JP4573676B2 - 櫛歯電極対形成方法 - Google Patents
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Description
10,30 揺動部
11,31,61 ミラー支持部
12,32 アーム部
13,14,23,24,33,34,43,44 櫛歯電極
13A,14A,23A,24A,33A,34A,43A,44A 電極歯
21,41,62 フレーム
22,42,63 トーションバー
70,80 材料基板
70a,70b,80a,80b シリコン層
70c,80c 絶縁層
71’,81’ プリ酸化膜パターン
71,81,82 酸化膜パターン
72,83 レジストパターン
73,84 レジスト膜
Claims (2)
- 第1導体層と、第2導体層と、当該第1および第2導体層の間の絶縁層とからなる積層構造を有する材料基板に対して加工を施すことにより、相対的に変位して、それぞれが有する電極歯が部分的に対面しうる姿勢をとりうる一対の櫛歯電極を形成するための方法であって、
前記一対の櫛歯電極は、前記第1導体層に由来する第1導体部と、前記第2導体層に由来する第2導体部と、前記絶縁層に由来する絶縁部とからなる積層構造を有する第1櫛歯電極、および、前記第2導体層に由来する第2櫛歯電極からなり、
前記第1導体層上にプリ第1マスクパターンを形成する工程と、
前記プリ第1マスクパターン上の第1櫛歯電極用の第1マスク部、および、前記第1導体層上の第2櫛歯電極用の第2マスク部、を含む第2マスクパターンを、前記プリ第1マスクパターン上および前記第1導体層上にわたって形成する工程と、
前記第2マスクパターンを介して前記プリ第1マスクパターンに対してエッチング処理を施し、前記第2マスクパターンの前記第1マスク部に対応するパターン形状を有する第1櫛歯電極用の第3マスク部、を含む第1マスクパターンを、前記プリ第1マスクパターンから形成する、第1エッチング工程と、
前記第1および第2マスクパターンを介して前記第1導体層に対して前記絶縁層に至るまでエッチング処理を施し、重なり合う前記第1および第3マスク部にマスクされた第1導体部、および、前記第2マスク部にマスクされた第1残存マスク部を、前記第1導体層において前記材料基板の厚さ方向に対して傾斜をもって形成する、第2エッチング工程と、
前記絶縁層に対して第1導体層側から前記第2導体層に至るまでエッチング処理を施し、前記第1導体部にマスクされた絶縁部、および、前記第1残存マスク部にマスクされた第2残存マスク部を、前記絶縁層において形成する、第3エッチング工程と、
前記第2マスクパターンを除去する工程と、
前記第2導体層に対して第1導体層側からエッチング処理を施し、前記第1残存マスク部を除去しつつ、前記絶縁部に接する第2導体部、および、前記第2残存マスク部にマスクされた第2櫛歯電極を、前記第2導体層において形成する、第4エッチング工程と、を含み、
前記第2エッチング工程における前記傾斜は、前記第1櫛歯電極の電極歯と前記第2櫛歯電極の電極歯とが部分的に対面するとき、それらが互いに平行な配向となるような傾斜である、櫛歯電極対形成方法。 - 第1導体層と、第2導体層と、当該第1および第2導体層の間の絶縁層とからなる積層構造を有する材料基板に対して加工を施すことにより、相対的に変位して、それぞれが有する電極歯が部分的に対面しうる姿勢をとりうる一対の櫛歯電極を形成するための方法であって、
前記一対の櫛歯電極は、前記第1導体層に由来する第1櫛歯電極、および、前記第2導体層に由来する第2櫛歯電極からなり、
前記第1導体層上にプリ第1マスクパターンを形成する工程と、
前記プリ第1マスクパターン上の第1櫛歯電極用の第1マスク部、および、前記第1導体層上の第2櫛歯電極用の第2マスク部、を含む第2マスクパターンを、前記プリ第1マスクパターン上および前記第1導体層上にわたって形成する工程と、
前記第2マスクパターンを介して前記プリ第1マスクパターンに対してエッチング処理を施し、前記第2マスクパターンの前記第1マスク部に対応するパターン形状を有する第1櫛歯電極用の第3マスク部、を含む第1マスクパターンを、前記プリ第1マスクパターンから形成する、第1エッチング工程と、
第2櫛歯電極用の第4マスク部を含む第3マスクパターンを前記第2導体層上に形成す
る工程と、
前記第1および第2マスクパターンを介して前記第1導体層に対して前記絶縁層に至るまでエッチング処理を施し、重なり合う前記第1および第3マスク部にマスクされた第1櫛歯電極、および、前記第2マスク部にマスクされた第1残存マスク部を、前記第1導体層において前記材料基板の厚さ方向に対して傾斜をもって形成する、第2エッチング工程と、
前記絶縁層に対して第1導体層側から前記第2導体層に至るまでエッチング処理を施し、前記第1残存マスク部にマスクされた第2残存マスク部を、前記絶縁層において形成する、第3エッチング工程と、
前記第2マスクパターンを除去する工程と、
前記第2導体層に対して第1導体層側から当該第2導体層の厚さ方向の途中までエッチング処理を施し、前記第1残存マスク部を除去しつつ、前記第2残存マスク部にマスクされた第2櫛歯電極の一部を、前記第2導体層において形成する、第4エッチング工程と、
前記第3マスクパターンを介して前記第2導体層に対してエッチング処理を施し、前記第2櫛歯電極の残部を形成する、第5エッチング工程と、を含み、
前記第2エッチング工程における前記傾斜は、前記第1櫛歯電極の電極歯と前記第2櫛歯電極の電極歯とが部分的に対面するとき、それらが互いに平行な配向となるような傾斜である、櫛歯電極対形成方法。
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