JP4575725B2

JP4575725B2 - Electronic device and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP4575725B2
Application number: JP2004240886A
Authority: JP
Inventors: 浩近藤; 隆徳田野; 英紀友野
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2004-08-20
Filing date: 2004-08-20
Publication date: 2010-11-04
Anticipated expiration: 2024-08-20
Also published as: JP2006060048A

Description

本発明は、電子素子、及びその製造方法に関するものである。 The present invention is related to an electronic device, and a manufacturing method thereof.

液晶表示装置、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、有機ＥＬ（Electroluminescence）
ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイは、電極、MIM（ Metal-Insulator-Metal）、MIS（Metal-Insulator-Semiconductor）素子やTFT等の能動素子或いは発光素子など薄膜層をパターニングして構成される部位を具備している。図１１は、上記MIM、MIS、TFT素子の概略図（断面図）である。図１１（ａ）におけるMIM素子は、基板１０１上に、第一の電極材料１０２、絶縁材料１０３、第二の電極材料１０４が順次積層されてなる。図１１（ｂ）におけるMIS素子は、基板１０１上に、第一の電極材料１０２、絶縁材料１０３、半導体材料１０５、第二の電極材料１０４が順次積層されてなる。図１１（ｃ）におけるTFT素子は、電界効果型トランジスタ構成（プレナー型）であり、ゲート電極１０６、ゲート絶縁膜１０７、ソース電極１０８、ドレイン電極１０９、半導体層１１０を備え、ソース電極１０８およびドレイン電極１０９間のギャップ１１１はチャネル長に相当する。 Liquid crystal display, PDP (plasma display panel), organic EL (Electroluminescence)
A flat panel display such as a display has a portion formed by patterning a thin film layer such as an electrode, an MIM (Metal-Insulator-Metal) element, an MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) element, an active element such as a TFT, or a light-emitting element. is doing. FIG. 11 is a schematic view (cross-sectional view) of the MIM, MIS, and TFT elements. The MIM element in FIG. 11A is formed by sequentially laminating a first electrode material 102, an insulating material 103, and a second electrode material 104 on a substrate 101. In the MIS element in FIG. 11B, a first electrode material 102, an insulating material 103, a semiconductor material 105, and a second electrode material 104 are sequentially stacked on a substrate 101. The TFT element in FIG. 11C has a field effect transistor configuration (planar type), which includes a gate electrode 106, a gate insulating film 107, a source electrode 108, a drain electrode 109, and a semiconductor layer 110, and includes a source electrode 108 and a drain. The gap 111 between the electrodes 109 corresponds to the channel length.

また、近年その一部若しくは全部に有機材料を用いた電子素子が、低コスト化や大面積化容易性等の製造上のメリットや無機材料にない機能発現の可能性から注目されている。
一方、図１１に示したような電子素子においては、その特性発現のため、材料の絶縁機能が必要不可欠である。ここで、絶縁材料として求められる物性として、高い抵抗値及び絶縁耐圧が必要であり、一般的にその値は体積抵抗値として1×10^１４Ω・cm以上、絶縁耐圧として1MV／cm以上が要求される。
有機材料でこれらの値を両立することを目的として、ポリイミド材料が検討されている。しかし、従来の電子素子においては、所望の抵抗値・絶縁耐圧を得ることができず、信頼性が不十分であるとともに、十分な電子素子特性が得られないという欠点がある。 In recent years, electronic devices using organic materials for a part or all of them have been attracting attention because of their merit in manufacturing such as cost reduction and ease of enlargement, and the possibility of functions not found in inorganic materials.
On the other hand, in the electronic element as shown in FIG. 11, the insulating function of the material is indispensable for the expression of the characteristics. Here, as a physical property required as an insulating material, a high resistance value and a withstand voltage are required. In general, the values require a volume resistance value of 1 × 10 ¹⁴ Ω · cm or more and a withstand voltage of 1 MV / cm or more. Is done.
Polyimide materials have been studied for the purpose of making these values compatible with organic materials. However, the conventional electronic device has the disadvantages that a desired resistance value and dielectric strength cannot be obtained, reliability is insufficient, and sufficient electronic device characteristics cannot be obtained.

また、特許文献１によれば、光や熱などの物理的外部刺激によりキャリア移動度が変化する有機半導体材料を用いた電界効果型トランジスタが提案されている。このトランジスタ作製においては、図１１（ｃ）に示されるソース電極１０８およびドレイン電極１０９間のギャップ１１１（チャネル長）を微細に形成する必要がある。これは、下記式(１)で示されるスイッチング周波数（fc）がチャネル長の二乗に反比例するためであり、高速のスイッチング特性発現のためにはチャネルの微細形成は不可欠である。 Patent Document 1 proposes a field effect transistor using an organic semiconductor material whose carrier mobility is changed by a physical external stimulus such as light or heat. In manufacturing this transistor, the gap 111 (channel length) between the source electrode 108 and the drain electrode 109 shown in FIG. This is because the switching frequency (fc) represented by the following formula (1) is inversely proportional to the square of the channel length, and the formation of a fine channel is indispensable for high-speed switching characteristics.

fc＝μVd／2πＬ^２(１)
（式中、μはキャリア移動度、Vdはソース・ドレイン電圧、Lはチャネル長である）
また、半導体材料のキャリア移動度向上により、素子に大きな電流を流すことが可能となるため、現在その移動度向上を目指した研究が盛んに行われている。 fc = μVd / 2πL ² (1)
(Where μ is carrier mobility, Vd is source / drain voltage, and L is channel length)
In addition, since it is possible to flow a large current through the element by improving the carrier mobility of the semiconductor material, research aimed at improving the mobility is being actively conducted.

ところで、薄膜層を微細にパターニングする方法としては、フォトリソグラフィー法が一般に使用される。その工程は以下の通りである。
（１）薄膜層を有する基板上にフォトレジスト層を塗布する（レジスト塗布）。
（２）加熱により溶剤を除去する（プリベーク）。
（３）マスクを通して紫外光を照射する（露光）。
（４）アルカリ溶液で露光部のレジストを除去する（現像）。
（５）加熱により未露光部（パターン部）のレジストを硬化する（ポストベーク）。
（６）エッチング液に浸漬又はエッチングガスに暴露し、レジストのない部分の薄膜層を除去する。
（７）アルカリ溶液または酸素ラジカルでレジストを除去する（レジスト剥離）。
しかし上記のプロセスの場合、高価な設備と工程の長さがコストを上昇させる原因となっていた。
近年、製造コストを低減するために印刷法によるパターン形成が試みられている。特許文献２にはオルガノシロキサンを、例えば絶縁材料層の様な電極を形成しようとする面に塗布し、UV露光により電極を配線する部位のみを親水化し、ここに超微粒子の金コロイド液、PEDOT（polyethylene-dioxythiophene）溶液といった導電性インクをインクジェットにより塗布する方法が開示されている。この場合、フォトリソグラフィー法よりも簡単なプロセスで電極パターンを微細形成することが可能となる。しかし、オルガノシロキサン自体には絶縁性という機能が無いため、絶縁材料塗布→オルガノシロキサン塗布→露光といったステップを踏む必要があった。 By the way, as a method of finely patterning a thin film layer, a photolithography method is generally used. The process is as follows.
(1) A photoresist layer is applied on a substrate having a thin film layer (resist application).
(2) The solvent is removed by heating (pre-baking).
(3) Irradiate ultraviolet light through a mask (exposure).
(4) The resist in the exposed area is removed with an alkaline solution (development).
(5) The unexposed portion (pattern portion) resist is cured by heating (post-bake).
(6) Immersion in an etching solution or exposure to an etching gas to remove the thin film layer where there is no resist.
(7) The resist is removed with an alkaline solution or oxygen radical (resist stripping).
However, in the case of the above-described process, expensive equipment and the length of the process have caused the cost to increase.
In recent years, pattern formation by a printing method has been attempted in order to reduce manufacturing costs. In Patent Document 2, organosiloxane is applied to a surface on which an electrode such as an insulating material layer is to be formed, and only the portion where the electrode is wired is made hydrophilic by UV exposure. A method of applying a conductive ink such as a (polyethylene-dioxythiophene) solution by inkjet is disclosed. In this case, the electrode pattern can be finely formed by a simpler process than the photolithography method. However, since the organosiloxane itself does not have an insulating function, it is necessary to take steps of insulating material application → organosiloxane application → exposure.

特開平７−８６６００号公報JP-A-7-86600 特開２００２−２６１０４８号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-261048

絶縁材料としてのポリイミド材料は、一般に下記式(２)の脱水反応を経てポリアミック酸をイミド化して得られる。なお式（２）中、Ｘは任意の連結基であり、nは所望の分子量に応じた繰り返し単位数である。 A polyimide material as an insulating material is generally obtained by imidizing polyamic acid through a dehydration reaction represented by the following formula (2). In the formula (2), X is an arbitrary linking group, and n is the number of repeating units corresponding to the desired molecular weight.

しかし本発明者らの検討によれば、イミド化率が低い場合、未反応のポリアミック酸が薄膜中に残存し、所望の抵抗値・絶縁耐圧を得ることが出来ないことが判明した。その理由は、式(２)に示されるポリアミック酸が薄膜中に残存するため、これが大気中の水分を吸収することにより薄膜の抵抗値が下がるためである。 However, according to the study by the present inventors, it has been found that when the imidization rate is low, unreacted polyamic acid remains in the thin film, and a desired resistance value and withstand voltage cannot be obtained. The reason is that the polyamic acid represented by the formula (2) remains in the thin film, and this reduces the resistance value of the thin film by absorbing moisture in the atmosphere.

一方、式 (２)の反応においては、脱水反応によって生じた水とポリアミック酸溶液中に溶存している水によって、アミド結合が加水分解されジカルボン酸が生成し、さらに加熱により酸無水物が生成する、以下の式(３)に例示される副反応が生じる。 On the other hand, in the reaction of the formula (2), the amide bond is hydrolyzed by the water generated by the dehydration reaction and the water dissolved in the polyamic acid solution to produce a dicarboxylic acid, and further, an acid anhydride is produced by heating. The side reaction illustrated in the following formula (3) occurs.

この反応によって、ポリアミック酸は低分子化し、ポリイミド薄膜中に酸無水物の不純物が混入することになり、ポリイミド薄膜の絶縁耐圧等、薄膜の信頼性を損ねる原因となっていた。これは特に図１１（ａ)〜（ｃ)の素子において、膜厚方向の絶縁破壊といった不具合として現れる。
さらに、式(３)に示されるカルボン酸無水物存在下において、半導体材料が積層された場合、その界面においてカルボン酸無水物がドーパントとなり、半導体材料の特性を変化させる場合があり、これは電子素子特性の劣化の原因となっていた。
また、印刷法によるパターン形成により、ポリイミド材料層上に電子素子構成材料を塗布する場合、式(３)に示される様な副反応が生じると、塗工液の溶媒にポリアミック酸、酸無水物等が溶出し、素子特性・信頼性の劣化といった問題が生じていた。 As a result of this reaction, polyamic acid has a low molecular weight, and impurities of acid anhydride are mixed in the polyimide thin film, which has been a cause of impairing the thin film reliability such as the dielectric breakdown voltage of the polyimide thin film. This particularly appears as a defect such as dielectric breakdown in the film thickness direction in the elements shown in FIGS.
Furthermore, when a semiconductor material is laminated in the presence of a carboxylic acid anhydride represented by the formula (3), the carboxylic acid anhydride may become a dopant at the interface, which may change the characteristics of the semiconductor material. It was a cause of deterioration of device characteristics.
In addition, when an electronic device constituent material is applied on a polyimide material layer by pattern formation by a printing method, if a side reaction as shown in Formula (3) occurs, polyamic acid or acid anhydride is used as a solvent for the coating solution. And the like were eluted, resulting in problems such as deterioration of device characteristics and reliability.

したがって本発明の目的は、十分な信頼性および電子素子特性が得られ、低コストかつ容易に微細なパターンの形成が可能となる電子素子、その製造方法を提供することである。 Accordingly, an object of the present invention is to provide an electronic device that can obtain sufficient reliability and electronic device characteristics, and that can easily form a fine pattern at low cost, and a method for manufacturing the same.

請求項１の発明は、ポリイミド材料を絶縁材料として有する電子素子が電界効果型トランジスタであって、前記ポリイミド材料のイミド化率が８０％以上、及び前記ポリイミド材料中に残存するジカルボン酸無水物が３％以下であり、かつ前記ポリイミド材料の層表面が、エネルギー付与により形成された臨界表面張力の大きな高表面エネルギー部と、臨界表面張力の小さな低表面エネルギー部との二つの部位を有し、前記高表面エネルギー部の部位に導電層が形成されていることを特徴とする電子素子である。
請求項２の発明は、前記低表面エネルギー部の臨界表面張力と高表面エネルギー部の臨界表面張力との差が１０ｍＮ／ｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の電子素子である。
請求項３の発明は、前記低表面エネルギー部の臨界表面張力が、４０ｍＮ／ｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子素子である。
請求項４の発明は、前記ポリイミド材料の層が、少なくとも第一の材料および第二の材料を含むポリイミド組成物からなり、前記第一の材料が、前記第二の材料と比較してエネルギーの付与によって臨界表面張力が大きく変化する材料であり、前記第二の材料が、濡れ性変化以外の機能を有する材料であることを特徴とする請求項１に記載の電子素子。
請求項５の発明は、前記ポリイミド材料の層が、膜厚方向に対して材料の分布を有し、最表層部における前記第一の材料の濃度が前記第二の材料の濃度よりも高いことを特徴とする請求項４に記載の電子素子である。
請求項６の発明は、前記第一の材料が、側鎖に疎水性基を含むポリイミドであることを特徴とする請求項４または５に記載の電子素子である。
請求項７の発明は、ポリイミド材料を絶縁材料として有する絶縁層を備えた電子素子の製造方法において、前記ポリイミド材料のイミド化率が８０％以上であり、かつ前記ポリイミド材料中に残存するジカルボン酸無水物が３％以下であり、前記絶縁層は、エネルギー付与により臨界表面張力が変化するものであり、より臨界表面張力の大きな高表面エネルギー部と、より臨界表面張力の小さな低表面エネルギー部との二つの部位を有し、ポリイミド材料の前駆体を塗布し湿度１％以下の低湿度環境下で加熱することにより形成され、前記高表面エネルギー部の部位に導電層を形成することを特徴とする電子素子の製造方法である。
請求項８の発明は、臨界表面張力を変化させるエネルギーの付与が、紫外線照射であることを特徴とする請求項７に記載の電子素子の製造方法である。
請求項９の発明は、前記導電層を形成する方法が、インクジェット法であることを特徴とする請求項７に記載の電子素子の製造方法である。
なお、本発明によれば、（１）ポリイミド材料を絶縁材料として有する電子素子において、前記ポリイミド材料のイミド化率が８０％以上であり、かつ前記ポリイミド材料中に残存するジカルボン酸無水物が３％以下であり、ポリイミド材料層と半導体材料層とを積層して構成されている電子素子、（２）ポリイミド材料を絶縁材料として有する電子素子において、前記ポリイミド材料のイミド化率が８０％以上であり、かつ前記ポリイミド材料中に残存するジカルボン酸無水物が３％以下であり、ポリイミド材料層上に塗布成膜可能な材料を成膜して構成されている電子素子、（３）前記請求項１〜６のいずれかに記載の電子素子を用いた表示装置、（４）前記請求項１〜６のいずれかに記載の電子素子を用いた演算装置を提供することができる。 In the invention of claim 1, the electronic element having a polyimide material as an insulating material is a field effect transistor, and the imidization ratio of the polyimide material is 80% or more, and the dicarboxylic anhydride remaining in the polyimide material is 3% or less, and the surface of the layer of the polyimide material has two parts, a high surface energy part with a large critical surface tension formed by applying energy and a low surface energy part with a small critical surface tension, The electronic device is characterized in that a conductive layer is formed at a site of the high surface energy portion .
The invention of claim 2 is the electronic device according to claim 1, wherein the difference between the critical surface tension of the critical surface tension and a high surface energy portion of the low surface energy part is 10 mN / m or more .
The invention according to claim 3 is the electronic device according to claim 1 or 2 , wherein the low surface energy portion has a critical surface tension of 40 mN / m or less.
According to a fourth aspect of the present invention, the polyimide material layer is made of a polyimide composition including at least a first material and a second material, and the first material has energy higher than that of the second material. provided by a material that critical surface tension is changed greatly, the electronic device according to claim 1, wherein said second material, characterized in that it is a material having a function other than the wettability changing.
According to a fifth aspect of the present invention, the polyimide material layer has a material distribution in the film thickness direction, and the concentration of the first material in the outermost layer is higher than the concentration of the second material. The electronic device according to claim 4 .
The invention according to claim 6 is the electronic device according to claim 4 or 5 , wherein the first material is polyimide including a hydrophobic group in a side chain.
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electronic device including an insulating layer having a polyimide material as an insulating material, wherein the imidization ratio of the polyimide material is 80% or more and the dicarboxylic acid remaining in the polyimide material Anhydride is 3% or less, and the insulating layer has a critical surface tension that changes due to energy application, a high surface energy part having a larger critical surface tension, and a low surface energy part having a smaller critical surface tension. And a conductive layer is formed on the high surface energy part. The conductive layer is formed by applying a polyimide material precursor and heating in a low humidity environment with a humidity of 1% or less. This is a method for manufacturing an electronic device.
The invention according to claim 8 is the method of manufacturing an electronic device according to claim 7 , wherein the energy application for changing the critical surface tension is ultraviolet irradiation.
The invention according to claim 9 is the method for manufacturing an electronic element according to claim 7 , wherein the method for forming the conductive layer is an ink jet method.
According to the present invention, (1) in an electronic device having a polyimide material as an insulating material, the imidization ratio of the polyimide material is 80% or more, and 3 dicarboxylic anhydrides remain in the polyimide material. %, And an electronic element formed by laminating a polyimide material layer and a semiconductor material layer, and (2) an electronic element having a polyimide material as an insulating material, the imidization ratio of the polyimide material is 80% or more. And an electronic device having a dicarboxylic anhydride remaining in the polyimide material of 3% or less and formed by coating a material capable of being coated on the polyimide material layer, (3) A display device using the electronic device according to any one of claims 1 to 6, and (4) an arithmetic device using the electronic device according to any one of claims 1 to 6. Kill.

本発明によれば、十分な信頼性および電子素子特性が得られ、低コストかつ容易に微細なパターンの形成が可能となる電子素子、その製造方法が提供される。 According to the present invention, sufficient reliability and the electronic element characteristics can be obtained, the electronic device forming a low-cost and easy fine pattern becomes possible, its manufacturing method is provide.

本発明の電子素子は、ポリイミド材料を絶縁材料とし、前記ポリイミド材料のイミド化率が８０％以上であり、かつ前記ポリイミド材料中に残存するジカルボン酸無水物が３％以下であることを特徴としている。これにより、高抵抗かつ良好な耐絶縁性を有する、高い信頼性を提供する電子素子が得られる。 The electronic device of the present invention is characterized in that a polyimide material is used as an insulating material, the imidization ratio of the polyimide material is 80% or more, and the dicarboxylic anhydride remaining in the polyimide material is 3% or less. Yes. As a result, an electronic device that has high resistance and good insulation resistance and that provides high reliability can be obtained.

本発明において、イミド化率は、Ar、N₂等のガス中における熱走査IR分析において、1360cm^−１又は1720cm⁻¹付近のイミド環に基づくピーク強度変化により得ることができる。具体的には、まず、ポリイミド材料を常温にてIR分析を行い、この時のイミド環に基づくピーク強度をｘとする。その後ポリイミド材料を、このピーク強度が変化しなくなるまで昇温する。そのときのピーク強度をｙとする。この時、100x／ｙの値が80以上であればイミド化率が80％以上とみなす。このときの昇温速度は5℃／min.以下が好ましい。さらに好ましくは１℃／min.以下である。本発明では、イミド化率が望ましくは90％以上である。 In the present invention, the imidization ratio, Ar, in the thermal scanning IR analysis in gas such as N _2, may be obtained by the peak intensity changes based on the imide ring around 1360 cm ^-1 or 1720 cm ^-1. Specifically, first, IR analysis is performed on the polyimide material at room temperature, and the peak intensity based on the imide ring at this time is defined as x. Thereafter, the temperature of the polyimide material is increased until the peak intensity does not change. The peak intensity at that time is y. At this time, if the value of 100x / y is 80 or more, the imidization rate is regarded as 80% or more. The temperature rising rate at this time is preferably 5 ° C./min. Or less. More preferably, it is 1 degrees C / min. Or less. In the present invention, the imidization rate is desirably 90% or more.

ジカルボン酸無水物は、1850cm⁻¹付近にピークを有し、ピーク強度ｘに対しこのピーク強度が３％以下であれば、ポリイミド材料中に残存するジカルボン酸無水物が３％以下とみなす。このジカルボン酸無水物の存在比を小さくする方法の一つとして、ポリイミド材料を高温で加熱する方法が挙げられる。例えば、加熱温度は２００〜３５０℃である。これにより、式(２)のイミド化反応が促進されるだけでなく、ジカルボン酸無水物が熱分解により消失する場合があるためである。
また、XPSによる評価方法も可能である。XPSでジカルボン酸無水物を評価する場合、イミド環とのピーク強度比は、IRスペクトルの強度比とは異なるため、予め検量線を作成することが必要となる。また、薄膜表面近傍の評価となるが、検出感度は一般にIRよりも高い。
本発明におけるポリイミド材料は、電子素子内部に用いられる他、絶縁性基板として用いることも可能である。絶縁性基板として用いることで、高信頼性の基板を得ることが可能となる。 The dicarboxylic acid anhydride has a peak in the vicinity of 1850 cm ⁻¹ , and if the peak intensity is 3% or less with respect to the peak intensity x, the dicarboxylic acid anhydride remaining in the polyimide material is regarded as 3% or less. One method for reducing the abundance ratio of the dicarboxylic acid anhydride is to heat the polyimide material at a high temperature. For example, the heating temperature is 200 to 350 ° C. This is because not only the imidization reaction of the formula (2) is promoted, but the dicarboxylic acid anhydride may disappear due to thermal decomposition.
An evaluation method using XPS is also possible. When evaluating the dicarboxylic acid anhydride by XPS, the peak intensity ratio with the imide ring is different from the intensity ratio of the IR spectrum, and therefore it is necessary to prepare a calibration curve in advance. Moreover, although it becomes evaluation near the surface of a thin film, detection sensitivity is generally higher than IR.
The polyimide material in the present invention can be used as an insulating substrate in addition to being used inside an electronic element. By using it as an insulating substrate, a highly reliable substrate can be obtained.

本発明の好適な形態によれば、電子素子が、ポリイミド材料層と半導体材料層とを積層して構成されている。このため、良好な電子素子特性が得られる。これは、ポリイミド材料のイミド化率が向上することで高抵抗化が実現され、さらに半導体材料と積層される場合、式(３)に示されるジカルボン酸無水物が半導体材料のドーパントなることがないためである。 According to a preferred embodiment of the present invention, the electronic element is configured by laminating a polyimide material layer and a semiconductor material layer. For this reason, good electronic element characteristics can be obtained. This is because high resistance is realized by improving the imidization ratio of the polyimide material, and further, when laminated with a semiconductor material, the dicarboxylic acid anhydride represented by the formula (3) does not become a dopant of the semiconductor material. Because.

また本発明の好適な形態によれば、電子素子が、ポリイミド材料層上に塗布成膜可能な材料を成膜して構成されている。このため、電子素子作製において、安価な印刷法による製造設備を用いることが可能となり、電子素子の低コスト化が実現可能となる。また、ポリアミック酸等の低分子化合物が、ポリイミド材料層中に残存していないため、塗布成膜可能な材料の塗工液が、ポリイミド材料層の表面に付着した際に、ポリアミック酸等の低分子化合物と接触することがないため、良好な電子素子特性が実現可能となる。
本発明において、塗布成膜可能な材料としては、導電性材料、半導体材料、絶縁材料が挙げられる。
導電性材料としては、クロム（Ｃｒ）、Ｔａ（タンタル）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）等の金属、或いは、（１）ポリアセチレン系導電性高分子、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体等のポリフェニレン系導電性高分子、（２）ポリピロール及びその誘導体、ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)およびその誘導体、ポリフラン及びその誘導体等の複素環系導電性高分子、並びに、（３）ポリアニリン及びその誘導体等のイオン性導電性高分子よりなる群から選ばれる少なくとも１種の導電性高分子を溶媒に分散又は溶解した塗工液が用いられる。また、これら導電性高分子は、適当なドーパントをドーピングすることにより導電率を高くして用いてもよい。ドーピングに用いられるドーパントとしては、ポリスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸（PSS）、ナフタレンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸などの蒸気圧の低いものを用いるのが好ましい。 According to a preferred embodiment of the present invention, the electronic element is configured by depositing a material that can be applied and formed on the polyimide material layer. For this reason, it becomes possible to use a manufacturing facility by an inexpensive printing method in manufacturing the electronic device, and it is possible to realize cost reduction of the electronic device. In addition, since a low molecular compound such as polyamic acid does not remain in the polyimide material layer, when a coating liquid of a material that can be applied and deposited adheres to the surface of the polyimide material layer, a low molecular compound such as polyamic acid is used. Since it does not come into contact with the molecular compound, good electronic device characteristics can be realized.
In the present invention, examples of materials that can be applied and formed include conductive materials, semiconductor materials, and insulating materials.
Examples of conductive materials include chromium (Cr), Ta (tantalum), titanium (Ti), copper (Cu), aluminum (Al), molybdenum (Mo), tungsten (W), nickel (Ni), and gold (Au). Metal such as palladium (Pd), platinum (Pt), silver (Ag), tin (Sn), or (1) polyacetylene-based conductive polymer, polyparaphenylene and its derivatives, polyphenylene vinylene and its derivatives, etc. Polyphenylene conductive polymer, (2) polypyrrole and derivatives thereof, polythiophene, polyethylenedioxythiophene (PEDOT) and derivatives thereof, heterocyclic conductive polymers such as polyfuran and derivatives thereof, and (3) polyaniline and derivatives thereof Dissolve in a solvent at least one conductive polymer selected from the group consisting of ionic conductive polymers such as derivatives. Or dissolved coating solution is used. In addition, these conductive polymers may be used by increasing the conductivity by doping an appropriate dopant. As the dopant used for doping, it is preferable to use a dopant having a low vapor pressure such as polysulfonic acid, polystyrene sulfonic acid (PSS), naphthalene sulfonic acid, and alkyl naphthalene sulfonic acid.

本発明で用いられる半導体材料としては、CdS等の無機半導体材料、フルオレン、ポリフルオレン誘導体、ポリフルオレノン、フルオレノン誘導体及び、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチルグルタメート誘導体、ポリビニルフェナントレン誘導体、ポリシラン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、モノアリールアミン、トリアリールアミン誘導体等のアリールアミン誘導体、ベンジジン誘導体、ジアリールメタン誘導体、トリアリールメタン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、ジビニルベンゼン誘導体、ヒドラゾン誘導体、インデン誘導体、インデノン誘導体、ブタジエン誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド、ポリビニルピレン等のピレン誘導体、α−フェニルスチルベン誘導体、ビススチルベン誘導体等のスチルベン誘導体、エナミン誘導体、ポリアルキルチオフェン等のチオフェン誘導体よりなる群から選ばれる少なくとも１種の有機半導体材料、或いは、ペンタセン、テトラセン、ビスアゾ、トリスアゾ系色素、ポリアゾ系色素、トリアリールメタン系色素、チアジン系色素、オキサジン系色素、キサンテン系色素、シアニン系色素、スチリル系色素、ピリリウム系色素、キナクリドン系色素、インジゴ系色素、ペリレン系色素、多環キノン系色素、ビスベンズイミダゾール系色素、インダンスロン系色素、スクアリリウム系色素、アントラキノン系色素、及び、銅フタロシアニン、チタニルフタロシアニン等のフタロシアニン系色素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の有機半導体材料を溶媒に分散又は溶解した塗工液が用いられる。 Examples of the semiconductor material used in the present invention include inorganic semiconductor materials such as CdS, fluorene, polyfluorene derivatives, polyfluorenone, fluorenone derivatives, poly-N-vinylcarbazole derivatives, poly-γ-carbazolylethyl glutamate derivatives, polyvinyl Phenanthrene derivatives, polysilane derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, arylamine derivatives such as monoarylamines, triarylamine derivatives, benzidine derivatives, diarylmethane derivatives, triarylmethane derivatives, styrylanthracene derivatives, pyrazoline derivatives, Pyrene derivatives such as divinylbenzene derivatives, hydrazone derivatives, indene derivatives, indenone derivatives, butadiene derivatives, pyrene-formaldehyde, polyvinylpyrene , Stilbene derivatives such as α-phenylstilbene derivatives and bisstilbene derivatives, at least one organic semiconductor material selected from the group consisting of thiophene derivatives such as enamine derivatives and polyalkylthiophenes, or pentacene, tetracene, bisazo, trisazo Dyes, polyazo dyes, triarylmethane dyes, thiazine dyes, oxazine dyes, xanthene dyes, cyanine dyes, styryl dyes, pyrylium dyes, quinacridone dyes, indigo dyes, perylene dyes, polycyclic At least one selected from the group consisting of quinone dyes, bisbenzimidazole dyes, indanthrone dyes, squarylium dyes, anthraquinone dyes, and phthalocyanine dyes such as copper phthalocyanine and titanyl phthalocyanine The machine semiconductor material dispersed or dissolved in a solvent coating solution is used.

本発明で用いられる絶縁性材料としては、ポリイミド樹脂、スチレン樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン、塩化ビニル系樹脂、ポリエステルアルキド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ジアリルフタレート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、PFA、PTFE、PVDF 等のフッ素系樹脂、パリレン樹脂、エポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等の光硬化性樹脂、及び一般式Ｍ（ＯＲ）ｎ、又は、ＭＲ（ＯＲ’）n-1 ［式中、Ｒ、Ｒ’は、アルキル基、フェニル基等の有機基であり、Ｍは、周期表のＩＶＡ〜ＶＩＩＡ族、ＶＩＩＩ族又はＩＢ〜ＶＩＢ族に属する金属であり、nは整数である。］で示される金属アルコキシドを溶媒に溶解又は分散した塗工液が用いられる。 Insulating materials used in the present invention include polyimide resin, styrene resin, polyethylene resin, polypropylene, vinyl chloride resin, polyester alkyd resin, polyamide, polyurethane, polycarbonate, polyarylate, polysulfone, diallyl phthalate resin, polyvinyl butyral resin. Photo-curing of polyether resins, polyester resins, acrylic resins, silicone resins, epoxy resins, phenolic resins, urea resins, melamine resins, PFA, PTFE, PVDF and other fluororesins, parylene resins, epoxy acrylates, urethane acrylates, etc. Resin, and general formula M (OR) n or MR (OR ') n-1 [wherein R and R' are organic groups such as an alkyl group and a phenyl group; Group IVA to VIIA, Group VIII or IB to VIB A metal belonging to, n is an integer. ] The coating liquid which melt | dissolved or disperse | distributed the metal alkoxide shown by a solvent is used.

また本発明の好適な形態によれば、電子素子が、電界効果型トランジスタである。このため、電子素子作製において、安価な印刷法による製造設備を用いることが可能となり、電子素子の低コスト化が実現可能となる。また、本発明におけるポリイミド材料をゲート絶縁膜として使用すれば、高抵抗、高信頼性、かつ良好な電気特性の電界効果型トランジスタを得ることが可能となる。 According to a preferred embodiment of the present invention, the electronic element is a field effect transistor. For this reason, it becomes possible to use a manufacturing facility by an inexpensive printing method in manufacturing the electronic device, and it is possible to realize cost reduction of the electronic device. If the polyimide material in the present invention is used as a gate insulating film, a field effect transistor having high resistance, high reliability, and good electrical characteristics can be obtained.

また本発明の好適な形態によれば、前記の電界効果型トランジスタにおいて、ポリイミド材料層の表面が、エネルギー付与により臨界表面張力が変化したものであり、より臨界表面張力の大きな高表面エネルギー部と、より臨界表面張力の小さな低表面エネルギー部との二つの部位を有し、前記高表面エネルギー部の部位に導電層が形成されているものである。
このため、導電層が高表面エネルギー部位に容易に付着し、安価な印刷法による製造設備を用いつつ、微細な電極パターンを簡便に形成可能であるため、高い動作周波数のトランジスタを低コストで作製可能となる。また、低表面エネルギー部の部位に半導体材料層、とくに有機半導体材料層を形成すれば、良好な界面を形成することができ、とくに好ましい。 According to a preferred embodiment of the present invention, in the field effect transistor described above, the surface of the polyimide material layer has a critical surface tension changed by energy application, and a high surface energy portion having a larger critical surface tension, The low surface energy part has a smaller critical surface tension and a conductive layer is formed at the high surface energy part.
For this reason, the conductive layer easily adheres to the high surface energy site, and it is possible to easily form fine electrode patterns while using low-cost printing equipment, so that high operating frequency transistors can be manufactured at low cost. It becomes possible. In addition, it is particularly preferable to form a semiconductor material layer, particularly an organic semiconductor material layer, at a low surface energy portion, because a good interface can be formed.

また本発明の好適な形態によれば、低表面エネルギー部の臨界表面張力と高表面エネルギー部の臨界表面張力との差が10ｍＮ／ｍ以上である。
高表面エネルギー部と低表面エネルギー部とのパターン形状に従って導電性材料を含有する液体を親液性である高表面エネルギー部にのみ確実に付着させ、導電層を形成するためには、表面エネルギー差が大きいことが必要であるが、この差を10ｍＮ／ｍ以上とすることにより、確実に電子素子構成材料を含有した液体を、ポリイミド材料層上に付着させることができる。 According to a preferred embodiment of the present invention, the difference between the critical surface tension of the low surface energy part and the critical surface tension of the high surface energy part is 10 mN / m or more.
In order to ensure that the liquid containing the conductive material adheres only to the high surface energy part that is lyophilic according to the pattern shape of the high surface energy part and the low surface energy part, and to form a conductive layer, the surface energy difference However, when the difference is set to 10 mN / m or more, the liquid containing the electronic element constituent material can be reliably attached onto the polyimide material layer.

本発明における臨界表面張力は以下の様に定義される。
図１は固体11表面上で液滴12が接触角θで平衡状態にある時の模式図で、ヤングの式（４）が成立する。
γ_S＝γ_SL＋γ_L・cosθ （４）
ここでγ_Sは固体の表面張力、γ_SLは固体と液体の界面張力、γ_Lは液体の表面張力である。表面張力は表面エネルギーと実質的に同義であり、全く同じ値となる。cosθ=1の時、θ=0°となり液体は完全に濡れる。この時のγ_Lの値はγ_S −γ_SLとなり、これをその固体の臨界表面張力γ_Cと呼ぶ。γ_Cは表面張力のわかっている何種類かの液体を用いて、液体の表面張力と接触角の関係をプロットし、θ=0°（ cosθ=1）となる表面張力を求めることにより容易に決定できる（Zismanプロット）。γ_Cの大きい固体表面には液体が濡れやすく（親液性）、γ_Cの小さい固体表面には液体が濡れにくい（疎液性）。 The critical surface tension in the present invention is defined as follows.
FIG. 1 is a schematic diagram when the droplet 12 is in an equilibrium state at the contact angle θ on the surface of the solid 11, and Young's formula (4) is established.
γ _S = γ _SL + γ _L · cos θ (4)
Here, γ _S is the surface tension of the solid, γ _SL is the interface tension between the solid and the liquid, and γ _L is the surface tension of the liquid. The surface tension is substantially synonymous with the surface energy and has exactly the same value. When cos θ = 1, θ = 0 ° and the liquid gets completely wet. The value of γ _L at this time is γ _S −γ _SL , which is called the critical surface tension γ _{C of the} solid. γ _C can be easily obtained by plotting the relationship between the liquid surface tension and the contact angle using several types of liquids with known surface tensions, and obtaining the surface tension at which θ = 0 (cos θ = 1). Can be determined (Zisman plot). Liquids are easy to wet on solid surfaces with large γ _C (lyophilic), and liquids are difficult to wet on solid surfaces with small γ _C (lyophobic).

表１はガラス基板上に成膜した各々の材料の、低表面エネルギー部の臨界表面張力と高表面エネルギー部の臨界表面張力との差（Δγｃ）、並びにポリアニリン（水溶液系導電性高分子）の選択付着性を評価したものである。選択付着性はエネルギー付与部と未付与部とからなるパターンの境界を含むエリアにポリアニリン水溶液を滴下し、余分の溶液を除去した後に未付与部に対するポリアニリンの付着（パターン不良）の有無を観察した。なお、表１において、材料Ａはポリビニルフェノールであり、Ｂはポリイミドであり、Ｃは含フッ素アクリレートポリマーであり、Ｄは側鎖に疎水性基を有するポリイミドである。 Table 1 shows the difference (Δγc) between the critical surface tension of the low surface energy part and the critical surface tension of the high surface energy part of each material deposited on the glass substrate, and the polyaniline (aqueous conductive polymer). This is an evaluation of selective adhesion. For selective adhesion, an aqueous polyaniline solution was dropped onto an area including a pattern boundary composed of an energy imparted portion and an unapplied portion, and after removing the excess solution, the presence or absence of polyaniline on the unapplied portion (pattern defect) was observed. . In Table 1, material A is polyvinylphenol, B is polyimide, C is a fluorine-containing acrylate polymer, and D is polyimide having a hydrophobic group in the side chain.

よってΔγｃは１０ｍＮ／ｍ以上であることが望ましく、１５ｍＮ／ｍ以上であることがさらに望ましいことが判る。 Therefore, it is understood that Δγc is desirably 10 mN / m or more, and more desirably 15 mN / m or more.

また本発明において、低表面エネルギー部の臨界表面張力は、４０ｍＮ／ｍ以下であるのが好ましい。このため、高い移動度の半導体材料が得られ、かつ導電性材料のパターン不良を抑えることが可能なる。FET特性における移動度は、半導体材料を成膜する絶縁材料表面の臨界表面張力に依存し、この値が４０ｍＮ／ｍを超えると急激に減少する傾向にある。図２は、臨界表面張力（ｍＮ／ｍ）と移動量（ｃｍ^２／Ｖｓ）の関係を示す図である。Ａ〜Ｆのそれぞれ異なる臨界表面張力を有する6種類の材料を用い、前記関係を調べた。従って、低表面エネルギー部の臨界表面張力を４０ｍＮ／ｍ以下とすることで、高い移動度が得られ素子に大きな電流を流すことが可能となる。 In the present invention, the critical surface tension of the low surface energy part is preferably 40 mN / m or less. For this reason, a semiconductor material with high mobility can be obtained, and pattern defects of the conductive material can be suppressed. Mobility in FET characteristics depends on the critical surface tension of the surface of the insulating material on which the semiconductor material is deposited, and tends to decrease rapidly when this value exceeds 40 mN / m. FIG. 2 is a graph showing the relationship between the critical surface tension (mN / m) and the movement amount (cm ² / Vs). The relationship was examined using six types of materials having different critical surface tensions A to F. Therefore, by setting the critical surface tension of the low surface energy part to 40 mN / m or less, high mobility can be obtained and a large current can be passed through the device.

また本発明の好適な形態によれば、ポリイミド材料層が、少なくとも第一の材料および第二の材料を含むポリイミド組成物からなり、前記第一の材料が、前記第二の材料と比較してエネルギーの付与によって臨界表面張力が大きく変化する材料であり、前記第二の材料が、濡れ性変化以外の機能を有する材料である。このため、ポリイミド材料層に表面張力変化以外の機能を持たせることが可能となる。例えば、第一の材料として濡れ性変化は大きいが絶縁機能に問題がある材料を用いる場合、第二の材料として電気絶縁性に優れた材料を採用することで所望の機能を発現することができる。前記例において、電気絶縁性に優れた第二の材料とエネルギーの付与によって臨界表面張力が大きく変化する第一の材料の組成割合は、後者／前者として、例えば質量比で５０／５０〜９９／１である。第一の材料の質量比が増加するにつれ電気絶縁性が低くなり電子素子の絶縁層としては不向きとなる。一方で第二の材料の質量比が増すと濡れ性変化が小さくなるため、導電層のパターニングが良好でなくなる。それゆえ両者の混合比は望ましくは６０／４０〜９５／５、更に望ましくは７０／３０〜９５／５である。なお、第一の材料が下記で説明する側鎖に疎水性基を含むポリイミドである場合、第二の材料としては、下記化１０のように側鎖を持たないポリイミド等が挙げられる。 According to a preferred embodiment of the present invention, the polyimide material layer is composed of a polyimide composition including at least a first material and a second material, and the first material is compared with the second material. It is a material whose critical surface tension is greatly changed by application of energy, and the second material is a material having a function other than a change in wettability. For this reason, it becomes possible to give functions other than a surface tension change to a polyimide material layer. For example, when using a material that has a large change in wettability as the first material but has a problem with the insulation function, a desired function can be exhibited by adopting a material with excellent electrical insulation as the second material. . In the above example, the composition ratio of the second material excellent in electrical insulation and the first material whose critical surface tension is greatly changed by applying energy is, for example, 50/50 to 99 / mass as the latter / former. 1. As the mass ratio of the first material increases, the electrical insulation becomes lower, making it unsuitable as an insulating layer for electronic devices. On the other hand, when the mass ratio of the second material is increased, the wettability change is reduced, so that the patterning of the conductive layer is not good. Therefore, the mixing ratio of the two is preferably 60/40 to 95/5, and more preferably 70/30 to 95/5. When the first material is a polyimide containing a hydrophobic group in the side chain described below, examples of the second material include a polyimide having no side chain as shown in Chemical formula 10 below.

図３は、少なくとも第一の材料および第二の材料を含むポリイミド組成物からなるポリイミド材料層の断面図である。ポリイミド材料層における第一の材料および第二の材料の存在形態はとくに制限されないが、例えば図３の形態では、基板２１上に、ポリイミド組成物の層２００が設けられ、層２００に含まれる第一の材料２３１および第二の材料２２１が海島構造となっている。 FIG. 3 is a cross-sectional view of a polyimide material layer made of a polyimide composition containing at least a first material and a second material. The presence form of the first material and the second material in the polyimide material layer is not particularly limited. For example, in the form of FIG. 3, a polyimide composition layer 200 is provided on the substrate 21, and the first material contained in the layer 200 is the first material. The one material 231 and the second material 221 have a sea-island structure.

また本発明の好適な形態によれば、電子素子におけるポリイミド材料層が、膜厚方向に対して材料の分布を有し、最表層部における第一の材料の濃度が第二の材料の濃度よりも高いものである。本発明においてさらに望ましくは、最表層部における第一の材料濃度は100％に近いことが好ましい。このため、濡れ性変化機能を確実に発現可能となる。図４（ａ)〜（ｅ）は、膜厚方向に材料の分布を有する、第一の材料および第二の材料を含むポリイミド組成物からなるポリイミド材料層の断面図である。
図４（ａ）のような構造は、基板２１上に、第二の材料２２１からなる層２２を作製した後に第一の材料２３１からなる層２３を順次積層して作製することが可能である。作製方法としては、真空蒸着などの真空プロセスを用いることも可能であるし、溶剤を用いた塗布プロセスを使用することも可能である。
図４（ｂ）のような、第一の材料２３１が表層部に向かって濃度が増加し、第二の材料２２１が表層部に向かって濃度が減少する構造を得るためのプロセスとしては、第一の材料２３１と第二の材料２２１を混合した溶液を基板２１上に塗布、乾燥する方法が挙げられる。これは第一の材料２３１の極性が第二の材料２２１と比較して小さい場合、又は第一の材料２３１の分子量が小さい場合などでは、乾燥時に溶媒が蒸発するまでの間に第一の材料２３１が表面側に移行し層を形成する。なおこのような塗布プロセスを用いた場合は、第一の材料からなる層と第二の材料からなる層は、界面によって明確に分離されない場合が多いが、本発明においては、最表層部における第一の材料濃度が第二の材料濃度よりも高ければ適用可能である。また図４（ｃ)〜（ｅ）に示されるような、第一の材料２３１の分布が局在化しているものも、本発明に適用可能である。また、例えば第一の材料が３種類以上の材料からなる場合は、３層以上の積層構造からなっていても構わないし、層構造を持たずに膜厚方向に対して所定の濃度分布で材料が混在していてもよい。 According to a preferred embodiment of the present invention, the polyimide material layer in the electronic device has a material distribution in the film thickness direction, and the concentration of the first material in the outermost layer portion is higher than the concentration of the second material. Is also expensive. More desirably in the present invention, the first material concentration in the outermost layer is preferably close to 100%. For this reason, the wettability changing function can be surely expressed. 4A to 4E are cross-sectional views of a polyimide material layer made of a polyimide composition including a first material and a second material, having a material distribution in the film thickness direction.
The structure as shown in FIG. 4A can be produced by sequentially laminating the layer 23 made of the first material 231 on the substrate 21 after making the layer 22 made of the second material 221. . As a manufacturing method, a vacuum process such as vacuum vapor deposition can be used, or a coating process using a solvent can be used.
As a process for obtaining a structure in which the concentration of the first material 231 increases toward the surface layer portion and the concentration of the second material 221 decreases toward the surface layer portion as shown in FIG. A method in which a solution in which the first material 231 and the second material 221 are mixed is applied onto the substrate 21 and dried. This is because when the polarity of the first material 231 is smaller than that of the second material 221, or when the molecular weight of the first material 231 is small, the first material 231 is evaporated before the solvent evaporates during drying. 231 moves to the surface side and forms a layer. When such a coating process is used, the layer made of the first material and the layer made of the second material are often not clearly separated by the interface. Applicable if one material concentration is higher than the second material concentration. Further, the one in which the distribution of the first material 231 is localized as shown in FIGS. 4C to 4E is also applicable to the present invention. For example, when the first material is made of three or more kinds of materials, the first material may have a laminated structure of three or more layers, and the material has a predetermined concentration distribution in the film thickness direction without having the layer structure. May be mixed.

また本発明では、第一の材料が、側鎖に疎水性基を含むポリイミドであることが好ましい。この形態によれば、エネルギーの付与によってはっ水部と親水部の差が大きくなるため、確実に電子素子構成材料を含有した液体を、ポリイミド材料層上に付着させることができる。
側鎖に疎水性基を含むポリイミドは、例えば、下記概念的構造式に示すように、ポリイミドや（メタ）アクリレート等の骨格を有する主鎖Ｌに直接或いは図示しない結合基を介して疎水性基を有する側鎖Ｒが結合しているものを挙げることができる。 In the present invention, the first material is preferably polyimide containing a hydrophobic group in the side chain. According to this embodiment, since the difference between the water repellent part and the hydrophilic part is increased by the application of energy, the liquid containing the electronic element constituent material can be reliably attached onto the polyimide material layer.
The polyimide containing a hydrophobic group in the side chain is, for example, a hydrophobic group directly or via a bonding group (not shown) on the main chain L having a skeleton such as polyimide or (meth) acrylate, as shown in the following conceptual structural formula. And a side chain R having a bond.

疎水性基としては、末端構造が−ＣＦ₂ＣＨ₃、−ＣＦ₂ＣＦ₃、−ＣＦ(ＣＦ₃)₂、−Ｃ(ＣＦ₃)₃、−ＣＦ₂Ｈ、−ＣＦＨ₂等である基が挙げられる。分子鎖同士を配向しやすくするためには炭素鎖長の長い基が好ましく、炭素数４以上のものがより好ましい。さらには、アルキル基の水素原子の２個以上がフッ素原子に置換されたポリフルオロアルキル基（以下、「Ｒｆ基」と記す。）が好ましく、特に炭素数４〜２０のＲｆ基が好ましく、とりわけ、炭素数６〜１２のＲｆ基が好ましい。Ｒｆ基は直鎖構造であっても分岐構造であってもよいが、直鎖構造の方が好ましい。さらに、疎水性基は、アルキル基の水素原子の実質的に全てがフッ素原子に置換されたパーフルオロアルキル基が好ましい。パーフルオロアルキル基はＣ_nＦ_2n+1−（ただし、ｎは４〜１６の整数）で表わされる基が好ましく、特に、ｎが６〜１２の整数である場合の該基が好ましい。パーフルオロアルキル基は直鎖構造であっても分岐構造であってもよく、直鎖構造が好ましい。 Examples of the hydrophobic group include groups having a terminal structure of —CF ₂ CH ₃ , —CF ₂ CF ₃ , —CF (CF ₃ ) ₂ , —C (CF ₃ ) ₃ , —CF ₂ H, —CFH _2, etc. Can be mentioned. In order to facilitate the orientation of molecular chains, a group having a long carbon chain length is preferable, and a group having 4 or more carbon atoms is more preferable. Furthermore, a polyfluoroalkyl group in which two or more of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms (hereinafter referred to as “Rf group”) is preferable, and an Rf group having 4 to 20 carbon atoms is particularly preferable. The Rf group having 6 to 12 carbon atoms is preferred. The Rf group may have a linear structure or a branched structure, but a linear structure is preferred. Further, the hydrophobic group is preferably a perfluoroalkyl group in which substantially all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms. The perfluoroalkyl group is preferably a group represented by C _n F _{2n + 1} — (where n is an integer of 4 to 16), particularly preferably when n is an integer of 6 to 12. The perfluoroalkyl group may have a linear structure or a branched structure, and a linear structure is preferred.

上記材料については特許第２７９６５７５号公報等に詳しく記載されて周知であり、加熱状態で液体又は固体と接触させたときに親液性となり、空気中で加熱すると疎液性となる性質を有する。即ち、（接触媒体の選択と）熱エネルギーの付与によって臨界表面張力を変化させることができる。 The above materials are well-known and described in detail in Japanese Patent No. 2796575 and have the property of becoming lyophilic when brought into contact with a liquid or solid in a heated state and becoming lyophobic when heated in air. That is, the critical surface tension can be changed by applying thermal energy (selecting the contact medium).

さらに、疎水性基としては、フッ素原子を含まない−ＣＨ₂ＣＨ₃、−ＣＨ(ＣＨ₃)₂、−Ｃ(ＣＨ₃)₃等の末端構造を有する基を挙げることができる。この場合にも、分子鎖同士を配向しやすくするためには炭素鎖長の長い基が好ましく、炭素数４以上のものがより好ましい。疎水性基は直鎖構造であっても分岐構造であってもよいが、直鎖構造の方が好ましい。上記アルキル基はハロゲン原子、シアノ基、フェニル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基又は炭素数１〜１２の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキル基やアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。Ｒの結合部位が多いほど表面エネルギーが低く（臨界表面張力が小さく）、疎液性となると考えられる。これがエネルギーの付与によって、結合の一部が切断される、或いは、配向状態が変化するために臨界表面張力が増加し、親液性になるものと推察される。 Furthermore, examples of the hydrophobic group include groups having a terminal structure such as —CH ₂ CH ₃ , —CH (CH ₃ ) ₂ , and —C (CH ₃ ) ₃ that do not contain a fluorine atom. Also in this case, in order to facilitate the orientation of molecular chains, a group having a long carbon chain length is preferable, and a group having 4 or more carbon atoms is more preferable. The hydrophobic group may have a linear structure or a branched structure, but a linear structure is preferred. The alkyl group may contain a halogen group, a cyano group, a phenyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, or a phenyl group substituted with a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an alkoxy group. Good. It is considered that the more R binding sites, the lower the surface energy (the smaller the critical surface tension) and the more lyophobic. It is presumed that, due to the application of energy, part of the bond is broken, or the orientation state changes, so that the critical surface tension increases and becomes lyophilic.

また、本発明で用いられる側鎖に疎水性基を有するポリイミドの疎水性基は、以下の式（５）から（９）で示される化学式の何れかを持つことも可能である。 Further, the hydrophobic group of the polyimide having a hydrophobic group in the side chain used in the present invention can have any one of chemical formulas represented by the following formulas (5) to (9).

式（５）において、Ｘは−ＣＨ₂−または−ＣＨ₂ＣＨ₂−であり、Ａ¹は１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンまたは１〜４個のフッ素で置換された１，４−フェニレンであり、Ａ²、Ａ³およびＡ⁴はそれぞれ独立して単結合、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンまたは１〜４個のフッ素で置換された１，４−フェニレンであり、Ｂ¹、Ｂ²、Ｂ³はそれぞれ独立して単結合または−ＣＨ₂ＣＨ₂−であり、Ｂ⁴は炭素数1〜１０までのアルキレンであり、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、およびＲ⁷はそれぞれ独立して炭素数が１〜１０までのアルキルであり、ｐは１以上の整数である。 In the formula (5), X is —CH ₂ — or —CH ₂ CH ₂ —, and A ¹ is 1,4-cyclohexylene, 1,4-phenylene, or 1,1 substituted with 1 to 4 fluorines. 1,4-phenylene which is 4-phenylene and each of A ² , A ³ and A ⁴ is independently a single bond, 1,4-cyclohexylene, 1,4-phenylene or 1 to 4 fluorines B ¹ , B ² and B ³ are each independently a single bond or —CH ₂ CH ₂ —, B ⁴ is alkylene having 1 to 10 carbon atoms, and R ³ , R ⁴ , R ⁵ , R ⁶ , and R ⁷ are each independently alkyl having 1 to 10 carbon atoms, and p is an integer of 1 or more.

式（６）において、Ｔ、ＵおよびＶはそれぞれ独立してベンゼン環またはシクロヘキサン環であり、これらの環上の任意のＨは炭素数１〜３のアルキル、炭素数１〜３のフッ素置換アルキル、Ｆ、ＣｌまたはＣＮで置換されていてもよく、ｍおよびｎはそれぞれ独立して０〜２の整数であり、ｈは０〜５の整数であり、ＲはＨ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮまたは１価の有機基であり、ｍが２の場合の２個のＵまたはｎが２の場合の２個のＶはそれぞれ同じでも異なっていても良い。 In the formula (6), T, U and V are each independently a benzene ring or a cyclohexane ring, and any H on these rings is alkyl having 1 to 3 carbon atoms or fluorine-substituted alkyl having 1 to 3 carbon atoms. , F, Cl or CN, m and n are each independently an integer from 0 to 2, h is an integer from 0 to 5, and R is H, F, Cl, CN or Two U in the case of a monovalent organic group and m being 2 or two V in the case where n is 2 may be the same or different.

式（７）において、連結基ＺはＣＨ_２、ＣＦＨ、ＣＦ_２、ＣＨ_２ＣＨ_２またはＣＦ_２Ｏであり、環Ｙは１，４−シクロへキシレンまたは１〜４個のＨがＦまたはＣＨ_３で置き換えられてもよい１，４−フェニレンであり、Ａ^１〜Ａ^３はそれぞれ独立して単結合、１，４−シクロへキシレンまたは１〜４個のＨがＦまたはＣＨ_３で置き換えられてもよい１，４−フェニレンであり、Ｂ^１〜Ｂ^３はそれぞれ独立して単結合、炭素数１〜４のアルキレン、酸素原子、炭素数１〜３のオキシアルキレンまたは炭素数１〜３のアルキレンオキシであり、ＲはＨ、任意のＣＨ_２がＣＦ_２で置き換えられてもよい炭素数１〜１０のアルキル、または１個のＣＨ_２がＣＦ_２で置き換えられてもよい炭素数１〜９のアルコキシもしくはアルコキシアルキルであり、ベンゼン環に対するアミノ基の結合位置は任意の位置である。但し、ＺがＣＨ_２である場合には、Ｂ^１〜Ｂ^３のすべてが同時に炭素数１〜４のアルキレンであることはなく、ＺがＣＨ_２ＣＨ_２であって、環Ｙが１，４−フェニレンである場合には、Ａ^１およびＡ^２がともに単結合であることはなく、またＺがＣＦ_２Ｏである場合には、環Ｙが１，４−シクロへキシレンであることはない。 In the formula (7), the linking group Z is CH ₂ , CFH, CF ₂ , CH ₂ CH ₂ or CF ₂ O, and the ring Y is 1,4-cyclohexylene or 1 to 4 Hs are F or CH. ¹ , 4-phenylene which may be replaced by ₃ , A ^{1 to} A ³ are each independently a single bond, 1,4-cyclohexylene or 1 to 4 H are replaced by F or CH ₃ 1,4-phenylene, and B ^{1 to} B ³ are each independently a single bond, alkylene having 1 to 4 carbon atoms, oxygen atom, oxyalkylene having 1 to 3 carbon atoms, or 1 to 3 carbon atoms. Alkyleneoxy, R is H, alkyl having 1 to 10 carbon atoms in which arbitrary CH ₂ may be replaced with CF ₂ , or carbon atoms having 1 to 9 carbon atoms in which one CH ₂ may be replaced with CF ₂ Of alkoxy or alkoxy Is alkyl, the bonding position of the amino group to the benzene ring is arbitrary position. However, when Z is CH ₂ , all of B ^{1 to} B ³ are not simultaneously alkylene having 1 to 4 carbon atoms, Z is CH ₂ CH ₂ , and ring Y is 1, 4 When it is -phenylene, both A ¹ and A ² are not a single bond, and when Z is CF ₂ O, ring Y is not 1,4-cyclohexylene. .

式(８)において、Ｒ2は水素原子または炭素数１〜１２のアルキル基であり、Ｚ₁はＣＨ₂基であり、ｍは０〜２であり、環Ａはベンゼン環またはシクロヘキサン環であり、ｌは０または１であり、各Ｙ₁は独立に酸素原子またはＣＨ₂基であり、各ｎ₁は独立に０または１である。 In the formula (8), R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, Z ₁ is a CH ₂ group, m is 0 to 2, ring A is a benzene ring or a cyclohexane ring, l is 0 or 1, each Y ₁ is independently an oxygen atom or a CH ₂ group, and each n ₁ is independently 0 or 1.

式(９)において、各Ｙ₂は独立に酸素原子またはＣＨ₂基であり、Ｒ3、Ｒ4は独立に水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基またはパーフルオロアルキル基であり、少なくとも一方は炭素数３以上のアルキル基、またはパーフルオロアルキル基であり、各ｎ₂は独立に０または１である。 In formula (9), each Y ₂ is independently an oxygen atom or a CH ₂ group, R 3 and R 4 are independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or a perfluoroalkyl group, at least one of which is carbon It is an alkyl group of several or more, or a perfluoroalkyl group, and each n ₂ is independently 0 or 1.

これらの材料についての詳細は、特開２００２−１６２６３０号、特開２００３−９６０３４号、特開２００３−２６７９８２号公報等に詳しく記載されている。またこれら疎水性基の主鎖骨格を構成するテトラカルボン酸二無水物については、脂肪族系、脂環式、芳香族系など種々の材料を用いることが可能である。具体的には、ピロメリット酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物などである。この他特開平１１−１９３３４５号、特開平１１−１９３３４６号、特開平１１−１９３３４７号公報等に詳しく記載されている材料についても用いることが可能である。
上述したように、上記（５）〜（９）の疎水性基を含むポリイミドは単独で用いても良いし、他の材料と混合し用いても良い。ただし、混合して用いる場合は、耐熱性、耐溶剤性、親和性を考慮すると、混合する材料もポリイミドであることが望ましい。 Details of these materials are described in detail in JP-A No. 2002-162630, JP-A No. 2003-96034, JP-A No. 2003-267982, and the like. As for the tetracarboxylic dianhydride constituting the main chain skeleton of these hydrophobic groups, various materials such as aliphatic, alicyclic and aromatic materials can be used. Specifically, pyromellitic dianhydride, cyclobutane tetracarboxylic dianhydride, butane tetracarboxylic dianhydride, and the like. In addition, materials described in detail in JP-A-11-193345, JP-A-11-193346, JP-A-11-193347, and the like can also be used.
As described above, the polyimides containing the hydrophobic groups (5) to (9) may be used alone or in combination with other materials. However, when mixed and used, considering the heat resistance, solvent resistance, and affinity, the material to be mixed is also preferably polyimide.

次に本発明の製造方法について説明する。本発明の製造方法は、前記の、イミド化率が８０％以上であり、かつジカルボン酸無水物が３％以下であるポリイミド材料を用い、電子素子の絶縁層を形成する際に、ポリイミド材料の前駆体を、例えば電極上に塗布し加熱することにより形成するものであり、前記加熱工程が、湿度１％以下の低湿度環境下で行われることを特徴としている。また、絶縁層としては、前述したように、エネルギー付与により臨界表面張力が変化するものであり、より臨界表面張力の大きな高表面エネルギー部と、より臨界表面張力の小さな低表面エネルギー部との二つの部位を有し、前記高表面エネルギー部の部位に導電層を形成することが好ましい。 Next, the manufacturing method of this invention is demonstrated. The manufacturing method of the present invention uses the polyimide material having an imidization rate of 80% or more and a dicarboxylic acid anhydride of 3% or less, and when forming an insulating layer of an electronic element, The precursor is formed by, for example, applying the precursor onto an electrode and heating, and the heating step is performed in a low humidity environment with a humidity of 1% or less. As described above, the insulating layer has a critical surface tension that changes due to energy application, and includes a high surface energy part having a higher critical surface tension and a low surface energy part having a lower critical surface tension. It is preferable that the conductive layer is formed at the site of the high surface energy part.

ポリイミド材料の前駆体としては、とくに制限されず、所望のポリイミドが得られるような、種々材料を選択すればよい。また、前記加熱工程において、湿度１ＲＨ％以下の低湿度環境下を採用している。このため、式(３)に見られるようなポリアミック酸の加水分解による副生成物がなく、良好な電気特性が得られ、信頼性の高い電子素子が製造可能となる。
本発明では、ポリイミド前駆体の塗布工程においても１％以下の低湿度環境が好ましい。これは塗布工程において、ポリイミド前駆体、またはポリイミド前駆体の溶媒が吸水し、その後加熱されることによって、式(３)のポリアミック酸の加水分解反応が起こる可能性があるためである。
また塗布工程が低湿度環境でない場合、塗布後の溶媒の蒸発によって、ポリイミド材料の薄膜が冷却され、これにより大気中の水分が凝結し薄膜に付着するため、加熱工程が十分に低湿度環境でない場合には、薄膜表面に水分が付着したまま加熱が行われることとなり、これもまた加水分解反応の原因となりうる。本発明はさらに好ましくは、塗布工程、加熱工程とも湿度0. 1％以下である。
また本発明では、加熱工程においては、低酸素濃度であることが好ましい。一般に大気中には21％の酸素が含まれているが、加熱工程におけるポリイミド組成物の酸化劣化の可能性があるため、2〜3％以下の濃度であることが好ましい。
以上の低湿度、及び低酸素濃度の環境を実現するためには、加熱工程をAr、He等の不活性ガス雰囲気下とすることが好ましい。また、N₂ガスも適用可能である。 The precursor of the polyimide material is not particularly limited, and various materials may be selected so that a desired polyimide can be obtained. In the heating process, a low humidity environment with a humidity of 1 RH% or less is employed. For this reason, there are no by-products due to hydrolysis of the polyamic acid as seen in the formula (3), good electrical characteristics can be obtained, and a highly reliable electronic device can be manufactured.
In the present invention, a low-humidity environment of 1% or less is preferable also in the polyimide precursor coating step. This is because in the coating step, the polyimide precursor or the polyimide precursor solvent absorbs water and is then heated to cause a hydrolysis reaction of the polyamic acid of formula (3).
In addition, when the coating process is not in a low humidity environment, the polyimide material thin film is cooled by evaporation of the solvent after coating, which causes moisture in the atmosphere to condense and adhere to the thin film, so the heating process is not sufficiently low in the humidity environment. In some cases, heating is performed with moisture adhering to the surface of the thin film, which may also cause a hydrolysis reaction. In the present invention, it is more preferable that the humidity is 0.1% or less in both the coating process and the heating process.
Moreover, in this invention, it is preferable that it is a low oxygen concentration in a heating process. Generally, 21% oxygen is contained in the atmosphere. However, since there is a possibility of oxidative deterioration of the polyimide composition in the heating step, the concentration is preferably 2 to 3% or less.
In order to realize the above low humidity and low oxygen concentration environment, the heating process is preferably performed in an inert gas atmosphere such as Ar or He. N ₂ gas is also applicable.

また本発明によれば、臨界表面張力を変化させるエネルギーの付与が紫外線照射であることが好ましい。従って、微細なパターンを容易に形成可能となる。図５は、紫外線照射を利用して臨界表面張力を変化させる工程を説明するための図である。図５（ａ)に示すように、基板５１上に電極５２およびポリアミド材料層５３を順次設ける。そしてポリアミド材料層５３の表面に露光マスク５４を通して紫外線５５を照射する。これにより図５（ｂ）に示すように、ポリアミド材料層５３の表面に、高表面エネルギー部５６と低表面エネルギー部５７からなるパターンが形成される。紫外線としては１００ｎｍから３００ｎｍの比較的短い波長の光が含まれるのが望ましい。 Further, according to the present invention, it is preferable that the application of energy for changing the critical surface tension is ultraviolet irradiation. Therefore, a fine pattern can be easily formed. FIG. 5 is a diagram for explaining a process of changing the critical surface tension using ultraviolet irradiation. As shown in FIG. 5A, an electrode 52 and a polyamide material layer 53 are sequentially provided on a substrate 51. The surface of the polyamide material layer 53 is irradiated with ultraviolet rays 55 through an exposure mask 54. As a result, as shown in FIG. 5B, a pattern composed of the high surface energy portion 56 and the low surface energy portion 57 is formed on the surface of the polyamide material layer 53. The ultraviolet rays preferably include light having a relatively short wavelength of 100 nm to 300 nm.

また本発明の好適な形態によれば、導電層を形成する方法が、インクジェット法である。これにより、高表面エネルギー部のみに電子素子構成材料を形成可能となる。
図６は、インクジェット法により導電層を形成する工程を説明するための図である。先の図５で説明したように、基板５１上に電極５２およびポリアミド材料層５３を順次設ける。そしてポリアミド材料層５３の表面に露光マスク５４を通して紫外線５５を照射する。これにより、ポリアミド材料層５３の表面に、高表面エネルギー部５６と低表面エネルギー部５７からなるパターンが形成される(図６（ａ）)。本発明の形態の一つによれば、導電層の形成にインクジェット法を用いる。電極配線の微細化に伴い電極間距離が小さくなり、導電性材料を付与する際にこれが短絡する場合が生じる。インクジェット法を用いることにより、図６（ｂ)に示したように、高表面エネルギー部５６のみ導電層５８を付与することが可能となるため、微細加工において信頼性の高い製造プロセスを提供可能となる。 According to a preferred embodiment of the present invention, the method for forming the conductive layer is an ink jet method. Thereby, an electronic element constituent material can be formed only in the high surface energy part.
FIG. 6 is a diagram for explaining a process of forming a conductive layer by an inkjet method. As described above with reference to FIG. 5, the electrode 52 and the polyamide material layer 53 are sequentially provided on the substrate 51. The surface of the polyamide material layer 53 is irradiated with ultraviolet rays 55 through an exposure mask 54. Thereby, the pattern which consists of the high surface energy part 56 and the low surface energy part 57 is formed in the surface of the polyamide material layer 53 (Fig.6 (a)). According to one embodiment of the present invention, an inkjet method is used to form the conductive layer. Along with the miniaturization of the electrode wiring, the distance between the electrodes becomes small, and this may cause a short circuit when the conductive material is applied. By using the inkjet method, as shown in FIG. 6B, it becomes possible to provide the conductive layer 58 only in the high surface energy portion 56, so that it is possible to provide a highly reliable manufacturing process in microfabrication. Become.

また本発明は、前記の電子素子を用いた表示装置を提供する。このため、従来よりも製造工程が低減し、安価な表示装置が提供可能となる。表示装置としては、とくに制限されないが、例えば液晶表示装置が挙げられる。図７は、本発明の電子素子を能動素子として用いた、液晶表示素子の配線図である。階調信号線からは各々の画素の階調にしたがって電圧が印加されている。走査線からは一ラインごと順次ON／OFFの信号電圧が印加され、一画面の走査が終了した後、次画面の走査が開始される。動画対応の場合、この間隔は50Hz以上（1/50sec.以下）である事が望ましい。コンデンサは、一画面から次画面の走査に移るまでの時間、階調信号の電圧を充電する機能を有する。 The present invention also provides a display device using the electronic element. For this reason, a manufacturing process reduces compared with the past, and an inexpensive display apparatus can be provided. Although it does not restrict | limit especially as a display apparatus, For example, a liquid crystal display device is mentioned. FIG. 7 is a wiring diagram of a liquid crystal display element using the electronic element of the present invention as an active element. A voltage is applied from the gradation signal line according to the gradation of each pixel. A signal voltage of ON / OFF is sequentially applied from the scanning line for each line, and after the scanning of one screen is completed, the scanning of the next screen is started. In the case of video support, it is desirable that this interval is 50 Hz or more (1/50 sec. Or less). The capacitor has a function of charging the voltage of the gradation signal for the time from the transition from one screen to the next screen.

また本発明は、前記の電子素子を用いた演算装置を提供する。このため、従来よりも製造工程が低減し、安価な演算装置が提供可能となる。演算装置としては、とくに制限されず、従来から公知の演算装置に、本発明の電子素子を利用することができる。
図８は、演算回路の例を示す図である。ｐ-ch、n-chはそれぞれ正孔輸送材を用いたトランジスタと、電子輸送材を用いたトランジスタを示している。図８の演算回路は、NOT演算回路の例であるが、この他にもOR、NAND、NOR、XOR演算回路等が図９（ａ）に例示される様に層間絶縁膜２０１を介して集積／接続され、また層間絶縁膜２０１上で微細な配線電極２０２が接続されることにより、高集積化された演算素子が構成される。この演算素子におけるトランジスタ２０３は、周知のように、ゲート電極２０４、ゲート絶縁膜２０５、ソース電極２０６、ドレイン電極２０７、半導体２０８を備える（図９（ｂ））。なお、図９の構成において、層間絶縁膜として本発明のポリイミド材料を使用することも可能である。 The present invention also provides an arithmetic device using the electronic element. For this reason, a manufacturing process reduces compared with the past, and an inexpensive arithmetic unit can be provided. The arithmetic device is not particularly limited, and the electronic element of the present invention can be used for a conventionally known arithmetic device.
FIG. 8 is a diagram illustrating an example of an arithmetic circuit. p-ch and n-ch respectively indicate a transistor using a hole transport material and a transistor using an electron transport material. The arithmetic circuit of FIG. 8 is an example of a NOT arithmetic circuit, but other OR, NAND, NOR, XOR arithmetic circuits, etc. are integrated via an interlayer insulating film 201 as illustrated in FIG. 9A. In addition, a fine wiring electrode 202 is connected on the interlayer insulating film 201, whereby a highly integrated arithmetic element is configured. As is well known, the transistor 203 in this arithmetic element includes a gate electrode 204, a gate insulating film 205, a source electrode 206, a drain electrode 207, and a semiconductor 208 (FIG. 9B). In the configuration of FIG. 9, it is possible to use the polyimide material of the present invention as an interlayer insulating film.

以下、本発明を実施例によってさらに説明するが、本発明は下記例に制限されない。
実施例１〜４、比較例１〜２
図１１（ｃ）に示したような、電界効果型トランジスタからなる能動素子を形成した。図１１（ｃ）におけるTFT素子は、電界効果型トランジスタ構成（プレナー型）であり、ゲート電極１０６、ゲート絶縁膜１０７、ソース電極１０８、ドレイン電極１０９、半導体層１１０を備える。ソース電極、ドレイン電極は、金電極（蒸着により形成：幅4mm）を用いた。ゲート電極はＡｌを用い、チャネル長は、50μm±5μmとした。
半導体層における半導体は、下記式に示される化合物を用いた。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further, this invention is not restrict | limited to the following example.
Examples 1-4, Comparative Examples 1-2
An active element made of a field effect transistor as shown in FIG. 11C was formed. The TFT element in FIG. 11C has a field effect transistor configuration (planar type), and includes a gate electrode 106, a gate insulating film 107, a source electrode 108, a drain electrode 109, and a semiconductor layer 110. As the source and drain electrodes, gold electrodes (formed by vapor deposition: width 4 mm) were used. The gate electrode was made of Al, and the channel length was 50 μm ± 5 μm.
As the semiconductor in the semiconductor layer, a compound represented by the following formula was used.

また、ゲート絶縁膜は、下記ポリイミドの前駆体をゲート電極上に塗布し、所定の成膜条件にて過熱し、下記のポリイミドを得た。ポリイミドの成膜条件を変化させ、熱走査ＩＲ分析によるイミド化率、ジカルボン酸無水物の存在比の異なったポリイミド薄膜を各々用いてTFTを作製した。なお下記式中、Ｘの芳香環はベンゼン環またはナフタレン環である。 Moreover, the following polyimide precursor was apply | coated on the gate electrode, and the gate insulating film was heated on the predetermined film-forming conditions, and the following polyimide was obtained. A TFT was prepared using polyimide thin films having different imidation ratios by thermal scanning IR analysis and different abundance ratios of dicarboxylic anhydrides by changing the polyimide film formation conditions. In the following formula, the aromatic ring of X is a benzene ring or a naphthalene ring.

得られたTFTの電気特性を、図１０に示した評価装置により評価した。ここで第一の電源電圧は30 V、第二の電源電圧は+1V 〜 -30V (１V step）とし、電気特性は、第二の電源電圧が-30Vのときの電流計１が示す電流値（ON電流）、及び第二の電源電圧が0FFの時の電流計１が示す電流値（OFF電流）によって評価した。また、回路の保護のため、電流計２の値の許容最大電流値は１mAとした。結果を下記表２に示す。 The electrical characteristics of the obtained TFT were evaluated using the evaluation apparatus shown in FIG. Here, the first power supply voltage is 30 V, the second power supply voltage is + 1V to -30V (1V step), and the electrical characteristics are the current values indicated by the ammeter 1 when the second power supply voltage is -30V. (ON current) and the current value (OFF current) indicated by the ammeter 1 when the second power supply voltage was 0FF were evaluated. In order to protect the circuit, the allowable maximum current value of the ammeter 2 is 1 mA. The results are shown in Table 2 below.

実施例５
上記実施例におけるポリイミドの前駆体に、下記式の材料の前駆体を５質量％添加した材料を用い、純度99.99％以上のアルゴンガス雰囲気下（湿度１％以下）にて加熱し、ポリイミド組成物の薄膜を得た。この薄膜にソース、ドレイン電極成膜部にUV照射を行った後、ソース・ドレイン電極材料としてPEDOT/PSSをインクジェットにて塗布し、チャネル長5μmとしてパターニングを行った。この時のＵＶ照射部と非照射部との臨界表面張力の差は21ｍＮ／ｍであった。
また、上記実施例と同様に能動素子を作製し、第一の電源電圧を30V、第二の電源電圧を-30Vとしたとき、電流計１の値として7.9×10^−６（A）が得られた。 Example 5
Using a material obtained by adding 5% by mass of a precursor of the material of the following formula to the polyimide precursor in the above examples, heating was performed in an argon gas atmosphere (humidity 1% or less) with a purity of 99.99% or more, and a polyimide composition A thin film was obtained. The thin film was irradiated with UV on the source and drain electrode film forming portions, and then PEDOT / PSS was applied by inkjet as the source / drain electrode material, followed by patterning with a channel length of 5 μm. At this time, the difference in critical surface tension between the UV irradiated part and the non-irradiated part was 21 mN / m.
In addition, when an active element is manufactured in the same manner as in the above embodiment, the first power supply voltage is 30 V and the second power supply voltage is -30 V, the value of ammeter 1 is 7.9 × 10 ⁻⁶ (A). It was.

比較例３
実施例５のポリイミド組成物を大気雰囲気下にて加熱を行った以外は、実施例５と同様に実験を行い、素子作製・評価を行ったが、素子が破壊され測定値が得られなかった。 Comparative Example 3
Except that the polyimide composition of Example 5 was heated in an air atmosphere, an experiment was conducted in the same manner as in Example 5 to produce and evaluate the element. However, the element was destroyed and no measured value was obtained. .

本発明によれば、十分な信頼性および電子素子特性が得られ、低コストかつ容易に微細なパターンの形成が可能となる電子素子、その製造方法、該電子素子を有する表示装置および演算装置が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, sufficient reliability and an electronic element characteristic are obtained, the electronic element which can form a fine pattern easily at low cost, its manufacturing method, the display apparatus and arithmetic unit which have this electronic element Provided.

固体表面上で液滴が接触角θで平衡状態にある時の模式図である。It is a schematic diagram when a droplet is in an equilibrium state at a contact angle θ on a solid surface. 臨界表面張力（ｍＮ／ｍ）と移動量（ｃｍ^２／Ｖｓ）の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between critical surface tension (mN / m) and movement amount (cm < ² > / Vs). 第一の材料および第二の材料を含むポリイミド組成物からなるポリイミド材料層の断面図である。It is sectional drawing of the polyimide material layer which consists of a polyimide composition containing a 1st material and a 2nd material. 膜厚方向に材料の分布を有する、第一の材料および第二の材料を含むポリイミド組成物からなるポリイミド材料層の断面図である。It is sectional drawing of the polyimide material layer which consists of a polyimide composition containing the 1st material and the 2nd material which has material distribution in a film thickness direction. 紫外線照射を利用して臨界表面張力を変化させる工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of changing critical surface tension using ultraviolet irradiation. インクジェット法により導電層を形成する工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of forming a conductive layer by the inkjet method. 本発明の電子素子を能動素子として用いた、液晶表示素子の配線図である。It is a wiring diagram of a liquid crystal display element using the electronic element of the present invention as an active element. 本発明の電子素子を用いた演算装置の一例である。It is an example of the arithmetic unit using the electronic element of this invention. 本発明の電子素子を用いた演算装置の一例である。It is an example of the arithmetic unit using the electronic element of this invention. 実施例で用いた評価装置を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the evaluation apparatus used in the Example. MIM、MIS、TFT素子の概略図である。It is the schematic of a MIM, MIS, and a TFT element.

符号の説明Explanation of symbols

１１固体
１２液滴
２１基板
５１基板
５２電極
５３ポリアミド材料層
５４露光マスク
５５紫外線
５６高表面エネルギー部
５７低表面エネルギー部
５８導電層
１０６，２０７ゲート電極
１０７，２０５ゲート絶縁膜
１０８，２０６ソース電極
１０９，２０７ドレイン電極
１１０，２０８半導体層
２０１層間絶縁膜
２０２配線電極
２２１第二の材料
２３１第一の材料

DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Solid 12 Droplet 21 Substrate 51 Substrate 52 Electrode 53 Polyamide material layer 54 Exposure mask 55 Ultraviolet ray 56 High surface energy part 57 Low surface energy part 58 Conductive layer 106,207 Gate electrode 107,205 Gate insulation film 108,206 Source electrode 109 , 207 Drain electrode 110, 208 Semiconductor layer 201 Interlayer insulating film 202 Wiring electrode 221 Second material 231 First material

Claims

ポリイミド材料を絶縁材料として有する電子素子が電界効果型トランジスタであって、前記ポリイミド材料のイミド化率が８０％以上、及び前記ポリイミド材料中に残存するジカルボン酸無水物が３％以下であり、かつ前記ポリイミド材料の層表面が、エネルギー付与により形成された臨界表面張力の大きな高表面エネルギー部と、臨界表面張力の小さな低表面エネルギー部との二つの部位を有し、前記高表面エネルギー部の部位に導電層が形成されていることを特徴とする電子素子。 The electronic element having a polyimide material as an insulating material is a field effect transistor, the imidization ratio of the polyimide material is 80% or more, and the dicarboxylic acid anhydride remaining in the polyimide material is 3% or less, and The surface of the polyimide material layer has two parts, a high surface energy part with a large critical surface tension formed by applying energy and a low surface energy part with a small critical surface tension, and a part of the high surface energy part. An electronic device , wherein a conductive layer is formed on the electronic device.

前記低表面エネルギー部の臨界表面張力と高表面エネルギー部の臨界表面張力との差が１０ｍＮ／ｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の電子素子。 2. The electronic device according to claim 1 , wherein a difference between a critical surface tension of the low surface energy portion and a critical surface tension of the high surface energy portion is 10 mN / m or more.

前記低表面エネルギー部の臨界表面張力が、４０ｍＮ／ｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子素子。 The critical surface tension of the low surface energy part, the electronic device according to claim 1 or 2, characterized in that at most 40 mN / m.

前記ポリイミド材料の層が、少なくとも第一の材料および第二の材料を含むポリイミド組成物からなり、前記第一の材料が、前記第二の材料と比較してエネルギーの付与によって臨界表面張力が大きく変化する材料であり、前記第二の材料が、濡れ性変化以外の機能を有する材料であることを特徴とする請求項１に記載の電子素子。 The polyimide material layer is composed of a polyimide composition including at least a first material and a second material, and the first material has a larger critical surface tension due to energy application compared to the second material. The electronic device according to claim 1 , wherein the electronic device is a material that changes, and the second material is a material having a function other than a change in wettability.

前記ポリイミド材料の層が、膜厚方向に対して材料の分布を有し、最表層部における前記第一の材料の濃度が前記第二の材料の濃度よりも高いことを特徴とする請求項４に記載の電子素子。 Said layer of polyimide material has a distribution of the material in the film thickness direction, claim 4 in which the concentration of the first material in the outermost layer may be higher than the concentration of the second material The electronic device according to 1.

前記第一の材料が、側鎖に疎水性基を含むポリイミドであることを特徴とする請求項４または５に記載の電子素子。 Said first material, electronic device according to claim 4 or 5, characterized in that a polyimide comprising a hydrophobic group in the side chain.

ポリイミド材料を絶縁材料として有する絶縁層を備えた電子素子の製造方法において、前記ポリイミド材料のイミド化率が８０％以上であり、かつ前記ポリイミド材料中に残存するジカルボン酸無水物が３％以下であり、前記絶縁層は、エネルギー付与により臨界表面張力が変化するものであり、より臨界表面張力の大きな高表面エネルギー部と、より臨界表面張力の小さな低表面エネルギー部との二つの部位を有し、ポリイミド材料の前駆体を塗布し湿度１％以下の低湿度環境下で加熱することにより形成され、前記高表面エネルギー部の部位に導電層を形成することを特徴とする電子素子の製造方法。 In the method for manufacturing an electronic device including an insulating layer having a polyimide material as an insulating material, the imidization ratio of the polyimide material is 80% or more, and the dicarboxylic acid anhydride remaining in the polyimide material is 3% or less. The insulating layer has a critical surface tension that changes due to energy application, and has two parts, a high surface energy part having a higher critical surface tension and a low surface energy part having a lower critical surface tension. A method for producing an electronic device , comprising: applying a polyimide material precursor and heating in a low-humidity environment having a humidity of 1% or less, and forming a conductive layer at a site of the high surface energy portion .

臨界表面張力を変化させるエネルギーの付与が、紫外線照射であることを特徴とする請求項７に記載の電子素子の製造方法。 8. The method of manufacturing an electronic device according to claim 7 , wherein the application of energy for changing the critical surface tension is ultraviolet irradiation.

前記導電層を形成する方法が、インクジェット法であることを特徴とする請求項７に記載の電子素子の製造方法。 The method for manufacturing an electronic device according to claim 7 , wherein the method for forming the conductive layer is an inkjet method.