JP4618738B2 - Dicing die bond film and semiconductor chip fixing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To discriminate the position of an adhesive layer for die adhesion in a dicing die bond film when a semiconductor wafer and the dicing die bond film are laminated. <P>SOLUTION: The dicing die bond film 10 has a supporting base material 1, a pressure-sensitive adhesive layer 2 provided on the supporting base material 1, and an adhesive layer 3 for die adhesion provided on the pressure-sensitive adhesive layer 2, and further markings 5 to discriminate the position of the adhesive layer 3 for die adhesion. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、半導体チップと電極部材とを固着するための接着剤を、ダイシング前に半導体ウエハに付設した状態で、半導体ウェハのダイシングに供するダイシング・ダイボンドフィルムに関する。又、本発明は、当該ダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体チップの固定方法に関する。 The present invention relates to a dicing die-bonding film used for dicing a semiconductor wafer in a state where an adhesive for fixing a semiconductor chip and an electrode member is attached to the semiconductor wafer before dicing. The present invention also relates to a semiconductor chip fixing method using the dicing die bond film.

回路パターンを形成した半導体ウェハは、必要に応じて裏面研磨により厚さを調整した後、チップにダイシングされる（ダイシング工程）。かかる工程では、切断層の除去のため半導体ウェハを適度な液圧（通常、２ｋｇ／ｃｍ２程度）で洗浄するのが一般的である。次いで、前記半導体チップを接着剤にてリードフレームなどの被着体に固着（マウント工程）した後、ボンディング工程に移される。前記マウント工程に於いては、接着剤をリードフレームや半導体チップに塗布していた。しかし、この方法では接着剤層の均一化が困難であり、また接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。このため、ダイシング工程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシングフィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。 The semiconductor wafer on which the circuit pattern is formed is diced into chips after adjusting the thickness by backside polishing as necessary (dicing step). In such a process, it is common to clean the semiconductor wafer with an appropriate fluid pressure (usually about 2 kg / cm 2 ) in order to remove the cut layer. Next, the semiconductor chip is fixed to an adherend such as a lead frame with an adhesive (mounting process), and then transferred to a bonding process. In the mounting process, an adhesive is applied to the lead frame and the semiconductor chip . However, with this method, it is difficult to make the adhesive layer uniform, and a special device and a long time are required for applying the adhesive. For this reason, a dicing film has been proposed in which a semiconductor wafer is bonded and held in a dicing process, and an adhesive layer for chip fixation necessary for a mounting process is also provided (see, for example, Patent Document 1).

前記特許文献１によれば、ダイシングフィルムは、支持基材上に導電性の接着剤層を剥離可能に設けてなるものである。すなわち、接着剤層による保持下に半導体ウェハをダイシングしたのち、支持基材を延伸して半導体チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレームなどの被着体に固着させるようにしたものである。 According to the said patent document 1, a dicing film provides a conductive adhesive layer so that peeling is possible on a support base material. That is, after dicing the semiconductor wafer while being held by the adhesive layer, the support substrate is stretched to peel the semiconductor chip together with the adhesive layer, and this is individually collected and the lead frame etc. via the adhesive layer It is made to adhere to the adherend.

この種のダイシング・ダイボンドフィルムに於いては、接着剤層は半導体ウェハにのみ接着され、その他の部分はダイシングフレームに貼り合わされる。しかし、半導体ウェハに貼り合わされる部分とダイシングフレームに貼り合わされる部分とが同一接着剤層である場合、ダイシングフレームに貼り合わされた接着剤を剥離できないという問題点があった。   In this type of dicing die-bonding film, the adhesive layer is bonded only to the semiconductor wafer, and the other part is bonded to the dicing frame. However, when the portion bonded to the semiconductor wafer and the portion bonded to the dicing frame are the same adhesive layer, there is a problem that the adhesive bonded to the dicing frame cannot be peeled off.

特開昭６０−５７６４２号公報JP-A-60-57642

本発明は、半導体ウェハとダイシング・ダイボンドフィルムとの貼り合わせの際に、ダイシング・ダイボンドフィルムに於けるダイ接着用接着剤層の位置の識別が可能なダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。加えて、半導体ウェハをダイシングする際の保持力と、ダイシングにより得られる半導体チップをそのダイ接着用接着剤層と一体に剥離する際の剥離性とのバランス特性に優れたダイシング・ダイボンドフィルムを提供することを目的とする。 The present invention provides a dicing die bond film capable of identifying the position of the adhesive layer for die bonding in the dicing die bond film when the semiconductor wafer and the dicing die bond film are bonded to each other. In addition, a dicing die-bonding film with excellent balance between the holding power when dicing a semiconductor wafer and the peelability when the semiconductor chip obtained by dicing is peeled together with the adhesive layer for die bonding is provided. The purpose is to do.

又、本発明は、当該ダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体チップの固定方法を提供することを目的とする。 Another object of the present invention is to provide a semiconductor chip fixing method using the dicing die-bonding film.

本発明者等は、ダイシング・ダイボンドフィルムに予めマーキングを施すことにより、位置ズレを起こさずに半導体ウェハとの貼り合わせが可能となることを見出し、更に詳細な検討を加えた結果、本発明を完成させるに至った。   The inventors have found that dicing and die-bonding film can be pre-marked so that they can be bonded to a semiconductor wafer without causing misalignment. It came to complete.

即ち、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、上記の課題を解決するために、支持基材（１）上に、粘着剤層（２）及びダイ接着用接着剤層（３）が順次積層されたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記ダイ接着用接着剤層（３）の位置を識別する為の着色層が、前記粘着剤層（２）及び前記ダイ接着用接着剤層（３）を除く前記支持基材上の半導体ウェハ及びマウントフレームが貼り付けられない位置に複数設けられていることを特徴とする。
That is, in the dicing die-bonding film of the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer (2) and the die-bonding adhesive layer (3) are sequentially laminated on the support substrate (1) in order to solve the above-described problems. A dicing die-bonding film, wherein the colored layer for identifying the position of the die-bonding adhesive layer (3) excludes the pressure-sensitive adhesive layer (2) and the die-bonding adhesive layer (3). A plurality of semiconductor wafers and mount frames on the support base are provided at positions where they are not attached.

前記着色層は、アゾ顔料、バーミリオン、弁柄、アリザリン、クリムソン、コチニール、及びキナクリドン系顔料からなる群より選択される何れか一つの色素を含有することが好ましい。The colored layer preferably contains any one dye selected from the group consisting of azo pigments, vermilions, petals, alizarin, crimson, cochineal, and quinacridone pigments.

更に、前記粘着剤層（２）のダイ接着用接着剤層（３）に対する粘着力が、ダイ接着用接着剤層（３）上の半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）と半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）以外の部分（３ｂ）の一部又は全部に対応する部分（２ｂ）で異なり、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、を満足し、 前記粘着剤層（２ａ）の粘着力は０．５Ｎ／２０ｍｍ以下であり、粘着剤層（２ｂ）の粘着力は０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍであることが好ましい。 Further, the portion (2a) in which the pressure-sensitive adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer (2) to the die-bonding adhesive layer (3) corresponds to the semiconductor wafer attaching portion (3a) on the die-bonding adhesive layer (3). And the part (2b) corresponding to part or all of the part (3b ) other than the semiconductor wafer pasting part (3a) , the adhesive strength of the adhesive layer (2a) <the adhesive strength of the adhesive layer (2b), The adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer (2a) is preferably 0.5 N / 20 mm or less, and the pressure-sensitive adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer (2b) is preferably 0.5 to 20 N / 20 mm .

又、前記ダイ接着用接着剤層（３）の半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）における、半導体ウェハに対する粘着力と、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力が、半導体ウェハに対する粘着力＞粘着剤層（２ａ）に対する粘着力、を満足し、前記半導体ウェハに対する粘着力は１０〜５０Ｎ／２０ｍｍ以下であり、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力は０．５Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましい。 Further, the adhesive force to the semiconductor wafer and the adhesive force to the adhesive layer (2a) in the semiconductor wafer adhering portion (3a) of the die bonding adhesive layer (3) are: Adhesive force to the semiconductor wafer > Adhesive layer The adhesive strength to (2a) is satisfied, the adhesive strength to the semiconductor wafer is preferably 10 to 50 N / 20 mm or less, and the adhesive strength to the adhesive layer (2 a) is preferably 0.5 N / 20 mm or less .

更に、前記半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）以外の部分（３ｂ）の一部が、マウントフレーム貼り付け部分（３ｂ′）であることが好ましい。 Furthermore, it is preferable that a part of the portion (3b) other than the semiconductor wafer attachment portion (3a) is a mount frame attachment portion (3b ′).

前記ダイ接着用接着剤層（３）は、粘着剤層（２）の一部に半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）として設けられていることが好ましい。 The die bonding adhesive layer (3) is preferably Rukoto provided as a semiconductor wafer pasting portion (3a) on a part of the pressure-sensitive adhesive layer (2).

前記半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）の、半導体ウェハに対する粘着力と、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力が、半導体ウェハに対する粘着力＞粘着剤層（２ａ）に対する粘着力を満足することが好ましい。 It is preferable that the adhesive force to the semiconductor wafer and the adhesive force to the adhesive layer (2a) of the semiconductor wafer pasting portion (3a) satisfy the adhesive force to the semiconductor wafer > the adhesive force to the adhesive layer (2a). .

前記粘着剤層（２）が放射線硬化型粘着剤により形成されており、半導体ウェハ貼り付け部（３ａ）に対応する粘着剤層（２ａ）が放射線照射されていることが好ましい。 The pressure-sensitive adhesive layer (2) is preferably formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive, and the pressure-sensitive adhesive layer (2a) corresponding to the semiconductor wafer attaching portion (3a) is preferably irradiated with radiation.

又、本発明の半導体チップの固定方法は、前記のダイシング・ダイボンドフィルムのダイ接着用接着剤層（３）上に半導体ウェハを圧着する工程であって、前記マーキングを識別してダイ接着用接着剤層（３）の位置情報を検出し、当該位置情報に基づいてダイ接着用接着剤層（３）と半導体ウェハとの間に位置ズレが存在する場合は、位置ズレの補正を行って、前記ダイ接着用接着剤層（３）と半導体ウェハとを圧着する工程と、前記半導体ウェハをチップ状にダイシングする工程と、半導体チップをダイ接着用接着剤層（３）とともに粘着剤層（２）から剥離する工程と、前記ダイ接着用接着剤層（３）を介して、半導体チップを半導体素子に接着固定する工程と、を有することを特徴とする。 The semiconductor chip fixing method of the present invention is a step of pressure bonding a semiconductor wafer on the die bonding adhesive layer (3) of the dicing die bond film, wherein the marking is identified and bonded for die bonding. When the positional information of the agent layer (3) is detected and a positional deviation exists between the die bonding adhesive layer (3) and the semiconductor wafer based on the positional information, the positional deviation is corrected, a step of crimping the die bonding adhesive layer (3) and a semiconductor wafer, wherein the step of dicing into chips of a semiconductor wafer, the die bonding adhesive layer a semiconductor chip (3) with the adhesive layer (2 And a step of bonding and fixing the semiconductor chip to the semiconductor element through the die bonding adhesive layer (3).

本発明の構成によれば、ダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイ接着用接着剤層の位置を識別する為のマーキングが設けられているので、支持基材やダイ接着用接着剤層が透明部材であっても、ダイ接着用接着剤層の位置を容易に識別することができる。これにより、ダイ接着用接着剤層を半導体ウェハに貼り合わせる際に、位置ズレを防止することができ製品の歩留まりを向上させることができる。 According to the configuration of the present invention, since the dicing die bond film is provided with markings for identifying the position of the die bonding adhesive layer, the supporting substrate and the die bonding adhesive layer are transparent members. However, the position of the adhesive layer for die bonding can be easily identified. Thus, when the die bonding adhesive layer is bonded to the semiconductor wafer , positional deviation can be prevented and the yield of products can be improved.

更に、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材（１）上に粘着剤層（２）を有し、当該粘着剤層（２）上には、剥離可能に設けられたダイ接着用接着剤層（３）を有する構成とすることができる。   Furthermore, the dicing die-bonding film of the present invention has a pressure-sensitive adhesive layer (2) on the support substrate (1), and a die-bonding adhesive provided on the pressure-sensitive adhesive layer (2) so as to be peelable. It can be set as the structure which has an agent layer (3).

ここで、粘着剤層（２）は、ダイ接着用接着剤層（３）上の半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）とそれ以外の部分（３ｂ）に対応する部分（２ａ、２ｂ）とで、ダイ接着用接着剤層（３）に対する粘着力が、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、となるように設計可能である。すなわち、粘着剤層（２ｂ）は、接着剤層（３）とダイシング時やエキスパンド時に適度に接着し、粘着剤層（２）と接着剤層（３）とが剥離しないようにする。一方、粘着剤層（２ａ）は軽剥離が可能なようにしている。そのため、１０ｍｍ×１０ｍｍを超えるような大型チップに対しても、ダイシング不良をきたすことなく、ダイシング後には得られた半導体チップを容易に剥離、ピックアップすることが可能なダイシング・ダイボンドフィルムが得られる。このように本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（１）は、ダイシング時等の保持力とピックアップ時の剥離性とをうまくバランスさせている。 Here, the pressure-sensitive adhesive layer (2) is a portion (2a, 2b) corresponding to the semiconductor wafer attachment portion (3a) and the other portion (3b) on the die-bonding adhesive layer (3), It can be designed so that the adhesive strength to the die-bonding adhesive layer (3) is the adhesive strength of the adhesive layer (2a) <the adhesive strength of the adhesive layer (2b). That is, the pressure-sensitive adhesive layer (2b) is appropriately bonded to the adhesive layer (3) at the time of dicing or expanding so that the pressure-sensitive adhesive layer (2) and the adhesive layer (3) do not peel off. On the other hand, the pressure-sensitive adhesive layer (2a) can be easily peeled off. Therefore, even for a large chip exceeding 10 mm × 10 mm, a dicing die-bonding film that can easily peel and pick up the obtained semiconductor chip after dicing without causing dicing failure is obtained. Thus, the dicing die-bonding film (1) of the present invention well balances the holding power during dicing and the releasability during pick-up.

更に、ダイ接着用接着剤層（３）の半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）における、半導体ウェハに対する粘着力と、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力が、半導体ウェハに対する粘着力＞粘着剤層（２ａ）に対する粘着力、の関係を満たす構成とすることにより、半導体ウェハをダイシングした後に、半導体チップにダイ接着用接着剤層（３）を付設した状態で、粘着剤層（２ａ）から容易に剥離することができる。 Further, in the semiconductor wafer pasting portion of the die bonding adhesive layer (3) (3a), the adhesive strength to the semiconductor wafer, adhesive strength to the pressure-sensitive adhesive layer (2a) is, adhesive strength to the semiconductor wafer> pressure-sensitive adhesive layer ( By having a configuration satisfying the relationship of the adhesive strength to 2a), after the semiconductor wafer is diced, it can be easily removed from the adhesive layer (2a) with the die bonding adhesive layer (3) attached to the semiconductor chip. Can be peeled off.

更に、ダイシング・ダイボンドフィルムは、半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）以外の部分（３ｂ）の一部を、マウントフレーム貼り付け部分（３ｂ′）とすることができる。ここで、ダイ接着用接着剤層（３）のマウントフレーム貼り付け部分（３ｂ′）における、マウントフレームに対する粘着力と、粘着剤層（２ｂ′）に対する粘着力が、マウントフレームに対する粘着力＜粘着剤層（２ｂ′）に対する粘着力、の関係を満たす構成とすることにより、ダイシング時等の保持力とピックアップ時の剥離性がよりバランスよくなる。 Further, in the dicing die bond film, a part of the portion (3b) other than the semiconductor wafer attaching portion (3a) can be used as a mount frame attaching portion (3b ′). Here, the adhesive force to the mount frame and the adhesive force to the adhesive layer (2b ′) at the mount frame attachment portion (3b ′) of the die bonding adhesive layer (3) are: By adopting a configuration that satisfies the relationship between the adhesive strength to the agent layer (2b ′), the holding power during dicing and the releasability during pick-up become more balanced.

又、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材（１）上に粘着剤層（２）を有し、当該粘着剤層（２）上の一部にダイ接着用接着剤層（３）が半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）として剥離可能に設けられた構成とすることができる。ここで、粘着剤層（２）は、半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）とそれ以外の部分（２ｂ）はその粘着力が、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、となるように設計可能である。すなわち、粘着剤層（２ａ）は軽剥離が可能なようにしている。一方、粘着剤層（２ｂ）には、ウェハリングを接着可能であり、ダイシング時やエキスパンド時にこれらが剥離しないように固定できる。そのため、例えば１０ｍｍ×１０ｍｍを超えるような大型チップに対しても、ダイシング不良をきたすことなく、ダイシング後には得られた半導体チップを容易に剥離し、ピックアップすることが可能なダイシング・ダイボンドフィルムが得られる。このように本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（２）は、ダイシング時等の保持力とピックアップ時の剥離性とをうまくバランスさせている。 The dicing die-bonding film of the present invention has a pressure-sensitive adhesive layer (2) on the support substrate (1), and a die-bonding adhesive layer (3) on a part of the pressure-sensitive adhesive layer (2). However, it can be set as the structure provided so that peeling was possible as a semiconductor wafer sticking part (3a). Here, the pressure-sensitive adhesive layer (2) has a portion (2a) corresponding to the semiconductor wafer attachment portion (3a) and the other portion (2b), and the pressure-sensitive adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer (2a) < It can be designed to have the adhesive strength of the adhesive layer (2b). That is, the pressure-sensitive adhesive layer (2a) can be easily peeled off. On the other hand, a wafer ring can be adhered to the pressure-sensitive adhesive layer (2b), and can be fixed so as not to peel off during dicing or expanding. Therefore, even for large chips, such as for example greater than 10 mm × 10 mm, dicing failure to without causing, easily peeled semiconductor chips obtained after dicing, the dicing die-bonding film capable of pickup obtained It is done. Thus, the dicing die-bonding film (2) of the present invention well balances the holding power during dicing and the releasability during pick-up.

更に、半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）の、半導体ウェハに対する粘着力と、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力とが、半導体ウェハに対する粘着力＞粘着剤層（２ａ）に対する粘着力、の関係を満たすことにより、半導体ウェハをダイシングした後に、半導体チップにダイ接着用接着剤層（３ａ）を付設した状態で、粘着剤層（２ａ）から容易に剥離することができる。 Furthermore, the semiconductor wafer pasting portion (3a), the adhesive strength to the semiconductor wafer, and the adhesive strength to the pressure-sensitive adhesive layer (2a) is, adhesive strength to the semiconductor wafer> adhesive strength to the pressure-sensitive adhesive layer (2a), of the relationship By satisfy | filling, after dicing a semiconductor wafer , it can peel easily from an adhesive layer (2a) in the state which attached the adhesive layer (3a) for die adhesion to a semiconductor chip .

（実施の形態１）
本発明の実施の形態１について、図１に基づいて説明すれば以下の通りである。但し、説明に不要な部分は省略し、又、説明を容易にする為に拡大或いは縮小等して図示した部分がある。以上のことは以下の図面に対しても同様である。図１（ａ）は、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０の概略構成を示す平面図であり、図１（ｂ）はＡ−Ａ線矢視断面図である。 (Embodiment 1)
Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to FIG. However, parts unnecessary for the explanation are omitted, and there are parts shown enlarged or reduced for easy explanation. The same applies to the following drawings. Fig.1 (a) is a top view which shows schematic structure of the dicing die-bonding film 10 which concerns on this Embodiment, FIG.1 (b) is AA arrow sectional drawing.

本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０は、支持基材１と、前記支持基材１上に設けられた粘着剤層２と、前記粘着剤層２上に設けられたダイ接着用接着剤層３と、前記ダイ接着用接着剤層３を半導体ウェハ４に貼り合わせる為の位置識別用のマーキング５…とを有する構成である。   A dicing die-bonding film 10 according to the present embodiment includes a support substrate 1, a pressure-sensitive adhesive layer 2 provided on the support substrate 1, and a die-bonding adhesive provided on the pressure-sensitive adhesive layer 2. The layer 3 and the position identifying markings 5 for attaching the die bonding adhesive layer 3 to the semiconductor wafer 4 are provided.

前記支持基材１は、ダイシング・ダイボンドフィルム１０の強度母体となるものである。支持基材１の材料としては、例えば低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙などが挙げられる。又、前記樹脂の架橋体などのポリマーも挙げられる。   The support substrate 1 is a strength matrix of the dicing die bond film 10. Examples of the material of the support substrate 1 include low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolyprolene, polybutene, and polymethyl. Polyolefin such as pentene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer , Ethylene-hexene copolymer, polyurethane, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, etc. polyester, polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic poly Bromide, polyphenyl sulphates id, aramid (paper), glass, glass cloth, fluorine resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose resin, silicone resin, metal (foil), and paper. Moreover, polymers, such as the crosslinked body of the said resin, are also mentioned.

又、支持基材１としては、無延伸のものを用いてもよい。更に、適宜必要に応じて一軸又は二軸延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートからなる支持基材１であると、ダイシング後にその支持基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイ接着用接着剤層３との接着面積を低下させて、チップ回収の容易化が図れる。   Further, as the support base 1, an unstretched one may be used. Furthermore, you may use what gave the uniaxial or biaxial stretching process suitably as needed. When the support substrate 1 is made of a resin sheet imparted with heat shrinkability by stretching or the like, the support substrate 1 is thermally contracted after dicing so that the adhesive layer 2 and the die bonding adhesive layer 3 are bonded. Chip recovery can be facilitated by reducing the area.

支持基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性などを高めるため、慣用の表面処理を行ってもよい。その方法としては、例えばクロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理等が挙げられる。   The surface of the support substrate 1 may be subjected to a conventional surface treatment in order to improve adhesion and retention with adjacent layers. Examples of the method include chemical treatment or physical treatment such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high-voltage impact exposure, and ionizing radiation treatment, and coating treatment with a primer (for example, an adhesive substance described later).

前記支持基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができる。又、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。更に、支持基材１には、帯電防止能を付与するため、上記の支持基材１上に金属、合金又はこれらの酸化物などからなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることもできる。又、支持基材１は、単層又は前記樹脂のフィルム等を２層以上に複層化した積層フィルムであってもよい。尚、粘着剤層２が放射線硬化型の場合にはＸ線、紫外線、電子線等の放射線を少なくとも一部透過するものを用いる。   The support substrate 1 can be used by appropriately selecting the same type or different types. Moreover, what blended several types can be used as needed. Furthermore, in order to impart antistatic ability to the supporting base material 1, a deposited layer of a conductive material having a thickness of about 30 to 500 mm made of a metal, an alloy, or an oxide thereof on the supporting base material 1 described above. Can also be provided. The support substrate 1 may be a single layer or a laminated film in which the resin film or the like is formed into two or more layers. When the pressure-sensitive adhesive layer 2 is a radiation curable type, a material that transmits at least a part of radiation such as X-rays, ultraviolet rays, and electron beams is used.

支持基材１の厚さは、例えば５〜２００μｍ程度であり、前記熱収縮によってダイ接着用接着剤層３による張力に耐えられる厚さで有れば、特に制限されるものではない。   The thickness of the support substrate 1 is, for example, about 5 to 200 μm, and is not particularly limited as long as it has a thickness that can withstand the tension caused by the die bonding adhesive layer 3 by the heat shrinkage.

前記粘着剤層２は、前記支持基材１上に設けられている。前記粘着剤層２の形成に用いる粘着剤は特に制限されるものではない。例えば、例えばゴム系、アクリル系、シリコーン系．ポリビニルエーテル系等の各種の一般的な感圧性粘着剤や放射線硬化型粘着剤等を採用できる。   The pressure-sensitive adhesive layer 2 is provided on the support substrate 1. The pressure-sensitive adhesive used for forming the pressure-sensitive adhesive layer 2 is not particularly limited. For example, rubber type, acrylic type, silicone type. Various general pressure-sensitive pressure-sensitive adhesives such as polyvinyl ether and radiation-curable pressure-sensitive adhesives can be employed.

前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。   The pressure-sensitive adhesive is an acrylic pressure-sensitive adhesive based on an acrylic polymer from the viewpoint of cleanability of an electronic component that is difficult to contaminate semiconductor wafers, glass, and the like with an organic solvent such as ultrapure water or alcohol. Is preferred.

前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなどがあげられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。   Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, Isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester , Octadecyl ester, eicosyl ester, etc., alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, especially 4 to 18 carbon atoms, such as linear or branched alkyl esters) Beauty (meth) acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, cyclohexyl ester, etc.), etc. One or acrylic polymer using two or more of the monomer component and the like. In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of the present invention has the same meaning.

前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。   The acrylic polymer includes units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester, as necessary, for the purpose of modifying cohesive strength, heat resistance, and the like. You may go out. Examples of such monomer components include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; The Sulfonic acid groups such as lensulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Containing monomers; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate; acrylamide, acrylonitrile and the like. One or more of these copolymerizable monomer components can be used. The amount of these copolymerizable monomers used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.

更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。   Furthermore, since the acrylic polymer is crosslinked, a polyfunctional monomer or the like can be included as a monomer component for copolymerization as necessary. Examples of such polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, urethane (meth) Examples include acrylates. These polyfunctional monomers can also be used alone or in combination of two or more. The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by weight or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties and the like.

前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。   The acrylic polymer can be obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. The polymerization can be performed by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like. From the viewpoint of preventing contamination of a clean adherend, the content of the low molecular weight substance is preferably small. From this point, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, more preferably about 400,000 to 3,000,000.

又、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法があげられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。   In addition, an external cross-linking agent can be appropriately employed for the pressure-sensitive adhesive in order to increase the number average molecular weight of an acrylic polymer as a base polymer. Specific examples of the external crosslinking method include a method in which a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, or a melamine crosslinking agent is added and reacted. When using an external cross-linking agent, the amount used is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be cross-linked and further depending on the intended use as an adhesive. In general, it is preferable to blend about 5 parts by weight or less, and further 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer. Furthermore, additives such as various conventionally known tackifiers and anti-aging agents may be used for the pressure-sensitive adhesive, if necessary, in addition to the above components.

前記放射線硬化型粘着剤としては、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができ、具体的には、例えば前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化性粘着剤等を採用できる。   As the radiation curable pressure-sensitive adhesive, those having a radiation curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without particular limitation. An addition-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive in which a radiation-curable monomer component or oligomer component is blended with a general pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive such as an acrylic pressure-sensitive adhesive or a rubber-based pressure-sensitive adhesive can be employed.

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどがあげられる。又放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。   Examples of the radiation curable monomer component to be blended include urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and pentaerythritol. Examples include stall tetra (meth) acrylate, dipentaerystol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, and the like. Examples of the radiation curable oligomer component include various oligomers such as urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene, and those having a molecular weight in the range of about 100 to 30,000 are suitable. The compounding amount of the radiation-curable monomer component or oligomer component can be appropriately determined in accordance with the type of the pressure-sensitive adhesive layer, and the amount capable of reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer. Generally, the amount is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

又、放射線硬化型粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、または多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。   In addition to the additive-type radiation curable adhesive described above, the radiation curable adhesive has a carbon-carbon double bond in the polymer side chain or main chain or at the main chain terminal as a base polymer. Intrinsic radiation curable adhesives using Intrinsic radiation curable adhesives do not need to contain oligomer components, which are low molecular components, or do not contain many, so they are stable without the oligomer components, etc. moving through the adhesive over time. This is preferable because an adhesive layer having a layered structure can be formed.

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。   As the base polymer having a carbon-carbon double bond, those having a carbon-carbon double bond and having adhesiveness can be used without particular limitation. As such a base polymer, an acrylic polymer having a basic skeleton is preferable. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に限定されず、様々な方法を採用できる。炭素−炭素二重結合は、ポリマー側鎖に導入する方が、分子設計上容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応し得る官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。   The method for introducing a carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be adopted. Introducing a carbon-carbon double bond into a polymer side chain is easier in terms of molecular design. For example, after a monomer having a functional group is copolymerized in advance with an acrylic polymer, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is converted into a radiation-curable carbon-carbon double bond. A method of performing condensation or addition reaction while maintaining the above.

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。又、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。又、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。   Examples of combinations of these functional groups include carboxylic acid groups and epoxy groups, carboxylic acid groups and aziridyl groups, hydroxyl groups and isocyanate groups, and the like. Among these combinations of functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferable because of easy tracking of the reaction. In addition, the functional group may be on either side of the acrylic polymer and the compound as long as the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond is generated by the combination of these functional groups. In the preferable combination, it is preferable that the acrylic polymer has a hydroxyl group and the compound has an isocyanate group. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, and the like. Further, as the acrylic polymer, those obtained by copolymerizing the above-exemplified hydroxy group-containing monomers, ether compounds of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, or the like are used.

前記内在型の放射線硬化性粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。   As the intrinsic radiation-curable pressure-sensitive adhesive, the base polymer (particularly acrylic polymer) having the carbon-carbon double bond can be used alone, but the radiation-curable monomer is not deteriorated in properties. Components and oligomer components can also be blended. The radiation-curable oligomer component or the like is usually in the range of 30 parts by weight, preferably in the range of 0 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer.

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合、光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；べンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどがあげられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。   The radiation curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropio Α-ketol compounds such as phenone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- ( Acetophenone compounds such as methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyldimethyl ketal; 2 -Naphthalenesulfoni Aromatic sulfonyl chloride compounds such as luchloride; Photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3′-dimethyl Benzophenone compounds such as -4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2 Thioxanthone compounds such as 1,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketone; acyl phosphinoxide; acyl phosphonate. The compounding quantity of a photoinitiator is about 0.05-20 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acryl-type polymer which comprises an adhesive.

また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシランなどの光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物などの光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤などがあげられる。   Examples of the radiation curable pressure-sensitive adhesive include photopolymerizable compounds such as an addition polymerizable compound having two or more unsaturated bonds and an alkoxysilane having an epoxy group disclosed in JP-A-60-196956. And a rubber-based pressure-sensitive adhesive and an acrylic pressure-sensitive adhesive containing a photopolymerization initiator such as a carbonyl compound, an organic sulfur compound, a peroxide, an amine, and an onium salt-based compound.

粘着剤層２の厚さは特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性などの点より、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 50 μm from the viewpoint of preventing chipping of the chip cut surface and compatibility of fixing and holding the adhesive layer. Preferably it is 2-30 micrometers, Furthermore, 5-25 micrometers is preferable.

前記ダイ接着用接着剤層３は、粘着剤層２上の、円形状の半導体ウェハ４に貼り合わされる領域に設けられている。当該ダイ接着用接着剤層３は、半導体ウェハ４をチップ状にダイシングする際にチップ（切断片）が飛散するのを防止するため、半導体ウェハ４を貼着して固定するものである。ダイ接着用接着剤層３は、これに圧着される半導体ウェハ４をチップ状にダイシングする際に、チップ（切断片）をダイ接着用接着剤層３に密着させて飛散するのを防止する機能を有する。更に、チップをマウントする際には、チップを半導体素子（基板、チップ等）に固定する接着剤層としての機能を有する。特に、ダイ接着用接着剤層３としては、半導体ウェハのダイシングの際に切断片を飛散させない接着性を有していることが重要である。ダイシング・ダイボンドフィルム１０では、ダイ接着用接着剤層３は、予め形成された半導体ウェハ４の貼り付け部分として設けられる。 The die bonding adhesive layer 3 is provided in a region on the pressure-sensitive adhesive layer 2 to be bonded to the circular semiconductor wafer 4. The die bonding adhesive layer 3 is for adhering and fixing the semiconductor wafer 4 in order to prevent the chips (cut pieces) from scattering when the semiconductor wafer 4 is diced into chips. The die-bonding adhesive layer 3 has a function of preventing chips (cut pieces) from coming into close contact with the die-bonding adhesive layer 3 and scattering when the semiconductor wafer 4 to be bonded thereto is diced into chips. Have Furthermore, when the chip is mounted, it functions as an adhesive layer that fixes the chip to a semiconductor element (substrate, chip, etc.). In particular, it is important that the die bonding adhesive layer 3 has an adhesive property that does not cause the cut pieces to scatter when the semiconductor wafer is diced. In the dicing die-bonding film 10, the die bonding adhesive layer 3 is provided as an affixed portion of the semiconductor wafer 4 formed in advance.

ダイ接着用接着剤層３は、通常のダイ接着剤により形成することができる。ダイ接着剤としては、シート状にできるものが好ましい。具体的なダイ接着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂からなるダイ接着剤を好適に用いることができる。ダイ接着剤は単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。又、ダイ接着用接着剤層３は、７０℃以下で半導体ウェハ４に粘着可能なものが好ましく、更には常温で粘着可能なものがより好ましい。   The die bonding adhesive layer 3 can be formed by a normal die bonding agent. As the die adhesive, one that can be formed into a sheet shape is preferable. As a specific die adhesive, for example, a die adhesive made of a thermoplastic resin or a thermosetting resin can be suitably used. A die adhesive can be used individually or in combination of 2 or more types. The die bonding adhesive layer 3 is preferably one that can adhere to the semiconductor wafer 4 at 70 ° C. or less, and more preferably one that can adhere to the normal temperature.

ダイ接着剤として用いられる熱可塑性樹脂（熱可塑性ダイ接着剤）としては、例えば、飽和ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリウレタン系樹脂、アミド系樹脂（ナイロン系樹脂）、イミド系樹脂などが挙げられる。又、熱硬化性樹脂（熱硬化性ダイ接着剤）としては、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、脱溶媒化し、シート化、Ｂステージ化（一時硬化）した熱硬化性樹脂が好適である。なお、これらの熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物もＢステージ化された状態で使用できる。また本発明では、ガラス転移温度が高いシリコーン系、ゴム系、ウレタン系、イミド系、アクリル系などの樹脂をダイ接着剤として使用することもできる。   Examples of the thermoplastic resin (thermoplastic die adhesive) used as the die adhesive include saturated polyester resins, thermoplastic polyurethane resins, amide resins (nylon resins), and imide resins. Examples of the thermosetting resin (thermosetting die adhesive) include an epoxy resin, an unsaturated polyester resin, a thermosetting acrylic resin, and a phenol resin. As the thermosetting resin, a thermosetting resin that has been desolvated, formed into a sheet, and B-staged (temporarily cured) is suitable. A mixture of these thermosetting resin and thermoplastic resin can also be used in a B-staged state. In the present invention, silicone, rubber, urethane, imide, and acrylic resins having a high glass transition temperature can also be used as the die adhesive.

ダイ接着用接着剤層３は、ガラス転移温度の異なる熱可塑性樹脂、熱硬化温度の異なる熱硬化性樹脂を適宜に組み合わせて、２層以上の多層構造を有してもよい。なお、半導体ウェハ４のダイシング工程では切削水を使用することから、ダイ接着用接着剤層３が吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。このような高含水率のまま、基板などに接着させると、アフターキュアの段階で接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、ダイ接着用接着剤層３としては、透湿性の高いフィルムをダイ接着剤で挟んだ構成とすることにより、アフターキュアの段階では、水蒸気をフィルムを通じて拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。従って、ダイ接着用接着剤層３は、接着剤層、フィルム、接着剤層の順で積層された多層構造からなってもよい。   The die bonding adhesive layer 3 may have a multilayer structure of two or more layers by appropriately combining thermoplastic resins having different glass transition temperatures and thermosetting resins having different thermosetting temperatures. In addition, since the cutting water is used in the dicing process of the semiconductor wafer 4, the die bonding adhesive layer 3 may absorb moisture and have a moisture content higher than the normal state. If it is bonded to a substrate or the like with such a high water content, water vapor may accumulate at the bonding interface at the stage of after-curing and floating may occur. Therefore, the adhesive layer 3 for die bonding has a structure in which a film with high moisture permeability is sandwiched between the die adhesives, so that water vapor is diffused through the film in the after-curing stage to avoid such a problem. Is possible. Therefore, the die bonding adhesive layer 3 may have a multilayer structure in which an adhesive layer, a film, and an adhesive layer are laminated in this order.

ダイ接着用接着剤層３の厚さは特に限定されないが、例えば５〜１００μｍ程度であることが好ましく、１０〜５０μｍ程度であることがより好ましい。   The thickness of the die bonding adhesive layer 3 is not particularly limited, but is preferably about 5 to 100 μm, and more preferably about 10 to 50 μm.

尚、ダイ接着用接着剤層３は、セパレータにより保護されていてもよい（図示せず）。即ち、セパレータは任意に設けることができる。セパレータは、実用に供するまでダイ接着用接着剤層３を保護する保護材としての機能を有している。なお、セパレータは、更に、粘着剤層２にダイ接着用接着剤層３を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイ接着用接着剤層３上に半導体ウェハを貼着する際に剥がされる。当該セパレータとしては、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙などがあげられる。 The die bonding adhesive layer 3 may be protected by a separator (not shown). That is, the separator can be provided arbitrarily. The separator has a function as a protective material that protects the die bonding adhesive layer 3 until it is practically used. The separator can be further used as a support substrate when transferring the die bonding adhesive layer 3 to the pressure-sensitive adhesive layer 2. The separator is peeled off when the semiconductor wafer is stuck on the die bonding adhesive layer 3. Examples of the separator include polyethylene, polypropylene, a plastic film or paper whose surface is coated with a release agent such as a fluorine-type release agent or a long-chain alkyl acrylate release agent.

前記マーキング５…は、ダイシング・ダイボンドフィルム１０上に半導体ウェハ４を貼着させる際に、その貼着位置を決定する為の位置識別用のものである。本実施の形態に於いては、マーキング５…は、着色層からなる。マーキング５…の形成位置は、粘着剤層２及びダイ接着用接着剤層３を除く支持基材１上に設けられる。これにより、ダイシング・ダイボンドフィルム１０に半導体ウェハ４を貼着する際に、その位置ズレの発生を防止し、歩留まりの向上が図れる。本実施の形態に於いては、マーキング５…は、マーキング５ａ…（例えば、５ｍｍ×１０ｍｍ）と、マーキング５ｂ（例えば、５ｍｍ×２０ｍｍ）とからなる。マーキング５ａは、平面形状が円形のダイ接着用接着剤層３（直径２１０ｍｍ）の中心点を通るＡ−Ａ線上に設けられている。マーキング５ｂは、同図（ａ）に示すダイ接着用接着剤層３の下方側に設けられている。マーキング５ａ又はマーキング５ｂと、ダイ接着用接着剤層３との最短の離間距離は、それぞれ３５ｍｍと１０ｍｍである。ここで、マーキング５…は、ダイシング・ダイボンドフィルム１０がマウントフレーム（図示しない）に貼り付けられない位置に設けられているのが好ましい。マウントフレームは一般に不透明なので、当該マウントフレームの貼着位置にマーキング５…が設けられると、その位置の検出が困難となるからである。又、マウント工程に於いて使用するマウントフレームの作製後にもダイシング・ダイボンドフィルム１０が残存している位置に設けられているのが好ましい。尚、マーキング５…の平面形状は特に限定されるものではない。又、その大きさも位置識別が可能な範囲内であれば特に限定されるものではなく、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で適宜設計変更が可能な要素を含むものである。   The markings 5 are for position identification when the semiconductor wafer 4 is stuck on the dicing die bond film 10 to determine the sticking position. In the present embodiment, the markings 5 are made of a colored layer. The formation positions of the markings 5 are provided on the supporting substrate 1 excluding the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die-bonding adhesive layer 3. Thereby, when the semiconductor wafer 4 is stuck to the dicing die-bonding film 10, the positional deviation can be prevented and the yield can be improved. In the present embodiment, the markings 5 are made up of markings 5a (for example, 5 mm × 10 mm) and markings 5b (for example, 5 mm × 20 mm). The marking 5a is provided on the AA line passing through the center point of the die bonding adhesive layer 3 (diameter 210 mm) having a circular planar shape. The marking 5b is provided below the die bonding adhesive layer 3 shown in FIG. The shortest distance between the marking 5a or the marking 5b and the die bonding adhesive layer 3 is 35 mm and 10 mm, respectively. Here, the markings 5 are preferably provided at positions where the dicing die-bonding film 10 is not attached to a mount frame (not shown). This is because, since the mount frame is generally opaque, it is difficult to detect the position when the markings 5 are provided at the attachment position of the mount frame. Further, it is preferable that the dicing die-bonding film 10 is provided at a position where the dicing die-bonding film 10 remains even after the mounting frame used in the mounting process is manufactured. In addition, the planar shape of the markings 5 is not particularly limited. Further, the size is not particularly limited as long as the position can be identified, and includes elements that can be appropriately changed in design without departing from the scope of the claims.

マーキング５…としての着色層は、色素を含有するインク、塗料等からなる。着色する色の種類は、色判別型の位置識別用のセンサーにより判別可能な波長領域のものであることが好ましい。具体的には、例えば赤、紅、朱、だいだい、オレンジ等の赤色系の着色が好ましい。その他に、黄や紫も挙げられるが、色識別の容易性の観点からは、赤色系が好ましい。前記色素として、例えばアゾ顔料、バーミリオン、弁柄、アリザリン、クリムソン、コチニール、キナクリドン系顔料等があげられる。尚、前記着色層の厚さは特に限定されないが、０．５μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。   The colored layer as the marking 5... Is made of a pigment-containing ink, paint or the like. The color to be colored is preferably in a wavelength region that can be discriminated by a color discrimination type position identification sensor. Specifically, for example, red coloring such as red, red, vermilion, red, orange and the like is preferable. Other examples include yellow and purple. From the viewpoint of easy color identification, red is preferable. Examples of the dye include azo pigments, vermilions, petals, alizarin, crimson, cochineal, quinacridone pigments, and the like. The thickness of the colored layer is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.5 μm to 10 μm.

マーキング５…の位置識別は、従来公知の方法によりマーキング５…を検出して行う。具体的には、透過型、反射型、色判別型又は厚さ検出型の各種センサーにより、当該マーキング５…を認知・検出する方法や、ＣＣＤカメラ等による画像認識手段を用いることができる。これらの方法によりマーキング５…の位置を認識し、その位置情報と予め定めておいた基準座標とを比較した結果、位置ズレが検出された場合には、その位置ズレを補正すべく、ダイシング・ダイボンドフィルム１０の位置制御を行う。位置制御は、ダイシング・ダイボンドフィルム１０の送り出しと巻き戻しが自在に可能な適宜の手段により、微調整して行う。   The positions of the markings 5 are identified by detecting the markings 5 by a conventionally known method. Specifically, a method of recognizing and detecting the markings 5 by various types of sensors of transmission type, reflection type, color discrimination type or thickness detection type, or image recognition means using a CCD camera or the like can be used. The position of the marking 5 is recognized by these methods, and when a positional deviation is detected as a result of comparing the positional information with a predetermined reference coordinate, a dicing process is performed to correct the positional deviation. The position of the die bond film 10 is controlled. The position control is performed with fine adjustment by an appropriate means capable of freely feeding and unwinding the dicing die bond film 10.

尚、前記マウントフレームは、例えば金属製又はプラスチック製の成形体からなる。前記マウントフレームの開口部は、ダイシングする半導体ウェハ４よりも大きく、その形状は特に限定されるものではない。   The mount frame is made of, for example, a metal or plastic molded body. The opening of the mount frame is larger than the semiconductor wafer 4 to be diced, and its shape is not particularly limited.

次に、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法について説明する。   Next, the manufacturing method of the dicing die-bonding film which concerns on this Embodiment is demonstrated.

先ず、ダイ接着用接着剤の組成物を調製した後、混合溶液を作製する。この混合溶液を、例えば、ポリエステルフィルム等のセパレータ上に塗布する。次いで、上記混合溶液を塗布したセパレータを所定の温度で乾燥させ、上記セパレータ上にダイ接着用接着剤層３を形成する。   First, after preparing the composition of the adhesive agent for die bonding, a mixed solution is produced. This mixed solution is applied onto a separator such as a polyester film. Next, the separator coated with the mixed solution is dried at a predetermined temperature to form the die bonding adhesive layer 3 on the separator.

一方、支持基材１上には粘着剤溶液を直接塗布した後、乾燥させて粘着剤層２を形成する。次いで、粘着剤層２にダイ接着用接着剤層３を転写し、半導体ウェハ４を貼着する領域にのみダイ接着用接着剤層３を形成する。   On the other hand, the pressure-sensitive adhesive solution is directly applied on the support substrate 1 and then dried to form the pressure-sensitive adhesive layer 2. Next, the die bonding adhesive layer 3 is transferred to the pressure-sensitive adhesive layer 2, and the die bonding adhesive layer 3 is formed only in the region where the semiconductor wafer 4 is adhered.

前記着色層としてのマーキング５…の形成方法としては特に限定されるものではなく、例えば支持基材１上に印刷する方法など、従来公知の方法を採用できる。以上の様にして、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０を製造することができる。尚、マーキング５…は、粘着剤層２上には形成されない。但し、ダイ接着用接着剤層３が設けられる面とは反対側の面に設けることができる。   A method for forming the markings 5 as the colored layer is not particularly limited, and a conventionally known method such as a method of printing on the support substrate 1 can be employed. As described above, the dicing die-bonding film 10 according to the present embodiment can be manufactured. The markings 5 are not formed on the pressure-sensitive adhesive layer 2. However, it can be provided on the surface opposite to the surface on which the die bonding adhesive layer 3 is provided.

次に、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０を用いた半導体チップの固定方法について説明する。 Next, a semiconductor chip fixing method using the dicing die bond film 10 according to the present embodiment will be described.

本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０は、ダイ接着用接着剤層３上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、以下のように使用される。すなわち、ダイシング・ダイボンドフィルム１０のダイ接着用接着剤層３上に、半導体ウェハとしての半導体ウェハ４を圧着し、ダイ接着用接着剤層３上に、半導体ウェハ４を接着保持させて固定する。圧着は常法により行われる。次いで、半導体ウェハ４をチップ状にダイシングする。ダイシングは回転丸刃などによる適宜の手段で行い、ダイ接着用接着剤層３も含めて半導体ウェハ４を半導体チップにする。 The dicing die-bonding film 10 of the present invention is used as follows by appropriately separating a separator arbitrarily provided on the die-bonding adhesive layer 3. That is, on the dicing die-bonding film 10 die bonding adhesive layer 3, crimp the semiconductor wafer 4 as a semiconductor wafer, on the die bonding adhesive layer 3, and fixed to the adhesive is holding the semiconductor wafer 4. Crimping is performed by a conventional method. Next, the semiconductor wafer 4 is diced into chips. Dicing is performed by an appropriate means such as a rotating round blade, and the semiconductor wafer 4 including the die bonding adhesive layer 3 is made into a semiconductor chip.

次いで半導体チップをダイ接着用接着剤層３とともに粘着剤層２から剥離する。ピックアップした半導体チップはダイ接着用接着剤層３を介して、被着体である半導体素子に接着固定する。半導体素子としては、リードドフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製したチップ状ワークなどがあげられる。被着体は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウエハなど）であってもよい。被着体は、半導体ウェハが好適である。ダイ接着用接着剤層３が熱硬化型の場合には、加熱硬化により、半導体ウェハを被着体に接着固定し、耐熱強度を向上させる。尚、ダイ接着用接着剤層３を介して半導体チップが基板などに接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。 Next, the semiconductor chip is peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer 2 together with the die-bonding adhesive layer 3. The picked-up semiconductor chip is bonded and fixed to a semiconductor element as an adherend through the die bonding adhesive layer 3. Examples of the semiconductor element include a lead frame, a TAB film, a substrate, and a separately manufactured chip-like work. The adherend may be, for example, a deformable adherend that can be easily deformed, or a non-deformable adherend (such as a semiconductor wafer) that is difficult to deform. The adherend is preferably a semiconductor wafer. When the die bonding adhesive layer 3 is a thermosetting type, the semiconductor wafer is bonded and fixed to the adherend by heat curing to improve the heat resistance strength. The semiconductor chip bonded and fixed to the substrate or the like via the die bonding adhesive layer 3 can be subjected to a reflow process.

尚、本実施の形態に於いては、前記粘着剤層２として、ダイ接着用接着剤層３との剥離力が、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する界面（Ａ）とそれ以外の部分３ｂに対応する界面（Ｂ）で、界面（Ａ）の剥離力＞界面（Ｂ）の剥離力、の関係となるように、それぞれの部分２ａ、２ｂが設計された構成とすることも可能である（図２参照）。粘着剤層２ａはダイ接着用接着剤層３上の半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応し、粘着剤層２ｂはそれ以外の部分３ｂに対応する。 In the present embodiment, as the pressure-sensitive adhesive layer 2, the peeling force from the die-bonding adhesive layer 3 is such that the interface (A) corresponding to the semiconductor wafer attaching portion 3a and the other portion 3b. It is also possible to adopt a configuration in which the portions 2a and 2b are designed so that the relationship (peeling force of the interface (A)> peeling force of the interface (B) at the interface (B) corresponding to (See FIG. 2). The pressure-sensitive adhesive layer 2a corresponds to the semiconductor wafer attachment portion 3a on the die-bonding adhesive layer 3, and the pressure-sensitive adhesive layer 2b corresponds to the other portion 3b.

又、マウントフレーム貼り付け部分３ｂ’と、これに対応して形成された粘着剤層２ｂ’の界面（Ｂ′）の剥離力が、界面（Ａ）の剥離力＞界面（Ｂ’）の剥離力、の関係となるように設計された構成としてもよい（図３参照）。図２に示す粘着剤層２に於いては、粘着剤層２ａ以外の全部が粘着剤層２ｂとなっているが、図３に示す場合に於いては、粘着剤層２ａ以外の一部を粘着剤層２ｂとすることもできる。   Further, the peeling force of the interface (B ′) between the mount frame attaching portion 3b ′ and the pressure-sensitive adhesive layer 2b ′ formed corresponding thereto is the peeling force of the interface (A)> the peeling of the interface (B ′). It is good also as a structure designed so that it may become the relationship of force (refer FIG. 3). In the pressure-sensitive adhesive layer 2 shown in FIG. 2, all but the pressure-sensitive adhesive layer 2a is the pressure-sensitive adhesive layer 2b. In the case shown in FIG. 3, a part other than the pressure-sensitive adhesive layer 2a is used. It can also be set as the adhesive layer 2b.

更に、前記粘着剤層２は、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分２ａとそれ以外の部分２ｂでの粘着力が、粘着剤層２ａの粘着力＜粘着剤層２ｂの粘着力、の関係となるように、それぞれの部分２ａ、２ｂが設計された構成としてもよい（図４参照）。 Further, the pressure-sensitive adhesive layer 2 has a relationship that the adhesive strength between the portion 2a corresponding to the semiconductor wafer pasting portion 3a and the other portion 2b is the adhesive strength of the adhesive layer 2a <the adhesive strength of the adhesive layer 2b. It is good also as a structure by which each part 2a, 2b was designed so that it might become (refer FIG. 4).

前記図２〜図４に示す粘着剤層２の形成に用いる粘着剤は特に制限されないが、粘着剤層２ａ、２ｂに粘着力の差を設けやすい放射線硬化型粘着剤が好適である。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができる。したがって、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに合わせて、放射線硬化型粘着剤層を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した粘着剤層２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した粘着剤層２ａに接着剤層３又は３ａが貼り付けられるため、粘着剤層２ａと接着剤層３ａとの界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、粘着剤層２ｂを形成する。 The pressure-sensitive adhesive used for forming the pressure-sensitive adhesive layer 2 shown in FIGS. 2 to 4 is not particularly limited, but a radiation curable pressure-sensitive adhesive that easily provides a difference in pressure-sensitive adhesive strength to the pressure-sensitive adhesive layers 2a and 2b is suitable. A radiation-curable pressure-sensitive adhesive can easily reduce its adhesive strength by increasing the degree of crosslinking by irradiation with radiation such as ultraviolet rays. Therefore, the adhesive layer 2a with significantly reduced adhesive strength can be easily formed by curing the radiation curable adhesive layer in accordance with the semiconductor wafer attaching portion 3a. Since the adhesive layer 3 or 3a is affixed to the adhesive layer 2a that has been cured and has reduced adhesive strength, the interface between the adhesive layer 2a and the adhesive layer 3a has a property of being easily peeled off during pickup. On the other hand, the part which is not irradiated with radiation has sufficient adhesive force, and forms the adhesive layer 2b.

図２及び図３に示すダイシング・ダイボンドフィルム６・７では、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている粘着剤層２ｂは接着剤層３と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。このように放射線硬化型粘着剤は、半導体チップを基板やチップ状ワークなどの被着体（半導体素子という）に固着するためのダイ接着用接着剤層３を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図４に示すダイシング・ダイボンドフィルム８では、粘着剤層２ｂはウェハリング等を固定することができる。   In the dicing die-bonding films 6 and 7 shown in FIG. 2 and FIG. 3, the pressure-sensitive adhesive layer 2b formed of the uncured radiation-curing pressure-sensitive adhesive sticks to the adhesive layer 3 and secures a holding force when dicing. it can. As described above, the radiation curable pressure-sensitive adhesive supports the die bonding adhesive layer 3 for fixing the semiconductor chip to an adherend (referred to as a semiconductor element) such as a substrate or a chip-like work with a good balance of adhesion and peeling. be able to. In the dicing die-bonding film 8 shown in FIG. 4, the pressure-sensitive adhesive layer 2b can fix a wafer ring or the like.

粘着剤層２は、粘着剤層２ａの粘着力＜粘着剤層２ｂの粘着力、となるように設ける。図２及び図３に示すダイシング・ダイボンドフィルム６・７では、ダイ接着用接着剤層３に対する粘着力が、界面（Ａ）の剥離力が、前記界面（Ｂ）の剥離力よりも大きくなるようにする。図４に示すダイシング・ダイボンドフィルム８では、たとえば、被着体としてＳＵＳ３０４板（＃２０００研磨）に対する関係で、粘着剤層２ａの粘着力＜粘着剤層２ｂの粘着力、となるようにする。 The pressure-sensitive adhesive layer 2 is provided so that the pressure-sensitive adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 2a <the pressure-sensitive adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 2b. In the dicing die-bonding films 6 and 7 shown in FIG. 2 and FIG. 3, the adhesive force to the die bonding adhesive layer 3 is such that the peeling force at the interface (A) is larger than the peeling force at the interface (B). To. In the dicing die-bonding film 8 shown in FIG. 4, for example, the adhesive force of the adhesive layer 2a <the adhesive force of the adhesive layer 2b is set in relation to the SUS304 plate (# 2000 polishing) as the adherend.

粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、支持基材１に放射線硬化型粘着剤層２を形成した後、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分に、部分的に放射線を照射し硬化させて、粘着剤層２ａを形成する方法があげられる。部分的な放射線照射は、半導体ウェハ貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。又、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法などがあげられる。放射線硬化型粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを支持基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型粘着剤層２に行うこともできる。 When the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, after the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed on the support base 1, radiation is partially applied to the portion corresponding to the semiconductor wafer pasting portion 3a. Is used to form the pressure-sensitive adhesive layer 2a. The partial radiation irradiation can be performed through a photomask in which a pattern corresponding to the portion 3b other than the semiconductor wafer pasting portion 3a is formed. Moreover, the method of irradiating with ultraviolet rays spot-cured and the like can be mentioned. The radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 can be formed by transferring what is provided on the separator onto the support substrate 1. Partial radiation curing can also be performed on the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 provided on the separator.

又、粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、支持基材１の少なくとも片面の、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分以外の部分の全部または一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後に放射線照射して、半導体ウェハ貼り付け部３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた粘着剤層２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着などで作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よく本発明のダイシング・ダイボンドフィルムを製造可能である。 Further, when the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive, all or part of at least one side of the support substrate 1 other than the part corresponding to the semiconductor wafer pasting part 3a is shielded from light. A radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed on this, and then irradiated with radiation to cure a portion corresponding to the semiconductor wafer attaching portion 3a, thereby forming a pressure-sensitive adhesive layer 2a having reduced adhesive strength. be able to. As the light shielding material, a material that can be a photomask on a support film can be formed by printing or vapor deposition. According to this manufacturing method, the dicing die-bonding film of the present invention can be efficiently manufactured.

なお、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型粘着剤層２の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、上記粘着剤層２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法などがあげられる。   In addition, when hardening inhibition by oxygen occurs at the time of radiation irradiation, it is desirable to block oxygen (air) from the surface of the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 by some method. Examples thereof include a method of coating the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 2 with a separator, and a method of irradiating radiation such as ultraviolet rays in a nitrogen gas atmosphere.

図２及び図３に示すダイシング・ダイボンドフィルム６・７において、粘着剤層２のダイ接着用接着剤層３に対する粘着力は、粘着剤層２ａの粘着力＜粘着剤層２ｂの粘着力、となるように設計されている。常温（２３℃）での粘着力（９０度ピール値、剥離速度３００ｍｍ／分）に基づいて、粘着剤層２ａの粘着力は、ウェハの固定保持力や形成したチップの回収性などの点より０．５Ｎ／２０ｍｍ以下、更には０．０１〜０．４２Ｎ／２０ｍｍ、特に０．０１〜０．３５Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。一方、粘着剤層２ｂの粘着力は、０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍ程度であるのが好ましい。粘着剤層２ａが低いピール粘着力であっても、粘着剤層２ｂの粘着力によりチップ飛びなどの発生を抑え、ウェハ加工に充分な保持力を発揮させることができる。   In the dicing die-bonding films 6 and 7 shown in FIG. 2 and FIG. 3, the adhesive strength of the adhesive layer 2 to the adhesive layer 3 for die bonding is the adhesive strength of the adhesive layer 2a <the adhesive strength of the adhesive layer 2b. Designed to be Based on the adhesive strength at normal temperature (23 ° C.) (90-degree peel value, peeling speed 300 mm / min), the adhesive strength of the adhesive layer 2a is based on the fixing and holding power of the wafer and the recoverability of the formed chip. 0.5 N / 20 mm or less, more preferably 0.01 to 0.42 N / 20 mm, and particularly preferably 0.01 to 0.35 N / 20 mm. On the other hand, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 2b is preferably about 0.5 to 20 N / 20 mm. Even if the pressure-sensitive adhesive layer 2a has a low peel pressure, the pressure-sensitive adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 2b can suppress the occurrence of chip jumping and exhibit a sufficient holding power for wafer processing.

図４に示すダイシング・ダイボンドフィルム８において、粘着剤層２における、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分２ａとそれ以外の部分２ｂは、粘着剤層２ａの粘着力＜粘着剤層２ｂの粘着力、に設計されている。半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対する粘着剤層２ａの粘着力（前記同条件）は、上記同様、０．５Ｎ／２０ｍｍ以下、更には０．０１〜０．４２Ｎ／２０ｍｍ、特に０．０１〜０．３５Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。 In the dicing die-bonding film 8 shown in FIG. 4, the adhesive layer 2 has a portion 2a corresponding to the semiconductor wafer attaching portion 3a and the other portion 2b, the adhesive force of the adhesive layer 2a <the adhesive of the adhesive layer 2b. Designed to power. The adhesive force of the adhesive layer 2a to the semiconductor wafer pasting portion 3a (the same conditions as described above) is 0.5 N / 20 mm or less, further 0.01 to 0.42 N / 20 mm, particularly 0.01 to 0. It is preferably 35 N / 20 mm.

又、図２〜図４に示すダイシング・ダイボンドフィルム６〜８において、半導体ウェハ貼り付け部分３ａの、半導体ウェハに対する粘着力と、粘着剤層２ａに対する粘着力が、半導体ウェハに対する粘着力＞粘着剤層２ａに対する粘着力、となるように設計するのが好ましい。半導体ウェハに対する粘着力は、半導体ウェハの種類に応じて適宜に調整される。 Further, the dicing die-bonding film 6-8 shown in FIGS. 2 to 4, the semiconductor wafer pasting portion 3a, and the adhesive strength to the semiconductor wafer, adhesive strength to the pressure-sensitive adhesive layer 2a is, adhesive strength to the semiconductor wafer> adhesive It is preferable to design so as to have an adhesive strength to the layer 2a. The adhesive strength with respect to the semiconductor wafer is appropriately adjusted according to the type of the semiconductor wafer .

半導体ウェハ貼り付け部分３ａの粘着剤層２ａに対する粘着力（前記同条件）は、前述の通り、０．５Ｎ／２０ｍｍ以下、更には０．０１〜０．４２Ｎ／２０ｍｍ、特に０．０１〜０．３５Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。一方、半導体ウェハ貼り付け部分３ａの半導体ウェハに対する粘着力（前記同条件）は、ダイシング時、ピックアップ時、ダイボンド時の信頼性、ピックアップ性の点から１０〜５０Ｎ／２０ｍｍ以下、更には１０〜３０ Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。 As described above, the adhesive strength of the semiconductor wafer pasting portion 3a to the adhesive layer 2a (same conditions as described above) is 0.5 N / 20 mm or less, further 0.01 to 0.42 N / 20 mm, particularly 0.01 to 0. .35 N / 20 mm is preferable. On the other hand, the adhesive strength to the semiconductor wafer of the semiconductor wafer pasting portion 3a (the same condition), when dicing, when the pickup, the reliability at the time of die bonding, 10 to 50 N / 20 mm or less from the viewpoint of pickup property, even 10 to 30 N / 20 mm is preferred.

図２に示すダイシング・ダイボンドフィルム６において、半導体ウェハ貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂをマウントフレーム貼り付け部分３ｂ’とする場合には、ダイ接着用接着剤層３のマウントフレーム貼り付け部分３ｂ’における、半導体ウェハに対する粘着力と、粘着剤層２ｂ’に対する粘着力が、マウントフレームに対する粘着力＜粘着剤層２ｂ’に対する粘着力、となるように設計するのが好ましい。マウントフレームに対する粘着力は、マウントフレームの種類に応じて適宜に調整される。 In the dicing die-bonding film 6 shown in FIG. 2, when the portion 3b other than the semiconductor wafer attaching portion 3a is used as the mount frame attaching portion 3b ′, the mount frame attaching portion 3b ′ of the die bonding adhesive layer 3 is used. Are preferably designed such that the adhesive force to the semiconductor wafer and the adhesive force to the adhesive layer 2b ′ are: the adhesive force to the mount frame <the adhesive force to the adhesive layer 2b ′. The adhesive force with respect to the mount frame is appropriately adjusted according to the type of the mount frame.

ダイ接着用接着剤層３の粘着剤層２ｂ’に対する粘着力（前記同条件）は、前述の通り、０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍ程度であるのが好ましい。一方、ダイ接着用接着剤層３のマウントフレームに対する粘着力（前記同条件）は、ダイシング及びダイボンド時の作業性の点から０．３〜５Ｎ／２０ｍｍ以下、更には０．５〜５Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。   As described above, the pressure-sensitive adhesive force of the die-bonding adhesive layer 3 to the pressure-sensitive adhesive layer 2 b ′ (the same condition) is preferably about 0.5 to 20 N / 20 mm. On the other hand, the adhesive strength of the die bonding adhesive layer 3 to the mount frame (the same conditions as described above) is 0.3 to 5 N / 20 mm or less, and further 0.5 to 5 N / 20 mm from the viewpoint of workability during dicing and die bonding. Is preferred.

又、ダイシング・ダイボンドフィルムは、その接着時や剥離時等における静電気の発生やそれによる半導体ウエハの帯電で回路が破壊されることなどを防止する目的で帯電防止能を持たせることができる。帯電防止能の付与は、支持基材１、粘着剤層２乃至接着剤層３へ帯電防止剤や導電性物質の添加する方法、支持基材１への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層の付設など、適宜な方式で行うことができる。これら方式は半導体ウェハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性の付与、熱伝導性の向上などを目的として配合される導電性物質（導電フィラー）としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金などの球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナなどの金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイトなどがあげられる。   In addition, the dicing die bond film can have an antistatic ability for the purpose of preventing static electricity from being generated at the time of adhering or peeling, and damage to the circuit due to charging of the semiconductor wafer. The antistatic ability is imparted by a method of adding an antistatic agent or a conductive substance to the support substrate 1, the pressure-sensitive adhesive layer 2 to the adhesive layer 3, a conductive material comprising a charge transfer complex or a metal film to the support substrate 1. It can be performed by an appropriate method such as attachment of a layer. These systems are preferably systems that do not easily generate impurity ions that may alter the semiconductor wafer. Conductive substances (conductive fillers) formulated for the purpose of imparting conductivity and improving thermal conductivity include spherical, acicular, and flaky shapes such as silver, aluminum, gold, copper, nickel, and conductive alloys. Examples thereof include metal powders, metal oxides such as alumina, amorphous carbon black, and graphite.

（実施の形態２）
前記実施の形態１に於いては、マーキングとしてインク等による着色層を用いた場合について述べた。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、着色層を用いた態様に替えて、粘着剤層の所定領域だけを着色し、当該領域をマーキングとした態様も採用することもできる。図５は、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１１の概略構成を示す断面図である。 (Embodiment 2)
In the first embodiment, the case where a colored layer made of ink or the like is used as the marking has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, instead of the embodiment using the colored layer, it is also possible to employ an embodiment in which only a predetermined region of the pressure-sensitive adhesive layer is colored and the region is used as a marking. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the dicing die-bonding film 11 according to the present embodiment.

本実施の形態に係る粘着剤層１２は、前記の粘着剤層１２中に、放射線照射により着色する化合物を含有させたものである。所定のパターン形状を有するフォトマスク１３を介して、粘着剤層１２に放射線照射することにより、粘着剤層１２の所定領域にだけ照射する。これにより、照射された領域だけを着色し、当該フォトマスク１３のパターン形状に対応して自己整合的にマーキング１２ａを形成することができる。ダイ接着剤層３の位置の識別は、前記マーキング１２ａを光センサー等により認識・検出して行う。   The pressure-sensitive adhesive layer 12 according to the present embodiment includes the pressure-sensitive adhesive layer 12 containing a compound that is colored by radiation irradiation. By irradiating the pressure-sensitive adhesive layer 12 with radiation through a photomask 13 having a predetermined pattern shape, only a predetermined region of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is irradiated. Thereby, only the irradiated region can be colored, and the marking 12a can be formed in a self-aligned manner corresponding to the pattern shape of the photomask 13. The position of the die adhesive layer 3 is identified by recognizing and detecting the marking 12a with an optical sensor or the like.

放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物である。かかる化合物の好ましい具体例としては、ロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。具体的には３−［Ｎ−（ｐ−トリルアミノ）］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−メチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−エチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノー６−メチル−７−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、４，４′，４′′−トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、４，４′，４′′−トリスジメチルアミノトリフェニルメタンなどが挙げられる。   A compound that is colored by radiation irradiation is a compound that is colorless or light-colored before radiation irradiation, but becomes colored by radiation irradiation. Preferable specific examples of such compounds include leuco dyes. As the leuco dye, conventional triphenylmethane, fluoran, phenothiazine, auramine, and spiropyran dyes are preferably used. Specifically, 3- [N- (p-tolylamino)]-7-anilinofluorane, 3- [N- (p-tolyl) -N-methylamino] -7-anilinofluorane, 3- [ N- (p-tolyl) -N-ethylamino] -7-anilinofluorane, 3-diethylamino-6-methyl-7-anilinofluorane, crystal violet lactone, 4,4 ', 4 "-tris Examples thereof include dimethylaminotriphenylmethanol, 4,4 ′, 4 ″ -trisdimethylaminotriphenylmethane, and the like.

これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土などの電子受容体があげられ、更に、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもできる。   Developers preferably used together with these leuco dyes include conventionally used initial polymers of phenol formalin resins, aromatic carboxylic acid derivatives, electron acceptors such as activated clay, and further change the color tone. In some cases, various known color formers can be used in combination.

このような放射線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒などに溶解された後に接着剤中に含ませてもよく、また微粉末状にして当該粘着剤中に含ませてもよい。この化合物の使用割合は、粘着剤層１２中に１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、更に好ましくは０．５〜５重量％であるのが望ましい。該化合物の割合が１０重量％を超えると、粘着剤層に照射される放射線がこの化合物に吸収されすぎてしまうため、粘着剤層１２の硬化が不十分となり、十分に粘着力が低下しないことがある。一方、充分に着色させるには、該化合物の割合を０．０１重量％以上とするのが好ましい。   Such a compound colored by irradiation with radiation may be once dissolved in an organic solvent and then included in the adhesive, or may be finely powdered and included in the pressure-sensitive adhesive. The use ratio of this compound is 10% by weight or less in the pressure-sensitive adhesive layer 12, preferably 0.01 to 10% by weight, and more preferably 0.5 to 5% by weight. When the proportion of the compound exceeds 10% by weight, the radiation applied to the pressure-sensitive adhesive layer is absorbed too much by the compound, and thus the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not sufficiently cured and the adhesive strength is not sufficiently reduced. There is. On the other hand, in order to sufficiently color, it is preferable that the ratio of the compound is 0.01% by weight or more.

（実施の形態３）
本実施の形態に於いては、マーキングとして着色層を用いた態様に替えて、マーキング用粘着フィルムを用いた点が前記実施の形態１と異なる。以下に、本実施の形態の態様について述べる。図６は、マーキング用粘着フィルム２１…を用いた場合のダイシング・ダイボンドフィルム２０の概略構成を示す平面図である。 (Embodiment 3)
The present embodiment is different from the first embodiment in that a marking adhesive film is used in place of the colored layer as a marking. Hereinafter, aspects of this embodiment will be described. FIG. 6 is a plan view showing a schematic configuration of the dicing die-bonding film 20 when the marking pressure-sensitive adhesive films 21 are used.

本実施の形態３に係るマーキング用粘着フィルム２１…は、粘着フィルムからなる。この粘着フィルムの材料としては、例えば着色されたポリオレフィン系粘着テープ等が挙げられる。又、前記マーキング用粘着フィルム２１…の厚さは特に限定されず、５μｍ〜２００μｍの範囲内であることが好ましい。   The marking adhesive film 21 according to the third embodiment is made of an adhesive film. Examples of the material for the pressure-sensitive adhesive film include colored polyolefin-based pressure-sensitive adhesive tapes. The thickness of the marking pressure-sensitive adhesive film 21 is not particularly limited, and is preferably in the range of 5 μm to 200 μm.

前記マーキング用粘着フィルム２１…の形成位置は、支持基材１の裏面、又は支持基材１と粘着剤層２との間に設けられる。その平面形状は、５ｍｍ×１０ｍｍの矩形状である。但し、マーキング用粘着フィルム２１…の平面形状は、特に限定されるものではない。又、その大きさも位置識別が可能な範囲内であれば特に限定されるものではない。
The marking adhesive film 21 ... forming position of the is provided between the rear surface of the supporting Jimotozai 1, or a supporting substrate 1 and the adhesive layer 2. The planar shape is a rectangular shape of 5 mm × 10 mm. However, the planar shape of the marking pressure-sensitive adhesive film 21 is not particularly limited. Further, the size is not particularly limited as long as it is within a range where position identification is possible.

マーキング用粘着フィルム２１…の位置識別は、前記実施の形態１に於いて述べたのと同様に、従来公知の方法により行うことができる。   The position identification of the marking pressure-sensitive adhesive films 21 can be performed by a conventionally known method in the same manner as described in the first embodiment.

本発明の実施の形態１に係るダイシング・ダイボンドフィルムの概略構成を示す図であって、図１（ａ）は前記ダイシング・ダイボンドフィルムの平面図であり、図１（ｂ）はＡ−Ａ線矢視断面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows schematic structure of the dicing die-bonding film which concerns on Embodiment 1 of this invention, Comprising: Fig.1 (a) is a top view of the said dicing die-bonding film, FIG.1 (b) is an AA line. It is arrow sectional drawing. 本発明の実施の形態１に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムの概略構成を示す断面図の一例である。It is an example of sectional drawing which shows schematic structure of the other dicing die-bonding film which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムの概略構成を示す断面図の一例である。It is an example of sectional drawing which shows schematic structure of the other dicing die-bonding film which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムの概略構成を示す断面図の一例である。It is an example of sectional drawing which shows schematic structure of the other dicing die-bonding film which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態２に係るダイシング・ダイボンドフィルムの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the dicing die-bonding film which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態３に係るダイシング・ダイボンドフィルムの概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the dicing die-bonding film which concerns on Embodiment 3 of this invention.

１ 支持基材
２、１２ 粘着剤層
３ ダイ接着用接着剤層
４ 半導体ウェハ
５ マーキング
６〜８、１０、１１、２０ ダイシング・ダイボンドフィルム
１３ フォトマスク
２１ マーキング用粘着フィルム（マーキング）
Ｗ 半導体ウェハ
ＷＲ ウェハリング DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Support base material 2,12 Adhesive layer 3 Adhesive layer for die-bonding 4 Semiconductor wafer 5 Marking 6-8, 10, 11, 20 Dicing die-bonding film 13 Photomask 21 Marking pressure-sensitive film (marking)
W Semiconductor wafer WR Wafer ring

Claims (9)

支持基材（１）上に、粘着剤層（２）及びダイ接着用接着剤層（３）が順次積層されたダイシング・ダイボンドフィルムであって、
前記ダイ接着用接着剤層（３）の位置を識別する為の着色層が、前記粘着剤層（２）及び前記ダイ接着用接着剤層（３）を除く前記支持基材上の半導体ウェハ及びマウントフレームが貼り付けられない位置に複数設けられていることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。 A dicing die-bonding film in which a pressure-sensitive adhesive layer (2) and a die-bonding adhesive layer (3) are sequentially laminated on a supporting substrate (1),
A colored layer for identifying the position of the die-bonding adhesive layer (3) is a semiconductor wafer on the support substrate excluding the pressure-sensitive adhesive layer (2) and the die-bonding adhesive layer (3); A dicing die-bonding film, wherein a plurality of mounting frames are provided at positions where the mounting frame cannot be attached. 前記着色層は、アゾ顔料、バーミリオン、弁柄、アリザリン、クリムソン、コチニール、及びキナクリドン系顔料からなる群より選択される何れか一つの色素を含有することを特徴とする請求項１に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。   The said colored layer contains any one pigment | dye selected from the group which consists of an azo pigment, a vermilion, a petite, an alizarin, a crimson, a cochineal, and a quinacridone pigment, The claim 1 characterized by the above-mentioned. Dicing die bond film. 支持基材（１）上に、粘着剤層（２）及びダイ接着用接着剤層（３）が順次積層されたダイシング・ダイボンドフィルムであって、
前記ダイ接着用接着剤層（３）の位置を識別する為のマーキング用粘着フィルムが、支持基材（１）の裏面、又は支持基材（１）と粘着剤層（２）との間に複数設けられていることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。 A dicing die-bonding film in which a pressure-sensitive adhesive layer (2) and a die-bonding adhesive layer (3) are sequentially laminated on a supporting substrate (1),
During the marking adhesive film for identifying the position of the die bonding adhesive layer (3) is the back surface of the supporting Jimotozai (1), or a support substrate (1) and the adhesive layer and (2) A dicing die-bonding film, wherein a plurality of dicing die-bonding films are provided. 前記粘着剤層（２）のダイ接着用接着剤層（３）に対する粘着力が、ダイ接着用接着剤層（３）上の半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）と半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）以外の部分（３ｂ）の一部又は全部に対応する部分（２ｂ）で異なり、
粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、
を満足し、
前記粘着剤層（２ａ）の粘着力は０．５Ｎ／２０ｍｍ以下であり、粘着剤層（２ｂ）の粘着力は０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍであることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。 A portion (2a) corresponding to the semiconductor wafer attachment portion (3a) on the die bonding adhesive layer (3) and the semiconductor in which the pressure-sensitive adhesive layer (2) has an adhesive force to the die bonding adhesive layer (3). It differs in the part (2b) corresponding to part or all of the part (3b) other than the wafer pasting part (3a),
Adhesive strength of the adhesive layer (2a) <Adhesive strength of the adhesive layer (2b),
Satisfied,
The pressure-sensitive adhesive layer (2a) has an adhesive strength of 0.5 N / 20 mm or less, and the pressure-sensitive adhesive layer (2b) has an adhesive strength of 0.5 to 20 N / 20 mm. The dicing die-bonding film according to any one of the above. 前記ダイ接着用接着剤層（３）の半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）における、半導体ウェハに対する粘着力と、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力が、
半導体ウェハに対する粘着力＞粘着剤層（２ａ）に対する粘着力、
を満足し、
前記半導体ウェハに対する粘着力は１０〜５０Ｎ／２０ｍｍ以下であり、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力は０．５Ｎ／２０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。 The adhesive force to the semiconductor wafer and the adhesive force to the adhesive layer (2a) in the semiconductor wafer attaching part (3a) of the die bonding adhesive layer (3) are:
Adhesive strength to semiconductor wafer> Adhesive strength to adhesive layer (2a),
Satisfied,
The dicing die-bonding film according to claim 4, wherein the adhesive force to the semiconductor wafer is 10 to 50 N / 20 mm or less, and the adhesive force to the adhesive layer (2 a) is 0.5 N / 20 mm or less. 前記半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）以外の部分（３ｂ）の一部が、マウントフレーム貼り付け部分（３ｂ′）であることを特徴とする請求項４又は５に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。   The dicing die-bonding film according to claim 4 or 5, wherein a part of the portion (3b) other than the semiconductor wafer attaching portion (3a) is a mount frame attaching portion (3b '). 前記ダイ接着用接着剤層（３）は、粘着剤層（２）の一部に半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）として設けられていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。   The die bonding adhesive layer (3) is provided as a semiconductor wafer bonding portion (3a) on a part of the pressure-sensitive adhesive layer (2). The dicing die-bonding film described in 1. 前記粘着剤層（２）が放射線硬化型粘着剤により形成されており、半導体ウェハ貼り付け部（３ａ）に対応する粘着剤層（２ａ）が放射線照射されていることを特徴とする請求項４〜７の何れか１項に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。   The said adhesive layer (2) is formed with the radiation curing type adhesive, and the adhesive layer (2a) corresponding to a semiconductor wafer sticking part (3a) is irradiated with radiation. The dicing die-bonding film according to any one of? 前記請求項１〜８の何れか１項に記載のダイシング・ダイボンドフィルムのダイ接着用接着剤層（３）上に半導体ウェハを圧着する工程であって、前記マーキングを識別してダイ接着用接着剤層（３）の位置情報を検出し、当該位置情報に基づいてダイ接着用接着剤層（３）と半導体ウェハとの間に位置ズレが存在する場合は、位置ズレの補正を行って、前記ダイ接着用接着剤層（３）と半導体ウェハとを圧着する工程と、
前記半導体ウェハをチップ状にダイシングする工程と、
半導体チップをダイ接着用接着剤層（３）とともに粘着剤層（２）から剥離する工程と、
前記ダイ接着用接着剤層（３）を介して、半導体チップを半導体素子に接着固定する工程と、を有することを特徴とする半導体チップの固定方法。
A step of pressure-bonding a semiconductor wafer on the die bonding adhesive layer (3) of the dicing die bond film according to any one of claims 1 to 8, wherein the marking is identified and bonded for die bonding. When the positional information of the agent layer (3) is detected and a positional deviation exists between the die bonding adhesive layer (3) and the semiconductor wafer based on the positional information, the positional deviation is corrected, Crimping the die bonding adhesive layer (3) and the semiconductor wafer;
Dicing the semiconductor wafer into chips;
Peeling the semiconductor chip from the adhesive layer (2) together with the die bonding adhesive layer (3);
And a step of bonding and fixing the semiconductor chip to the semiconductor element via the die bonding adhesive layer (3).
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