JP4573713B2 - 単結晶の製造方法及び単結晶の製造装置 - Google Patents
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Description
2、52;収納容器
3;3族金属材料
4;キャリアガス導入口
5、6、41;管
7;シールドガス導入口
8、54;窒素ガス導入口
9、55;基板
10、30、40、50;単結晶製造装置
11、56;排気孔
12〜14、57、58;加熱コイル
21、61;気化部
22;混合部
23、62;析出部
53;金属Al
Claims (11)
- 周期律表の3族金属材料を気化させて3族金属ガスを生成する工程と、窒素ガスを前記3族金属ガスとの混合部に送給する工程と、前記3族金属ガスをその周囲がシールドガスで囲まれた状態でノズルから前記混合部に導入する工程と、前記3族金属ガスと前記窒素ガスとの反応により生じた窒化金属を析出させる工程と、を有することを特徴とする単結晶の製造方法。
- 周期律表の3族金属材料を気化させて3族金属ガスを生成する工程と、窒素ガスを前記3族金属ガスとの混合部に送給する工程と、前記3族金属ガスをキャリアガスにキャリアさせて前記3族金属材料から移送する工程と、前記キャリアガスにキャリアされた前記3族金属ガスをその周囲がシールドガスで囲まれた状態でノズルから前記混合部に導入する工程と、前記3族金属ガスと前記窒素ガスとの反応により生じた窒化金属を析出させる工程と、を有することを特徴とする単結晶の製造方法。
- 前記シールドガスとして、前記3族金属材料及び前記窒素ガスに対して不活性なガスを使用することを特徴とする請求項1又は2に記載の単結晶の製造方法。
- 前記シールドガスは、アルゴンガスであることを特徴とする請求項3に記載の単結晶の製造方法。
- 前記キャリアガスとして、前記3族金属材料及び前記窒素ガスに対して不活性なガスを使用することを特徴とする請求項2に記載の単結晶の製造方法。
- 前記キャリアガスは、アルゴンガスであることを特徴とする請求項5に記載の単結晶の製造方法。
- 前記析出工程よりも高い温度条件下で前記3族金属ガスと前記窒素ガスとを混合することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の単結晶の製造方法。
- 周期律表の3族金属材料を気化させて3族金属ガスを生成する気化部と、前記3族金属ガスと窒素ガスとを混合する混合部と、前記3族金属ガスをその周囲がシールドガスで囲まれた状態で前記混合部に導入するノズルと、前記3族金属ガスと前記窒素ガスとの反応により生じた窒化金属を析出させる析出部と、前記気化部、前記混合部及び前記析出部を加熱する加熱部と、を有することを特徴とする単結晶の製造装置。
- 前記ノズルは、内管とこの内管よりも大径の外管とが同軸的に配置された二重管であり、前記内管内を前記3族金属ガスが通流し、前記内管と前記外管との間を前記シールドガスが通流することを特徴とする請求項8に記載の単結晶の製造装置。
- 周期律表の3族金属材料を気化させて3族金属ガスを生成する気化部と、前記3族金属材料上にキャリアガスを導入し、前記3族金属ガスを前記キャリアガスにキャリアさせて前記3族金属材料から移送するキャリアガス導入部と、前記3族金属ガスと窒素ガスとを混合する混合部と、前記キャリアガスにキャリアされた前記3族金属ガスをその周囲がシールドガスで囲まれた状態で前記混合部に導入するノズルと、前記3族金属ガスと前記窒素ガスとの反応により生じた窒化金属を析出させる析出部と、前記気化部、前記混合部及び前記析出部を加熱する加熱部と、を有することを特徴とする単結晶の製造装置。
- 前記ノズルは、内管とこの内管よりも大径の外管とが同軸的に配置された二重管であり、前記内管内を前記キャリアガスにキャリアされた前記3族金属ガスが通流し、前記内管と前記外管との間を前記シールドガスが通流することを特徴とする請求項10に記載の単結晶の製造装置。
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