JP4569766B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4569766B2 JP4569766B2 JP2005159320A JP2005159320A JP4569766B2 JP 4569766 B2 JP4569766 B2 JP 4569766B2 JP 2005159320 A JP2005159320 A JP 2005159320A JP 2005159320 A JP2005159320 A JP 2005159320A JP 4569766 B2 JP4569766 B2 JP 4569766B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refrigerant
- semiconductor module
- semiconductor
- cooling jacket
- terminal block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明の半導体装置1は、概略、発熱素子(発熱する半導体素子)11とこれに接合された導電部材としての電極12とを有する半導体モジュール10と、内部に絶縁性材料からなる冷媒21を保有する冷却ジャケット20と、を備えており、複数の半導体モジュール10を端子台30に水密で一体に組付け、水冷ジャケット20に開口部20aを形成して、この開口部20aに端子台30を取付けることにより、半導体モジュール10の発熱素子11と導電部材としての電極12との少なくとも一方が冷媒21に直接接するよう浸漬されている。
IGBT素子11は、図2および図3に示した実施の形態の場合、板状の本体の一方の面に部分的に突出した部分を有する2段形状となっており、その突出した部分の面と本体の他方の面とにそれぞれ接続端子を有している。各電極12A,12Bは、IGBT素子11の接続端子が設けられた面とそれぞれ面接合される接合部14と、所定の極性のバスバー16、17と接続される端子部15とにより構成されている。電極12は、導電性を有していることは勿論であるが、特に接合部14が高い熱伝導率を有する素材からなり、はんだ層13を介してIGBT素子11の接続端子が設けられた各面を密着させて直接面接合するために、IGBT素子11の接続端子が設けられた各面よりも面積が大きくなるように成形されている。電極12の端子部15は、半導体モジュール10の基部端面から突出し、所定のバスバー16、17と接続されている。なお、本発明では、冷媒21として絶縁性流体を採用するため、導電部材として、IGBT素子11の両面の接続端子に面接合される板状の接合部14を有する電極12に替えて、例えばリード線など線状のものを使用して、IGBT素子11を半導体モジュール10の表面に直接露出させて少なくともその一部が冷媒21に接するよう構成することもできる。
Claims (1)
- 発熱素子およびこれに接合された導電部材を有する半導体モジュールと、
内部に絶縁性材料からなる冷媒を保有する冷却ジャケットと、を有し、
複数の前記半導体モジュールを端子台に水密で一体に組付け、前記水冷ジャケットに開口部を形成して、該開口部に前記端子台を取付けることにより、前記半導体モジュールの発熱素子と導電部材の少なくとも一方を冷媒に浸漬したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005159320A JP4569766B2 (ja) | 2005-05-31 | 2005-05-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005159320A JP4569766B2 (ja) | 2005-05-31 | 2005-05-31 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006339239A JP2006339239A (ja) | 2006-12-14 |
JP4569766B2 true JP4569766B2 (ja) | 2010-10-27 |
Family
ID=37559573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005159320A Expired - Fee Related JP4569766B2 (ja) | 2005-05-31 | 2005-05-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4569766B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4844434B2 (ja) * | 2007-03-05 | 2011-12-28 | トヨタ自動車株式会社 | リアクトル固定構造 |
JP2009085526A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Daikin Ind Ltd | 空気調和装置 |
JP5481148B2 (ja) * | 2009-10-02 | 2014-04-23 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置、およびパワー半導体モジュール、およびパワー半導体モジュールを備えた電力変換装置 |
JP5380376B2 (ja) * | 2010-06-21 | 2014-01-08 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワー半導体装置 |
US9072197B2 (en) | 2011-03-10 | 2015-06-30 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Cooling apparatus |
DE102014208255B4 (de) * | 2014-04-30 | 2016-09-01 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Schaltungsanordnung, Stromwandler mit einer Schaltungsanordnung |
DE102016200724A1 (de) * | 2016-01-20 | 2017-07-20 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zur Kühlung mindestens einer Stromschiene und korrespondierende Leistungsschaltung |
DE102016218817A1 (de) | 2016-09-29 | 2018-03-29 | Audi Ag | Elektronisches Leistungsmodul |
JP7359642B2 (ja) * | 2019-10-25 | 2023-10-11 | 株式会社日立製作所 | パワー半導体装置 |
CN114566468B (zh) * | 2022-04-29 | 2022-07-01 | 深圳正为格智能科技有限公司 | 一种具有防护功能的半导体器件 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07336077A (ja) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Fujitsu Ltd | 発熱体パッケージの冷却構造 |
JP2000243886A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Toshiba Corp | 電力用半導体素子の冷却体 |
JP2000357766A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-12-26 | Hitachi Ltd | モジュール内への液体冷媒の封止方法 |
JP2002280507A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Advantest Corp | 発熱素子冷却装置および発熱素子実装装置 |
JP2005057130A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Denso Corp | 半導体冷却ユニット |
-
2005
- 2005-05-31 JP JP2005159320A patent/JP4569766B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07336077A (ja) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Fujitsu Ltd | 発熱体パッケージの冷却構造 |
JP2000243886A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Toshiba Corp | 電力用半導体素子の冷却体 |
JP2000357766A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-12-26 | Hitachi Ltd | モジュール内への液体冷媒の封止方法 |
JP2002280507A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Advantest Corp | 発熱素子冷却装置および発熱素子実装装置 |
JP2005057130A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Denso Corp | 半導体冷却ユニット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006339239A (ja) | 2006-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4569766B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN106098631B (zh) | 用于半导体器件的封装件 | |
US10319665B2 (en) | Cooler and cooler fixing method | |
JP5046378B2 (ja) | パワー半導体モジュール、および該モジュールを搭載したパワー半導体デバイス | |
JP5206822B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20120001341A1 (en) | Semiconductor device | |
US20070236883A1 (en) | Electronics assembly having heat sink substrate disposed in cooling vessel | |
CN107924885B (zh) | 构造体 | |
JP7187992B2 (ja) | 半導体モジュールおよび車両 | |
JP2006303290A (ja) | 半導体装置 | |
JP5664472B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2010087002A (ja) | 発熱部品冷却構造 | |
KR102458738B1 (ko) | 커패시터 직접냉각방식의 인버터 | |
CN113728546A (zh) | 电力转换装置 | |
JP2004128099A (ja) | 水冷インバータ | |
JP5267238B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2000058746A (ja) | モジュール内冷却装置 | |
KR20140130862A (ko) | 파워모듈 제조방법 및 이를 통해 재조된 고방열 파워모듈 | |
JP2012005191A (ja) | 電力変換装置 | |
JP5402778B2 (ja) | 半導体モジュールを備えた半導体装置 | |
JP4120581B2 (ja) | パワーモジュール | |
KR102361530B1 (ko) | 캐패시터 직접냉각방식의 인버터 | |
US20220418088A1 (en) | Power module with housed power semiconductors for controllable electrical power supply of a consumer, and method for producing same | |
JP2023000459A (ja) | 電力変換装置 | |
JP2004096135A5 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070829 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100519 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100623 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100714 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100727 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |