JP4591525B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
そして、活性層510(1)〜(3)のドレイン拡散層530によって、ドレイン領域Drain1が、活性層510(4)〜(6)のドレイン拡散層530によって、ドレイン領域Drain2が形成されている。活性層510(1)〜(6)のソース拡散層520が共通ソース領域Sにて共通に接続され、ゲート電極550も共通のゲートコンタクト540に接続されている。
このような構成のFinFET(1)〜(3)によって、図21(C)の等価回路図に示すトランジスタ500−1が、FinFET(4)〜(6)によって、トランジスタ500−2が、形成されている。
図21(C)に示すように、ソースおよびゲートを共通とし、並列接続された対のトランジスタ500−1、500−2を1入力ゲートのペアトランジスタと称する。
図21(B)は、図21(A)のFinFET(1)〜(3)およびFinFET(4)〜(6)が共通ソース領域Sに対して垂直方向に対向して配列された例を示している。
図22(B)は、FinFET(1)〜(3)およびFinFET(4)〜(6)が共通ソース領域Sに対して垂直方向に対向して配列された例を示している。
図21(C)に、この場合の等価回路図を示す。
図21(B),図22(B)に示す例では、トランジスタ間でソース拡散層520を共有しているため、双方の活性層510に形成されたチャネルを流れる電流方向が逆向きとなり、プロセス起因の影響(たとえばイオン注入のシャドー効果など)を受け、ペアトランジスタの整合性が悪くなるという欠点がある。
好適には、本発明の半導体装置は、前記各フィン活性層から電気的に切り離され、前記ゲート電極の形態を維持する、第1の擬似ゲート電極および第2の擬似ゲート電極を有し、前記第1および第2の擬似ゲート電極が、前記ゲート電極の延在方向に対して各々並列に、前記各フィントランジスタを挟むように配置されている。
本発明の半導体装置は、2入力ゲートのペアトランジスタを有する半導体装置であって、フィントランジスタを用いた第1のトランジスタ及び第2のトランジスタからなるペアトランジスタを有し、フィントランジスタで構成された前記第1のトランジスタおよびフィントランジスタで構成された前記第2のトランジスタのソースが共通に接続され、各フィントランジスタは、半導体基板上に突出したフィン活性層を有し、各フィン活性層は、当該フィン活性層の表面領域に存在するソース領域と、チャネル領域を形成可能に前記表面領域において前記ソース領域から離間した位置に存在するドレイン領域と、を有し、前記各フィン活性層は、当該フィン活性層のサイズが各々同一または略同一であって、前記各フィン活性層の前記ソース領域および前記ドレイン領域間の前記チャネル領域に流れる電流が各々平行となるように、一列に一定間隔で配列され、前記第1のトランジスタのサイズが、前記第2のトランジスタのサイズと異なる半導体装置であって、前記各フィン活性層は、前記第1のトランジスタを構成するフィン活性層の個数が前記第2のトランジスタを構成するフィン活性層の個数よりも多く、前記第1のトランジスタを構成するフィン活性層と前記第2のトランジスタを構成するフィン活性層とを同数ずつ含む第1のグループと、前記第1のグループ以外の残りのフィン活性層で構成され、かつ、前記フィン活性層を偶数個含む第2のグループと、にグループ分けされ、前記第2のグループは、前記第1のトランジスタを構成する前記フィン活性層であり、前記第1のグループの各フィン活性層には、前記第1のトランジスタを構成する前記フィン活性層のチャネル領域に流れる電流の向きが、第1の方向及び前記第1の方向と逆向きとなる第2の方向となる前記第1のトランジスタが、各々同数ずつ存在するように、かつ、前記第2のトランジスタを構成する前記フィン活性層のチャネル領域に流れる電流の向きが、前記第1の方向及び前記第2の方向となる前記第2のトランジスタが、各々同数存在するように、前記ドレイン領域および前記ソース領域が配置され、かつ、前記第1のグループ内における前記第1のトランジスタの各フィン活性層と前記第2のトランジスタの各フィン活性層とは、それぞれ、交互に配置され、前記第2のグループの各フィン活性層には、前記第1のトランジスタを構成する前記フィン活性層のチャネル領域に流れる電流の向きが、前記第1の方向及び前記第2の方向となる前記第1のトランジスタが、各々同数ずつ存在するように、前記ドレイン領域および前記ソース領域が配置され、前記第1のグループの前記第1のトランジスタを構成する各フィン活性層の各ドレイン領域、及び、前記第2のグループの前記第1のトランジスタを構成する各フィン活性層の各ドレイン領域が、共通に接続され、前記第1のグループの前記第2のトランジスタを構成する各フィン活性層の各ドレイン領域が、共通に接続され、前記各フィン活性層の各ソース領域が、共通に接続されている。
第1のトランジスタ及び第2のトランジスタは、各々2m個(mは2以上の整数)のフィン活性層で構成され、前記ペアトランジスタは、全体で4m個のフィン活性層を有してる。
第1のトランジスタを構成する各フィン活性層には、1番目から2m−1番目のフィン活性層の各チャネル領域に流れる電流の向きが、2m+1番目から4m−1番目のフィン活性層の各チャネル領域に流れる電流の向きと逆向きになるように、ドレイン領域およびソース領域が配置されている。
第2のトランジスタを構成する各フィン活性層には、2番目から2m番目のフィン活性層の各チャネル領域に流れる電流の向きが、2m+2番目から4m番目のフィン活性層の各チャネル領域に流れる電流の向きと逆向きになるように、ドレイン領域およびソース領域が配置されている。
第1のトランジスタを構成する各フィン活性層の各ドレイン領域は、共通に接続され、第2のトランジスタを構成する各フィン活性層の各ドレイン領域は、共通に接続され、各フィン活性層の各ソース領域は、共通に接続されている。
図1は、本実施形態に係る半導体装置の一例を示す平面図である。図2は、図1に示す半導体装置の断面図である。なお、図2(A)は、図1の破線L1−L2間の断面図であり、図2(B)は図1の破線L3−L4間の断面図である。図3は、図1に示す半導体装置の等価回路図である。図4は、本実施形態に係る半導体装置の一例を示す立体図である。
なお、以下の実施形態の説明において、フィン活性層やその他の構成要素の数等は一例であって、説明の便宜を図るものにすぎない。便宜上、同図中の活性層11を紙面左から順番に活性層11(1)、…、活性層11(8)のように適宜表記する(たとえば活性層11(1)は同図中に示す丸印で囲まれた番号に対応する)。後述するFinFET、電流ID等も適宜FinFET(1)、…FinFET(8)のように表記する。
活性層11(1)〜(8)は、半導体基板Aに形成されたシリコン酸化(SiO2)膜14上に突出するようにシリコン(Si)で形成され、表面がシリサイド(Silicide)化されている。
各活性層11は、シリコン酸化膜14との接触面を除く周囲がゲート絶縁膜15を挟んでゲート電極13で覆われている。ゲート電極13は、たとえばポリシリコン(poly Si)で形成されている。
同図中において、端に配置された活性層11(8)は、ゲート電極13上を覆う絶縁性の第1層間膜16の一部に開口されたコンタクトホール17を介してゲートコンタクト12と接続されている。
このコンタクトホール17および後述するコンタクトホール(図2(B)の"110","115","117","118”)は、いずれもその内部が、たとえばタングステンで充填されている。また、ゲートコンタクト12、および後述する電極111、ドレイン電極114、ソース電極116は、たとえばアルミニウムで形成され、導電体であれば特に限定されない。
図1に示す活性層11(3)は、その一端にドレイン拡散層18が、他端にソース拡散層19が形成されている。
ドレイン拡散層18は、第1層間膜16に開口されたコンタクトホール110を介して電極111に接続されている。
この電極111は、その上部を覆う絶縁性の第2層間膜112に開口されたコンタクトホール113を介してドレイン電極114に接続されている。
一方、ソース拡散層19は、第1層間膜16に開口されたコンタクトホール115を介してソース電極116に接続されている。
図1に示す8個のFinFETによって、図3に示すように、ゲートを共通とし、ソースで並列接続されたトランジスタTr1,Tr2が構成されている。
具体的には、FinFET(1)、(3)、(5)、(7)によって第1のトランジスタTr1が、FinFET(2)、(4)、(6)、(8)によって第2のトランジスタTr2が構成されている。
詳細には、FinFET(1)、(3)の電極111が、コンタクトホール113を介してドレイン電極114によって共通に接続され、ドレイン領域DL(A)が形成されている。
同様に、FinFET(5)、(7)の電極111が、コンタクトホール113を介してドレイン電極114によって共通に接続され、ドレイン領域DL(B)が形成されている。
図1の説明上、ドレイン領域を「DL(A)、DL(B)」のように分けて表記しているが、ドレイン領域DL(A)とDL(B)とは、さらに上層で共通に配線接続され、図3のトランジスタTr1のドレインDL(ドレイン領域DL)を形成している。
上述と同様に、FinFET(2)、(4)の電極111によって、ドレイン領域DR(A)が、FinFET(6)、(8)電極111によって、ドレイン領域DR(B)が形成されている。
そして、ドレイン領域DR(A)とDR(B)とは、さらに上層で共通に配線接続され、図3のトランジスタTr2のドレインDR(ドレイン領域DR)を形成している。
同様に、FinFET(2)、(4)のソース電極116が、共通に接続され、FinFET(6)、(8)のソース電極116も、共通に接続され、トランジスタTr2のソースが構成されている。
図3のトランジスタTr1、Tr2のソースを共通に接続するため、共に接続されたFinFET(1)、(3)のソース電極116と、共に接続されたFinFET(6)、(8)のソース電極116とが、共通に接続されて共通ソース領域S(A)が形成されている。
同様に、FinFET(2)、(4)、(5)、(7)によって、共通ソース領域S(B)が形成されている。
説明の便宜上、共通ソース領域をS(A)、S(B)のように表記したが、図3のようにトランジスタTr1、Tr2のソースSは共通に接続されている。
なお、図1中に示す区間Xを、FinFET(1)、(3)、(6)、(8)のソース電極116で接続するのではなく、活性層11にて接続するようにしてもよい。図1中に示す区間Yについても同様である。
FinFET(2)には電流ID(2)が、FinFET(4)には電流ID(4)が
、それぞれドレイン領域DR(A)から共通ソース領域S(B)の向きに流れる。
FinFET(5)には電流ID(5)が、FinFET(7)には電流ID(7)が
、それぞれドレイン領域DL(B)から共通ソース領域S(B)の向きに流れる。
FinFET(6)には電流ID(6)が、FinFET(8)には電流ID(8)が
、それぞれドレイン領域DR(B)から共通ソース領域S(A)の向きに流れる。
本実施形態により、電流方向の違いによるプロセスの起因による影響を防止でき、無駄なくFinFETを配置できるため、トランジスタ間のピッチ幅を小さく取ることができる。
次に、第1実施形態の変形例について説明する。図6は、本実施形態に係る半導体装置の変形例を示す平面図である。
図6に示す半導体装置10aのように、ゲート電極13の両端にゲートコンタクト12、12aが接続されていてもよい。これに伴い、ゲートコンタクト12aはコンタクトホール17bを介してゲート電極13に接続されている。
図7は、本実施形態に係る半導体装置の一例を示す平面図である。図8は、図7に示す半導体装置の等価回路図である。
具体的には、FinFET(1)、(3)、(5)、(7)によってトランジスタTr1aが、FinFET(2)、(4)、(6)、(8)によってトランジスタTr2aが構成されている。
同様に、FinFET(5)、(7)によって、共通ソース領域S(B)が形成され、FinFET(6)、(8)によって、共通ソース領域S(C)が形成されている。
図7のように、各々のFinFETを配置し、接続することで、図8のようにソースSが共通に接続されている。
同様に、トランジスタTr2のゲートは、FinFET(2)、(4)、(6)、(8)のゲート電極13a2がゲートコンタクト12a2に共通に接続されて形成されている。
電流ID(5)、(7)が、それぞれドレイン領域DL(B)から共通ソース領域S(B)の向きに流れ、電流ID(6)、(8)が、それぞれドレイン領域DR(B)から共通ソース領域S(C)の向きに流れる。
本実施形態により、電流方向の違いによるプロセスの起因による影響を防止でき、無駄なくFinFETを配置できるため、トランジスタ間のピッチ幅Hを小さく取ることができる。
次に、第2実施形態の変形例について説明する。図9は、本実施形態に係る半導体装置の変形例を示す平面図である。
図9に示す半導体装置10cように、ゲート電極13a1の両端にゲートコンタクト12a1、12c1が、ゲート電極13a2の両端にゲートコンタクト12a2、12C2がそれぞれ接続されていてもよい。これに伴い、ゲートコンタクト12c1はコンタクトホール17c1を介してゲート電極13a1に、ゲートコンタクト12c2はコンタクトホール17c2を介してゲート電極13a2にそれぞれ接続されている。
図10は、本実施形態に係る半導体装置の一例を示す平面図である。図11(A)は、図1に示す半導体装置の断面図であり、図11(B)は、図10に示す半導体装置の断面図である。ただし、図11(A),(B)とも、図10に示すAの方向からみたものであり、半導体基板A上の活性層11のみを示している。
そこで、図11(B)に示す本実施形態のように、活性層11(1)の片側にダミー活性層120aを、活性層11(8)の片側にダミー活性層120bを、それぞれ形成することにより、両端の活性層11(1)および活性層11(8)のパターン崩れを防止できる。
図12は、本実施形態に係る半導体装置の一例を示す平面図である。
図13は、本実施形態に係る半導体装置の一例を示す平面図である。図14(A)は、図1に示す半導体装置の断面図であり、図14(B)は、図13に示す半導体装置の断面図である。ただし、図14(A),(B)とも、図13に示すAの方向からみたものであり、半導体基板A上のゲート電極13のみを示している。
そこで、図14(B)に示す本実施形態のように、ゲート電極13の両脇にダミーゲート電極121a、121bをそれぞれ形成することにより、ゲート電極13のパターン崩れを防止できる。
図15は、本実施形態に係る半導体装置の一例を示す平面図である。
図16は、本実施形態に係る半導体装置の一例を示す平面図である。
半導体装置10hでは、トランジスタTr1とTr2とのサイズ比が3対1となる場合の1入力ゲートのペアトランジスタを例に挙げて、全体的に電流方向の整合性をとる方法について説明する。
図16に示す「L」は、ドレイン領域DLから流れる電流IDを、「R」は、ドレイン領域DRから流れる電流IDを示しており、FinFET(1)、(3)、およびFinFET(5)〜(8)によってトランジスタTr1が、FinFET(2)、(4)によってトランジスタTr2が形成されている。
領域REG2においては、すべてのFinFETがトランジスタTr1のドレイン領域DLを形成しているが、トランジスタTr1のドレイン領域DL側から流れる電流IDの極性が0となるように、FinFET(5)、(7)によって共通ソース領域S(C)が、FinFET(6)、(8)によって共通ソース領域S(D)が対称性をもって形成されている。
なお、トランジスタTr1とTr2とのサイズ比が1対4等の場合でも、本実施形態が好適に適用できる。
次に、本実施形態の変形例について説明する。図17は、本実施形態に係る半導体装置の変形例を示す平面図である。
図17に示す半導体装置10iのように、領域REG2のFinFETを配線接続してもよい。
具体的には、領域REG2において、トランジスタTr1のドレイン領域DL側から流れる電流IDの極性が0となるように、FinFET(5)、(6)によって共通ソース領域S(C)が、FinFET(7)、(8)によって共通ソース領域S(D)が対称性をもって形成されている。
図18は、本実施形態に係る半導体装置の一例を示す平面図である。
領域REG2において、すべてのFinFETが同じドレイン領域DLを形成し、トランジスタTr1aのドレイン領域DL側から流れる電流IDの極性が0となるように、FinFET(5)、(7)によって共通ソース領域S(D)が、FinFET(6)、(8)によって共通ソース領域S(E)が対称性をもって形成されている。
次に、本実施形態の変形例について説明する。図19は、本実施形態に係る半導体装置の変形例を示す平面図である。
図19に示す半導体装置10kのように、領域REG2のFinFETを配線接続してもよい。
具体的には、領域REG1における各々のFinFETは、たとえば図7に示すFinFET(1)〜(4)と同様に配線接続されている。
領域REG2において、トランジスタTr1aのドレイン領域DL側から流れる電流IDの極性が0となるように、FinFET(5)、(6)は領域REG1の共通ソース領域S(A)、およびドレイン領域D(B)を形成し、FinFET(7)、(8)によって共通ソース領域S(B)、ドレイン領域D(C)が対称性をもって形成されている。
図20は、本実施形態に係る半導体装置の一例を示す平面図である。
具体的には、図20に示す半導体装置20は、各々の半導体装置10が含むペアトランジスタを形成するフィン活性層11の向きが互いに垂直となるように半導体基板上に形成されている。
このような配置形態をとることで、電流による基板方位の影響を低減させることができる。
本実施形態では、1入力ゲートのペアトランジスタを例に挙げたが、2入力ゲートのペアトランジスタをはじめ、ダミー活性層やダミー配線層をとる構成であってもよく、種々の組み合わせが可能である。
各々のフィン活性層11は、互いが平行に隣接するように配列され、複数のフィントランジスタFinFETは、各々の第1のトランジスタTr1および上記第2のトランジスタTr2において、電流の流れる向きが互いに逆向きとなるようにドレイン層DL,DRが配置されていることから、無駄なくペアトランジスタを配置できるだけでなく、活性層間のピッチ幅を短くすることもできるという利点がある。
ペアトランジスタの形成する各々のトランジスタ間で電流方向のプロセスに起因する影響をキャンセルでき、整合性が向上するという利点がある。
Claims (11)
- 1入力ゲートのペアトランジスタを有する半導体装置であって、
フィントランジスタを用いた第1のトランジスタ及び第2のトランジスタからなるペアトランジスタを有し、
奇数番目のフィントランジスタで構成された前記第1のトランジスタおよび偶数番目のフィントランジスタで構成された前記第2のトランジスタのソースが共通に接続され、前記第1および第2のトランジスタのゲートが共通に接続され、
各フィントランジスタは、
半導体基板上に突出したフィン活性層を有し、
各フィン活性層は、
当該フィン活性層の表面領域に存在するソース領域と、
チャネル領域を形成可能に前記表面領域において前記ソース領域から離間した位置に存在するドレイン領域と、
を有し、
前記各フィン活性層は、当該フィン活性層のサイズが各々同一または略同一であって、前記各フィン活性層の前記ソース領域および前記ドレイン領域間の前記チャネル領域に流れる電流が各々平行となるように、一列に一定間隔で配列され、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、各々2m個(mは2以上の整数)のフィン活性層で構成され、前記ペアトランジスタは、全体で4m個のフィン活性層を有しており、
前記第1のトランジスタを構成する各フィン活性層には、1番目から2m−1番目のフィン活性層の各チャネル領域に流れる電流の向きが、2m+1番目から4m−1番目のフィン活性層の各チャネル領域に流れる電流の向きと逆向きになるように、前記ドレイン領域および前記ソース領域が配置され、
前記第2のトランジスタを構成する各フィン活性層には、2番目から2m番目のフィン活性層の各チャネル領域に流れる電流の向きが、2m+2番目から4m番目のフィン活性層の各チャネル領域に流れる電流の向きと逆向きになるように、前記ドレイン領域および前記ソース領域が配置され、
前記第1のトランジスタを構成する各フィン活性層の各ドレイン領域が、共通に接続され、
前記第2のトランジスタを構成する各フィン活性層の各ドレイン領域が、共通に接続され、
前記各フィン活性層の各ソース領域が、共通に接続されている
半導体装置。 - 前記各フィントランジスタは、
前記ソース領域および前記ドレイン領域間の前記フィン活性層上に絶縁膜を介して存在するゲート電極を有し、
各ゲート電極が、前記各フィン活性層の配列方向に延在するように共通に接続されている
請求項1記載の半導体装置。 - 2入力ゲートのペアトランジスタを有する半導体装置であって、
フィントランジスタを用いた第1のトランジスタ及び第2のトランジスタからなるペアトランジスタを有し、
奇数番目のフィントランジスタで構成された前記第1のトランジスタおよび偶数番目のフィントランジスタで構成された前記第2のトランジスタのソースが共通に接続され、
各フィントランジスタは、
半導体基板上に突出したフィン活性層を有し、
各フィン活性層は、
当該フィン活性層の表面領域に存在するソース領域と、
チャネル領域を形成可能に前記表面領域において前記ソース領域から離間した位置に存在するドレイン領域と、
を有し、
前記各フィン活性層は、当該フィン活性層のサイズが各々同一または略同一であって、前記各フィン活性層の前記ソース領域および前記ドレイン領域間の前記チャネル領域に流れる電流が各々平行となるように、一列に一定間隔で配列され、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、各々2m個(mは2以上の整数)のフィン活性層で構成され、前記ペアトランジスタは、全体で4m個のフィン活性層を有しており、
前記第1のトランジスタを構成する各フィン活性層には、1番目から2m−1番目のフィン活性層の各チャネル領域に流れる電流の向きが、2m+1番目から4m−1番目のフィン活性層の各チャネル領域に流れる電流の向きと逆向きになるように、前記ドレイン領域および前記ソース領域が配置され、
前記第2のトランジスタを構成する各フィン活性層には、2番目から2m番目のフィン活性層の各チャネル領域に流れる電流の向きが、2m+2番目から4m番目のフィン活性層の各チャネル領域に流れる電流の向きと逆向きになるように、前記ドレイン領域および前記ソース領域が配置され、
前記第1のトランジスタを構成する各フィン活性層の各ドレイン領域が、共通に接続され、
前記第2のトランジスタを構成する各フィン活性層の各ドレイン領域が、共通に接続され、
前記各フィン活性層の各ソース領域が、共通に接続されている
半導体装置。 - 前記各フィントランジスタは、
前記ソース領域および前記ドレイン領域間の前記フィン活性層上に絶縁膜を介して位置するゲート電極を有し、
前記第1のトランジスタを構成するフィントランジスタの各ゲート電極が、前記各フィン活性層の配列方向に延在するように共通に接続され、
前記第2のトランジスタを構成するフィントランジスタの各ゲート電極が、前記各フィン活性層の配列方向に延在するように共通に接続されている
請求項3記載の半導体装置。 - 前記各フィン活性層から電気的に切り離され、前記各フィン活性層の形態を維持する、第1の擬似活性層および第2の擬似活性層を有し、
前記第1の擬似活性層が、一端に配置されているフィン活性層を基準としたときに、前記各フィン活性層の配列方向に対して前記各フィン活性層の方向と逆向きに、前記一端に配置されているフィン活性層と並列に配置され、
前記第2の擬似活性層が、他端に配置されているフィン活性層を基準としたときに、前記各フィン活性層の配列方向に対して前記各フィン活性層の方向と逆向きに、前記他端に配置されているフィン活性層と並列に配置されている
請求項1から4のいずれか一に記載の半導体装置。 - 前記各フィン活性層から電気的に切り離され、前記ゲート電極の形態を維持する、第1の擬似ゲート電極および第2の擬似ゲート電極を有し、
前記第1および第2の擬似ゲート電極が、前記ゲート電極の延在方向に対して各々並列に、前記各フィントランジスタを挟むように配置されている
請求項2または4記載の半導体装置。 - 1入力ゲートのペアトランジスタを有する半導体装置であって、
フィントランジスタを用いた第1のトランジスタ及び第2のトランジスタからなるペアトランジスタを有し、
フィントランジスタで構成された前記第1のトランジスタおよびフィントランジスタで構成された前記第2のトランジスタのソースが共通に接続され、前記第1および第2のトランジスタのゲートが共通に接続され、
各フィントランジスタは、
半導体基板上に突出したフィン活性層を有し、
各フィン活性層は、
当該フィン活性層の表面領域に存在するソース領域と、
チャネル領域を形成可能に前記表面領域において前記ソース領域から離間した位置に存在するドレイン領域と、
を有し、
前記各フィン活性層は、当該フィン活性層のサイズが各々同一または略同一であって、前記各フィン活性層の前記ソース領域および前記ドレイン領域間の前記チャネル領域に流れる電流が各々平行となるように、一列に一定間隔で配列され、
前記第1のトランジスタのサイズが、前記第2のトランジスタのサイズと異なる半導体装置であって、
前記各フィン活性層は、
前記第1のトランジスタを構成するフィン活性層の個数が前記第2のトランジスタを構成するフィン活性層の個数よりも多く、
前記第1のトランジスタを構成するフィン活性層と前記第2のトランジスタを構成するフィン活性層とを同数ずつ含む第1のグループと、
前記第1のグループ以外の残りのフィン活性層で構成され、かつ、前記フィン活性層を偶数個含む第2のグループと、
にグループ分けされ、
前記第2のグループは、前記第1のトランジスタを構成する前記フィン活性層であり、
前記第1のグループの各フィン活性層には、前記第1のトランジスタを構成する前記フィン活性層のチャネル領域に流れる電流の向きが、第1の方向及び前記第1の方向と逆向きとなる第2の方向となる前記第1のトランジスタが、各々同数ずつ存在するように、かつ、前記第2のトランジスタを構成する前記フィン活性層のチャネル領域に流れる電流の向きが、前記第1の方向及び前記第2の方向となる前記第2のトランジスタが、各々同数存在するように、前記ドレイン領域および前記ソース領域が配置され、かつ、前記第1のグループ内における前記第1のトランジスタの各フィン活性層と前記第2のトランジスタの各フィン活性層とは、それぞれ、交互に配置され、
前記第2のグループの各フィン活性層には、前記第1のトランジスタを構成する前記フィン活性層のチャネル領域に流れる電流の向きが、前記第1の方向及び前記第2の方向となる前記第1のトランジスタが、各々同数ずつ存在するように、前記ドレイン領域および前記ソース領域が配置され、
前記第1のグループの前記第1のトランジスタを構成する各フィン活性層の各ドレイン領域、及び、前記第2のグループの前記第1のトランジスタを構成する各フィン活性層の各ドレイン領域が、共通に接続され、
前記第1のグループの前記第2のトランジスタを構成する各フィン活性層の各ドレイン領域が、共通に接続され、
前記各フィン活性層の各ソース領域が、共通に接続されている
半導体装置。 - 前記各フィントランジスタは、
前記ソース領域および前記ドレイン領域間の前記フィン活性層上に絶縁膜を介して存在するゲート電極を有し、
各ゲート電極が、前記各フィン活性層の配列方向に延在するように共通に接続されている
請求項7記載の半導体装置。 - 2入力ゲートのペアトランジスタを有する半導体装置であって、
フィントランジスタを用いた第1のトランジスタ及び第2のトランジスタからなるペアトランジスタを有し、
フィントランジスタで構成された前記第1のトランジスタおよびフィントランジスタで構成された前記第2のトランジスタのソースが共通に接続され、
各フィントランジスタは、
半導体基板上に突出したフィン活性層を有し、
各フィン活性層は、
当該フィン活性層の表面領域に存在するソース領域と、
チャネル領域を形成可能に前記表面領域において前記ソース領域から離間した位置に存在するドレイン領域と、
を有し、
前記各フィン活性層は、当該フィン活性層のサイズが各々同一または略同一であって、前記各フィン活性層の前記ソース領域および前記ドレイン領域間の前記チャネル領域に流れる電流が各々平行となるように、一列に一定間隔で配列され、
前記第1のトランジスタのサイズが、前記第2のトランジスタのサイズと異なる半導体装置であって、
前記各フィン活性層は、
前記第1のトランジスタを構成するフィン活性層の個数が前記第2のトランジスタを構成するフィン活性層の個数よりも多く、
前記第1のトランジスタを構成するフィン活性層と前記第2のトランジスタを構成するフィン活性層とを同数ずつ含む第1のグループと、
前記第1のグループ以外の残りのフィン活性層で構成され、かつ、前記フィン活性層を偶数個含む第2のグループと、
にグループ分けされ、
前記第2のグループは、前記第1のトランジスタを構成する前記フィン活性層であり、
前記第1のグループの各フィン活性層には、前記第1のトランジスタを構成する前記フィン活性層のチャネル領域に流れる電流の向きが、第1の方向及び前記第1の方向と逆向きとなる第2の方向となる前記第1のトランジスタが、各々同数ずつ存在するように、かつ、前記第2のトランジスタを構成する前記フィン活性層のチャネル領域に流れる電流の向きが、前記第1の方向及び前記第2の方向となる前記第2のトランジスタが、各々同数存在するように、前記ドレイン領域および前記ソース領域が配置され、かつ、前記第1のグループ内における前記第1のトランジスタの各フィン活性層と前記第2のトランジスタの各フィン活性層とは、それぞれ、交互に配置され、
前記第2のグループの各フィン活性層には、前記第1のトランジスタを構成する前記フィン活性層のチャネル領域に流れる電流の向きが、前記第1の方向及び前記第2の方向となる前記第1のトランジスタが、各々同数ずつ存在するように、前記ドレイン領域および前記ソース領域が配置され、
前記第1のグループの前記第1のトランジスタを構成する各フィン活性層の各ドレイン領域、及び、前記第2のグループの前記第1のトランジスタを構成する各フィン活性層の各ドレイン領域が、共通に接続され、
前記第1のグループの前記第2のトランジスタを構成する各フィン活性層の各ドレイン領域が、共通に接続され、
前記各フィン活性層の各ソース領域が、共通に接続されている
半導体装置。 - 前記各フィントランジスタは、
前記ソース領域および前記ドレイン領域間の前記フィン活性層上に絶縁膜を介して存在するゲート電極を有し、
前記第1のトランジスタを構成するフィントランジスタの各ゲート電極が、前記各フィン活性層の配列方向に延在するように共通に接続され、
前記第2のトランジスタを構成するフィントランジスタの各ゲート電極が、前記各フィン活性層の配列方向に延在するように共通に接続されている
請求項9記載の半導体装置。 - 請求項1から10のいずれか一に記載のペアトランジスタを複数有し、
複数のペアトランジスタの内、第1のペアトランジスタおよび第2のペアトランジスタは、前記第1のペアトランジスタが有する前記各フィン活性層の配列方向と、前記第2のペアトランジスタが有する前記各フィン活性層の配列方向とが互いに直交するように、前記半導体基板上に配置されている
半導体装置。
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