JP4570028B2 - ポリシリコンパターンの形成方法、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態に係るポリシリコンパターンの形成方法を示す。
上記第1の実施形態では島状部の平面形状は四角形としたが、その形状を変えることで、結晶化の進行方向を制御することも可能である。例えば、本実施形態では図4に示す平面形状の島状部20を形成した。この島状部20は、各々の一端が結ばれて角部20aを形成する2直線部21a、21bと、これら直線部21a、21b各々の他端を結ぶ弧状部22とからなる外形線を有する。角部20aの内角は180゜より小さく、例えば図示の例では略90゜である。
Claims (6)
- 絶縁体にアモルファスシリコンからなる島状部を形成する工程と、
前記島状部を覆うように前記絶縁体上にキャップ層を形成する工程と、
前記キャップ層で覆われた前記島状部にレーザ照射を行い、前記アモルファスシリコンをポリシリコン化する工程と、
を含み、
前記島状部の外形線が持つ角部は1つだけであることを特徴とするポリシリコンパターンの形成方法。 - 前記島状部を形成する工程は、
前記絶縁体上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、
前記アモルファスシリコン膜を選択的にエッチングして島状に残す工程と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載のポリシリコンパターンの形成方法。 - 前記島状部の平面寸法の代表長さを50μm以下にする請求項1または請求項2に記載のポリシリコンパターンの形成方法。
- 請求項1乃至請求項3の何れかの方法で形成されたポリシリコンパターンに活性領域を形成する工程を含む薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記キャップ層を除去せずにゲート絶縁膜として残す請求項4に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項4または請求項5の方法で製造された薄膜トランジスタ。
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Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JPH0354819A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-08 | Fuji Electric Co Ltd | Soi基板の製造方法 |
JPH0927453A (ja) * | 1994-09-16 | 1997-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2000150377A (ja) * | 1998-11-05 | 2000-05-30 | Nec Corp | 半導体薄膜の製造方法 |
JP2001189462A (ja) * | 1993-02-10 | 2001-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2003158137A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-30 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 薄膜半導体装置及びその製造方法 |
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JP2001189462A (ja) * | 1993-02-10 | 2001-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JPH0927453A (ja) * | 1994-09-16 | 1997-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2000150377A (ja) * | 1998-11-05 | 2000-05-30 | Nec Corp | 半導体薄膜の製造方法 |
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