、部分ＳＯＩ構造を有するＳＩＭＯＸ基板１０をエピタキシャル成長装置の膜形成室に投入し、活性層１１の表面にシリコン１５をエピタキシャル成長させる。ただし、このシリコン１５のエピタキシャル成長工程は、その後に大きな研磨量で活性層１１の表面を研磨すれば、省略してもよい。それから、仕上げ研磨、仕上げ洗浄を施すことで、部分ＳＯＩ基板２０が作製される。得られた部分ＳＯＩ基板２０は、ウェーハケースなどに梱包後、デバイスメーカに出荷される。

このように、活性層１１とバルク層１２とが連続した埋め込み酸化膜１４の一部を、水素ガス雰囲気での高温アニールにより消滅させるので、活性層１１とバルク層１２が連続した部分に、エピタキシャル成長を必ずしも行わなくてもよい。しかも、貼り合わせ方式ではないので、部分ＳＯＩ基板２０内にボイドが発生しない。
また、高温アニール後、窓部１４ａを通して露出した活性層１１の表面の一部にシリコンをエピタキシャル成長するので、埋め込み酸化膜１３の一部の消滅を原因とした活性層１１の表面の段差を低減することができる。

次に、図２を参照して、この発明の第２の実施例を説明する。
図２に示すように、第２の実施例では、高温アニール（図２（ａ））後、シリコン酸化膜１４を除去することなく、活性層１１の各窓部１４ａから露出したへこみ部分を埋めるエピタキシャル成長を施す（図２（ｂ））。この際のシリコン１５の膜厚は０．２μｍである。これにより、へこみが解消される。次いで、ＨＦ洗浄してシリコン酸化膜１４を除去し（図２（ｃ））、その後、再度、部分ＳＯＩ基板２０を水素ガスの雰囲気で高温アニールし、活性層１１の表面を平坦化処理する（図２（ｄ））。これにより、活性層１１の表面の平坦性を高めることができる。２回目の高温アニールの条件は、加熱温度１１５０℃、加熱時間１時間である。
また、この２回目の高温アニールに代えて、活性層１１の表面を研磨してもよい。具体的には、図示しない枚葉式の研磨装置の研磨ヘッドの下面に活性層１１側を下方に向けて部分ＳＯＩ基板２０を保持する。次いで、活性層１１側の面を研磨定盤の上面に展張された研磨布に押し付け、表面研磨する。研磨布には、ロデール社製の軟質不織布パッド、Ｓｕｂａ６００（Ａｓｋｅｒ硬度８０°）を用いる。研磨中、所定量のコロイダルシリカが研磨布上に供給される。

第２の実施例では、このようにシリコン酸化膜１４を除去する前に、活性層１１の各窓部１４ａから露出したへこみ部分を、シリコン１５のエピタキシャル成長により埋めるようにしたので、へこみが解消され、ボイドもなく活性層１１の表面を平坦化できる。
また、シリコン酸化膜１４の除去後、再度、部分ＳＯＩ基板２０を水素ガスの雰囲気で高温アニールし、活性層１１の表面を平坦化するようにしたので、活性層１１の表面の平坦性を高めることができる。
その他の構成、作用、効果は、第１の実施例と略同じであるので、説明を省略する。

次に、図３を参照して、この発明の第３の実施例を説明する。
図３に示すように、第３の実施例では、まずＳＩＭＯＸ基板１０を用意し（図３（ａ））、ＳＩＭＯＸ基板１０にシリコン酸化膜１４を形成する（図３（ｂ））。それから、ＳＩＭＯＸ基板１０の活性層１１側のシリコン酸化膜１４に、所定ピッチで多数の窓部１４ａを形成する（図３（ｃ））。
次いで、ＳＩＭＯＸ基板１０の活性層１１側の面にシリコン１５をエピタキシャル成長させ、各窓部１４ａをシリコン１５により埋める（図３（ｄ））。シリコン１５の厚さは、窓部１４ａの深さと略同じである。

その後、水素ガスの雰囲気で、ＳＩＭＯＸ基板１０を高温アニールし、各窓部１４ａを通して、埋め込み酸化膜１３の一部を酸素の熱拡散によって消滅させる（図３（ｅ））。このとき、活性層１１の各窓部１４ａから露出した部分はへこむが、高温アニールの前工程で、埋め込み酸化膜１３の体積の減少分が、あらかじめシリコン１５のエピタキシャル成長により補われている。その結果、高温アニール後の活性層１１の表面の平坦度は、第１の実施例および第２の実施例の際に比べて高まる。よって、活性層１１の表面の研磨量が低減される。
その他の構成、作用、効果は第１の実施例と略同様であるので、説明を省略する。

この発明の第１の実施例に係る部分ＳＯＩ基板の製造方法のフローシートである。この発明の第２の実施例に係る部分ＳＯＩ基板の製造方法のフローシートである。この発明の第３の実施例に係る部分ＳＯＩ基板の製造方法のフローシートである。従来手段に係る部分ＳＯＩ基板の製造方法のフローシートである。従来手段に係る他の部分ＳＯＩ基板の製造方法のフローシートである。

符号の説明

１０ＳＩＭＯＸ基板（ＳＯＩ基板）、
１１活性層、
１２バルク層、
１３埋め込み酸化膜、
１４シリコン酸化膜（保護膜）、
１４ａ窓部、
１５シリコン、
２０部分ＳＯＩ基板。

Claims

シリコン製の活性層とシリコン製のバルク層との間に埋め込み酸化膜が形成されたＳＯＩ基板の一部に、前記活性層とバルク層とが連続する部分ＳＯＩ構造を有した部分ＳＯＩ基板において、
前記埋め込み酸化膜の一部の領域を、不活性ガスまたは還元ガスの雰囲気で高温アニールし、この一部の領域の埋め込み酸化膜を消滅させた部分ＳＯＩ基板。
シリコン製の活性層とシリコン製のバルク層との間に埋め込み酸化膜が形成されたＳＯＩ基板の活性層側の面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
該保護膜を部分的に除去して活性層の一部を露出させる窓部を形成する窓部形成工程と、
該窓部の形成後、不活性ガスまたは還元ガスの雰囲気でＳＯＩ基板を高温アニールし、前記窓部を通して、前記埋め込み酸化膜の一部を消滅させ、前記活性層とバルク層とが部分的に連続した部分ＳＯＩ構造を形成させる高温アニール工程と、
前記ＳＯＩ基板の活性層側の面から保護膜を除去する保護膜除去工程とを備えた部分ＳＯＩ基板の製造方法。
前記高温アニール工程後、前記窓部を通して露出した活性層の表面の一部にシリコンを被着させ、前記埋め込み酸化膜の一部の消滅を原因とした活性層の表面の段差を低減する請求項２に記載の部分ＳＯＩ基板の製造方法。
前記高温アニール工程前、前記窓部を通して露出した活性層の表面の一部にシリコンを被着させ、前記埋め込み酸化膜の一部の消滅を原因とした活性層の表面の段差を低減する請求項２に記載の部分ＳＯＩ基板の製造方法。
前記保護膜除去工程後、再度、前記部分ＳＯＩ基板を不活性ガスまたは還元ガスの雰囲気で高温アニールし、前記活性層の表面を平坦化する請求項２〜請求項４のうち、何れか１項に記載の部分ＳＯＩ基板の製造方法。