JP4554479B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
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Description
その結果、サイドエッチングは抑制されているが、順テーパ形状となっている。エチレン(C2H4)の分子構造C−C結合が2重結合であるため、側壁保護作用の強いCClxを効率的に生成することが出来る。そのため、狭ピッチのパターンでもサイドエッチングを抑制することが出来る。しかし、側壁保護物質が過剰になりやすいため、順テーパ形状となり所定の配線幅を得ることが困難となる。
2 二酸化シリコン(SiO2)
3 バリアメタル層
4 金属膜
5 キャップメタル層
6 ハードマスク
10 UHF波
11 アンテナ
12 エッチング処理室
13 プロセスガス
14 シャワープレート
15 ソレノイドコイル
16 電極
17 試料
18 ヒータ
19 排気ポンプ
20 温調器
21 TMバイアス電源
22 大気ローダ
23 ロードロック室
24 アンロードロック室
25 真空搬送室
26 真空搬送ロボット
27 第1のカセット
28 第2のカセット
29 第3のカセット
Claims (2)
- 減圧処理室内に混合ガスを導入して、前記混合ガスからガスプラズマを生成し、前記ガスプラズマによって、ハードマスクを用いてアルミニウム(Al)を含む金属膜をエッチングするドライエッチング方法において、
前記ハードマスクは、一酸化シリコン(SiO)、二酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiN)、窒化酸化シリコン(SiON)のうちの少なくとも一種類からなり、
前記混合ガスは、三塩化ホウ素(BCl3)、塩素(Cl2)、メタン(CH4)、エチレン(C2H4)、アルゴン(Ar)を含み、
前記金属膜が成膜された試料を載置する電極に高周波印加バイアスのパワー印加のオンとオフ期間を制御することが可能なTime Modulation式バイアスを印加しながら、前記金属膜をエッチングし、前記メタンと前記エチレンの割合を前記メタン:20〜80%、前記エチレン:80〜20%にすることを特徴とするドライエッチング方法。 - 減圧処理室内に混合ガスを導入して、前記混合ガスからガスプラズマを生成し、前記ガスプラズマによって、ハードマスクを用いてアルミニウム(Al)を含む金属膜をエッチングするドライエッチング方法において、
前記ハードマスクは、一酸化シリコン(SiO)、二酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiN)、窒化酸化シリコン(SiON)のうちの少なくとも一種類からなり、
前記混合ガスは、三塩化ホウ素(BCl3)、塩素(Cl2)、メタン(CH4)、アセチレン(C2H2)、アルゴン(Ar)を含み、
前記金属膜が成膜された試料を載置する電極に高周波印加バイアスのパワー印加のオンとオフ期間を制御することが可能なTime Modulation式バイアスを印加しながら、前記金属膜をエッチングし、前記メタンと前記アセチレンの割合を前記メタン:20〜80%、前記アセチレン:80〜20%にすることを特徴とするドライエッチング方法。
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- 2005-09-13 JP JP2005264544A patent/JP4554479B2/ja not_active Expired - Fee Related
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