JP4630164B2 - 半導体装置とその設計方法 - Google Patents
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Description
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた第1の金属配線と、
前記第1の金属配線上に設けられた第2の金属配線と、
前記第2の金属配線上に設けられており、シリカ膜を用いて平坦化した第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜に設けられた第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁層上に設けられた第3の金属配線と、
前記第2及び第3の金属配線を接続する複数のビアと、を有し、
前記第1の金属配線は、前記複数のビアの全部とオーバラップするように設けられていることを特徴とする半導体装置が提供される。
また、本発明によれば、
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた第1の金属配線と、
前記第1の金属配線上に設けられた第2の金属配線と、
前記第2の金属配線上に設けられており、シリカ膜を用いて平坦化した第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜に設けられた第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁層上に設けられた第3の金属配線と、
前記第2及び第3の金属配線を接続する複数のビアと、を有する、半導体装置の設計方法であって、
前記第1の金属配線が前記複数のビアの一部とオーバラップする場合には、前記複数のビアの全部とオーバラップするように設けることと特徴とする半導体装置の設計方法が提供される。
本発明は、上層配線層と接続する為に設けられたビア群の下層に設けられた配線を、そのビア群の全部を覆うように配置する。
2、12 第2層金属配線
3、7、13 ビアホール
4 第3層金属配線
5、21、22 層間絶縁膜
6 基板
7 ビアホール
8,9 ビア群
23、25 絶縁膜
24 シリカ残渣
30 突出部
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた第1の金属配線と、
前記第1の金属配線上に設けられた第2の金属配線と、
前記第2の金属配線上に設けられており、シリカ膜を用いて平坦化した第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜に設けられた第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁層上に設けられた第3の金属配線と、
前記第2及び第3の金属配線を接続する複数のビアと、を有し、
前記第1の金属配線は、前記複数のビアの全部とオーバラップするように設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の金属配線は第1の電源電位が供給され、前記第2の金属配線は前記第1の電源電位と異なる電源電位が供給されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1の金属配線は前記複数のビアのうち一部とオーバラップするように第1の方向に延在し、前記第2及び第3の金属配線は前記第1の方向と直交する第2の方向に延在し、前記複数のビアのうち前記一部と異なる他部は、前記第1の金属配線から前記第2の方向に突出して設けられた突出部とオーバラップすることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた第1の金属配線と、
前記第1の金属配線上に設けられた第2の金属配線と、
前記第2の金属配線上に設けられており、シリカ膜を用いて平坦化した第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜に設けられた第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁層上に設けられた第3の金属配線と、
前記第2及び第3の金属配線を接続する複数のビアと、を有する、半導体装置の設計方法であって、
前記第1の金属配線が前記複数のビアの一部とオーバラップする場合には、前記複数のビアの全部とオーバラップするように設けることを特徴とする半導体装置の設計方法。 - 前記第1の金属配線に突出部を設け、前記突出部が前記複数のビアの他部とオーバラップするように配置されることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の設計方法。
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