JP4551086B2 - レーザーによる部分加工 - Google Patents
レーザーによる部分加工 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4551086B2 JP4551086B2 JP2003503392A JP2003503392A JP4551086B2 JP 4551086 B2 JP4551086 B2 JP 4551086B2 JP 2003503392 A JP2003503392 A JP 2003503392A JP 2003503392 A JP2003503392 A JP 2003503392A JP 4551086 B2 JP4551086 B2 JP 4551086B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- workpiece
- machining
- path
- length
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/0869—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Laser Surgery Devices (AREA)
Description
10a,10b レーザー演算処理システム
12 半導体ウェハワークピース
14,14a,14b レーザー
16,16a,16b レーザー出力
20,20a,20b 光路
30 複合光線位置決めシステム
32 レーザーシステム出力パルス
34 対象部位
36 ステージ
36 テージ
36 対物レンズ
42,44 位置決め鏡
42a,42b 反射装置
48 レーザーシステム
70 レーザーコントローラー
80 監視システム
100 チャックアセンブリ
132 パス
Claims (33)
- 第1のレーザーパルスの第1のグループの複数のパスを、100μmを超える長さを有する加工経路の第1の部分に沿って作用するようにワークピースに向けること、
第2のレーザーパルスの第2のグループの複数のパスを、前記加工経路の第2の部分に沿って作用するように前記ワークピースに向けること、
前記第1及び第2のグループの複数のパスを前記ワークピースに向けた後に、第3のレーザーパルスの第3のグループの複数のパスを前記加工経路の第3の部分に沿って作用するように前記ワークピースに向けることを含み、
各第1のレーザーパルスは、前記ワークピースに第1のスポット直径を規定する第1のスポットエリアを有し、前記第1の部分に沿った位置に作用し、
各第2のレーザーパルスは、前記ワークピースに第2のスポット直径を規定する第2のスポットエリアを有し、前記第2の部分に沿った位置に作用し、
各第3のレーザーパルスは、前記ワークピースに第3のスポット直径を規定する第3のスポットエリアを有し、前記第3の部分に沿った位置に作用し、
前記第1の部分は、前記第1のスポット直径より大きい長さを有し、前記加工経路より短い長さを有し、前記第1の部分に沿った各位置は、前記第1のグループの複数のパスによって前記第1のレーザーパルスを複数回照射され、
前記第2の部分は、前記第2のスポット直径より大きい長さを有し、前記加工経路より短い長さを有し、前記第2の部分に沿った各位置は、前記第2のグループの複数のパスによって前記第2のレーザーパルスを複数回照射され、前記第2の部分は、前記第1のスポット直径又は第2のスポット直径より大きい長さだけ前記第1の部分に重なっており、
前記第3の部分は前記第3のスポット直径より大きい長さを有し、前記加工経路より短い長さを有し、前記第3の部分に沿った各位置は、前記第3のグループの複数のパスによって前記第3のレーザーパルスを複数回照射され、前記第3の部分は、前記加工経路の前記第1及び第2の部分を除く部分であり、前記第1、第2又は第3のスポット直径より大きい重ならない長さを有する、レーザー加工の方法。 - 前記第1及び第2の部分の長さの少なくとも半分は重なり合う、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の部分は前記第1の部分の全てを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1及び第2の部分は同じ方向に処理される、請求項1又は請求項3に記載の方法。
- 前記第1及び第2の部分は相対する方向に処理される、請求項1又は請求項3に記載の方法。
- 前記第3のレーザーパルスを適用する前に、前記第1及び/又は第2の部分にスルーカットを形成することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第3のレーザーパルスを適用する前に、前記第1及び/又は第2のグループの複数のパスのそれぞれにより、前記第1及び/又は第2の部分にスルーカットを形成すること、
前記第3の部分内にスルーカットを形成することを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記加工経路は1mmより長く、
前記第1、第2及び第3の部分の長さは10μmと500μmとの間にある、請求項1に記載の方法。 - 前記加工経路は10mmより長く、
前記第1、第2及び第3の部分の長さは200μmと500μmとの間にある、請求項8に記載の方法。 - 前記第1、第2及び第3のレーザーパルスは、UV波長、5kHzを超えるパルス周波数、200μJを超えるパルス・エネルギー及び0.5μm〜50μmのバイトサイズによって特徴づけられる、請求項8に記載の方法。
- 前記ワークピースは、50μmより大きい厚さを有する、請求項8又は請求項10に記載の方法。
- 前記ワークピースは、500μmより大きい厚さを有する、請求項11に記載の方法。
- 前記ワークピースは、500μmより大きい厚さを有し、
前記加工経路は100mmより長く、
前記加工経路の全長にわたるスルーカットは、前記加工経路におけるいかなる部位にもレーザーパルスの25回未満のパスによって作られる、請求項8に記載の方法。 - 前記ワークピースは200μmより大きい厚さを有し、
毎分10mmを超える加工速度で前記加工経路に沿って加工することを含む、請求項8に記載の方法。 - 前記ワークピースの厚さの大部分は、半導体材料、ガラス材料、セラミック材料又は金属材料を有する、請求項14に記載の方法。
- 前記ワークピースの厚さの大部分は、Si,GaAs,SiC,SiN、インジウム・リン化物又はAlTiCを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記レーザーパルスは固体レーザー又はCO2レーザーから発生する、請求項1又は請求項15に記載の方法。
- 前記第3の部分は、前記第1又は第2の部分と重ならないように、前記第1又は第2の部分を除外する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のレーザーパルスは、第1の加工方向に前記加工経路に沿って作用し、前記第1の加工方向と平行な第1の偏光方向を有し、
前記第3のレーザーパルスは、第3の加工方向に前記加工経路に沿って作用し、前記第3の加工方向と平行な第3の偏光方向を有し、
前記第1及び第3の加工方向は交わる、請求項1に記載の方法。 - 前記第1の偏光方向から前記第3の偏光方向まで変化させるために、偏光制御デバイスを使用することを含む、請求項19に記載の方法。
- 前記加工経路に沿って作用するスルーカット部位を決定するためにスルーカットモニタを用いてスルーカット状態を監視すること、
前記スルーカットモニタによって提供される情報に応じて、第1、第2、第3のレーザーパルス又は後続のレーザーパルスの前記パスの間、前記スルーカット部位の作用を減らすことを含む、請求項7に記載の方法。 - 前記第1、第2及び第3のグループの複数のパスの少なくとも2つのグループのパスにおけるレーザーパルスは、互いに異なるパラメーターを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1、第2及び第3のグループの複数のパスの少なくとも1つのグループのパスにおける少なくとも2つのレーザーパルスは、互いに異なるパラメーターを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のレーザーパルスのパスが前記第2の部分に適用される前に、前記スルーカットは前記第1の部分に形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のグループの複数のパスは、前記第2の部分の範囲内でスルーカットを形成するために前記第2の部分に適用される、請求項24に記載の方法。
- 前記第3のグループの複数のパスが前記第3の部分に適用される前に、前記スルーカットは前記第2の部分に形成される、請求項25に記載の方法。
- 前記第1の部分及び第2の部分の長さの半分より少ない部分が重なり合う、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のレーザーパルスは、第1の加工方向の前記加工経路に沿って作用し、前記第1の加工方向に向けられた第1の偏光方向を有し、
前記第3のレーザーパルスは、第3の加工方向の前記加工経路に沿って作用し、前記第3の加工方向に向けられた第3の偏光方向を有し、
前記第1の加工方向及び第3の加工方向は交わっており、前記第1の偏光方向及び第3の偏光方向は交わっている、請求項1に記載の方法。 - 前記第1、第2及び第3の部分の少なくとも1つは弧状である、請求項1に記載の方法。
- パージガスは、前記加工経路に沿ってスルーカット内の埋め戻しを吹き飛ばすことを容易にするために使用される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1、第2及び第3のグループの複数のパスのそれぞれは、前記第1、前記第2及び前記第3の部分のそれぞれの異なる深さ部分を加工する、請求項1に記載の方法。
- ワークピース上に長さを有する加工経路に沿って加工を形成する方法であって、
前記加工経路より短い部分の長さを選択すること、
ワークピース上で第1のスポット直径を規定する第1のスポットエリアを有する第1のレーザーパルスの第1のグループの複数のパスを、前記加工経路に沿う第1の部分に沿った複数の位置で前記ワークピースに作用するように向けること、
ワークピース上で第2のスポット直径を規定する第2のスポットエリアを有する第2のレーザーパルスの第2のグループの複数のパスを、前記加工経路に沿う第2の部分に沿った複数の位置で前記ワークピースに作用するように向けること、
前記第1及び第2のグループの複数のパスを前記ワークピースに向けた後に、該ワークピース上で第3のスポット直径を規定する第3のスポットエリアを有する第3のレーザーパルスの第3のグループの複数のパスを、前記加工経路に沿った第3の部分に沿った複数の位置で前記ワークピースに作用するように向けることを含み、
前記第1の部分に沿った各位置は、前記第1のグループの複数のパスによって前記第1のレーザーパルスを複数回照射され、
前記第2の部分に沿った各位置は、前記第2のグループの複数のパスによって前記第2のレーザーパルスを複数回照射され、前記第2の部分は、前記第1又は第2のスポット直径よりも大きい長さだけ前記第1の部分と重なり合い、
前記第3の部分に沿った各位置は、前記第3のグループの複数のパスによって前記第3のレーザーパルスを複数回照射され、前記第3の部分は、前記第1又は第2の部分を越えて延びる前記加工経路の部分を含み、前記加工経路の部分は前記第1、第2又は第3のスポット直径より大きい長さを有する、方法。 - 第1のレーザーパルスの第1のグループの複数のパスを、長さを有する加工経路の第1の部分に沿って作用するようにワークピースに向けること、
第2のレーザーパルスの第2のグループの複数のパスを、前記加工経路の第2の部分に沿って作用するように前記ワークピースに向けること、
前記第1及び前記第2のグループの複数のパスを前記ワークピースに向けた後に、第3のレーザーパルスの第3のグループの複数のパスを前記加工経路の第3の部分に沿って、該第3の部分の範囲にスルーカットが形成されるまで、作用するように前記ワークピースに向けることを含み、
各第1のレーザーパルスは、前記ワークピースに第1のスポット直径を規定する第1のスポットエリアを有し、前記第1の部分上の位置に作用し、
各第2のレーザーパルスは、前記ワークピースに第2のスポット直径を規定する第2のスポットエリアを有し、前記第2の部分上の位置に作用し、
各第3のレーザーパルスは、前記ワークピースに第3のスポット直径を規定する第3のスポットエリアを有し、前記第3の部分上の位置に作用し、
前記第1の部分は、前記第1のスポット直径より大きい長さを有し、前記加工経路より短い長さを有し、前記第1の部分に沿った各位置は、前記第1のグループの複数のパスによって前記第1のレーザーパルスを複数回照射され、
前記第2の部分は、重なり合う部分の範囲内にスルーカットが作られるまで、前記第1の部分と重なり合う部分を含み、前記第2のスポット直径より大きい長さを有し、前記加工経路より短い長さを有し、前記第2の部分に沿った各位置は、前記第2のグループの複数のパスによって前記第2のレーザーパルスを複数回照射され、前記重なり合う部分の長さは、前記第1又は第2のスポット直径より大きく、
前記第3の部分は、前記第3のスポット直径より大きい長さを有し、前記加工経路より短い長さを有し、前記第3の部分に沿った各位置は、前記第3のグループの複数のパスによって前記第3のレーザーパルスを複数回照射され、前記第1又は第2の部分を越えて延びる前記加工経路の部分を含み、前記加工経路の部分は前記第1、第2又は第3のスポット直径より大きい長さを有する、レーザー加工の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US29721801P | 2001-06-08 | 2001-06-08 | |
US10/017,497 US7157038B2 (en) | 2000-09-20 | 2001-12-14 | Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors |
PCT/US2002/017908 WO2002100587A1 (en) | 2001-06-08 | 2002-06-07 | Laser segmented cutting |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004528991A JP2004528991A (ja) | 2004-09-24 |
JP2004528991A5 JP2004528991A5 (ja) | 2010-03-11 |
JP4551086B2 true JP4551086B2 (ja) | 2010-09-22 |
Family
ID=26689955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003503392A Expired - Fee Related JP4551086B2 (ja) | 2001-06-08 | 2002-06-07 | レーザーによる部分加工 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7157038B2 (ja) |
JP (1) | JP4551086B2 (ja) |
KR (1) | KR100877936B1 (ja) |
CN (2) | CN1240511C (ja) |
CA (1) | CA2449574A1 (ja) |
DE (1) | DE10296913B4 (ja) |
GB (1) | GB2391189B (ja) |
TW (1) | TW583045B (ja) |
WO (1) | WO2002100587A1 (ja) |
Families Citing this family (105)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6255621B1 (en) | 2000-01-31 | 2001-07-03 | International Business Machines Corporation | Laser cutting method for forming magnetic recording head sliders |
US6379604B1 (en) * | 2000-03-22 | 2002-04-30 | W. Inoac, Inc. | Laser ridge skin distortion reduction method |
US6559411B2 (en) * | 2001-08-10 | 2003-05-06 | First Solar, Llc | Method and apparatus for laser scribing glass sheet substrate coatings |
RU2226183C2 (ru) * | 2002-02-21 | 2004-03-27 | Алексеев Андрей Михайлович | Способ резки прозрачных неметаллических материалов |
EP1497851B1 (en) | 2002-04-19 | 2006-01-25 | Xsil Technology Limited | Program-controlled dicing of a substrate using a pulsed laser |
US6580054B1 (en) * | 2002-06-10 | 2003-06-17 | New Wave Research | Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser |
EP1547126A2 (en) * | 2002-08-05 | 2005-06-29 | The Research Foundation Of State University Of New York | System and method for manufacturing embedded conformal electronics |
US6919532B2 (en) | 2002-10-04 | 2005-07-19 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method of forming dimensionally precise slots in resilient mask of miniature component carrier |
TWI248244B (en) | 2003-02-19 | 2006-01-21 | J P Sercel Associates Inc | System and method for cutting using a variable astigmatic focal beam spot |
US6949449B2 (en) * | 2003-07-11 | 2005-09-27 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method of forming a scribe line on a ceramic substrate |
JP2005101413A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 薄板状被加工物の分割方法及び装置 |
KR20050073855A (ko) * | 2004-01-12 | 2005-07-18 | 삼성전자주식회사 | 플렉셔블 디스플레이 및 그 제조 방법 |
DE102004015326A1 (de) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Leica Microsystems | Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion eines Halbleiterbauteils |
US6931991B1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | System for and method of manufacturing gravure printing plates |
US7302309B2 (en) * | 2004-04-26 | 2007-11-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Laser micromachining methods and systems |
US20060000814A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Bo Gu | Laser-based method and system for processing targeted surface material and article produced thereby |
US20060016547A1 (en) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Chien-Hua Chen | System and method for transferring structured material to a substrate |
US7256871B2 (en) * | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
US20060114948A1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Lo Ho W | Workpiece processing system using a common imaged optical assembly to shape the spatial distributions of light energy of multiple laser beams |
KR100636852B1 (ko) * | 2005-03-22 | 2006-10-19 | (주)한빛레이저 | 모드라킹된 자외선 레이저를 이용한 유리기판의 스크라이빙방법 및 절단 방법 |
US7611966B2 (en) * | 2005-05-05 | 2009-11-03 | Intel Corporation | Dual pulsed beam laser micromachining method |
FR2887161B1 (fr) * | 2005-06-20 | 2007-09-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif d'ablation laser d'une couche superficielle d'une paroi, telle q'un revetement de peinture dans une installation nucleaire |
TW200714379A (en) * | 2005-06-30 | 2007-04-16 | Fico Bv | Method and device for cleaning electronic components processed with a laser beam |
WO2007006850A2 (en) * | 2005-07-13 | 2007-01-18 | Picodeon Ltd Oy | Radiation arrangement |
FI118937B (fi) * | 2005-07-13 | 2008-05-15 | Picodeon Ltd Oy | Diodipumppu |
US7538296B2 (en) * | 2005-09-06 | 2009-05-26 | Pratt & Whitney Canada Corp. | High speed laser drilling machine and method |
CN100482398C (zh) * | 2005-09-30 | 2009-04-29 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 激光切割装置与方法 |
US7638731B2 (en) * | 2005-10-18 | 2009-12-29 | Electro Scientific Industries, Inc. | Real time target topography tracking during laser processing |
CN1954954A (zh) * | 2005-10-27 | 2007-05-02 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 模具加工装置 |
US8198566B2 (en) * | 2006-05-24 | 2012-06-12 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser processing of workpieces containing low-k dielectric material |
US7494900B2 (en) * | 2006-05-25 | 2009-02-24 | Electro Scientific Industries, Inc. | Back side wafer dicing |
US20070272666A1 (en) * | 2006-05-25 | 2007-11-29 | O'brien James N | Infrared laser wafer scribing using short pulses |
US8624157B2 (en) * | 2006-05-25 | 2014-01-07 | Electro Scientific Industries, Inc. | Ultrashort laser pulse wafer scribing |
US7807938B2 (en) * | 2006-06-22 | 2010-10-05 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Mastering tools and systems and methods for forming a plurality of cells on the mastering tools |
JP2008068270A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
US20080102605A1 (en) * | 2006-10-27 | 2008-05-01 | Evergreen Solar, Inc. | Method and Apparatus for Forming a Silicon Wafer |
JP4763583B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2011-08-31 | 住友電気工業株式会社 | レーザ加工方法及び装置、脆性材料素材の製造方法並びにダイヤモンド素材の製造方法 |
EP2105239B1 (en) | 2006-11-30 | 2016-01-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light condensing optical system, laser processing method and apparatus, and method of manufacturing fragile material |
US8530784B2 (en) * | 2007-02-01 | 2013-09-10 | Orbotech Ltd. | Method and system of machining using a beam of photons |
US7599048B2 (en) * | 2007-02-09 | 2009-10-06 | Wafermasters, Inc. | Optical emission spectroscopy process monitoring and material characterization |
KR20100017857A (ko) * | 2007-05-18 | 2010-02-16 | 지에스아이 그룹 코포레이션 | 전도성 링크의 레이저 처리 |
US20090013527A1 (en) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | International Business Machines Corporation | Collapsable connection mold repair method utilizing femtosecond laser pulse lengths |
US20090061161A1 (en) * | 2007-08-27 | 2009-03-05 | Lynn Sheehan | Laser patterning of a cross-linked polymer |
KR20140137465A (ko) | 2007-09-19 | 2014-12-02 | 지에스아이 그룹 코포레이션 | 고속 빔 편향 링크 가공 |
JP5061962B2 (ja) * | 2008-03-04 | 2012-10-31 | 住友電気工業株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
GB2458475B (en) * | 2008-03-18 | 2011-10-26 | Xsil Technology Ltd | Processing of multilayer semiconductor wafers |
US7982161B2 (en) * | 2008-03-24 | 2011-07-19 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for laser drilling holes with tailored laser pulses |
US8124911B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-02-28 | Electro Scientific Industries, Inc. | On-the-fly manipulation of spot size and cutting speed for real-time control of trench depth and width in laser operations |
US8173038B2 (en) * | 2008-04-18 | 2012-05-08 | Corning Incorporated | Methods and systems for forming microstructures in glass substrates |
US8173931B2 (en) * | 2008-06-13 | 2012-05-08 | Electro Scientific Industries, Inc. | Automatic recipe management for laser processing a work piece |
US20100062214A1 (en) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | Wo Andrew M | Method for drilling micro-hole and structure thereof |
US20100078419A1 (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Electro Scientific Industries, Inc | Post-lens steering of a laser beam for micro-machining applications |
GB0900036D0 (en) * | 2009-01-03 | 2009-02-11 | M Solv Ltd | Method and apparatus for forming grooves with complex shape in the surface of apolymer |
US8327666B2 (en) * | 2009-02-19 | 2012-12-11 | Corning Incorporated | Method of separating strengthened glass |
US8341976B2 (en) * | 2009-02-19 | 2013-01-01 | Corning Incorporated | Method of separating strengthened glass |
US8187983B2 (en) | 2009-04-16 | 2012-05-29 | Micron Technology, Inc. | Methods for fabricating semiconductor components using thinning and back side laser processing |
US8319146B2 (en) * | 2009-05-05 | 2012-11-27 | General Electric Company | Method and apparatus for laser cutting a trench |
JP2013503105A (ja) | 2009-08-28 | 2013-01-31 | コーニング インコーポレイテッド | 化学強化ガラス基板からガラス品をレーザ割断するための方法 |
US8987632B2 (en) * | 2009-10-09 | 2015-03-24 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Modification of surface energy via direct laser ablative surface patterning |
JP5620669B2 (ja) * | 2009-10-26 | 2014-11-05 | 東芝機械株式会社 | レーザダイシング方法およびレーザダイシング装置 |
US20130256286A1 (en) * | 2009-12-07 | 2013-10-03 | Ipg Microsystems Llc | Laser processing using an astigmatic elongated beam spot and using ultrashort pulses and/or longer wavelengths |
JP5452247B2 (ja) * | 2010-01-21 | 2014-03-26 | 東芝機械株式会社 | レーザダイシング装置 |
JP5981094B2 (ja) | 2010-06-24 | 2016-08-31 | 東芝機械株式会社 | ダイシング方法 |
US20120012170A1 (en) * | 2010-07-19 | 2012-01-19 | Institutt For Energiteknikk | Processed silicon wafer, silicon chip, and method and apparatus for production thereof |
EP2409808A1 (de) | 2010-07-22 | 2012-01-25 | Bystronic Laser AG | Laserbearbeitungsmaschine |
DE102011108405A1 (de) * | 2011-07-23 | 2013-01-24 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zum Einbringen einer Schnittfuge in ein Werkstück |
JP5140198B1 (ja) | 2011-07-27 | 2013-02-06 | 東芝機械株式会社 | レーザダイシング方法 |
WO2013016823A1 (en) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Ats Automation Tooling Systems Inc. | Systems and methods for producing silicon slim rods |
US10239160B2 (en) * | 2011-09-21 | 2019-03-26 | Coherent, Inc. | Systems and processes that singulate materials |
US20130122687A1 (en) * | 2011-11-16 | 2013-05-16 | Applied Materials, Inc. | Laser scribing systems, apparatus, and methods |
US9266192B2 (en) | 2012-05-29 | 2016-02-23 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for processing workpieces |
US9278374B2 (en) | 2012-06-08 | 2016-03-08 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Modified surface having low adhesion properties to mitigate insect residue adhesion |
JP2014011358A (ja) | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Toshiba Mach Co Ltd | レーザダイシング方法 |
JP2014046331A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Keyence Corp | レーザ加工装置及び切断加工パターン生成プログラム並びにコンピュータで読取可能な記録媒体 |
TWI612712B (zh) * | 2012-10-25 | 2018-01-21 | 應用材料股份有限公司 | 繞射光學元件及用於圖案化薄膜電化學元件的方法 |
JP6056564B2 (ja) | 2013-03-08 | 2017-01-11 | 株式会社Ihi | セラミックマトリックス複合材の加工方法 |
US9099481B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-08-04 | Semiconductor Components Industries, Llc | Methods of laser marking semiconductor substrates |
US20140318278A1 (en) * | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Honeywell International Inc. | Particle imaging utilizing a filter |
US9635908B2 (en) * | 2013-10-21 | 2017-05-02 | Nike, Inc. | Automated trimming of pliable items |
EP2883647B1 (de) | 2013-12-12 | 2019-05-29 | Bystronic Laser AG | Verfahren zur Konfiguration einer Laserbearbeitungsvorrichtung |
JP6488073B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2019-03-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ステージ装置およびそれを用いた荷電粒子線装置 |
PL3165614T3 (pl) * | 2014-07-03 | 2023-07-24 | Nippon Steel Corporation | Zastosowanie urządzenia do obróbki laserowej i sposób wytwarzania blachy cienkiej ze stali elektromagnetycznej o ziarnach zorientowanych |
BR112016030522B1 (pt) * | 2014-07-03 | 2019-11-05 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp | aparelho de processamento a laser |
CN104353933B (zh) * | 2014-10-22 | 2017-05-31 | 信阳师范学院 | 光伏电池片的激光划片装置 |
JP6553940B2 (ja) * | 2015-05-15 | 2019-07-31 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
EP3718676B1 (en) | 2015-07-28 | 2023-11-15 | Synova SA | Device and process of treating a workpiece using a liquid jet guided laser beam |
KR20170087610A (ko) | 2016-01-21 | 2017-07-31 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 절단 장치 |
US10549386B2 (en) * | 2016-02-29 | 2020-02-04 | Xerox Corporation | Method for ablating openings in unsupported layers |
FR3061052B1 (fr) * | 2016-12-28 | 2019-05-31 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede d'usinage par laser d'un diamant permettant d'obtenir une surface lisse et transparente |
US20190151993A1 (en) * | 2017-11-22 | 2019-05-23 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Laser-cutting using selective polarization |
JP6925945B2 (ja) * | 2017-11-30 | 2021-08-25 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
US10919794B2 (en) | 2017-12-04 | 2021-02-16 | General Atomics | Method of cutting glass using a laser |
CN108789886B (zh) * | 2018-05-31 | 2019-11-15 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种透明硬脆材料的切割裂片方法 |
CN108943988A (zh) * | 2018-07-05 | 2018-12-07 | 英诺激光科技股份有限公司 | 一种激光剥离方法 |
CN110695540A (zh) * | 2018-07-10 | 2020-01-17 | 青岛云路先进材料技术股份有限公司 | 一种非晶带材的激光切割方法 |
US10615044B1 (en) * | 2018-10-18 | 2020-04-07 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Material cutting using laser pulses |
DE102018132001A1 (de) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | Laser Imaging Systems Gmbh | Vorrichtung zum Belichten von plattenförmigen Werkstücken mit hohem Durchsatz |
CN110293323B (zh) * | 2019-06-06 | 2020-03-20 | 济南邦德激光股份有限公司 | 一种智能批量切割加工方法,cnc控制***,激光切割机及存储介质 |
JP7205413B2 (ja) * | 2019-08-07 | 2023-01-17 | 株式会社Sumco | レーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法 |
CN112756795B (zh) * | 2020-12-28 | 2022-12-30 | 深圳市凤翔光电电子有限公司 | 一种芯片硅晶圆激光刻蚀设备及芯片生产工艺 |
CN113369712B (zh) * | 2021-06-23 | 2023-03-24 | 业成科技(成都)有限公司 | 镭射切割方法、装置及计算机可读存储介质 |
CN113953685B (zh) * | 2021-11-22 | 2023-09-01 | 重庆工商大学 | 一种平面板材激光切割路径规划方法 |
CN115677387A (zh) * | 2022-11-01 | 2023-02-03 | 赛创电气(铜陵)有限公司 | 陶瓷基板激光打孔产生的熔渣去除方法 |
TWI829454B (zh) * | 2022-11-30 | 2024-01-11 | 迅得機械股份有限公司 | 基板處理系統 |
CN116810187B (zh) * | 2023-08-31 | 2023-12-01 | 苏州天沐兴智能科技有限公司 | 一种晶圆激光切割方法、切割设备及可穿戴智能装置 |
Family Cites Families (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4169976A (en) * | 1976-02-27 | 1979-10-02 | Valfivre S.P.A. | Process for cutting or shaping of a substrate by laser |
JPS57181787A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-09 | Toshiba Corp | Laser working method |
US4589190A (en) * | 1984-03-23 | 1986-05-20 | General Electric Company | Fabrication of drilled and diffused junction field-effect transistors |
US4534804A (en) * | 1984-06-14 | 1985-08-13 | International Business Machines Corporation | Laser process for forming identically positioned alignment marks on the opposite sides of a semiconductor wafer |
US4541035A (en) * | 1984-07-30 | 1985-09-10 | General Electric Company | Low loss, multilevel silicon circuit board |
US4618380A (en) * | 1985-06-18 | 1986-10-21 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method of fabricating an imaging X-ray spectrometer |
JPS62234685A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | 加工材料の切断方法 |
US4835361A (en) * | 1986-07-21 | 1989-05-30 | Magnetic Peripherals Inc. | Laser machining for producing very small parts |
US5166493A (en) * | 1989-01-10 | 1992-11-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method of boring using laser |
JPH03180286A (ja) * | 1989-12-06 | 1991-08-06 | Fuji Electric Co Ltd | レーザ加工方法 |
JP2621599B2 (ja) | 1990-07-05 | 1997-06-18 | 日本電気株式会社 | コンタクトホール形成装置及び方法 |
JP3083321B2 (ja) * | 1992-11-24 | 2000-09-04 | 日立建機株式会社 | リードフレームの加工方法 |
JPH06277861A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-04 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法並びにリードフレームの加工方法 |
JPH07132390A (ja) * | 1993-11-10 | 1995-05-23 | Niigata Eng Co Ltd | レーザ加工機における焦点位置とノズル位置の調節方法及び装置 |
US6130009A (en) * | 1994-01-03 | 2000-10-10 | Litel Instruments | Apparatus and process for nozzle production utilizing computer generated holograms |
US5589090A (en) * | 1994-01-31 | 1996-12-31 | Song; Byung-Jun | Laser cutting apparatus with means for measuring cutting groove width |
US5611946A (en) * | 1994-02-18 | 1997-03-18 | New Wave Research | Multi-wavelength laser system, probe station and laser cutter system using the same |
US5739048A (en) | 1994-05-23 | 1998-04-14 | International Business Machines Corporation | Method for forming rows of partially separated thin film elements |
US5593606A (en) * | 1994-07-18 | 1997-01-14 | Electro Scientific Industries, Inc. | Ultraviolet laser system and method for forming vias in multi-layered targets |
US5841099A (en) * | 1994-07-18 | 1998-11-24 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method employing UV laser pulses of varied energy density to form depthwise self-limiting blind vias in multilayered targets |
US5543365A (en) * | 1994-12-02 | 1996-08-06 | Texas Instruments Incorporated | Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon |
US5847960A (en) | 1995-03-20 | 1998-12-08 | Electro Scientific Industries, Inc. | Multi-tool positioning system |
US5751585A (en) * | 1995-03-20 | 1998-05-12 | Electro Scientific Industries, Inc. | High speed, high accuracy multi-stage tool positioning system |
US5843363A (en) * | 1995-03-31 | 1998-12-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Ablation patterning of multi-layered structures |
JP3159906B2 (ja) * | 1995-10-23 | 2001-04-23 | アルプス電気株式会社 | 液晶表示素子の製造方法 |
DE19609199A1 (de) * | 1996-03-09 | 1997-09-11 | Vetter & Co Apotheker | Verfahren zur Bearbeitung von Werkstücken aus festen Materialien sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US6220058B1 (en) | 1996-03-25 | 2001-04-24 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd | Method of changing the surface of a glass substrate containing silver, by using a laser beam |
US6037565A (en) * | 1996-06-17 | 2000-03-14 | The Regents Of The University Of California | Laser illuminator and optical system for disk patterning |
US5864430A (en) * | 1996-09-10 | 1999-01-26 | Sandia Corporation | Gaussian beam profile shaping apparatus, method therefor and evaluation thereof |
US5870421A (en) * | 1997-05-12 | 1999-02-09 | Dahm; Jonathan S. | Short pulsewidth, high pulse repetition frequency laser system |
US5872684A (en) * | 1997-05-15 | 1999-02-16 | International Business Machines Corporation | Air bearing slider having a relieved trailing edge |
US6001268A (en) * | 1997-06-05 | 1999-12-14 | International Business Machines Corporation | Reactive ion etching of alumina/TiC substrates |
JPH11773A (ja) | 1997-06-11 | 1999-01-06 | Nec Corp | レーザ加工装置およびその方法 |
US6027660A (en) * | 1997-06-23 | 2000-02-22 | International Business Machines Corproation | Method of etching ceramics of alumina/TiC with high density plasma |
US5987725A (en) * | 1997-08-26 | 1999-11-23 | International Business Machines Corporation | Method for parting a slider from a slider row |
US6069769A (en) * | 1997-09-30 | 2000-05-30 | International Business Machines Corporation | Air bearing slider having rounded corners |
US6032997A (en) * | 1998-04-16 | 2000-03-07 | Excimer Laser Systems | Vacuum chuck |
US6057180A (en) * | 1998-06-05 | 2000-05-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output |
US6063695A (en) * | 1998-11-16 | 2000-05-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Simplified process for the fabrication of deep clear laser marks using a photoresist mask |
JP2000164535A (ja) | 1998-11-24 | 2000-06-16 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ加工装置 |
JP2000246477A (ja) * | 1999-03-02 | 2000-09-12 | Niigata Eng Co Ltd | レーザ加工機等の倣い装置 |
US6294213B1 (en) * | 1999-04-21 | 2001-09-25 | Conagra Grocery Products Company | Method for reducing color migration in multi-layered, caramel colored, gel-based dessert products and the products so produced |
TW482705B (en) | 1999-05-28 | 2002-04-11 | Electro Scient Ind Inc | Beam shaping and projection imaging with solid state UV Gaussian beam to form blind vias |
US6420245B1 (en) * | 1999-06-08 | 2002-07-16 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Method for singulating semiconductor wafers |
US6288873B1 (en) * | 1999-10-18 | 2001-09-11 | International Business Machines Corporation | Curvature adjustment of sliders by scribing of slider suspension |
CA2396259A1 (en) | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Electro Scientific Industries, Inc. | Abbe error correction system and method |
US6255621B1 (en) * | 2000-01-31 | 2001-07-03 | International Business Machines Corporation | Laser cutting method for forming magnetic recording head sliders |
US6423925B1 (en) * | 2000-02-17 | 2002-07-23 | Universal Laser Systems, Inc. | Apparatus and method for combining multiple laser beams in laser material processing systems |
US6356337B1 (en) * | 2000-03-08 | 2002-03-12 | Anvik Corporation | Two-sided substrate imaging using single-approach projection optics |
US6804086B2 (en) | 2000-04-27 | 2004-10-12 | Seagate Technology Llc | Unitary crystalline slider with edges rounded by laser ablation |
US6376797B1 (en) * | 2000-07-26 | 2002-04-23 | Ase Americas, Inc. | Laser cutting of semiconductor materials |
AU2001249140A1 (en) * | 2000-09-20 | 2002-04-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Uv laser cutting or shape modification of brittle, high melting temperature target materials such as ceramics or glasses |
-
2001
- 2001-12-14 US US10/017,497 patent/US7157038B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-06-07 GB GB0327679A patent/GB2391189B/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-07 JP JP2003503392A patent/JP4551086B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-07 WO PCT/US2002/017908 patent/WO2002100587A1/en active Application Filing
- 2002-06-07 KR KR1020037016002A patent/KR100877936B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-06-07 DE DE10296913.2T patent/DE10296913B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-07 TW TW091112331A patent/TW583045B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-06-07 CN CNB028115287A patent/CN1240511C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-07 CA CA002449574A patent/CA2449574A1/en not_active Abandoned
- 2002-06-07 CN CN200510130176XA patent/CN1788916B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1240511C (zh) | 2006-02-08 |
US20020149136A1 (en) | 2002-10-17 |
CN1788916A (zh) | 2006-06-21 |
GB2391189A (en) | 2004-02-04 |
TW583045B (en) | 2004-04-11 |
GB0327679D0 (en) | 2003-12-31 |
DE10296913T5 (de) | 2004-04-29 |
CA2449574A1 (en) | 2002-12-19 |
KR20040007663A (ko) | 2004-01-24 |
KR100877936B1 (ko) | 2009-01-12 |
CN1516635A (zh) | 2004-07-28 |
GB2391189B (en) | 2004-08-18 |
JP2004528991A (ja) | 2004-09-24 |
CN1788916B (zh) | 2012-07-25 |
DE10296913B4 (de) | 2014-08-21 |
US7157038B2 (en) | 2007-01-02 |
WO2002100587A1 (en) | 2002-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4551086B2 (ja) | レーザーによる部分加工 | |
JP2004528991A5 (ja) | ||
US6676878B2 (en) | Laser segmented cutting | |
US20060091126A1 (en) | Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors | |
TWI447794B (zh) | 包含低k介電材料之工件的雷射處理 | |
US7364986B2 (en) | Laser beam processing method and laser beam machine | |
JP4634692B2 (ja) | レーザ処理方法 | |
US7459655B2 (en) | Laser beam processing machine | |
US8093530B2 (en) | Laser cutting apparatus and laser cutting method | |
US20110132885A1 (en) | Laser machining and scribing systems and methods | |
US20050224475A1 (en) | Laser beam processing machine | |
JP2005268752A (ja) | レーザ割断方法、被割断部材および半導体素子チップ | |
JP2006150385A (ja) | レーザ割断方法 | |
WO2003002289A1 (en) | Multistep laser processing of wafers supporting surface device layers | |
JP2009190069A (ja) | レーザによる透明基板の加工方法および装置 | |
JP4776911B2 (ja) | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 | |
JP4086796B2 (ja) | 基板割断方法 | |
KR100853827B1 (ko) | 반도체의 마이크로구조에 대한 자외선 레이저 절제 패터닝 | |
KR100862522B1 (ko) | 레이저가공 장치 및 기판 절단 방법 | |
KR100843411B1 (ko) | 레이저가공 장치 및 기판 절단 방법 | |
KR20080014935A (ko) | 레이저 빔 분할을 이용한 레이저 가공 장치 및 방법 | |
JP2005046891A (ja) | レーザ加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050228 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090714 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090914 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090924 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091112 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100114 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20100114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100309 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100426 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100615 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100709 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130716 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |