JP4565915B2 - リソグラフィ投影装置及び物品保持器 - Google Patents

Description

本発明は、放射の投影ビームを供給するための照射システムと、前記放射の投影ビームのビーム経路中に配置すべき実質的に平坦な物品を支持するための支持平坦面を提供するように配置された突起構成を画定する複数の突起を含む物品保持器とを有するリソグラフィ投影装置であって、物品保持器は、物品を物品保持器に対してクランピングするために、静電クランピング力を発生するための少なくとも１個のクランピング電極を含んでいる、リソグラフィ投影装置に関する。

本明細書で使用する「パターン化手段」という用語は、基板の標的部分中に作成すべきパターンに対応して、入射する放射ビームにパターン化した断面を与えるために使用可能な手段を指すものであると広義に解釈されるべきであり、「光弁」という用語もこのような状況で使用することができる。一般に、前記パターンは、集積回路又は他のデバイス（以下を参照）など、標的部分中に作成されるデバイス中の個々の機能層に対応することになる。このようなパターン化手段の実施例には次のものが含まれる。
マスク
マスクの概念はリソグラフィではよく知られているが、そのマスクの種類には、バイナリ型、交番位相シフト型、及び減衰位相シフト型ばかりでなく、様々なハイブリッド型のマスクの種類などが含まれる。このようなマスクを放射ビーム中に配置すると、マスク上のパターンにしたがって、マスクに当たる放射を選択的に透過するか（透過型マスクの場合）、又は反射する（反射型マスクの場合）。マスクの場合では、その支持構造が一般にマスク・テーブルであり、それによって入射する放射ビーム中の望ましい位置にマスクを確実に保持することが可能であり、また望ましければ、マスクをビームに対して移動することが可能である。
プログラマブル・ミラー・アレイ
このようなデバイスの一実施例は、粘弾性の制御層及び反射表面を有するマトリックス駆動表面である。このような装置の背景にある基本原理は、（例えば）反射表面の駆動領域が、入射光を回折光として反射するのに対して、非駆動領域が入射光を非回折光として反射するというものである。適切なフィルタを使用すると、前記非回折光を反射ビームから除去して、回折光のみを後に残すことが可能である。このような方式では、マトリックス駆動表面の駆動パターンにしたがって、ビームがパターン化される。プログラマブル・ミラー・アレイの別の一実施例は、微小ミラーのマトリックス配置を使用するが、それぞれのミラーは、適切な局在電界を印加するか又は圧電駆動手段を用いることによって、個々に軸回りに傾斜可能である。この場合も、駆動ミラーが、入射する放射ビームを非駆動ミラーとは異なる方向に反射するように、これらのミラーはマトリックス駆動可能である。このような方式では、マトリックス駆動ミラーの駆動パターンにしたがって、反射ビームがパターン化される。必要なマトリックス駆動は、適切な電子的手段を使用して行うことができる。以上に説明した両方の場合では、パターン化手段が、１つ又は複数のプログラマブル・ミラー・アレイを備えることができる。ここで言及したミラー・アレイのさらなる情報は、例えば、参照によってここに援用される、米国特許第５，２９６，８９１号明細書及び第５，５２３，１９３号明細書、並びにＰＣＴ特許出願国際公開ＷＯ９８／３８５９７パンフレット及びＷＯ９８／３３０９６パンフレットに見いだすことができる。プログラム可能なミラー・アレイの場合では、前記支持構造は、必要に応じて、例えば、固定式又は可動式のフレーム又はテーブルとして実施可能である。
プログラマブルＬＣＤアレイ
このような構造の一実施例が、参照によってここに援用される米国特許第５，２２９，８７２号明細書に挙げられている。上記のように、この場合も、支持構造は、必要に応じて、例えば、固定式又は可動式のフレーム又はテーブルとして実施可能である。

簡略にするために、以下の本文は、幾つかの箇所でマスク及びマスク・テーブルを含む実施例に特定的に関する場合があるが、そのような場合に論じられている一般原理は、以上に記載したパターン化の広義の文脈で理解されるべきである。

リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。この場合では、パターン化手段は、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを作成することが可能であり、このパターンは、放射感受性材料（レジスト）の層を塗布した基板（シリコン・ウェーハ）上の標的部分（例えば、１個又は複数のダイを含む）上に結像可能である。一般には、単一のウェーハが、投影システムによって一度に１つずつ連続照射される隣接標的部分の全回路網を含むことになる。マスク・テーブル上のマスクによるパターン化を使用する現在の装置では、２つの異なる種類の機械を区別することができる。リソグラフィ投影装置の一方の種類は、それぞれの標的部分が、その標的部分上にマスク・パターン全体を１回で露光することによって照射されるが、このような装置は、ウェーハ・ステッパ又はステップ・アンド・リピート装置と一般に呼ばれる。もう１つの別の装置は、一般にステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれ、所与の基準方向（「走査方向」）に投影ビーム下のマスク・パターンを漸進的に走査することによって、それぞれの標的部分が照射され、他方で、この基準方向に対して平行に又は非平行に基板テーブルを同期走査する。一般に、投影システムは倍率Ｍ（一般に１よりも小さい）を有するので、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスク・テーブルが走査される速度の倍率Ｍ倍である。ここで説明したリソグラフィ装置に関するさらなる情報を、例えば、参照によってここに援用される米国特許第６，０４６，７９２号明細書に見いだすことができる。

リソグラフィ投影装置を使用する製造工程では、少なくとも一部に放射感受性材料（レジスト）の層が被覆されている基板上にパターン（例えば、マスク中の）が結像される。この結像工程の前に、基板は、プライミング、レジスト塗布、及びソフト・ベークなどの様々な処理を経ることができる。露光後に、この基板は、露光後焼付け（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、及び結像された微細構造の計測／検査などの他の工程を経ることができる。このような数多くの手順は、デバイス、例えば、ＩＣの個々の層をパターン化するための基本として用いられる。次いで、このようなパターン化した層は、エッチング、イオン注入（ドーピング）、金属被覆、酸化、化学機械的な研磨等々、すべて個々の層を仕上げるために行う様々な工程を経ることができる。幾つかの層が必要ならば、この手順全体、又はその変形手順をそれぞれの新たな層に対して反復しなければならない。最終的には、デバイスのアレイが基板（ウェーハ）上に得られる。次いで、これらのデバイスは、ダイシング又はソーイングなどの技法によって相互に切り離され、次ぎに、個々のデバイスをキャリヤ上に実装したり、ピンに接続したりすることなどが可能である。このような工程に関する詳細な情報は、例えば、参照によってここに援用される、Ｐｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔ著、「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」、ＭｃＧｒａｗ Ｈｉｌｌ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．社刊、第３版、１９９７年、ＩＳＢＮ ０−０７−０６７２５０−４から得られる。

簡略のために、投影システムを以後「レンズ」と呼ぶ場合があるが、この用語は、例えば、屈折光学素子、反射光学素子、及び反射屈折光学系を含めて、様々な種類の投影系を包含するものと広義に解釈されたい。放射システムも、放射の投影ビームを誘導、成形、又は制御するために、これらの設計上の種類にしたがって動作する構成要素を含み得るが、このような構成要素も、以下では集合的に又は単独に「レンズ」と呼ぶことができる。さらには、リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスク・テーブル）を有する種類もあり得る。このような「多連ステージ式」装置では、追加的なテーブルを並行して使用可能である。すなわち、準備ステップを１つ又は複数のテーブル上で実施し、他方で、１つ又は複数の他のテーブルを露光用に使用することができる。例えば、２連ステージ式リソグラフィ装置が、参照によってここに援用される、米国特許第５，９６９，４４１号明細書及び国際公開ＷＯ９８／４０７９１パンフレットに説明されている。

本明細書では、ＩＣの製造における本発明による装置の使用を特定的に言及する場合があるが、このような装置には他に数多くの可能な応用例があることを明確に理解されたい。例えば、それは集積光学系、磁気ドメイン・メモリ用の誘導及び検出パターン、液晶表示パネル、薄膜磁性ヘッド等の製造に使用可能である。このような別法による応用例の文脈では、本明細書における「レチクル」、「ウェーハ」、又は「ダイ」という用語の使用はいずれも、より包括的な用語である「マスク」、「基板」、又は「標的部分」と置き換えられるものと考えるべきであることは当業者には理解されよう。

本明細書では、「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長を有する）、及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの領域の波長を有する）ばかりでなく、イオン・ビーム又は電子ビームなどの微粒子ビームを含めて、すべての種類の電磁放射を包含するように使用されている。

さらには、本出願の文脈では、前記「物品」は、上述の用語、すなわち、ウェーハ、レチクル、マスク、又は基板のいずれかであり得るが、さらに詳細には、
リソグラフィ投影技法を使用してデバイスを製造する際に処理すべき基板、或いは
リソグラフィ投影装置中のリソグラフィ投影マスク若しくはマスク・ブランク、マスク検査若しくは洗浄装置などのマスク取扱装置、又はマスク製造装置若しくは放射システムの光路中にクランピングされる他の任意の物品や光学素子、などの用語であり得る。

以上に特定したフォトリソグラフィ装置では、物品はクランピング電極によって物品保持器に保持される。このような静電クランピングは、例えば、基板が真空状態で処理されるときに使用可能である。この種の処理は、例えば、フォトリソグラフィ工程のために使用される放射の種類が、極紫外線（ＥＵＶ）領域とも呼ばれる、（軟）Ｘ線領域内にあるときに行われる。静電クランピングは、物品保持器と物品の間の電界を利用する。このような方法では、クランピング圧力を供給するために、物品保持器と物品の（局所）領域における電荷差の間に存在する静電力が使用される。このような電荷差は、物品保持器中の電極が帯電され、かつ、例えば、物品が接地されるときに生じる。別様では、反対の電圧を有する複数の電極が物品保持器中に存在可能であり、それらは物品中に同様に反対の電荷分布を導き、物品中に過剰な電荷を残さない。

欧州特許出願第０９４７８８４号は、物品の平坦度を向上させるように突起が配置されている物品保持器を有するリソグラフィ装置を記載している。これらの突起は、概ね０．５ｍｍの直径を有し、かつ相互から概ね３ｍｍの距離を隔てて配置され、それによって物品を支持する支持部材の土台を形成する。突起の一般的な高さは５μｍである。しかし、これらの静電クランピング構成では、境界縁部付近で支持体が終端することによって、特に、突起構成の境界付近では、ウェーハが不均一に支持される傾向にある。これは、許容外の結像品質につながり得る、ウェーハの上向きの持ち上がり、又は下向きの「垂れ下がり」を引き起こす恐れがある。

本発明が、その目的の１つとして有するのは、物品保持器のウェーハ支持体の不均一問題が対処され、かつ物品が制御可能な方式で水平化される、前文にしたがうリソグラフィ装置を提供することである。

前記目的を実現するために、本発明のリソグラフィ装置は、請求項１に記載の特徴にしたがってアレンジされる。別の態様では、本発明のリソグラフィ装置は、請求項１４に記載の特徴にしたがってアレンジされる。さらに別の態様では、本発明は、請求項１４に記載の特徴にしたがう物品保持器を提供する。

物品保持器に有孔クランピング電極を設けることによって及び／又は少なくとも１個の突起に隣接する少なくとも１本の境界縁部線分の範囲内で複数倍変化する境界縁部を備えるクランピング電極を設けることによって、静電クランピング圧力が局所的に低減されるので、不均一なクランピング圧力による物品の局所的な高さのばらつきを回避することができる。実際には、境界効果により、静電力は厳密に予測することは非常に困難である。したがって、別の態様では、これらの穿孔及び／又は輪郭変更は、ウェーハの局所的な高さのばらつきを測定し、その上で、測定された物品の平坦度を改善するために、境界縁部の微小穿孔又は微小波形が追加される反復測定過程において行うことができる。この態様では、（微小）穿孔は、隣接する突起がまたがる領域と比較して「小さい」こと、すなわち、穿孔領域は、隣接する突起によって形成される平均的な領域の実質的に０．０１から５０％の範囲にわたることが注目される。別の態様では、少なくとも１個の突起に隣接する少なくとも１本の境界縁部線分の範囲内で前記境界縁部を複数倍に変更するということは、電極境界縁部の曲率全体よりも少なくとも５％、好ましくは２０％大きい変化量にある、微小波形又は湾曲を２個の突起間に形成する局所的に湾曲した形状を有することであると、少なくとも理解されていることが注目される。さらには、このような画定は、湾曲した形状に限定しようとするものではなく、例えば、千鳥型形状などの鋭角の縁部を有する形状も包含する。

好ましい一実施例では、前記穿孔は概ね円形である。別の好ましい実施例では、前記穿孔は概ねスリット形状である。

穿孔及び／又はスリットは、０．１から０．５ｍｍの範囲にわたる寸法であり得る。

このような方式で穿孔を設けることによって、前記クランピング電極は、単一の制御電圧によって制御される単一部品型であり得る。

ここで、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の模式的な図面を参照して、例示としてのみ、本発明の実施例を説明する。

図１は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィ投影装置を模式的に示す図である。この装置は、
放射（例えば、遠紫外領域内の光）の投影ビームＰＢを供給するための放射システムＥｘ、ＩＬ（この特定の場合では、放射システムが放射源ＬＡも備える）と、
マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのマスク保持器が備わり、かつ要素ＰＬに対してマスクを正確に位置決めする第１位置決め手段ＰＭに連結されている第１物体テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
基板Ｗ（例えば、レジストを塗布したシリコン・ウェーハ）を保持するための物品保持器が備わり、かつ要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めする第２位置決め手段ＰＷに連結されている第２物体テーブル（基板テーブル）ＷＴと、
基板Ｗの標的部分Ｃ（例えば、１個又は複数のダイを含む）上にマスクＭＡの照射された部分を結像する投影システム（「レンズ」）ＰＬと、を備える

ここで図示するように、本装置は透過型である（すなわち、透過型マスクを有する）。しかし一般には、例えば、反射型でもよい（すなわち、反射型マスクを有する）。別法として、本装置は、上で言及した種類のプログラマブル・ミラー・アレイなど、別種類のパターン化手段を使用することもできる。

放射源ＬＡ（例えば、エキシマ・レーザ）が、放射ビームを生成する。このビームは、直接に又は、例えば、ビーム拡大器Ｅｘなどの調節手段を横切った後で、照明システム（照明器）ＩＬ中に送り出される。照明器ＩＬは、ビーム中の強度分布の外半径範囲及び／又は内半径範囲（一般にそれぞれσ−アウター及びσ−インナーと呼ばれる）を設定する調整手段ＡＭを備えることができる。さらに、この照明器は、一般に積分器ＩＮ及び集光器ＣＯなどの他の様々な構成要素を備えることができる。このようにして、マスクＭＡに当たるビームＰＢは、その断面中に望ましい均一性及び強度分布を有する。

図１に関して、放射源ＬＡは、リソグラフィ投影装置の筐体内部に位置し得ること（放射源ＬＡが、例えば水銀燈である場合にしばしばそうであるように）、しかし、放射源がリソグラフィ投影装置から遠隔にあってもよく、放射源が発生する放射ビームは、（例えば、適切な誘導ミラーの補助によって）装置中に導入されることに留意されたい。後者のシナリオは、放射源ＬＡがエキシマ・レーザである場合にしばしばそうである。本発明及び特許請求の範囲は、これらの両方のシナリオを包含する。

次いで、ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡと交差する。このマスクＭＡを横切った後で、ビームＰＢはレンズＰＬを通過するが、このレンズはビームＰＢを基板Ｗの標的部分Ｃ上に合焦する。第２位置決め手段ＰＷ（及び干渉型測定手段ＩＦ）の補助によって、例えば、ビームＰＢの経路中に異なる標的部分Ｃを位置決めするために、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１位置決め手段ＰＭを使用して、例えば、マスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に取り出した後で、又は走査中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、図１に明示されていない長行程モジュール（粗い位置決め）と短行程モジュール（微細な位置決め）の補助によって実現することになる。しかし、ウェーハ・ステッパの場合は（ステップ・アンド・スキャン装置とは異なり）、マスク・テーブルＭＴは、短行程アクチュエータに連結されているだけもよいし、又は固定式でもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置合せ標識Ｍ１、Ｍ２及び基板位置合せ標識Ｐ１、Ｐ２を用いて位置合せ可能である。

図示の装置は２通りの異なる方式で使用することができる。
１．ステップ方式では、マスク・テーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、マスク画像全体を１回（すなわち、単一「閃光」）で標的部分Ｃ上に投影する。次いで、ビームＰＢが異なる標的部分Ｃを照射できるように、基板テーブルＷＴは、ｘ方向及び／又はｙ方向に移動される。
２．スキャン方式では、所与の標的部分Ｃが単一「閃光」で露光されないことを除けば、本質的に同じシナリオが該当する。マスク・テーブルＭＴは静止状態ではなく、それを速度ｖで所与の方向（いわゆる「走査方向」、例えば、ｙ方向）に可動式にして、投影ビームＰＢにマスク画像を全体にわたって走査させ、並行して、基板テーブルＷＴは、速度Ｖ＝Ｍｖで、同一方向又は逆方向に同期移動される。前式で、ＭはレンズＰＬの倍率である（典型的には、Ｍ＝１／４又は１／５である）。このようにして、分解能を損なう必要もなく、相対的に大きな標的部分Ｃを露光することができる。

図２には、本発明による物品保持器１の模式図が例示されている。この図では、複数の突起２が点線によって図示されているが、これらの突起は実質的に同心円に配向されている。明瞭度を高めるために、図中では数個の突起のみに参照数字をつける。これらの突起２は、概ね０．５ｍｍの直径を有し、かつ相互から概ね３ｍｍの距離を隔てて配置され、それによってウェーハ又はレチクルなどの物品を支持する支持部材の土台を形成する。さらには、クランピング電極が参照符号３によって示されている。クランピング電極３は、突起を支持する、物品保持器の基部プレートの中に埋設されている導電層であり得る。クランピング電極３は、帯電しているとき、静電クランピング力を生成し、それによって物品を突起２の末端に対接して引き付ける。図２には、好ましくは対称的に二等辺三角形の形状をなす複数の貫通孔４が示されている。貫通孔４は、光リソグラフィ工程が実行された後で、物品を物品保持器から排出するために、排出ピン（図示せず）を収容する役割を果たし得る。別様では、貫通孔は、物品保持器に対して裏込めガスを送り出す送出手段を収容するために、物品保持器の中に存在可能である。

このような裏込めガスを使用して、突起２間に、すなわち、これらの突起を支持するための基底層を形成する基部プレートと、物品保持器によってクランピングされるウェーハ又はレチクルなどの物品の背面との間に形成される空間を充填することができる。このような裏込めガスは、物品から物品保持器への伝熱能力を高める。

ここで図３に注目すると、貫通孔４付近の物品保持器１の細部が図示されている。本明細書では、このような貫通孔４の近傍で本発明を示すが、例えば、本発明は、物品保持器の周辺部付近における不規則部（当業では「ノッチ」として知られている）の近傍など、他の領域内であっても十分適切に応用可能である。本発明は、突起の全体的な分布によって、突起構成中に生じる恐れがある局所的な圧力のピークを消散する役割を果たし得るので、不規則な境界形状という状況ではなくても応用可能である。しかし、貫通孔４の存在は、この貫通孔によって、貫通孔を覆いかつ貫通孔の直近における物品不支持領域が導入されるので、物品保持器上の物品を局所的に支持することがいかに不安定であり得るかを示す好例である。したがって、支持体の特質及び非支持領域の大きさによっては、物品は、焦点誤差又は重ね合せ誤差が予測を超えるほどに、許容外の程度にまで変形する恐れがある。これを防止するために、本発明にしたがって、クランピング電極３は、前記静電クランピング力を局所的に低下させるための穿孔５を備える。この方法では、静電クランピング力は局所的に低減可能であるので、不均衡なクランピング力によるウェーハの局所的な高さのばらつきを回避することができる。したがって、物品はより均一の高さに支持され、重ね合せ誤差又は焦点誤差を低減することができる。

図４には、別法による一実施例が示されているが、この実施例では、静電クランピング力はさらに一段と制御可能になる。この実施例では、クランピング電極３は、境界の突起２の少なくとも幾つかの回りに局所的に湾曲する境界縁部６をさらに備える。このような湾曲は、全体として、それぞれが突起に対して同軸に配向されている複数の重なり合う円であると見ることができる。本発明は、重なり合っていない円との組合せであっても応用可能である。しかし、重なり合う円は、単一の制御電圧によって制御できる単一部品型静電クランプの利点を提供する。

図５は、図３の構成の細部を示す。図５では、特定の境界構成とは無関係な突起２が示されている。この図では、穿孔５は、３個の隣接する突起によって形成される三角形の中央領域内に存在するように示されている。この領域では、支持体がないために、物品は過剰に強くクランピングされる傾向にあり、物品が「垂れ下がって」、焦点誤差及び重ね合せ誤差が増大する。穿孔によって、このような垂れ下がりを防止することが可能であり、したがって焦点誤差及び重ね合せ誤差が減少する。

図６は、図４の細部を示す。境界６は、局所的に湾曲し、隣の突起２に対する境界の距離とほぼ同程度の曲率半径を有する。この態様では、クランピング電極３の境界縁部６を局所的に変形することによって、電界の局所的なばらつきを制御し、かつ均一化することができる。

図７及び図８は、特に、レチクルが反射型である極紫外線システム中で使用するためのレチクル保持器を示す模式図である。これらのレチクル保持器７は、形状が概ね正方形であり、複数の突起によって支持されている。このような正方形の形状では、基本的な構成が正方形か（図７）又は三角形（図８）であり得るが、後者は、隣接するふしこぶ（ｂｕｒｌｓ）間の間隔距離のばらつきが相対的に少ない。本発明によれば、クランピング電極は、隣接する境界突起を連結する周囲の線にしたがって形状が付けられている境界縁部６を備える。図７では、これによって直線が得られるが、この場合では、境界縁部６の間隔は、２個の隣接する突起間の半分の間隔幅まで多少減少することに改善が見られる。このような最適化された縁部によって、オーバーハング効果は、例えば、電極が突起間隔の半分まで延びる場合は、ウェーハに対して低減可能である。図８では、反射型の正方形レチクル８のための物品保持器が示されているが、突起構成は三角形である。このような構成では、境界縁部６は、隣接する境界突起２を連結する変更周囲の線９にしたがって縁部６を形状付けることによって最適化される。

最後に、図９のＡ及びＢは、本発明にしたがって改変されているクランピング電極境界縁部６を示す詳細な平面図である。図では、クランピング電極が斜線領域１０によって示されている。さらには、十字円１１が、物品を支持するための突起を示す。さらには、白抜きの包囲領域１２が、物品のより適切な平坦性を実現するために、前記静電クランプ力を局所的に低減するための穿孔である。この領域は、完全な円形とは異なる形状を有し得ることが図から明らかである。さらには、この穿孔領域は、変更可能であり、さらに具体的には、隣接する突起２によって図９Ａに模式的に示されている平均的な領域１３の何分の１かの程度であることは明らかである。

さらには、図９から、境界縁部６は、少なくとも１個の突起に隣接する少なくとも１本の境界縁部線分の範囲内で、複数倍に変化可能であることが明らかである。このような線分が、参照符号１４によって図中に示されており、２個の隣接する突起間の平均的な間隔距離の０．１から１０倍の範囲にわたる長さを有する。さらには、模式的に、前記境界縁部６に接する接線１５が示されている。図９は、境界縁部６が、少なくとも幾つかの隣接する突起２の回りの周囲の線によって形成される局所的な輪郭を辿るように、方向が異なる、前記境界縁部に接する接線を有することを開示する図である。

図１０は、本発明の第５実施例を示す図であり、この実施例では、物品の局所的な高さのばらつきを均一化するために、電界が局所的に変更される。この場合では、本実施例は、パターン化すべき基板を位置合せするために使用される基準１７をクランピングするためのクランプ１６であり得る。この場合では、誘電体層及び／又は接地細片１８を設けることが可能であり、それは局所的に設けられて電極を覆う。接地細片の場合では、接地されかつ電気的クランプを覆う局所的な導電層を設けるために、このようなものをエッチング又は局所注入によって容易に設けることができる。接地された細片は、クランプ中に孔を設けるのと同様の局所的な減衰を引き起こす、電界の伝搬を妨げる。別様では、この細片は、基準に対して及ぼす電気的な力を増大させる誘電体層であり得る。この実施例では、図１０の基準クランプ１６は、平坦な支持体が備わるように突起２が配置されている上部ＵＬＥ（登録商標）層１９を備える。同様に、下部ＵＬＥ層２０には、支持部分２２、例えば、移動ステージの上に位置する突起２１が備わっている。クランプには、クランピング電極の役割を果たすアルミニウム接着層２４によってＵＬＥ層１９及び２０に接着されている中央のＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）層２３がさらに設けてられている。

本発明の特定の実施例を以上に説明したが、本発明は、説明とは別様に実施可能であることが明らかである。このような説明は本発明を限定しようとするものではない。

本発明の一実施例によるリソグラフィ投影装置を示す図である。 図１に示されている物品保持器を示す平面図である。 本発明のリソグラフィ投影装置の物品保持器の第１実施例を示す図である。 本発明のリソグラフィ投影装置の物品保持器の第２実施例を示す図である。 図３の実施例の細部を示す図である。 図４の実施例の細部を示す図である。 本発明のリソグラフィ投影装置の物品保持器の第３実施例を示す図である。 本発明のリソグラフィ投影装置の物品保持器の第４実施例を示す図である。 本発明にしたがって改変されているクランピング電極境界縁部を示す平面詳細図である。 物品保持器の側面図を示す図であり、本発明の第５実施例を示す。

Claims (14)

1. リソグラフィ投影装置であって、
   放射の投影ビームを供給するための放射システムと、
   前記放射の投影ビームのビーム経路中に配置すべき実質的に平坦な物品を支持するための支持体の平坦面を提供するように配置された突起構成を画定する複数の突起を含む物品保持器と、を備え、
   前記物品保持器は、前記物品を前記物品保持器に対してクランピングするために、静電クランピング力を生成するための少なくとも１個のクランピング電極を含み、
   前記少なくとも１個のクランピング電極は、前記物品の局所的な高さのばらつきを水平化するために、前記静電クランピング力を局所的に変更する電界変更構造を備えることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
2. 前記電界変更構造は、電極境界縁部を備え、
   前記電極境界縁部は、少なくとも幾つかの境界突起の回りで局所的に湾曲しており、
   前記境界突起は、前記突起構成を画定する複数の突起の一部の突起であって、前記電極境界縁部の付近に位置する、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
3. 前記電界変更構造は、前記クランピング電極を覆う導電層及び／又は基底層を備える、請求項１又は請求項２に記載のリソグラフィ投影装置。
4. 前記電界変更構造は、電極境界縁部を備え、
   前記電極境界縁部は、前記電極境界縁部の曲率全体よりも少なくとも５％大きい変化量にあたる微小波形又は湾曲を２個の突起間に形成する局所的に湾曲した形状を有するように、少なくとも１つの突起に隣接する少なくとも前記電極境界縁部の１つの線分の範囲内で、変化前の前記電極境界縁部の複数倍変化する、請求項１乃至請求項３のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
5. 前記クランピング電極は、隣接する境界突起を連結する周囲の線にしたがって形状付けられる境界縁部を備え、
   前記境界突起は、前記突起構成を画定する複数の突起の一部の突起であって、前記境界縁部の付近に位置する、請求項１乃至請求項４のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
6. 前記電界変更構造は、前記クランピング電極中の少なくとも１つの穿孔を備える、請求項１乃至請求項５のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
7. 前記穿孔は、概ね円形である、請求項６に記載のリソグラフィ投影装置。
8. 前記穿孔は、概ねスリット形状である、請求項６に記載のリソグラフィ投影装置。
9. 前記穿孔は、２つの隣接する突起間の平均的な間隔距離の何分の１かの寸法である、請求項６乃至請求項８のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
10. 前記穿孔は、０．１から０．５ｍｍまでの範囲にわたる、請求項６乃至請求項９のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
11. 前記穿孔は、３つの突起によって形成される三角形の中央に配置される、請求項６乃至請求項１０のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
12. 前記クランピング電極は、単一の制御電圧によって制御される単一部品型である、請求項１乃至請求項１１のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
13. 前記突起は、概ね円筒形に形成されている、請求項１乃至請求項１２のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
14. 実質的に平坦な物品を支持するための支持体の平坦面を提供するように配置された突起構成を画定する複数の突起を備える、請求項１乃至請求項１３のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置のための物品保持器であって、
    前記保持器は、物品を前記保持器に対してクランピングするために、静電クランピング力を生成する少なくとも１個のクランピング電極を備え、
    前記少なくとも１個のクランピング電極は、前記物品の局所的な高さのばらつきを水平化するために、前記静電クランピング力を局所的に変更する電界変更構造を備えることを特徴とする物品保持器。

Images