JP4566937B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、この発明の実施の形態1による炭化珪素半導体装置の製造工程を示す工程図である。炭化珪素半導体装置は、図1に示される手順に従って製造される。即ち、図1(a)に示すように、まず、n型導電性を有する炭化珪素基板1上に第1の炭化珪素エピタキシ層2を積層(形成)する。第1の炭化珪素エピタキシ層2の炭化珪素基板1上への積層は、シラン及びプロパンを原料とするCVD法(即ち、エピタキシ結晶成長法)により行う。なお、第1の炭化珪素エピタキシ層2は、例えば炭化珪素半導体装置がパワー素子として用いられる場合に、n型導電性を有する耐圧層とされる(積層成長工程)。
Claims (6)
- 炭化珪素基板上に第1の炭化珪素エピタキシ層を積層する積層成長工程、
上記第1の炭化珪素エピタキシ層上の所定の選択領域を残すように上記第1の炭化珪素エピタキシ層上に選択成長用マスクを積層する選択用マスク工程、
上記第1の炭化珪素エピタキシ層上の上記選択領域に第2の炭化珪素エピタキシ層を選択成長層として積層する選択成長工程、
上記選択成長用マスクを除去するマスク除去工程、
上記選択成長用マスクが除去された領域と、上記選択成長層が積層されている上記選択領域との境界部分に形成された段差部の高さを測定する測定工程、及び
上記測定工程で測定された上記段差部の高さ分だけ上記選択成長層の一部を除去することにより、上記炭化珪素基板、上記第1の炭化珪素エピタキシ層及び上記選択成長層を含む炭化珪素半導体ウエハを得る選択除去工程
を備えていることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 上記選択除去工程において上記選択成長層の一部が除去された除去領域内には、上記第1の炭化珪素エピタキシ層が露出し、
上記第1の炭化珪素エピタキシ層の上記除去領域内の露出部には、不純物領域を形成する処理が行われることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 炭化珪素基板上の所定の選択領域を残すように上記炭化珪素基板上に選択成長用マスクを積層する選択用マスク工程、
上記炭化珪素基板上の上記選択領域に炭化珪素エピタキシ層を選択成長層として積層する選択成長工程、
上記選択成長用マスクを除去するマスク除去工程、
上記選択成長用マスクが除去された領域と、上記選択成長層が積層されている上記選択領域との境界部分に形成された段差部の高さを測定する測定工程、及び
上記測定工程で測定された上記段差部の高さ分だけ上記選択成長層の一部を除去することにより、上記炭化珪素基板及び上記選択成長層を含む炭化珪素半導体ウエハを得る選択除去工程
を備えていることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 上記選択成長層の除去は、フッ素を含むガスを用いたプラズマエッチングにより行われることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 上記炭化珪素半導体ウエハ内の上記段差部を避けた部分を炭化珪素半導体装置とすることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 上記炭化珪素半導体ウエハに対してダイシングを行い、上記炭化珪素半導体ウエハの一部を炭化珪素半導体装置として残すダイシング工程をさらに備え、
上記段差部は、上記炭化珪素半導体ウエハ内の上記ダイシングにより損失する部分に設けられることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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JPH10102251A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-04-21 | Toshio Goto | 炭素原子による成膜及びエッチング処理方法及びその装置 |
JPH10242130A (ja) * | 1996-04-26 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
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