JP4563930B2 - リソグラフィ装置、照明系、及びフィルタ・システム - Google Patents
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Description
−放射ビームB(例えば、UV放射又はEUV放射若しくはX線)を調整するように構成された照明系(照明器)ILと、
−パターン形成装置(例えば、マスク)MAを支持するように作製されて、幾つかのパラメータに従ってパターン形成装置を精確に位置決めするように構成された第1の位置決め装置PMに連結されている支持構造(例えば、マスク・テーブル)MTと、
−基板(例えば、レジスト塗布ウェーハ)Wを保持するように作製されて、幾つかのパラメータに従って基板を精確に位置決めするように構成された第2の位置決め装置PWに連結されている基板テーブル(例えば、ウェーハ・テーブル)WTと、
−パターン形成装置MAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの標的部分C(例えば、1個又は複数のダイを含む)の上に投影するように構成された投影系(例えば、屈折投影レンズ系)PSとを含む。
1.ステップ方式では、放射ビームに付与されたパターン全体を1回で標的部分Cの上に投影する間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTを基本的に静止状態に保持する(即ち、単一静的露光)。次いで、異なる標的部分Cを露光できるように、基板テーブルWTをX方向及び/又はY方向に移動する。ステップ方式では、露光域の最大の大きさが、単一静的露光で描画される標的部分Cの大きさを限定する。
2.走査方式では、放射ビームに付与されたパターンを標的部分Cの上に投影する間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTを同期して走査する(即ち、単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影系PSの(縮小/)拡大率及び像反転特性によって決定可能である。走査方式では、露光域の最大の大きさが単一動的露光における標的部分の幅(非走査方向における)を限定する一方で、走査の移動長さが標的部分の高さ(走査方向における)を決定する。
3.別の方式では、放射ビームに付与されたパターンを標的部分Cの上に投影する間、マスク・テーブルMTを基本的に静止状態に保ってプログラム可能なパターン形成装置を保持し、且つ基板テーブルWTを移動又は走査する。この方式では、一般にパルス放射源が使用され、基板テーブルWTの移動後毎に又は走査時の連続的な放射パルスの合間に、プログラム可能なパターン形成装置を必要に応じて更新する。このような動作方式は、上で言及した種類のプログラマブル・ミラー・アレイなどのプログラム可能なパターン形成装置を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に応用可能である。
B 放射ビーム
C 経路
CEA、CEG 経路入口
CL 連結線
CS 冷却システム
CS1、CS2 冷却システムの部分
CX 経路出口
D 第1の位置と第2の位置との間の距離
EP 入口位置
F、F1、F1 箔
FP1、FP2 箔の2つの部分
FS フィルタ・システム
G 間隙
IC 噴射経路
IF 位置センサ
IL 照明系
IR 内部リング
L 線
MA パターン形成装置
MT マスク・テーブル
M1、M2 マスク位置合せ標識
OR 外部リング
P 蛇行通路
P1 支持体の第1の位置
P2 支持体の第2の位置
PM、PW 位置決め装置
PS 投影系
R1、R2 凹所
S 支持体
SA 対称軸
S1、S1 支持体の部分
SO 放射源
VSL 仮想直線
W 基板
WT 基板テーブル
XP 出口位置
Claims (15)
- リソグラフィ装置であって、
−放射の投影ビームを形成するように構成された放射系を含み、
前記放射系は、
(a)放射を放出する放射源と、
(b)前記放射源によって放出された前記放射から細塵粒子を濾過するためのフィルタ・システムであって、前記細塵粒子を捕集するための複数の箔を含むフィルタ・システムと、
(c)前記放射源によって放出された前記放射を調整放射ビームに形成するように構成された照明系とを含み、また、前記リソグラフィ装置は、
−前記放射の投影ビームを基板の上に投影するように構成された投影系を含み、
前記複数の箔の少なくとも1つの箔は、相互に異なる向きを有し、且つ実質的に直線的な連結線に沿って相互に連結されている少なくとも2つの部分を含み、
前記2つの部分のそれぞれは、前記放射源と実質的に一致するように意図されている所定の位置を貫通する仮想平面と実質的に一致し、前記実質的に直線的な連結線は、前記所定の位置を同様に貫通する仮想直線と一致するリソグラフィ装置。 - 前記フィルタ・システムは支持体を含み、前記支持体の第1の位置に前記少なくとも2つの部分の第1の部分が連結され、更に前記支持体の第2の位置に前記少なくとも2つの部分の第2の部分が連結される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1の位置と前記第2の位置との間の距離は固定している、請求項2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記支持体は内部リング及び外部リングを含む、請求項2又は3に記載のリソグラフィ装置。
- 前記フィルタ・システムの少なくとも一部は、少なくとも使用に際して、前記支持体を冷却するように配置される、請求項2乃至4のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記フィルタ・システムは、冷却すべく配置されている表面を有する冷却システムを更に含み、前記冷却システム及び前記支持体は、前記冷却システムの前記表面と前記支持体との間に間隙が形成されるように相互に対して位置決めされ、
前記冷却システムは、ガスを前記間隙の中に噴射するように配置されている、請求項2乃至4のいずれかに記載のリソグラフィ装置。 - 前記ガスが前記間隙に進入する入口位置と前記ガスが前記間隙を退出する出口位置との間の通路が蛇行通路を形成する、請求項6に記載のリソグラフィ装置。
- 前記間隙は、前記冷却システムの前記表面と前記支持体との間の最小距離が、約20マイクロメートルから約200マイクロメートルに亘る範囲内にあるようになっている、請求項6又は7に記載のリソグラフィ装置。
- 前記支持体は、前記冷却システムの前記表面に対して回転自在である、請求項6乃至8のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記冷却システムの前記表面は、前記支持体に対して静止しているように配置される、請求項6乃至9のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記冷却システムの前記表面は、流体によって冷却されるように配置される、請求項6乃至10に記載のリソグラフィ装置。
- 前記支持体には、前記ガスが前記間隙を通過する前に前記ガスを収容するための凹所が設けられている、請求項6乃至11に記載のリソグラフィ装置。
- 前記冷却システムは、前記ガスを前記間隙の中に噴射する前に前記ガスを冷却するように配置される、請求項6乃至12に記載のリソグラフィ装置。
- 放射の投影ビームを形成するように構成された放射系であって、
(a)放射を放出する放射源と、
(b)前記放射源によって放出された前記放射から細塵粒子を濾過するためのフィルタ・システムであって、前記細塵粒子を捕集するための複数の箔を含むフィルタ・システムと、
(c)前記放射源によって放出された前記放射を調整放射ビームに形成するように構成された照明系とを含み、
前記複数の箔の少なくとも1つの箔は、相互に異なる向きを有し、且つ実質的に直線的な連結線に沿って相互に連結されている少なくとも2つの部分を含み、
前記2つの部分のそれぞれは、前記放射源と実質的に一致するように意図されている所定の位置を貫通する仮想平面と実質的に一致し、前記実質的に直線的な連結線は、前記所定の位置を同様に貫通する仮想直線と一致する放射系。 - 放射源によって放出された放射から細塵粒子を濾過し、且つリソグラフィ、特に極紫外(EUV)リソグラフィのために使用可能なフィルタ・システムであって、前記フィルタ・システムは前記細塵粒子を捕集するための複数の箔を含み、
前記複数の箔の少なくとも1つの箔は、相互に異なる向きを有し、且つ実質的に直線的な連結線に沿って相互に連結されている少なくとも2つの部分を含み、
前記2つの部分のそれぞれは、前記放射源と実質的に一致するように意図されている所定の位置を貫通する仮想平面と実質的に一致し、前記実質的に直線的な連結線は、前記所定の位置を同様に貫通する仮想線と一致するフィルタ・システム。
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