JP4572367B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
前記絶縁層の上方に設けられた島状半導体層と、
前記島状半導体層の表面に設けられたゲート絶縁層と、
前記島状半導体層に形成されたソース領域およびドレイン領域と、
前記ゲート絶縁層の上方に設けられたゲート電極と、を含み、
前記島状半導体層は、その側部に前記ソース領域およびドレイン領域と異なる導電型
不純物領域を有している。
前記絶縁層の上方に設けられた島状半導体層と、
前記島状半導体層の表面に設けられたゲート絶縁層と、
前記島状半導体層に形成されたソース領域およびドレイン領域と、
前記ゲート絶縁層の上方に設けられたゲート電極と、
前記島状半導体層の側部に設けられた前記ソース領域およびドレイン領域と異なる導電型の不純物領域と、を含み、
前記島状半導体層は、前記第1領域の上方に設けられた第1部分と、前記第2領域の上方に設けられた第2部分とからなる。
絶縁層の上方に半導体層が設けられた基板を準備する工程と、
前記半導体層の所定の領域を除去することにより、島状半導体層を形成する工程と、
前記島状半導体層の側部に不純物領域を形成する工程と、
前記島状半導体層の上方にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層の上方にゲート電極を形成する工程と
前記島状半導体層に、前記不純物領域の導電型とは異なる導電型のソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、を含む。
(a)絶縁層の上方に半導体層が設けられた基板を準備する工程と、
(b)前記半導体層の所定の領域を除去することにより、島状半導体層を形成する工程と、
(c)露出している前記絶縁層の一部を除去し、第1領域と該第1領域と比してその表面が低い位置にある第2領域を形成する工程と、
(d)前記島状半導体層の側部に不純物領域を形成する工程と、
(e)前記島状半導体層の上方にゲート絶縁層を形成する工程と、
(f)前記ゲート絶縁層の上方にゲート電極を形成する工程と
(g)前記島状半導体層に、前記不純物領域の導電型とは異なる導電型のソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、を含む。
1.1.半導体装置
本実施の形態にかかる半導体装置について、図1,2を参照しながら説明する。図1は、本実施の形態にかかる半導体装置を模式的に示す平面図であり、図2(A)は、図1のA−A線に沿った断面を模式的に示す断面図であり、(B)は、図1のB−B線に沿った断面を模式的に示す断面図である。
次に、図3〜7を参照しつつ、本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図3〜7は、本実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図であり、図3〜6および図7(A)は、図2(A)に対応した断面を示す図であり、図7(B)は、図2(B)に対応した断面を示す図である。
ついで、必要に応じて、しきい値を調整するために、所定の導電型の不純物を半導体層10aに導入する。不純物の導入は、たとえば、公知のイオン注入技術などにより行うことができる。
2.1.半導体装置
本実施の形態にかかる半導体装置について、図8を参照しつつ説明する。第2の実施の形態にかかる半導体装置を模式的に示す平面図は、第1の実施の形態の半導体装置を模試的に示す平面図を示す図1と同様であるので、図1を参照されたい。図8は、本実施の形態にかかる半導体装置を模式的に示す断面図であり、(A)は、図1のA−A線に沿った断面を模式的に示す断面図であり、(B)は、図1のB−B線に沿った断面を模式的に示す断面図である。
次に、図9〜12を参照しつつ、本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図9〜12は、本実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図であり、図9〜11および図12(A)は、図8(A)に対応した断面を示す図であり、図12(B)は、図8(B)に対応した断面を示す図である。なお、以下の説明では、第1の実施の形態の製造方法と同様にできる工程については、その詳細な説明を省略することもある。
次に、第2の実施の形態の変形例について、図13を参照しつつ説明する。この変形例では、不純物領域28が、その上部もしくは下部の一方に不純物濃度のピークを有する点が、第2の実施の形態と異なる。図13は、変形例1にかかる半導体装置を模式的に示す断面図であり、図8(B)に示した断面図と同様の箇所を示す図である。
次に、本発明の変形例2にかかる半導体装置について図14を参照しつつ説明する。変形例2にかかる半導体装置では、上記の実施例とは不純物領域28が異なる例である。図14は、変形例2にかかる半導体装置を模式的に示す断面図であり、図8(B)に示した断面図と同様の箇所を示す図である。
Claims (13)
- 絶縁層と、
前記絶縁層の上方に設けられた島状半導体層と、
前記島状半導体層の表面に設けられたゲート絶縁層と、
前記島状半導体層に形成されたソース領域およびドレイン領域と、
前記ゲート絶縁層の上方に設けられたゲート電極と、を含み、
前記島状半導体層は、その側部に前記ソース領域およびドレイン領域と異なる導電型の不純物領域を有し、
前記不純物領域は、前記島状半導体層の上部および下部の少なくともいずれか一方に不純物濃度のピークを有する、半導体装置。 - 第1領域と該第1領域と比してその表面が低い第2領域とを有する絶縁層と、
前記絶縁層の上方に設けられた島状半導体層と、
前記島状半導体層の表面に設けられたゲート絶縁層と、
前記島状半導体層に形成されたソース領域およびドレイン領域と、
前記ゲート絶縁層の上方に設けられたゲート電極と、
前記島状半導体層の側部に設けられた前記ソース領域およびドレイン領域と異なる導電型の不純物領域と、を含み、
前記島状半導体層は、前記第1領域の上方に設けられた第1部分と、該第1部分の両側方に設けられた前記第2領域の上方に設けられた第2部分とからなり、
前記不純物領域は、前記島状半導体層の上部および下部の少なくともいずれか一方に不純物濃度のピークを有する、半導体装置。 - 請求項2において、
前記不純物領域は、前記島状半導体層のうち前記第2部分に設けられている、半導体装置。 - 請求項3において、
前記不純物領域は、前記島状半導体層のうち前記第2部分と一致する、半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれかにおいて、
前記不純物領域の不純物濃度は、前記ゲート絶縁層の下方に設けられるチャネル領域の不純物濃度と比して大きい、半導体装置。 - 請求項1〜5のいずれかにおいて、
前記半導体層は、SOI層である、半導体装置。 - 請求項1〜6のいずれかにおいて、
前記絶縁層は、ガラス基板である、半導体装置。 - 請求項1〜7のいずれかにおいて、
前記半導体層は、単結晶シリコン層、アモルファスシリコン層、多結晶シリコン層およびシリコンゲルマニウム層のいずれかである、半導体装置。 - 絶縁層の上方に半導体層が設けられた基板を準備する工程と、
前記半導体層の所定の領域を除去することにより、島状半導体層を形成する工程と、
前記島状半導体層の側部に不純物領域を形成する工程と、
前記島状半導体層の上方にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層の上方にゲート電極を形成する工程と
前記島状半導体層に、前記不純物領域の導電型とは異なる導電型のソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、を含み、
前記不純物領域の形成は、島状半導体層の側部が露出するようなマスク層を形成した後、イオン注入法により不純物を導入することで行われ、
前記イオン注入は、異なる注入エネルギーで複数回行われることにより、前記島状半導体層の上部および下部の少なくともいずれか一方に不純物濃度のピークを有する前記不純物領域を形成する、半導体装置の製造方法。 - (a)絶縁層の上方に半導体層が設けられた基板を準備する工程と、
(b)前記半導体層の所定の領域を除去することにより、島状半導体層を形成する工程と、
(c)前記島状半導体層の底面の一部が露出するように、前記絶縁層の一部を除去し、第1領域と該第1領域と比してその表面が低い位置にある第2領域を形成する工程と、
(d)前記島状半導体層の側部に不純物領域を形成する工程と、
(e)前記島状半導体層の上方にゲート絶縁層を形成する工程と、
(f)前記ゲート絶縁層の上方にゲート電極を形成する工程と
(g)前記島状半導体層に、前記不純物領域の導電型とは異なる導電型のソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、を含み、
前記不純物領域の形成は、島状半導体層の側部が露出するようなマスク層を形成した後、イオン注入法により不純物を導入することで行われ、
前記イオン注入は、異なる注入エネルギーで複数回行われることにより、前記島状半導体層の上部および下部の少なくともいずれか一方に不純物濃度のピークを有する前記不純物領域を形成する、半導体装置の製造方法。 - 請求項10において、
前記不純物領域は、前記島状半導体層のうち前記第2領域の上方の底面が露出している部分の全体に設けられる、半導体装置の製造方法。 - 請求項9〜11のいずれかにおいて、
前記マスク層は、ハードマスクである、半導体装置の製造方法。 - 請求項9〜11のいずれかにおいて、
前記マスク層は、前記島状半導体層のパターニングに用いたマスク層と同一である、半導体装置の製造方法。
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JP2004201968A JP4572367B2 (ja) | 2004-03-26 | 2004-07-08 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6312160A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-19 | Fujitsu Ltd | 島状soiのチヤネルストツパ形成方法 |
JPH0778998A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-03-20 | Philips Electron Nv | 薄膜トランジスタを具える電子デバイスの製造方法 |
JPH09205214A (ja) * | 1995-11-21 | 1997-08-05 | Citizen Watch Co Ltd | Mos型半導体装置およびその製造方法 |
JPH09293868A (ja) * | 1996-04-24 | 1997-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
WO1997048136A1 (fr) * | 1996-06-14 | 1997-12-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Composant a semi-conducteurs ayant une structure silicium sur isolant et procede de fabrication de ce composant |
-
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- 2004-07-08 JP JP2004201968A patent/JP4572367B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6312160A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-19 | Fujitsu Ltd | 島状soiのチヤネルストツパ形成方法 |
JPH0778998A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-03-20 | Philips Electron Nv | 薄膜トランジスタを具える電子デバイスの製造方法 |
JPH09205214A (ja) * | 1995-11-21 | 1997-08-05 | Citizen Watch Co Ltd | Mos型半導体装置およびその製造方法 |
JPH09293868A (ja) * | 1996-04-24 | 1997-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
WO1997048136A1 (fr) * | 1996-06-14 | 1997-12-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Composant a semi-conducteurs ayant une structure silicium sur isolant et procede de fabrication de ce composant |
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