JP4583764B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明にかかる半導体装置の一の製造方法は、図1を参照して、TiN膜を含む半導体装置の製造方法であって、CVD法によってTiN膜を形成する成膜工程(D工程)と、形成されたTiN膜をアンモニア(NH3)ガスの雰囲気下で熱処理するアニール工程(A工程)と、NH3ガスをパージするNH3ガスパージ工程(AP工程)と、さらに上記成膜工程、アニール工程およびNH3ガスパージ工程を1回以上繰り返す工程とを含み、上記成膜工程は、原料ガスとしてハロゲン化チタンガスおよびNH3ガスを用い、成膜温度が300℃〜450℃、成膜圧力が10Pa〜100Pa、ハロゲン化チタンガスの分圧が1Pa〜10Pa、NH3ガスの分圧が9Pa〜99Paの条件で行い、成膜工程毎に厚さが1nm〜5nmのチタンナイトライド膜を形成し、上記アニール工程を2秒間〜60秒間行なうものである。かかる条件により、TiN膜の成膜において異常成長物の発生が抑制することができる。特に、成膜工程毎のTiN膜の厚さを5nm以下として、成膜工程の後にアニール工程を設けることが、TiN膜の異常成長を抑制するのに有効である。
本発明にかかる半導体装置の別の製造方法は、図2を参照して、TiN膜を含む半導体装置の製造方法であって、CVD法によってTiN膜を形成する成膜工程(D工程)と、原料ガスをパージする原料ガスパージ工程(DP工程)と、形成されたTiN膜をアンモニア(NH3)ガスの雰囲気下で熱処理するアニール工程(A工程)と、NH3ガスをパージするNH3ガスパージ工程(AP工程)と、さらに上記成膜工程、原料ガスパージ工程、アニール工程およびNH3ガスパージ工程を1回以上繰り返す工程とを含み、上記成膜工程は、原料ガスとしてハロゲン化チタンガスおよびNH3ガスを用い、成膜温度が300℃〜450℃、成膜圧力が10Pa〜100Pa、ハロゲン化チタンガスの分圧が1Pa〜10Pa、NH3ガスの分圧が9Pa〜99Paの条件で行い、成膜工程毎に厚さが1nm〜5nmのチタンナイトライド膜を形成し、上記アニール工程を2秒間〜60秒間行なうものである。
本発明にかかる半導体装置のまた別の製造方法は、図3を参照して、TiN膜を含む半導体装置の製造方法であって、CVD法によってTiN膜を形成する成膜工程(D工程)と、形成されたTiN膜をNH3ガスの雰囲気下で熱処理するアニール工程(A工程)と、さらに上記成膜工程およびアニール工程を1回以上繰り返す工程とを含み、上記成膜工程は、原料ガスとしてハロゲン化チタンガスおよびNH3ガスを用い、成膜温度が300℃〜450℃、成膜圧力が10Pa〜100Pa、ハロゲン化チタンガスの分圧が1Pa〜10Pa、NH3ガスの分圧が9Pa〜99Paの条件で行い、成膜工程毎に厚さが1nm〜5nmのチタンナイトライド膜を形成し、上記アニール工程を2秒間〜60秒間行なうものである。
本発明にかかる一の半導体装置は、図6を参照して、少なくとも、下部電極105と誘電体層106と上部電極107とを有するキャパシタを含む半導体装置であって、上記誘電体層106上に形成された上部電極107が、上記の半導体装置の製造方法により製造されたTiN膜である半導体装置である。すなわち、この半導体装置は、図6に示すように、シリコン基板101上に下層間絶縁層102、層間絶縁層104、上層間絶縁層108が順次積層されており、層間絶縁層104と上層間絶縁層108との間にキャパシタを構成する下部電極105、誘電体層106および上部電極107が形成されている。また、下部電極105はコンタクトプラグ103を介して、上層間絶縁層108上に形成された上部配線層110はコンタクトプラグ109を介して、それぞれ独立してシリコン基板101中に形成された導電層である不純物拡散領域202と電気的に接続されている。ここで、上部電極107はコンダクトプラグ103と電気的に絶縁されている。
本発明にかかる別の半導体装置は、図7を参照して、少なくとも、下部電極105と誘電体層106と上部電極107とを有するキャパシタを含む半導体装置であって、上記誘電体層106上に形成された上部電極107が2以上の電極導電層からなり、この電極導電層の少なくとも1層が、上記の半導体装置の製造方法により製造されたTiN膜である半導体装置である。特に、2以上の電極導電層のうち誘導体層106に隣接する隣接電極導電層107Aが、上記の半導体装置の製造方法により製造されたTiN膜である半導体装置である。
本発明にかかるまた別の半導体装置は、図8を参照して、少なくとも、ゲート絶縁層203とゲート電極204とを有するトランジスタを含む半導体装置であって、ゲート絶縁層203上に形成されたゲート電極204が、上記の半導体装置の製造方法により製造されたTiN膜である半導体装置である。すなわち、この半導体装置は、シリコン基板101上に、層間絶縁層206、上層間絶縁層208が順次積層されており、層間絶縁層206と上層間絶縁層208との間にゲート絶縁層203、ゲート電極204が形成されている。また、上層間絶縁層208上に形成された上部配線層110はコンタクトプラグ109を介して、シリコン基板101中に形成された導電層である不純物拡散領域202と電気的に接続されている。ここで、ゲート絶縁層203には、通常HfO2などの高誘電体材料が用いられているため、ゲート絶縁層の結晶化を抑制するためには、400℃以下のTiN膜形成プロセスが好ましいところ、上記の半導体装置の製造方法によりTiN膜を製造することにより、ゲート絶縁層の結晶化を抑制することができ、リーク電流の小さいトランジスタが得られる。
本発明にかかるさらに別の半導体装置は、図9を参照して、少なくとも、ゲート絶縁層203とゲート電極204とを有するトランジスタを含む半導体装置であって、ゲート絶縁層203上に形成されたゲート電極204が2以上のゲート導電層からなり、前記ゲート導電層の少なくとも1層が、上記の半導体装置の製造方法により製造されたTiN膜である半導体装置である。特に、上記2以上のゲート導電層のうちゲート絶縁層203に隣接する隣接ゲート導電層204Aが、上記の半導体装置の製造方法により製造されたTiN膜であることを特徴とする。
成膜工程(D工程)において、CVD法により、成膜温度を350℃、成膜圧力50Pa(ここで、TiCl4分圧5Pa、NH3分圧45Pa)、TiCl4流量50sccm(sccmとは、標準状態(0℃、1013hPa)における流量(cm3/min)を示す単位)、NH3流量500sccmの条件で厚さ25nmのTiN膜を形成した。次のアニール工程(A工程)において、アニール温度を350℃、成膜圧力50Pa(ここで、NH3圧50Pa)、NH3流量500sccmの条件で30秒間アニールを行なった。次のNH3ガスパージ工程における最初の工程(AP1工程)として、N2ガスを用いて圧力50Paで30秒間NH3ガスのパージを行い、さらにNH3ガスパージ工程における次の工程(AP2工程)として、減圧ポンプを用いて30秒間減圧引きを行なって圧力を10Paとした。こうして得られたTiN膜の表面を走査型電子顕微鏡(Scanning Electron microscope;以下、SEM)で観察すると、図13に示すように、白く現れる異常成長が多く発生していた。また、このTiN膜を上部電極とするキャパシタを含む半導体装置のリーク電流特性を図12の点線に示す。
図4を参照して、成膜工程(D工程)において、CVD法により、成膜温度を350℃、成膜圧力50Pa(ここで、TiCl4分圧5Pa、NH3分圧45Pa)、TiCl4流量50sccm、NH3流量500sccmの条件で厚さ5nmのTiN膜を形成した。次のアニール工程(A工程)において、アニール温度を350℃、成膜圧力50Pa(ここで、NH3圧50Pa)、NH3流量500sccmの条件で30秒間アニールを行なった。次のNH3ガスパージ工程における最初の工程(AP1工程)として、N2ガスを用いて圧力50Paで30秒間NH3ガスのパージを行い、さらにNH3ガスパージ工程における次の工程(AP2工程)として、減圧ポンプを用いて30秒間減圧引きを行なって10Paまで減圧した。上記、成膜工程、アニール工程、NH3ガスパージ工程(N2ガスによるパージ工程および減圧引きによるパージ工程)をさらに4回繰り返して、厚さ25nmのTiN膜を形成した。このTiN膜の表面をSEMで観察すると、図14に示すように、異常成長の発生が抑制された。
図4を参照して、成膜工程(D工程)において、CVD法により、成膜温度を350℃、成膜圧力50Pa(ここで、TiCl4分圧5Pa、NH3分圧45Pa)、TiCl4流量50sccm、NH3流量500sccmの条件で厚さ5nmのTiN膜を形成した。次のアニール工程(A工程)において、アニール温度を400℃、成膜圧力400Pa(ここで、NH3圧400Pa)、NH3流量500sccmの条件で30秒間アニールを行なった。次のNH3ガスパージ工程における最初の工程(AP1工程)として、N2ガスを用いて圧力400Paで30秒間NH3ガスのパージを行い、さらにNH3ガスパージ工程における次の工程(AP2工程)として、減圧ポンプを用いて30秒間減圧引きを行なって50Paまで減圧した。上記、成膜工程、アニール工程、NH3ガスパージ工程(N2ガスによりパージ工程および減圧引きによるパージ工程)をさらに4回繰り返して、厚さ25nmのTiN膜を形成した。このTiN膜の表面をSEMで観察すると、図15に示すように、異常成長の発生がさらに抑制された。
図5を参照して、成膜工程(D工程)において、CVD法により、成膜温度を350℃、成膜圧力50Pa(ここで、TiCl4分圧5Pa、NH3分圧45Pa)、TiCl4流量50sccm、NH3流量500sccmの条件で厚さ5nmのTiN膜を形成した。次の原料ガスのパージ工程(DP工程)において、N2ガスを用いて圧力50Paで30秒間NH3ガスのパージを行なった。次のアニール工程(A工程)において、アニール温度を400℃、成膜圧力400Pa(ここで、NH3圧400Pa)、NH3流量500sccmの条件で30秒間アニールを行なった。次のNH3ガスパージ工程における最初の工程(AP1工程)として、N2ガスを用いて圧力400Paで30秒間NH3ガスのパージを行い、さらにNH3ガスパージ工程における次の工程(AP2工程)として、減圧ポンプを用いて30秒間減圧引きを行なって50Paまで減圧した。上記、成膜工程、アニール工程、NH3ガスパージ工程(N2ガスによりパージ工程および減圧引きによるパージ工程)をさらに4回繰り返して、厚さ25nmのTiN膜を形成した。このTiN膜の表面をSEMで観察すると、実施例2と場合と同様に、異常成長の発生が抑制されていた。
Claims (16)
- チタンナイトライド膜を含む半導体装置の製造方法であって、
化学気相成長法によってチタンナイトライド膜を形成する成膜工程と、形成されたチタンナイトライド膜をアンモニアガスの雰囲気下で熱処理するアニール工程と、前記アンモニアガスをパージするアンモニアガスパージ工程と、さらに前記成膜工程、前記アニール工程および前記アンモニアガスパージ工程を1回以上繰り返す工程とを含み、
前記成膜工程は、原料ガスとしてハロゲン化チタンガスおよびアンモニアガスを用い、成膜温度が300℃〜450℃、成膜圧力が10Pa〜100Pa、ハロゲン化チタンガスの分圧が1Pa〜10Pa、アンモニアガスの分圧が9Pa〜99Paの条件で行い、 前記成膜工程毎に厚さが1nm〜5nmのチタンナイトライド膜を形成し、
前記アニール工程を、2秒間〜60秒間行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記アニール工程におけるアニール圧力およびアニール温度のうち少なくとも1つは、前記成膜工程における成膜圧力および成膜温度のうち少なくとも1つよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記アンモニアガスパージ工程が、不活性ガスによるパージ工程または減圧引きによるパージ工程である請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記アンモニアガスパージ工程が、不活性ガスによるパージ工程および減圧引きによるパージ工程を含む請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- チタンナイトライド膜を含む半導体装置の製造方法であって、
化学気相成長法によってチタンナイトライド膜を形成する成膜工程と、原料ガスをパージする原料ガスパージ工程と、形成されたチタンナイトライド膜をアンモニアガスの雰囲気下で熱処理するアニール工程と、前記アンモニアガスをパージするアンモニアガスパージ工程と、さらに前記成膜工程、前記原料ガスパージ工程、前記アニール工程および前記アンモニアガスパージ工程を1回以上繰り返す工程とを含み、
前記成膜工程は、原料ガスとしてハロゲン化チタンガスおよびアンモニアガスを用い、成膜温度が300℃〜450℃、成膜圧力が10Pa〜100Pa、ハロゲン化チタンガスの分圧が1Pa〜10Pa、アンモニアガスの分圧が9Pa〜99Paの条件で行い、 前記成膜工程毎に厚さが1nm〜5nmのチタンナイトライド膜を形成し、
前記アニール工程を、2秒間〜60秒間行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記アニール工程におけるアニール圧力およびアニール温度のうち少なくとも1つは、前記成膜工程における成膜圧力および成膜温度のうち少なくとも1つよりも大きいことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記原料ガスパージ工程および前記アンモニアガスパージ工程のそれぞれが、不活性ガスによるパージ工程または減圧引きによるパージ工程である請求項5または請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記原料ガスパージ工程および前記アンモニアガスパージ工程の少なくとも1つの工程が、不活性ガスによるパージ工程および減圧引きによるパージ工程を含む請求項5または請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- チタンナイトライド膜を含む半導体装置の製造方法であって、
化学気相成長法によってチタンナイトライド膜を形成する成膜工程と、形成されたチタンナイトライド膜をアンモニアガスの雰囲気下で熱処理するアニール工程と、さらに前記成膜工程および前記アニール工程を1回以上繰り返す工程とを含み、
前記成膜工程は、原料ガスとしてハロゲン化チタンガスおよびアンモニアガスを用い、成膜温度が300℃〜450℃、成膜圧力が10Pa〜100Pa、ハロゲン化チタンガスの分圧が1Pa〜10Pa、アンモニアガスの分圧が9Pa〜99Paの条件で行い、 前記成膜工程毎に厚さが1nm〜5nmのチタンナイトライド膜を形成し、
前記アニール工程を、2秒間〜60秒間行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記アニール工程におけるアニール圧力およびアニール温度のうち少なくとも1つは、前記成膜工程における成膜圧力および成膜温度のうち少なくとも1つよりも大きいことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 少なくとも、下部電極と誘電体層と上部電極とを有するキャパシタを含む半導体装置であって、
前記誘電体層上に形成された前記上部電極が、請求項1〜請求項10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造されたチタンナイトライド膜であることを特徴とする半導体装置。 - 少なくとも、下部電極と誘電体層と上部電極とを有するキャパシタを含む半導体装置であって、
前記誘電体層上に形成された前記上部電極が2以上の電極導電層からなり、前記電極導電層の少なくとも1層が、請求項1〜請求項10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造されたチタンナイトライド膜であることを特徴とする半導体装置。 - 少なくとも、下部電極と誘電体層と上部電極とを有するキャパシタを含む半導体装置であって、
前記誘電体層上に形成された前記上部電極が2以上の電極導電層からなり、前記電極導電層のうち誘導体層に隣接する隣接電極導電層が、請求項1〜請求項10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造されたチタンナイトライド膜であることを特徴とする半導体装置。 - 少なくとも、ゲート絶縁層とゲート電極とを有するトランジスタを含む半導体装置であって、
前記ゲート絶縁層上に形成された前記ゲート電極が、請求項1〜請求項10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造されたチタンナイトライド膜であることを特徴とする半導体装置。 - 少なくとも、ゲート絶縁層とゲート電極とを有するトランジスタを含む半導体装置であって、
前記ゲート絶縁層上に形成された前記ゲート電極が2以上のゲート導電層からなり、前記ゲート導電層の少なくとも1層が、請求項1〜請求項10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造されたチタンナイトライド膜であることを特徴とする半導体装置。 - 少なくとも、ゲート絶縁層とゲート電極とを有するトランジスタを含む半導体装置であって、
前記ゲート絶縁層上に形成された前記ゲート電極が2以上のゲート導電層からなり、前記ゲート導電層のうちゲート絶縁層に隣接する隣接ゲート導電層が、請求項1〜請求項10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造されたチタンナイトライド膜であることを特徴とする半導体装置。
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