JP4611097B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
320 保護カバー
340 カバー移動部
400 湿式エッチング部
420 薬液移動路
500 乾式エッチング部
520 プラズマトーチ
542a 第1供給管
542b 第2供給管
540 トーチ移動部
600 プラズマ発生器
620 ボディー
622 第1空間
642 第1電極
644 第2電極
670 磁石
700 洗浄液供給部
670 磁石
740 ノズル移動部
Claims (21)
- 基板をエッチングする基板処理装置において、
支持板の上部面から突出されて半導体基板を該支持板の上部面から離隔されるように支持する支持ピンを有する基板支持部と、
前記支持ピンに置かれた基板と前記支持板との間に提供された空間にエッチング液を供給してエッチングを実行する湿式エッチング部と、
前記支持板に置かれた基板の上部面のエッジにプラズマを供給してエッチングを実行する乾式エッチング部とを含み、
前記乾式エッチング部によるエッチングと前記湿式エッチング部によるエッチングとは同時に実行することができること特徴とする基板処理装置。 - 前記乾式エッチング部は、
内部に供給されたガスをプラズマ状態に励起し、発生されたプラズマを前記基板のエッジに噴射するプラズマトーチと、
前記プラズマトーチを垂直または水平方向に移動させるトーチ移動部と、
前記プラズマトーチの内部にガスを供給するガス供給部とを含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記ガス供給部は、
エッチング工程進行時、前記プラズマトーチにエッチングガスを供給する第1供給管と、
エッチング工程が完了した後、前記基板上に酸素ガスを供給する第2供給管とを含むことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記装置は前記基板の上部面のうちのエッチングを要しない部分である非エッチング部にエッチングに使用される流体が流入されることを防止する保護部をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記保護部は、
前記基板の非エッチング部およびエッジ部の境界に対応するように形成された突出部を有し、前記突出部内に窒素ガスまたは不活性ガスを噴射する供給穴が形成された下部面を含む保護カバーと、
前記保護カバーを垂直または水平に移動させるカバー移動部とをさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記プラズマトーチを前記保護カバーに結合したことを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記湿式エッチング部は、
前記空間に供給されるエッチング液の移動通路として前記支持基板の内部に形成された薬液移動路と、
薬液供給部および前記薬液移動路と連結されて前記薬液移動路にエッチング液を供給する薬液供給管とを含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記基板の上部面のエッジおよび下部面は前記湿式エッチング部によってエッチングされ、
前記基板のエッジ部と非エッチング部の境界と隣接する部分は前記乾式エッチング部によってエッチングされることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記プラズマトーチは、
絶縁物質からなり、内部にガスが流入される空間が形成されたボディーと、
前記ボディーの空間内に挿入される第1電極と、
前記ボディーの外側壁の少なくとも一部を囲むように配置される第2電極と、
絶縁物質からなり、前記第1電極の少なくとも一部を囲む誘電体とを含むことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記空間は前記ボディー内で一直線に形成され、
前記第1電極は前記空間に沿って前記空間の中央に一直線に配置されるロッド形状を有することを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記誘電体は前記第1電極のエッジ部を囲むように配置されることを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記誘電体は前記第1電極にコーティングされることを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記第2電極はコイル形状で形成されるか、または板形状で形成されたことを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記プラズマトーチは前記第2電極を囲むように配置されて、前記第2電極が外部に露出されることを防止するカバーをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記プラズマトーチは前記ボディー内の空間に位置し、前記第1電極を固定させる少なくとも一つの電極ホルダをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記装置は前記ボディー内で発生されたプラズマに加速力を提供するため前記プラズマの移動経路に磁場を形成する磁石を含むことを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記磁石は前記第2電極の下で前記ボディーの外側壁を囲むように配置されることを特徴とする請求項16に記載の基板処理装置。
- 前記磁石は前記支持部に設けられることを特徴とする請求項16に記載の基板処理装置。
- 支持板と一定の間隔離隔されるように支持ピン上に基板が置かれる段階と、
前記支持基板と前記基板の下部面との間にエッチング液を供給し、前記基板の上部面のエッジにエッチングのためのプラズマを供給する段階とを含み、
前記基板の下部面は前記エッチング液によってエッチングが行われ、前記基板の上部面のエッジは前記プラズマによって、または前記プラズマと前記エッチング液によってエッチングが行われ、
前記エッチング液によるエッチングと前記プラズマによるエッチングは前記基板が前記支持ピンに置かれた状態で行われ、
前記エッチング液によるエッチングとプラズマによるエッチングとは同時に実行することができることを特徴とすることを特徴とする基板処理方法。 - 前記方法は、
前記基板のエッチングが行われる段階以後に、
洗浄液を使用して前記基板を洗浄する段階と、
前記支持板を回転させて前記基板を乾燥し、これとともに前記基板に酸素プラズマを供給する段階とをさらに含み、
前記酸素プラズマによって前記基板が乾燥される間、前記基板上に残留する異物が二次的に除去され、前記基板上にパシベーション膜が形成されることを特徴とする請求項19に記載の基板処理方法。 - 前記方法は、
前記基板が置かれる段階以後に前記基板の上部面のうちの非エッチング面を保護する段階をさらに含み、
前記基板の上部面のうちの非エッチング面を保護する段階は、
前記基板の非エッチング部とエッジ部との境界に対応する形状の突出部が形成された下部面を有する保護カバーを前記基板の上部に移動する段階と、
前記保護カバーの下部面に形成された噴射口から窒素ガスまたは不活性ガスを噴射する段階とを含むことを特徴とする請求項19に記載の基板処理方法。
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