JP4564473B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
そして、有機保護膜を除去する段階はマスクを用いて露光し、マスクは画素領域と対応する開口部が形成されているものを用いることができる。
また、画素電極上の少なくとも一領域に反射層を形成する段階をさらに含むように構成できる。
ここで、絶縁基板はマザー基板素材から複数が製作され、マザー基板素材は絶縁基板として使用される基板部と絶縁基板の間の領域である周辺部とに区分され、モールドには、周辺部に対応する所にマザー基板素材に向かって突出して形成された保護膜除去部をさらに形成することができる。
また、モールドは紫外線を透過する透明材質で設けることが好ましい。
そして、モールドはPDMS(polydimethylsilixane)で形成することができる。
ここで、モールドを加圧しながら有機保護膜を硬化する段階をさらに含むことができる。
また、モールドを除去した後、周辺部の残留有機保護膜を除去する段階をさらに含むことが好ましい。
ここで、モールドを除去した後、有機保護膜上に感光性有機膜を全体的に形成した後、凹凸パターンが形成された領域以外の領域の感光性有機膜を除去する段階をさらに含むことができる。
また、感光性有機膜が塗布された領域以外の領域の有機保護膜を除去する段階をさらに含むことができる。
そして、凹凸パターン上の感光性有機膜を除去する段階をさらに含むことができる。
図1は本発明の第1実施形態によるマザー基板素材の平面図であり、図2は図1の‘A’領域の薄膜トランジスター基板の配置図であり、図3は図2のIII-III線による断面図である。
まず、薄膜トランジスター基板100について説明する。
図1に示されているように、複数の第1基板100は1つの大きな基板素材10から一連の薄膜トランジスタ基板製造工程を経て製造される。ここで、絶縁基板110の間の領域(以下、‘周辺部’という)に形成された有機保護膜などは以後に露光および現像工程過程で除去される部分である。
ゲート電極122のゲート絶縁膜130上部には非晶質シリコンなどの半導体からなる半導体層140が形成されており、半導体層140の上部にはシリサイドまたはn型不純物が高濃度でドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質で構成された抵抗接触層150が形成されている。ソース電極162とドレイン電極163の間のチャンネル部では抵抗接触層150が除去されている。
第2絶縁基板210の上にブラックマトリックス220が形成されている。ブラックマトリックス220は一般に赤色、緑色および青色フィルターの間を区分し、第1基板100に位置する薄膜トランジスターTへの直接的な光照射を遮断する役割を果たす。ブラックマトリックス220は、通常、黒色顔料が添加された感光性有機物質から形成される。この黒色顔料としてはカーボンブラックまたはチタニウムオキシドなどを使用する。
カラーフィルター230とカラーフィルター230が覆っていないブラックマトリックス220の上部にはオーバーコート層240が形成されている。オーバーコート層240はカラーフィルター230を平坦化しながら、カラーフィルター230を保護する役割を果たし、通常アクリル系エポキシ材料が多く使用される。
このように形成された薄膜トランジスター基板100とカラーフィルター基板200の間に液晶層300を注入し、シーラント(図示せず)によって両基板100、200を接合することにより、液晶パネル1を完成することができる。
まず、図2および図3に示されているように、第1絶縁基板110上にゲート配線物質を蒸着した後、マスクを利用した写真エッチング工程でパターニングして、ゲート線121、ゲート電極122およびゲートパッド123等を含むゲート配線121、122、123を形成する。その次に、ゲート絶縁膜130、半導体層140、抵抗接触層150の3層膜を連続して積層する。
その次に、データ配線物質を蒸着した後、マスクを利用した写真エッチング工程でパターニングして、ゲート線121と交差するデータ線161、データ線161と接続されてゲート電極122の上部まで延長されているソース電極162と、これに対向するドレイン電極163を含むデータ配線161、162、163を形成する。その次に、データ配線161、162、163で覆わない抵抗接触層150をエッチングして、ゲート電極122を中心に両側に分離する一方、半導体層140を露出させる。この過程で抵抗接触層150は大部分除去され、半導体層140も一部エッチングされる。その次に、露出された半導体層140の表面を安定化させるために酸素プラズマを実施することが好ましい。
その後、図4cに示されているように、モールド400を除去する。有機保護膜170は高粘度の有機物層であるので、モールド400を除去しても凹凸パターン175の形状が維持される。ここで、モールド400の表面に離型剤を塗布することにより、モールド400の除去を容易にすることができる。
そして、公知の方法によって、第2絶縁基板210上にブラックマトリックス220、カラーフィルター230、オーバーコート層240、共通電極250および配向膜を形成して第2基板200を完成する。このように形成された第1基板100と第2基板200を対向接着させ、液晶を注入して、液晶パネル1を完成する。
一方、スリットマスク(slit mask)を用いて凹凸パターン175を形成する方法は、凹凸パターン175の収率と反射効率が良くないため、適切な光の散乱を誘導できなかった。散乱が過度に多い場合にはカラーフィルター基板200と偏光板に光を吸収する要素が多いため暗くなり、散乱が少ない場合には特定方向にのみ光が集中するため視野角に問題が発生した。また、液晶パネル1は屈折率の異なる多層構造からなっているため、反射して出る光の角度が限界角度の以上になると、液晶パネル1から空気層に出ることができないという問題点がある。
以下、図5a〜図5cを参照して本発明による第2実施形態について説明する。第1実施形態と同一な工程は省略し、第1実施形態と比較される特徴的な部分のみを抜粋して説明する。
図1に示されているように、薄膜トランジスター基板100として使用される複数の絶縁基板110は1つの大きなマザー基板素材10から複数が製作される。そして、このようなマザー基板素材10は、絶縁基板110として使用される基板部と、絶縁基板110の間の領域である周辺部とに区分される。
これによって、本発明による製造方法は精巧に製作された良質のモールド400を利用して凹凸パターン175を形成し、凹凸パターン175が形成された状態で硬化段階を経るので、凹凸パターン175の収率と反射効率が向上し、適切な乱反射と散乱を誘導することができる。また、モールド400によって凹凸パターン175が形成されるので、スリットマスクを利用した従来の工程に比べて工程が単純であり、特に露光および現像工程を除去することができるので、工程がさらに簡単になり、製造費用を節減できる。
図6a〜図6eは第1基板100の有機保護膜170上に凹凸パターン175を形成する方法を説明するために簡略に示した図面である。
その後、図6bに示されているように、凹凸パターン175が形成された有機保護膜170上に感光性有機膜600を全体的に形成する。そして、図6cに示されているように、マスク(図示せず)を利用した露光および現像工程を経て凹凸パターン175が形成された領域以外の領域、つまり、周辺部の感光性有機膜600を除去する。
最後に、図6eに示されているように、凹凸パターン175上の感光性有機膜600を除去することによって良質の凹凸パターン175が形成される。凹凸パターン175上の感光性有機膜600はアッシング(Ashing)感光性有機膜除去(strip)工程などの方法によって除去することができる。
10 基板素材
100 薄膜トランジスター基板(第1基板)
110、210 絶縁基板
121 ゲート線
122 ゲート電極
123 ゲートパッド
130 ゲート絶縁膜
140 半導体層
150 抵抗接触層
161 データ線
162 ソース電極
163 ドレイン電極
170 有機保護膜
171 ドレイン接触孔
172 ゲートパッド接触孔
173 データパッド接触孔
175 凹凸パターン
180 画素電極
181、182 接触補助部材
190 反射層
200 カラーフィルター基板(第2基板)
220 ブラックマトリックス
230 カラーフィルター
240 オーバーコート層
250 共通電極
300 液晶層
400 モールド
410 凹凸パターン
500 マスク
510 開口部
600 感光性有機膜
Claims (7)
- 絶縁基板を準備する段階と、
前記絶縁基板上に横方向に延長されているゲート配線、前記ゲート配線と電気絶縁状態で交差して画素領域を定義するデータ配線を形成する段階と、
前記ゲート配線と前記データ配線の交差領域に薄膜トランジスターを形成する段階と、
前記薄膜トランジスター上に有機保護膜を形成する段階と、
前記有機保護膜上に前記画素領域に対応する凹凸パターンが形成されたモールドを配置し加圧して、前記有機保護膜上に凹凸パターンを形成する段階と、
前記有機保護膜上に画素電極を形成する段階と、
を含み、
前記絶縁基板はマザー基板素材から複数が製作され、前記マザー基板素材は前記絶縁基板として使用される基板部と前記絶縁基板の間の領域である周辺部とに区分され、
前記モールドは前記周辺部に対応する部分に前記マザー基板素材に向かって突出して形成された保護膜除去部がさらに設けられていることを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。 - 前記画素電極上の少なくとも一領域に反射層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記モールドは紫外線を透過する透明材質で形成されることを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記モールドはPDMS(polydimethylsilixane)で形成されることを特徴とする、請求項3に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記モールドを加圧しながら前記有機保護膜を硬化する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項3に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記モールドを加圧する時、前記保護膜除去部の端部が前記絶縁基板に当接することを特徴とする、請求項5に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記モールドを除去した後、前記周辺部の残留有機保護膜を除去する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項3に記載の液晶表示装置の製造方法。
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