JP4574293B2 - 結晶性評価方法 - Google Patents
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- 固体表面にイオンビームを照射し、その固体表面に絶縁物或いは半絶縁物を生成させつつスパッタエッチングを継続し、その際、固体表面から放出される二次イオンのエッチング時間に対する強度変化を計測して固体試料の単結晶或いは非晶質の結晶性を評価する方法に於いて、特定のオフセット電圧を固体試料に印加して深さ方向の結晶性変化に伴う二次イオンの強度変化を測定すること
が含まれてなることを特徴とする結晶性評価方法。 - オフセット電圧を印加する際、予めオフセット電圧変化と二次イオン強度変化との関係を求め、結晶性変化に伴う二次イオン強度変化が顕著に現れるオフセット電圧を特定のオフセット電圧とすること
が含まれてなることを特徴とする請求項1記載の結晶性評価方法。 - オフセット電圧を特定する際、結晶性変化に伴う二次イオン強度変化が顕著に現れないオフセット電圧も特定し、請求項1記載の結晶性評価の測定と共に前記特定したオフセット電圧を印加して得られる二次イオン強度変化の測定も実施して結晶性と同時に元素濃度分布の変化も測定すること
が含まれてなることを特徴とする結晶性評価方法。 - 絶縁物或いは半絶縁物の形成に際し、酸素或いは窒素のイオンビームを用い、イオンの加速エネルギー及び試料表面への入射角度を制御すること
が含まれてなることを特徴とする請求項1記載の結晶性評価方法。 - 絶縁物或いは半絶縁物の形成に際し、酸素と窒素を含まないイオンビームを用い、イオンビームの照射時に酸素ガス或いは窒素ガスを固体表面に吹き付けると共に照射するイオンの加速エネルギー及び試料表面への入射角度を制御すること
が含まれてなることを特徴とする請求項1記載の結晶性評価方法。
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