JP4548649B2 - レーザ波長変換ユニット - Google Patents

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Description

本発明は、レーザ発振器から発せられたレーザ光の基本波を波長変換波に変換させるためのレーザ波長変換ユニットに関するものである。
従来、レーザ発振器から発せられたレーザ光が波長変換波(高調波)に変換されて各種加工に使用されている。レーザ光の波長変換には、非線形光学結晶の複屈折を利用する波長変換素子が使用され、特許文献1,2に記載されるように、波長変換素子の温度制御により、波長変換素子による波長変換時に位相整合角を調整するものが知られている。波長変換素子の温度制御により、波長変換素子による波長変換時の位相整合角を調整すれば、簡単に変換効率を高くすることができる。
レーザ光を波長変換する波長変換素子は、入射するレーザ光若しくは波長変換した高調波のレーザ光の一部が素子に吸収され、このエネルギー吸収によって発生する熱で使用中に温度上昇し、非臨界位相整合温度(NCPM)に保つことが困難になるため、波長変換素子の温度制御により、波長変換素子による波長変換時の位相整合角を調整し、高効率での変換を可能にすることが望まれる。
特許文献1に記載されるものは、図5に示されるレーザ波長変換素子114の温度調整を図4に示すペルチェ素子74によって行うもので、図4,図5に示されるように基板48と設置台72との間にペルチェ素子74が挿入されている。図5に示されるように光波長変換素子114を内蔵するパッケージ38は、半導体レーザ110及び光波長変換素子114からなるLD−SHGユニット20とコリメータレンズ36とを気密封止した状態で、基板48上に固定されている。パッケージ38の窓板42Bの外側には、光波長変換素子114の前方出射端面から出射した第二高調波62(基本波34を含む)を平行光化するコリメータレンズ64が、基板48上に固定して配置されている。
LD−SHGユニット20には、半導体レーザ110の後方出射端面から発散光状態で出射したレーザビーム(後方出射光)34Rを平行光化するコリメータレンズ36が取り付けられている。LD−SHGユニット20及びコリメータレンズ36は、気密封止部材としてのパッケージ38内にドライ窒素等の不活性ガス又はドライ空気と共に気密封止され、パッケージ38内に固定されている。
パッケージ38には、半導体レーザ110からの後方出射光34Rが透過する窓孔40Aと光波長変換素子114からの前方出射光62が透過する窓孔40Bとが形成され、この窓孔40Aと窓孔40Bには、それぞれ透明な窓板42Aと窓板42Bとが気密状態を保つように被着されている。ミラー112と半導体レーザ110の前方出射端面とで、外部共振器を構成している。75は防塵用カバーであり、防塵用カバー75により覆われた装置内部には、装置内の温度を調節するためのサーミスタ(図示せず)が設けられており、サーミスタの出力に基づいて、装置内部が使用環境で光学系が結露しない温度範囲(例えば、使用環境温度が30℃であれば、30℃以上)に維持されるようにペルチェ素子74を制御する。
しかして、図外の温度制御装置によりペルチェ素子74を制御し、防塵用カバー75内を例えば30℃以上の所定温度範囲に維持する。なお、22はLD−SHGユニット20を固定する基板、56は狭帯域バンドパスフィルタ、66はIRカットフィルタ、70はフォトダイオードである。
特許文献2に記載されるものは、レーザ発振器から出力されるレーザ光を基本波として非線形光学結晶である波長変換素子(高調波発生素子)を用いて波長変換を行う構成において、第二高調波を発生する波長変換素子と、第二高調波を入射させることにより第四高調波を発生させる別の波長変換素子とを有し、2つの波長変換素子が同一の非線形結晶ユニットにより温度管理される。
すなわち、図6において、169は入射するレーザ光を基本波として第二高調波を発生する波長変換素子、170は整形光学素子171によって第四高調波発生に最適なビーム形状にされた波長変換素子169によって発生した第二高調波を第四高調波に変換するための波長変換素子、182は波長変換素子169を保持断熱するための非線形結晶ユニットホルダ、168は波長変換素子170を保持断熱するための非線形結晶ユニットホルダ、183は整形光学素子171を保持すると共に周りからの熱影響を遮断するための断熱材からなる整形光学素子ホルダ、167は波長変換素子169,170の温度を一定に保持するための温調ヒータ、166は非線形結晶ユニットを熱的に遮断するための断熱材、165は非線形結晶ユニットをレーザ装置等に取り付けるための非線形結晶ユニットベースである。
しかして、温調ヒータ167の設定温度を一定に制御することによって、非線形結晶ユニットホルダ182,183の熱伝導率を各々の非線形結晶に合わせて最適な材料を選択することによって、波長変換素子169,170が異なつた最適温度を必要とする場合においても、1つの温調ヒータ167によって両波長変換素子169,170の温度を最適な値に保持することが可能となり、また、複数の非線形結晶を用いる場合に生じる振動等の外乱に対してもユニット化することによって安定した波長変換を実現できる波長変換装置を実現する、としている。
特許文献1に記載されるものは、ペルチェ素子74により、基板48を介してパッケージ38を加熱又は冷却し、パッケージ38に内蔵する光波長変換素子114を所定温度に加熱又は冷却する構造であるため、ペルチェ素子74からなる加熱・冷却手段の熱が光波長変換素子114の加熱又は冷却に有効活用され難いのみならず、光波長変換素子114に所定の目標温度を正確かつ速やかに与えることが困難であるという課題が存在している。
特許文献2に記載されるものは、波長変換素子169,170が異なつた最適温度を必要とする場合において、単一の温調ヒータ167により、保持断熱するための非線形結晶ユニットホルダ182,168を介して2つの波長変換素子169,170を個別目標温度に加熱する構造であるため、非線形結晶ユニットホルダ182,168の熱伝導率を各々の非線形結晶に合わせて最適に選択するという困難な作業を伴い、2つの高調波発生結晶169,170を個別の最適温度にすることが極めて困難であつた。
特に、非線形結晶ユニットベース165に設ける断熱材166内に、温調ヒータ167、非線形結晶ユニットホルダ182,168及び波長変換素子169,170を順次に配設しているため、隣接する波長変換素子169,170同士が熱的に影響し合うと共に、何らかの理由により、いずれか一方の波長変換素子169,170のみが目標の最適温度よりも高温になつたとき、これを目標温度にまで速やかに降温させることが困難であつた。従つて、複数の波長変換素子の個別の目標温度への温度制御により、波長変換素子による波長変換時に位相整合角を調整し、変換効率を高くすることが困難であつた。
特に、第三高調波以上の高調波発生には、2つ以上の波長変換素子が必要になり、異なる組成の非線形光学結晶を使用し、若しくは同一組成の非線形光学結晶であつても発生する高調波によって非臨界位相整合温度が異なつてくるため、2つ以上の波長変換素子をそれぞれ異なる温度に安定して保つことが望ましく、従つて、隣接する波長変換素子の温度に影響されることなく波長変換素子を独立して温度管理可能であることが望ましい。
本発明は、上記の課題を解決するものであり、1つのユニットの中に複数の波長変換素子を配置して第三高調波以上の高調波発生をするレーザ波長変換ユニットにおいて、複数の波長変換素子を独立したヒータによって個別に正確かつ容易に温度管理できるようにしたレーザ波長変換ユニットを提供することを目的としている。温度制御する波長変換素子による位相整合角の調整は、非臨界位相整合を使用することができ、非臨界位相整合では、非線形光学結晶内での基本波と高調波との間の角度のずれ角が生じないという利点があるため、これによって高効率で高調波への変換を可能にするものである。
本発明の構成は、次の通りである。
請求項1の発明は、一端開口部1aが第1のレーザ透過部材14によって密閉され、他端開口部1bが第2のレーザ透過部材15によって密閉されて、内部空間1cに気体を封入させるユニットケース1と、ユニットケース1の内部空間1cに離隔して配設される第1,第2の波長変換素子組立体A,Bと、温度調節器12とを備え、
第1の波長変換素子組立体Aが、非臨界位相整合温度が室温以上の非線形光学結晶からなり、第1のレーザ透過部材14から入射させるレーザ光の波長を第1の高調波に変換する第1の波長変換素子7を有し、
第2の波長変換素子組立体が、非臨界位相整合温度が室温以上の非線形光学結晶からなり、第1の波長変換素子7によって変換させた第1の高調波を第2の高調波に変換し、第2のレーザ透過部材15から出射させる第2の波長変換素子8を有すると共に、
第1の波長変換素子組立体A及び第2の波長変換素子組立体Bの内の少なくとも一方が、前記波長変換素子7,8をそのレーザ光入射面およびレーザ光出射面を除いた側面の一部のみを筒内面に接触させて収容する筒状のケース9と、ケース9に内装され、波長変換素子7,8を加熱する電気的加熱手段(10)と、波長変換素子7,8の温度を検出する温度センサ11とを有し、
温度センサ11の検出値と組をなす波長変換素子7,8の非臨界位相整合温度に対応する目標温度とを比較し、該波長変換素子7,8の温度が目標温度になるように電気的加熱手段(10)を温度調節器12によって制御することを特徴とするレーザ波長変換ユニットである。
請求項2の発明は、一端開口部1aが第1のレーザ透過部材14によって密閉され、他端開口部1bが第2のレーザ透過部材15によって密閉されて、内部空間1cに気体を封入させるユニットケース1と、ユニットケース1の内部空間1cに離隔して配設される第1,第2の波長変換素子組立体A,Bと、温度調節器12とを備え、
第1の波長変換素子組立体Aが、非臨界位相整合温度が室温以上の非線形光学結晶からなり、第1のレーザ透過部材14から入射させるレーザ光の波長を第1の高調波に変換する第1の波長変換素子7と、前記第1の波長変換素子7をそのレーザ光入射面およびレーザ光出射面を除いた側面の一部のみを筒内面に接触させて収容する筒状のケース9と、ケース9に内装され、波長変換素子7を加熱する電気的加熱手段(10)と、第1の波長変換素子7の温度を検出する温度センサ11とを有し、
第2の波長変換素子組立体が、非臨界位相整合温度が室温以上の非線形光学結晶からなり、第1の波長変換素子7によって変換させた第1の高調波を第2の高調波に変換し、第2のレーザ透過部材15から出射させる第2の波長変換素子8と、前記第2の波長変換素子8をそのレーザ光入射面およびレーザ光出射面を除いた側面の一部のみを筒内面に接触させて収容する筒状のケース9と、ケース9に内装され、波長変換素子8を加熱する電気的加熱手段(10)と、第2の波長変換素子8の温度を検出する温度センサ11とを有し、
各温度センサ11の検出値と組をなす波長変換素子7,8の非臨界位相整合温度に対応する目標温度とを比較し、各波長変換素子7,8の温度がそれぞれの目標温度になるように各電気的加熱手段(10)を温度調節器12によって制御することを特徴とするレーザ波長変換ユニットである。
請求項3の発明は、ケース9が、金属製であることを特徴とする請求項1又は2のレーザ波長変換ユニットである。
請求項4の発明は、ユニットケース1の内部空間1cの気体を循環させるファン13を有することを特徴とする請求項1,2又は3のレーザ波長変換ユニットである。
本発明に係るレーザ波長変換ユニットによれば、次の効果を奏することができる。
請求項1に係る発明によれば、第1,第2の波長変換素子組立体をユニットケースの内部空間に離隔して配設すると共に、第1の波長変換素子組立体及び第2の波長変換素子組立体の内の少なくとも一方が、筒状のケースに波長変換素子、温度センサ及び電気的加熱手段を収容し、該波長変換素子を筒状のケースで覆つて専用の電気的加熱手段によって加熱する。これにより、速やか、かつ、精度良く室温以上の非臨界位相整合温度に保つことができる。
加えて、複数の波長変換素子を密閉状態のユニットケースの内部空間に離隔して配置し、ユニットケースの内部空間に気体を封入させた状態で隣接する波長変換素子からの熱影響を抑制させたので、独立して目標温度への温度制御ができる。その結果、効率よく安定した第三高調波、第四高調波といつた高調波を発生できる効果を奏することができる。
請求項2に係る発明によれば、筒状の各ケースに波長変換素子、温度センサ及び各波長変換素子を個別に加熱する電気的加熱手段を組をなすように収容するので、各波長変換素子を、速やか、かつ、精度良く室温以上の非臨界位相整合温度に保つことができる。
加えて、複数の波長変換素子及び金属製のケースを密閉状態のユニットケースの内部空間に離隔して配置し、ユニットケースの内部空間に気体を封入させた状態で隣接する波長変換素子からの熱影響を抑制させたので、複数の波長変換素子を独立して目標温度に温度制御することができる。その結果、効率よく安定した第三高調波、第四高調波といつた高調波を発生できる効果を奏する。
また、請求項1及び2に係る発明によれば、ユニットケースを密閉構造としたことにより、ユニットケースの内部空間及び各波長変換素子の付近の温度の急激な変化が抑制されると共に、ユニットケースの内部空間を外部と遮断することになるので、湿度やオイルミスト、マーキングや加工により発生する微細な粉塵から波長変換素子を保護できる。その結果、波長変換素子の使用寿命を長くできる効果を奏することができる。
請求項3に係る発明によれば、波長変換素子を一部を接触させて収容する筒状のケースが熱伝導の良い金属製であるので、波長変換素子を、更に速やか、かつ、精度良く非臨界位相整合温度に保つことができる。
請求項4に係る発明によれば、複数の波長変換素子組立体を密閉状態のユニットケースの内部に離隔して配置した状態で、ユニットケースの内部空間の空気又は雰囲気ガスをファンによって循環させるので、隣接する波長変換素子からの熱による局部的影響を防止しながら、各波長変換素子を個別の目標温度に良好に制御して、安定した第三高調波、第四高調波といつた高調波を効率よく発生させることができる。
図1〜図3は、本発明に係るレーザ波長変換ユニットの1実施の形態を示す。図3中において符号1はユニットケースであり、YAGレーザ等の固体パルスレーザを発生するレーザ発振器2からのレーザ光L(基本波)がユニットケース1内の後記する複数の波長変換素子7,8によって次々に波長変換されて高調波となり、分離ミラー3によって所定の高調波(第三高調波、第四高調波等)のみが反射され、対物レンズ4によって集光されて、移動するステージ5上に載せた対象物にマーキングや加工がなされる。6は、分離ミラー3を透過するレーザ光を吸収するレーザ終端器である。
ユニットケース1は、2つの波長変換素子組立体A,Bを収容するものであり、図1に示すように一端開口部1aが第1のレーザ透過部材14(透明な窓板)によって密閉され、他端開口部1bが第2のレーザ透過部材15(透明な窓板)によって密閉されて、内部空間1cに乾燥した気体(空気又は雰囲気ガス)を封入させてある。第1のレーザ透過部材14は、レーザ発振器2からのレーザ光L(基本波)を入射させ、第2のレーザ透過部材15は、波長変換後のレーザ光(混合波)を分離ミラー3に向けて出射させる。
ユニットケース1の内部空間1cの第1,第2のレーザ透過部材14,15を結ぶ光軸上には、第1のレーザ透過部材14側から順次に、レンズ16a、第1の波長変換素子組立体A、レンズ16b、第2の波長変換素子組立体B及びレンズ16cが配設されている。また、ユニットケース1の内部空間1cには、気体を循環させるファン13が配設されている。
第1の波長変換素子組立体Aは、第1のレーザ透過部材14から入射させるレーザ光(基本波)の波長を第1の高調波(第二高調波)に変換する第二高調波用波長変換素子である第1の波長変換素子7と、第1の波長変換素子7が一部を熱伝導可能に接触・固定させて収容される筒状の金属製のケース9と、ケース9に内装され、第1の波長変換素子7を加熱する第1の電気的加熱手段であるヒータ10と、ケース9に内装され、第1の波長変換素子7の温度を検出する温度センサ11とを有する。
波長変換素子組立体Bは、第1の波長変換素子7を通過した基本波を含む第1の高調波(第二高調波)の波長を第2の高調波(第三高調波等)に変換する第三高調波用波長変換素子である第2の波長変換素子8と、第2の波長変換素子8が一部を熱伝導可能に接触・固定させて収容される筒状の金属製のケース9と、ケース9に内装され、第2の波長変換素子8を加熱する第2の電気的加熱手段であるヒータ10と、ケース9に内装され、第2の波長変換素子8の温度を検出する温度センサ11とを有する。
各温度センサ11は、温度調節器12に接続されている。温度調節器12は、第1の波長変換素子組立体Aにおいて、温度センサ11の検出値と組をなす波長変換素子7の室温以上の目標温度つまり非臨界位相整合温度とを比較し、波長変換素子7の温度が非臨界位相整合温度になるように組をなすヒータ10を制御すると共に、第2の波長変換素子組立体Bにおいて、温度センサ11の検出値と組をなす波長変換素子8の室温以上の目標温度つまり非臨界位相整合温度とを比較し、波長変換素子8の温度が非臨界位相整合温度になるように組をなすヒータ10を制御する。金属製のケース9は、図2に示すように断熱材からなる支持部材17を介してユニットケース1の内壁に固設されている
2つの波長変換素子7,8は、非臨界位相整合温度が室温以上で相互に相違する温度の非線形光学結晶であり、各波長変換素子7,8の目標温度は、その材料に固有の非臨界位相整合温度である。勿論、各波長変換素子7,8の非臨界位相整合温度は、各ヒータ10を作動させない状態で、レーザ光の通過により生じ得る温度より以上の温度に選定してある。波長変換素子7,8に入射するレーザ光は出射するレーザ光よりも高エネルギーであり、そのエネルギー差の一部は、波長変換素子7,8を通過する際に熱に変換され、波長変換素子7,8の温度を上昇させるため、この上昇温度よりも各波長変換素子7,8の非臨界位相整合温度の方を高く選定してある。
また、第1の波長変換素子組立体Aと第2の波長変換素子組立体Bとは離隔して配置されるから、第1の波長変換素子7と第2の波長変換素子8とが離隔して配置されると共に、隣接する金属製のケース9,9同士も離隔して配置されている。
このようなレーザ波長変換ユニットによれば、レーザ発振器2からの固体レーザからなるレーザ光(基本波)が第1のレーザ透過部材14からユニットケース1の内部空間1cに入射し、レンズ16aによってビーム形状を整えて第1の波長変換素子7の材料に固有の入射角で入射した後、第1の波長変換素子7を通過する。第1の波長変換素子7を通過したレーザ光は、基本波を含む第1の高調波(第二高調波)となり、レンズ16bによってビーム形状を整えて第2の波長変換素子8の材料に固有の入射角で入射した後、第2の波長変換素子8を通過する。第2の波長変換素子8を通過したレーザ光は、第1の高調波(第二高調波)の波長が第2の高調波(第三高調波等)に変換され、変換されずに残る基本波及び第1の高調波(第二高調波)と共にレンズ16cによってビーム形状を整えられ、第2のレーザ透過部材15を透過する。
第2のレーザ透過部材15を透過したレーザ光(混合波)は、分離ミラー3において第2の高調波(第三高調波等)のみが反射され、対物レンズ4によって集光されて、移動するステージ5上に載せた対象物にマーキングや加工がなされる。分離ミラー3を透過するレーザ光(基本波及び第二高調波)は、レーザ終端器6によって吸収される。
このようなレーザ波長変換ユニットの動作中において、第1,第2の波長変換素子7,8が次のように温度制御される。なお、低出力のレーザ発振器及びレーザ波長変換素子では、レーザ波長変換素子の温度調整を行つて波長変換に必要な位相整合角のずれを防止するが、高出力の装置では、レーザのエネルギー吸収による温度上昇が大きくなるため、波長変換素子の角度調整装置により出力の調整を行うのが通常である。
当初、第1,第2の波長変換素子7,8は、それぞれの近傍に非接触で配置させてケース9に収容したヒータ10により、室温以上の目標温度に個別に加熱される。各ヒータ10は、対応する第1,第2の波長変換素子7,8及び対応する金属製のケース9を加熱するので、第1,第2の波長変換素子7,8は、気体を介して昇温すると共に、各金属製のケース9からの熱伝導によって昇温する。
この各波長変換素子7,8の温度は、対応する各温度センサ11によってモニタされ、温度調節器12からの信号により、対応するヒータ10の電流値を個別に制御し、室温以上の各目標温度に維持する。
第1,第2の波長変換素子7,8の使用により、入射するレーザ光の一部が波長変換素子7,8を通過する際に熱に変換され、各波長変換素子7,8の温度を上昇させる。その際、各温度センサ11により対応する波長変換素子7,8の温度を常時測定しているので、各ヒータ10に流す電流値を個別に調節して非臨界位相整合温度からのずれを補正する。但し、各波長変換素子7,8の目標温度は、ユニットケース1内でレーザ光のみの通過により生じ得る温度より以上の温度に選定してあるから、目標温度を超える温度への上昇は、ヒータ10を切ることによって確実に防止される。特に、一方のヒータ10を切断し、他方のヒータ10を作動させて他方の波長変換素子7又は8を目標温度に維持させた状態で、切断したヒータ10に対応する波長変換素子8又は7は目標温度以下に降温するように、各波長変換素子7,8の非臨界位相整合温度を選定してある。
各金属製のケース9は、筒状をなし、収容する波長変換素子7,8のレーザ光が入射する面と出射する面の2面を除いて、各波長変換素子7,8に一部が密着して各波長変換素子7,8を覆つているので、熱伝導により各波長変換素子7,8の昇温及び降温が速やかになされ、各波長変換素子7,8が各適正な個別目標温度に容易に制御される。また、第1,第2の波長変換素子組立体A,Bが、ユニットケース1の内部空間1cに気体を介在させて離隔して配設されているので、個別のヒータ10を装備することとも相まつて、隣接するケース9の内部温度同士が影響し合うことが良好に抑制される。
すなわち、ヒータ10及び温度センサ11を支持する金属製のケース9は、ヒータ10の熱を短時間に組をなす波長変換素子7,8に伝達すると共に、組をなす波長変換素子7,8が目標温度以上に上昇したときに、短時間に放熱するように機能する。
一方の波長変換素子7,8又は金属製のケース9から放熱される熱は、隣接する波長変換素子8,7に影響を与える傾向を呈するが、ユニットケース1内の熱は壁面から大気に排出されるので、安定状態では、内部空間1cの温度は両非臨界位相整合温度以下の一定に保たれるようになる。
ファン13で内部空間1cの空気又は雰囲気ガスを循環させることにより、内部空間1cの温度は更に均一化される。すなわち、ユニットケース1の内部空間1cの空気又は雰囲気ガスをファン13によって循環させ、ユニットケース1内の温度を均一化させれば、波長変換素子7,8及びヒータ10からの熱がユニットケース1から外部に適当に伝熱除去されるので、ユニットケース1の内部空間1cの温度が各波長変換素子7,8の適正な個別目標温度未満に維持される。
なお、ファン13の付近に電気的加熱手段であるヒータ(図示せず)を設け、ユニットケース1の内部空間1cの温度を制御することもできる。ヒータ(図示せず)を設けてユニットケース1の内部空間1cの温度を制御するときは、第1の波長変換素子組立体A及び第2の波長変換素子組立体Bの内の一方の組をなすケース9、ヒータ10及び温度センサ11を省略し、ユニットケース1の内部空間1cの温度自体を温度センサ(図示せず)によって検出しながら、第1の波長変換素子組立体A及び第2の波長変換素子組立体Bの内の一方の波長変換素子7又は8の温度を目標温度に制御することができる。他方の波長変換素子8又は7の温度は、対応するヒータ10によって目標温度に制御することができる。
更に、入射するレーザ光と出射するレーザ光とが透過する第1,第2のレーザ透過部材14,15をユニットケース1に設け、ユニットケース1をレーザ透過部材14,15によって密閉させたので、レーザ光によるマーキングや加工の際に発生する微細な粉塵がユニットケース1内に侵入することが防止され、波長変換素子7,8が保護される。波長変換素子7,8のレーザ光入射面にユニットケース1の外部で発生した微細な粉塵などが付着すると、波長変換素子7,8に局部的な温度上昇が生じ、クラックなどが発生して波長変換素子7,8が損傷する。密閉されたユニットケース1は、湿気やオイルミストなどによる波長変換素子7,8の劣化も防止する。
本発明の1実施の形態に係るレーザ波長変換ユニットを一部切開して示す図。 同じく波長変換素子組立体の取り付け状態を示す図。 同じくレーザ波長変換ユニットを備えるレーザ加工装置を示す図。 従来例を示す図。 従来例を示す図。 従来例を示す図。
符号の説明
1:ユニットケース
1a:一端開口部
1b:他端開口部
1c:内部空間
2:レーザ発振器
5:ステージ
7:第1の波長変換素子
8:第2の波長変換素子
9:ケース
10:ヒータ(電気的加熱手段)
11:温度センサ
12:温度調節器
13:ファン
14:第1のレーザ透過部材
15:第2のレーザ透過部材
A:第1の波長変換素子組立体
B:第2の波長変換素子組立体

Claims (4)

  1. 一端開口部(1a)が第1のレーザ透過部材(14)によって密閉され、他端開口部(1b)が第2のレーザ透過部材(15)によって密閉されて、内部空間(1c)に気体を封入させるユニットケース(1)と、ユニットケース(1)の内部空間(1c)に離隔して配設される第1,第2の波長変換素子組立体(A,B)と、温度調節器(12)とを備え、
    第1の波長変換素子組立体(A)が、非臨界位相整合温度が室温以上の非線形光学結晶からなり、第1のレーザ透過部材(14)から入射させるレーザ光の波長を第1の高調波に変換する第1の波長変換素子(7)を有し、
    第2の波長変換素子組立体(B)が、非臨界位相整合温度が室温以上の非線形光学結晶からなり、第1の波長変換素子(7)によって変換させた第1の高調波を第2の高調波に変換し、第2のレーザ透過部材(15)から出射させる第2の波長変換素子(8)を有すると共に、
    第1の波長変換素子組立体(A)及び第2の波長変換素子組立体(B)の内の少なくとも一方が、前記波長変換素子(7,8)をそのレーザ光入射面およびレーザ光出射面を除いた側面の一部のみを筒内面に接触させて収容する筒状のケース(9)と、波長変換素子(7,8)と非接触でケース(9)に内装され、波長変換素子(7,8)を加熱する電気的加熱手段(10)と、波長変換素子(7,8)の温度を検出する温度センサ(11)とを有し、
    温度センサ(11)の検出値と組をなす波長変換素子(7,8)の非臨界位相整合温度に対応する目標温度とを比較し、該波長変換素子(7,8)の温度が目標温度になるように電気的加熱手段(10)を温度調節器(12)によって制御することを特徴とするレーザ波長変換ユニット。
  2. 一端開口部(1a)が第1のレーザ透過部材(14)によって密閉され、他端開口部(1b)が第2のレーザ透過部材(15)によって密閉されて、内部空間(1c)に気体を封入させるユニットケース(1)と、ユニットケース(1)の内部空間(1c)に離隔して配設される第1,第2の波長変換素子組立体(A,B)と、温度調節器(12)とを備え、
    第1の波長変換素子組立体(A)が、非臨界位相整合温度が室温以上の非線形光学結晶からなり、第1のレーザ透過部材(14)から入射させるレーザ光の波長を第1の高調波に変換する第1の波長変換素子(7)と、前記第1の波長変換素子(7)をそのレーザ光入射面およびレーザ光出射面を除いた側面の一部のみを筒内面に接触させて収容する筒状のケース(9)と、波長変換素子(7)と非接触でケース(9)に内装され、波長変換素子(7)を加熱する電気的加熱手段(10)と、第1の波長変換素子(7)の温度を検出する温度センサ(11)とを有し、
    第2の波長変換素子組立体(B)が、非臨界位相整合温度が室温以上の非線形光学結晶からなり、第1の波長変換素子(7)によって変換させた第1の高調波を第2の高調波に変換し、第2のレーザ透過部材(15)から出射させる第2の波長変換素子(8)と、前記第2の波長変換素子(8)をそのレーザ光入射面およびレーザ光出射面を除いた側面の一部のみを筒内面に接触させて収容する筒状のケース(9)と、波長変換素子(8)と非接触でケース(9)に内装され、波長変換素子(8)を加熱する電気的加熱手段(10)と、第2の波長変換素子(8)の温度を検出する温度センサ(11)とを有し、
    各温度センサ(11)の検出値と組をなす波長変換素子(7,8)の非臨界位相整合温度に対応する目標温度とを比較し、各波長変換素子(7,8)の温度がそれぞれの目標温度になるように各電気的加熱手段(10)を温度調節器(12)によって制御することを特徴とするレーザ波長変換ユニット。
  3. ケース(9)が、金属製であることを特徴とする請求項1又は2のレーザ波長変換ユニット。
  4. ユニットケース(1)の内部空間(1c)の気体を循環させるファン(13)を有することを特徴とする請求項1,2又は3のレーザ波長変換ユニット。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266537A (ja) * 2006-03-30 2007-10-11 Showa Optronics Co Ltd 内部共振器型和周波混合レーザ
JP4930122B2 (ja) * 2007-03-15 2012-05-16 セイコーエプソン株式会社 光源ユニット、照明ユニット、光源装置、照明ユニット、プロジェクタ及びモニタ装置
JP5484929B2 (ja) * 2010-01-22 2014-05-07 リコー光学株式会社 反射防止光学素子およびレーザ光源装置
JP2012037813A (ja) * 2010-08-10 2012-02-23 Nikon Corp 紫外レーザ装置
JP2012203147A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Nikon Corp 紫外レーザ装置
JP7135771B2 (ja) * 2018-11-20 2022-09-13 日本電信電話株式会社 波長変換装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05198870A (ja) * 1991-08-30 1993-08-06 Hoya Corp 半導体レーザ励起固体レーザ装置
JPH08220406A (ja) * 1995-02-14 1996-08-30 Komatsu Ltd 恒温ホルダーおよびこれを用いた光学装置
JPH08250797A (ja) * 1995-01-10 1996-09-27 Mitsubishi Electric Corp 固体レーザ装置
JPH10294512A (ja) * 1997-04-21 1998-11-04 Toshiba Corp 固体レーザ装置
JP2003005235A (ja) * 2001-06-20 2003-01-08 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 結晶安定化装置
JP2003295241A (ja) * 2002-04-05 2003-10-15 Megaopto Co Ltd レーザ装置用保持箱及びレーザシステム

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05198870A (ja) * 1991-08-30 1993-08-06 Hoya Corp 半導体レーザ励起固体レーザ装置
JPH08250797A (ja) * 1995-01-10 1996-09-27 Mitsubishi Electric Corp 固体レーザ装置
JPH08220406A (ja) * 1995-02-14 1996-08-30 Komatsu Ltd 恒温ホルダーおよびこれを用いた光学装置
JPH10294512A (ja) * 1997-04-21 1998-11-04 Toshiba Corp 固体レーザ装置
JP2003005235A (ja) * 2001-06-20 2003-01-08 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 結晶安定化装置
JP2003295241A (ja) * 2002-04-05 2003-10-15 Megaopto Co Ltd レーザ装置用保持箱及びレーザシステム

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