JP4578430B2 - 半透過型ディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents

半透過型ディスプレイパネル及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4578430B2
JP4578430B2 JP2006105209A JP2006105209A JP4578430B2 JP 4578430 B2 JP4578430 B2 JP 4578430B2 JP 2006105209 A JP2006105209 A JP 2006105209A JP 2006105209 A JP2006105209 A JP 2006105209A JP 4578430 B2 JP4578430 B2 JP 4578430B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reflective layer
layer
display panel
reflective
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006105209A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006301625A (ja
Inventor
坤憲 楊
安 石
徳興 李
曉波 張
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TPO Displays Corp
Original Assignee
TPO Displays Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TPO Displays Corp filed Critical TPO Displays Corp
Publication of JP2006301625A publication Critical patent/JP2006301625A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4578430B2 publication Critical patent/JP4578430B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • G02F1/133555Transflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133371Cells with varying thickness of the liquid crystal layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

本発明は、ディスプレイパネルに関し、特に、反射層構造を有する半透過型ディスプレイ(LCD)パネルに関するものである。
製造コストの低下と品質の向上に伴って、液晶ディスプレイは、例えば、ノート型パソコン、PDA、携帯電話、時計など、異なる製品にますます用いられてきた。LCDは、受光素子(passive luminous device)であり、LCD装置のバックライトを含むことができる。
一般的にLCD装置は、それらの表示方法によっていくつかのタイプに分けられることができる。いくつかの例は、反射型LCD装置、透過型LCD装置と、半透過型LCD装置である。反射型LCD装置は、環境の中の光を反射して画像を表示することから、電力を節約し、製造コストを減少する。透過型LCD装置は、LCDパネルと付加のバックライトユニットを含み、光源をLCDパネルに提供し、より高い輝度とより少ない使用制限を生み出す。また、半透過型LCD装置は、透過型LCD装置と反射型LCD装置の特徴を合わせており、それが環境光を反射して画像を表示できることから用いられる。透過型LCD装置もバックライトユニットを用いて、例えば、室内または夜の低い環境光の中で、光源を発生することができる。
図1は、従来の半透過型ディスプレイパネル10の概略図である。図1に示すように、半透過型ディスプレイパネル10は、横方向に配列された複数のスキャンライン12を有する基板、スキャンライン12に垂直の縦方向に配列された複数のデータライン14と、スキャンライン12とデータライン14の公差に対応した複数の画素を含む。各画素は、スイッチ領域16と表示領域18を含む。半透過型ディスプレイパネル10では、スイッチ領域16は、例えばポリシリコンTFTの薄膜トランジスタを含む。表示領域18は、透過領域114と反射領域115を形成する透過孔を有する反射層によって覆われることができる。よって、環境光は、反射層によって反射され、画像を表示することができる。バックライトユニットは、付加の光源を透過領域114に提供し、低い環境光の中で、画像の表示をする助けをする。
図2は、図1のラインA−A’に沿った表示領域18の断面図である。図2に示すように、半透過型ディスプレイパネル10は、その上に透過領域114と反射領域115が定義された基板112を含む。TFTディスプレイパネルの従来の製造プロセスでは、層間絶縁膜(ILD)または平坦層116は、基板112に配置されることができ、例えば、基板112のスイッチ領域16に位置されたTFTなどの電子装置を保護する。透過孔118は、基板112に形成され、透過領域114を露出する。
半透過型ディスプレイパネルの従来の製造プロセスによると、透明電極層と反射層は異なる順序で形成することができる。例えば、透明電極層が上に形成された構造、または反射層が上に形成された構造であることができる。反射層と透明電極層が異なる仕事関数を有することから、反射層が上にある構造は、ちらつきの問題を発生させる。よって、透明電極層が上にある構造が同一の仕事関数を提供できることから用いられ、ちらつきの問題を防ぐ。
図2に示すように、接着層120と反射層122は、平坦層116の上に順次に形成される。次に、透明電極層126が反射層122の上に形成される。上述のように、反射層122は、環境の中の光を反射し画像を表示する。接着層120は、平坦層116と反射層122の間の結合力を強める。
エッチングプロセスが行われ、透過孔118の底部の反射層122と接着層120のパターン化をし、透明電極層126の形成の前に、透過領域114を露出することができる。よって、バックライトユニットからの光源が透過領域114に透過できる。
一般的に、反射層122は、アルミ合金であり、接着層120は、モリブデン(Mo)を含む。上述のエッチングプロセスでは、接着層120は、材料の性質により、反射層122より大きなエッチング速度を有する。これは、図2の123のような例に示すように、透過領域114に隣接する接着層120の端に現れるアンダーカット(undercut)現象を招く可能性がある。これは、透明電極層126の段差被覆(step−coverage)を低下させ、透明電極層126がその上に形成される時、中断領域、または微弱接触領域の存在をもたらす。また、これは半透過型ディスプレイパネル10の表示品質を低下させる可能性がある。
よって、新たな半透過型ディスプレイパネル構造とその製造方法が望まれる。
半透過型ディスプレイパネルの製造方法の実施例では、まず、その上に透過領域を有する基板が提供される。平坦層は、基板の上に配置され、続いて孔が平坦層に形成され、透過領域を露出する。第一反射層と第二反射層は、平坦層の上に順次に形成される。その次に、エッチングプロセスが行われ、第一反射層と第二反射層がパターン化され、透過領域を露出する。エッチングプロセスは、第一反射層の第一エッチング速度と、第一エッチング速度より大きい第二反射層の第二エッチング速度を有する。次に、透明電極層が第二反射層と透過領域の上に形成される。
半透過型ディスプレイパネルの実施例は、その上に定義された透過領域を有する基板と基板の上に配置された平坦層を含む。平坦層は、透過領域の上に位置された透過孔を有し、透過領域を露出する。半透過型ディスプレイパネルは、第一開口を有する平坦層の上に配置された第一反射層と、第二開口を有する第一反射層の上に配置された第二反射層を更に含む。第二開口は、第一開口の上に配置され、第一開口より大きい。第一反射層は第二反射層より、より良いアンチエッチング能力を有する。
従来の一つの反射層のみ有する半透過型ディスプレイパネルに比べ、本発明の半透過型ディスプレイパネルの実施例は、二つの反射層を提供する。また、二つの反射層は、異なるアンチエッチングの性質を有し、小さいテーパー角を有する円錐構造を形成する。よって、透明電極層の次の製造プロセスで生じる中断、または微弱接触の問題を解消することができる。よって、半透過型ディスプレイパネルの信頼性と安定性が改善されることができる。
本発明についての目的、特徴、長所が一層明確に理解されるよう、以下に実施形態を例示し、図面を参照にしながら、詳細に説明する。
各種の実施例に基づいた半透過型ディスプレイパネルが提供される。ここで説明されるように、いくつかの実施例の反射層構造は、半透過型ディスプレイパネルの平坦層の上に配置される。
図3〜5は、半透過型ディスプレイパネル210を製造するいくつかの実施例に基づいた概略図である。図3に示すように、半透過型ディスプレイパネルは、その上に透過領域214と反射領域215を有する基板212を含むことができる。平坦層216は、基板212に形成されることができ、続いて、パターン化され、透過孔218を形成し、透過領域214と反射領域215の一部を露出する。実施例では、基板212は、ガラス基板、シリコン基板、シリコンオンインシュレータ(silicon on insulator)基板、サファイア基板、高分子基板、またはその他の適当な材料を含むことができる。各種の実施例に基づいて、平坦層216は、約2.9〜3.9マイクロメータの厚さを有することができる。また、平坦層216は、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、高分子、またはその組み合わせからなる誘電物質を含むことができる。
図4に示すように、第一反射層220と第二反射層222は、透過領域214、反射領域215と、透過孔218の平坦層216の側壁上に形成されることができる。
各種の実施例に基づいて、第一反射層220は、第二反射層222と異なるエッチング速度を有することができる。各種の実施例に基づいて、第一反射層220と第二反射層222の構成は、同じ、または異なる材料を含むことができる。また、各種の実施例に基づいて、第一反射層220と第二反射層222は、同じ材料だが異なる密度から形成されることができる。半透過型ディスプレイパネル210の実施例では、第一反射層220と第二反射層222は、異なる動作電力のスパッタリングプロセスによって形成されることができる。例えば、大きな動作電力が第二反射層222を形成する過程で用いられると、第二反射層222は、比較的多孔質の構造と、より低いアンチエッチング能力(anti−etching ability)を有することができ、より速いエッチング速度を含むことができる。
その次に、エッチングプロセスが行われ、透過領域214の第一反射層220と第二反射層222がパターン化される。エッチングプロセスは、第一反射層220の第一開口230と、第一開口230の上に配置された第二反射層222の第二開口232を形成し、透過領域214を露出する。第一反射層220がより良いアンチエッチング能力とより高い密度を有することから、第一反射層220のエッチング速度は比較的遅い。例えば、薄膜の種類、エッチング薬剤と、エッチング上の環境など、多種の要因によって第二反射層222のエッチング速度の50〜90%ほど遅い。よって、第二開口232は、第一開口230より大きく形成されることができる。透過孔218の底部のパターン化された第一反射層220とパターン化された第二反射層222の辺縁はまた、70度より小さいテーパー角(tapered angle)を有する円錐構造(tapered structure)234を形成し、次に続くプロセスの信頼性を改善する。各種の実施例に基づいて、円錐構造234は、60度より小さいテーパー角を有する。
半透過型ディスプレイパネル210の実施例では、第一反射層220は、約1000〜2000オングストロームの厚さを有し、アルミニウム・ネオジウム(AlNd)、アルミニウム、銀、アルミ合金、またはその組み合わせを含む。第二反射層222は、約100〜800オングストロームの厚さを有し、アルミニウム・ネオジウム(AlNd)、アルミニウム、銀、アルミ合金、またはその組み合わせを含む。
各種の実施例に基づいて、エッチングプロセスは、約40度の温度で行われることができる。また、エッチングプロセスは、1〜5%の硝酸、70〜80%の燐酸と、5〜15%の酢酸を含むエッチング剤を用いて行われることができる。第一反射層220のエッチング速度は、毎分約4000〜5000オングストロームであることができ、第二反射層222のエッチング速度は、毎分約5000〜6000オングストロームであることができる。
図5に示すように、透明電極層226は、続いて第二反射層222と透過領域214の基板212の上に堆積される。半透過型ディスプレイパネル210の実施例では、透明電極層226は、インジウムスズ酸化物、酸化インジウム亜鉛、その他の適合する材料、またはその組み合わせを含むことができる。
図6は、半透過型ディスプレイパネル310の実施例の概略図である。半透過型ディスプレイパネル210と比較すると、半透過型ディスプレイパネル310は、似たような構造と製造プロセスを有し、更に追加の接着層328を含む。図6に示すように、ディスプレイパネル310は、反射領域315と透過領域314を有する基板312と、基板312の上に配置された平坦層316を含む。平坦層316は、基板312の表面上の透過領域314を露出する透過孔を有する。接着層328、第一反射層320と、第二反射層322は、基板312と平坦層316の上に形成されることができる。続いてエッチングプロセスが行われ、接着層328、第一反射層320と、第二反射層322がパターン化される。上述のように、第一反射層320が第二反射層322より、より良いアンチエッチング能力を有することができることから、第二開口334は、第一開口332より大きいことができ、円錐構造が形成されることができる。これは、続くプロセスの透明電極層326形成の品質改善につながる。半透過型ディスプレイパネル310の実施例では、接着層228は、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、その他の適合する材料、またはその組み合わせを含むことができ、約50〜300オングストロームの厚さを有することができる。
各種の実施例に基づいて、LCD装置は、上述の半透過型ディスプレイパネル210、または310を含むことができる。図7は、上述の半透過型ディスプレイパネル210、または310のLCDパネル1を含むLCD装置3を表している概略図である。LCD装置3は、表示パネル1に接続した制御器2を更に含むことができる。制御器2は、駆動回路(未図示)を含み、表示パネル1を制御し、入力に応じて画像を表示する。
図8は、図7に示すLCD装置3を組み合わせた電子装置5を表している概略図である。入力装置4は、図5または図6に示すLCD装置3の制御器2に接続され、電子装置5を形成することができる。入力装置4は、処理機または同様のものを含み、制御器2にデータを入力して画像を表示することができる。電子装置5は、PDA、ノート型パソコン、タブレット型パソコン、携帯電話、または表示モニター装置などの携帯装置、またはデスクトップ型コンピュータのような非携帯用装置であることができる。
以上、本発明の好適な実施例を例示したが、これは本発明を限定するものではなく、本発明の精神及び範囲を逸脱しない限りにおいては、当業者であれば行い得る少々の変更や修飾を付加することは可能である。従って、本発明が保護を請求する範囲は、特許請求の範囲を基準とする。
従来の半透過型ディスプレイパネルの概略図である。 図1のラインA−A’に沿った表示領域の断面図である。 半透過型ディスプレイパネルの製造方法の実施例の概略図である。 半透過型ディスプレイパネルの製造方法の実施例の概略図である。 半透過型ディスプレイパネルの製造方法の実施例の概略図である。 半透過型ディスプレイパネルの実施例の概略図である。 LCD装置の実施例の概略図である。 電子装置の実施例の概略図である。
符号の説明
1 液晶ディスプレイパネル
2 制御器
3 液晶ディスプレイ装置
4 入力装置
5 電子装置
10 半透過型ディスプレイパネル
12 スキャンライン
14 データライン
16 スイッチ領域
18 表示領域
112 基板
114 透過領域
115 反射領域
116 平坦層
118 透過孔
120 接着層
122 反射層
123 領域
124 辺縁
126 透明領域
210 半透過型ディスプレイパネル
212 基板
214 透過領域
215 反射領域
216 平坦層
218 透過孔
220 第一反射層
222 第二反射層
230 第一開口
232 第二開口
234 円錐構造
312 基板
315 反射領域
316 平坦層
318 透過孔
320 第一反射層
322 第ニ反射層
330 第一開口
332 第二開口
328 接着層

Claims (20)

  1. その上に配置された透過領域を有する基板を提供するステップ、
    前記基板の上に平坦層を堆積するステップ、
    前記平坦層に前記透過領域を露出する孔を形成するステップ、
    前記平坦層と前記孔の前記露出した透過領域の上に第一反射層を形成するステップ、
    前記第一反射層の上に第二反射層を形成するステップ、
    前記透過領域を露出する前記孔に前記第一反射層と前記第二反射層をパターン化するエッチングプロセスを行うステップ、および
    前記第二反射層と前記透過領域の上に透明電極層を形成するステップを含み、
    前記エッチングプロセスにおいて、前記第一反射層及び前記第二の反射層は、それぞれ第一エッチング速度及び第二エッチング速度でエッチングされ、前記第一エッチング速度は、前記第二エッチング速度より遅く、
    前記第一反射層と前記第二反射層は、前記孔の底部に70度より小さいテーパー角を有する円錐台形を形成する半透過型ディスプレイパネルの製造方法。
  2. 前記第一反射層と前記第二反射層は、同じ材料から形成される請求項1に記載の製造方法。
  3. 前記第一反射層と前記第二反射層は、異なる密度を有する請求項2に記載の製造方法。
  4. 前記材料は、アルミニウム・ネオジウム(AlNd)、アルミニウム、銀、アルミ合金の少なくとも一つを含む請求項2に記載の製造方法。
  5. 前記第一反射層と前記第二反射層は、スパッタリングプロセスによって形成される請求項1に記載の製造方法。
  6. 前記第一エッチング速度は、前記第二エッチング速度の約50〜90%である請求項1に記載の製造方法。
  7. 前記透明電極層は、インジウムスズ酸化物、酸化インジウム亜鉛の少なくとも一つを含む請求項1に記載の製造方法。
  8. 前記第一反射層の形成の前に、前記平坦層の上に接着層を形成し、続いて前記第一反射層が前記接着層に形成されるステップを更に含む請求項1に記載の製造方法。
  9. 前記接着層は、約50〜300オングストロームの厚さを有する請求項8に記載の製造方法。
  10. 前記接着層は、モリブデン(Mo)とチタン(Ti)の少なくとも一つを含む請求項8に記載の製造方法。
  11. その上に定義された透過領域と反射領域を有する基板、
    前記基板の上に配置され、透過領域と前記透過領域を囲む前記反射領域の一部を露出する孔を有する平坦層、
    前記平坦層に配置され、前記孔の底部に第一開口を有し、前記透過領域を露出する第一反射層、
    前記第一反射層の上に配置され、前記第一開口の上に第二開口を有する第二反射層、および
    前記第二反射層と前記透過領域の上に配置された透明電極層を含み、
    前記第一開口及び前記第二開口を形成するエッチングプロセスで、前記第一反射層は、前記第二反射層よりも遅いエッチング速度を有し、
    前記第一反射層と前記第二反射層は、前記孔の底部に70度より小さいテーパー角を有する円錐台形を形成する半透過型ディスプレイパネル。
  12. 前記第一反射層と前記第二反射層は、同じ材料から形成され、かつ、異なる密度を有する請求項11に記載の半透過型ディスプレイパネル。
  13. 前記第一開口と前記第二開口を形成するエッチングプロセスで、前記第一反射層は、前記第二反射層の約50〜90%のエッチング速度を有する請求項11に記載の半透過型ディスプレイパネル。
  14. 前記材料は、アルミニウム・ネオジウム(AlNd)、アルミニウム、銀、アルミ合金の少なくとも一つを含む請求項12に記載の半透過型ディスプレイパネル。
  15. 前記透明電極層は、インジウムスズ酸化物、酸化インジウム亜鉛の少なくとも一つを含む請求項11に記載の半透過型ディスプレイパネル。
  16. 前記平坦層と前記第一反射層の間に配置した接着層を更に含み、前記接着層は前記第一開口と前記第二開口の下に第三開口を有する請求項11に記載の半透過型ディスプレイパネル。
  17. 前記接着層は、モリブデン(Mo)とチタン(Ti)の少なくとも一つを含む請求項16に記載の半透過型ディスプレイパネル。
  18. 前記接着層は、約50〜300オングストロームの厚さを有する請求項17に記載の半透過型ディスプレイパネル。
  19. 請求項11に記載の半透過型ディスプレイパネル、および
    前記ディスプレイパネルに接続され、入力に応じて画像を表示する制御器を含むディスプレイ装置。
  20. 請求項19に記載のディスプレイ装置、および
    前記ディスプレイ装置の前記制御器に接続され、前記ディスプレイ装置を制御して画像を表示する入力装置を含む電子装置。

JP2006105209A 2005-04-21 2006-04-06 半透過型ディスプレイパネル及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4578430B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/110,846 US7248317B2 (en) 2005-04-21 2005-04-21 Transflective display panels and methods for making the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006301625A JP2006301625A (ja) 2006-11-02
JP4578430B2 true JP4578430B2 (ja) 2010-11-10

Family

ID=37186468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006105209A Expired - Fee Related JP4578430B2 (ja) 2005-04-21 2006-04-06 半透過型ディスプレイパネル及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7248317B2 (ja)
JP (1) JP4578430B2 (ja)
CN (1) CN100375918C (ja)
TW (1) TWI320117B (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007527616A (ja) * 2003-07-03 2007-09-27 ピーディー−エルディー、インク. レーザー発光特性調整のためのボリューム・ブラッグ・グレーティングの使用
JP2005260379A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Nec Corp デジタル放送システム
KR101037085B1 (ko) * 2004-06-05 2011-05-26 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US8294854B2 (en) * 2006-05-01 2012-10-23 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display comprising a reflection region having first, second and third recesses and method for manufacturing the same
CN101432656B (zh) * 2006-05-01 2011-07-13 夏普株式会社 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
US20100020278A1 (en) * 2007-03-15 2010-01-28 Tetsuo Fujita Liquid crystal display device and production method thereof
KR101733128B1 (ko) * 2010-04-26 2017-05-08 삼성디스플레이 주식회사 반 투과형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
CN102621753B (zh) * 2011-01-28 2015-02-18 联胜(中国)科技有限公司 像素结构以及显示面板
TWM415322U (en) 2011-04-01 2011-11-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Liquid crystal panel
US9134529B2 (en) * 2011-07-21 2015-09-15 Pixronix, Inc. Display device with tapered light reflecting layer and manufacturing method for same
JP6347937B2 (ja) * 2013-10-31 2018-06-27 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN104835827B (zh) * 2014-02-11 2018-06-05 群创光电股份有限公司 显示面板
CN107731854B (zh) * 2017-09-28 2020-05-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制备方法及阵列基板、显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002202502A (ja) * 2000-03-31 2002-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 形状体、反射板及び反射型表示素子、並びに反射板の製造方法
JP2002357844A (ja) * 2001-03-29 2002-12-13 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP2004038186A (ja) * 2002-07-15 2004-02-05 Lg Philips Lcd Co Ltd 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
JP2004191958A (ja) * 2002-11-27 2004-07-08 Sharp Corp 導電素子の形成方法および液晶表示装置の反射電極部形成方法
JP2005277402A (ja) * 2004-02-25 2005-10-06 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 反射電極膜を含む積層膜のエッチング組成物および積層配線構造の形成方法
JP2005316399A (ja) * 2004-02-19 2005-11-10 Sharp Corp 導電素子基板の製造方法、導電素子基板、液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置、及び電子情報機器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3808356B2 (ja) * 2001-12-04 2006-08-09 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP4110885B2 (ja) * 2002-08-27 2008-07-02 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP4214748B2 (ja) * 2002-09-20 2009-01-28 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置及び電子機器
KR100940909B1 (ko) * 2003-06-10 2010-02-08 엘지디스플레이 주식회사 반사투과형 액정표시장치
KR100494455B1 (ko) * 2003-06-11 2005-06-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
KR100993608B1 (ko) * 2003-12-26 2010-11-10 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR100577797B1 (ko) * 2004-02-04 2006-05-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002202502A (ja) * 2000-03-31 2002-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 形状体、反射板及び反射型表示素子、並びに反射板の製造方法
JP2002357844A (ja) * 2001-03-29 2002-12-13 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP2004038186A (ja) * 2002-07-15 2004-02-05 Lg Philips Lcd Co Ltd 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
JP2004191958A (ja) * 2002-11-27 2004-07-08 Sharp Corp 導電素子の形成方法および液晶表示装置の反射電極部形成方法
JP2005316399A (ja) * 2004-02-19 2005-11-10 Sharp Corp 導電素子基板の製造方法、導電素子基板、液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置、及び電子情報機器
JP2005277402A (ja) * 2004-02-25 2005-10-06 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 反射電極膜を含む積層膜のエッチング組成物および積層配線構造の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200638110A (en) 2006-11-01
CN1854838A (zh) 2006-11-01
CN100375918C (zh) 2008-03-19
TWI320117B (en) 2010-02-01
JP2006301625A (ja) 2006-11-02
US20060238676A1 (en) 2006-10-26
US7248317B2 (en) 2007-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4578430B2 (ja) 半透過型ディスプレイパネル及びその製造方法
CN102236230B (zh) 反射型或透反射型液晶显示设备的阵列基板及其制造方法
JP2003255374A (ja) 液晶表示装置
KR20060100872A (ko) 반투과 액정 표시 장치 패널 및 그 제조 방법
JP4040048B2 (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JP2008281813A (ja) 表示装置と表示装置の製造方法
TWI252343B (en) Liquid crystal display
JP2004145332A (ja) デュアル・ディスプレイの液晶ディスプレイの構造
JP4682278B2 (ja) 低温ポリシリコン薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ装置に用いられる積層蓄積容量構造
US10551696B2 (en) Method of producing metal electrode, array substrate and method of producing the same, display device
JP2005338388A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
JP2007183556A (ja) 画素構造の製造方法
TWI274935B (en) Manufacturing method of reflective layer of display device, reflective LCD device and transflective LCD device
JP2009093145A (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
KR100719333B1 (ko) 반사-투과형 박막트랜지스터 액정 표시 장치 및 그 제조방법
CN101038409B (zh) 图像显示***
JP2007304384A (ja) 液晶装置、液晶装置の製造方法、および電子機器
JPH11249127A (ja) 液晶表示装置の製造方法
KR20200047832A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2000267075A (ja) 液晶表示装置の製造方法および電子機器
JP2000227610A (ja) 散乱面形成方法、液晶表示装置の製造方法および電子機器
JP2007102151A (ja) 内部に反射層を有するディスプレイパネル
CN1979315A (zh) 图像显示***
TWI308982B (en) Transflective liquid crystal display panel
JP2003131246A (ja) 液晶表示パネル

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090901

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100406

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100706

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100727

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100824

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903

Year of fee payment: 3

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903

Year of fee payment: 3

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903

Year of fee payment: 3

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees