JP4546446B2 - リソグラフィ装置、システムおよびデバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置、システムおよびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4546446B2 JP4546446B2 JP2006344963A JP2006344963A JP4546446B2 JP 4546446 B2 JP4546446 B2 JP 4546446B2 JP 2006344963 A JP2006344963 A JP 2006344963A JP 2006344963 A JP2006344963 A JP 2006344963A JP 4546446 B2 JP4546446 B2 JP 4546446B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ions
- radiation beam
- support structure
- sputtering
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 119
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 110
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 67
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 33
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 17
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 claims description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 30
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- -1 helium ions Chemical class 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000003670 easy-to-clean Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008521 reorganization Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
[0042] イオン化平均自由行程
[0043] 電子は、イオン化のための1平均自由行程λiを通過すると、平均で1個の電子イオン対を生成する。したがって、プレート間の厚さdxの無限小のガスのスラブに期待することができる電子の数の増加は、
[0048] タウンゼントは、活性化エネルギーeViを使用して、電界(Eλ)から得られるドリフトエネルギーによって活性化されるプロセスとしてイオン化平均自由行程を処理することにより、イオン化平均自由行程を総スパッタリング平均自由行程(λ)に関連付けている。このような関連付けにより、熱によって活性化されるプロセスに対するアレニウスの式に類似した式が導かれ、タウンゼントのイオン化係数として知られている反応速度定数、α=1/Vi=(定数/λ)exp(−Vi/Eλ)が得られる。
[0054] 次に、正イオンの連続運動の結果に注目する。原理的には、電界中で正イオンが加速され、加速された正イオンが負電極に到達すると、入射するイオン1個当たりγ個の電子の歩留りで負電極から電子が二次放出されることになる。x=0(陰極)とx=d(陽極)の間で増倍したイオンが、ギャップ中のイオンの母集団を補充するだけの十分な二次電子を陰極から解放する場合、二次放出および増倍のプロセスが自続する。式(1)および(2)によれば、N0個の初期電子は、位置xのスラブdxにαN0exp(αx)dx個のイオンを生成することになる。したがって、N0[exp(αd)−1]個のイオンがギャップの両端間に生成されることになる。自続のためには、
または、
[0059] (3)および(4)を組み合せると、
[0067] 下記の表1は、典型的なリソグラフィ装置条件をリストにしたものである。図2を使用して、これらのパラメータと崩壊電圧を関連付けることができる。最悪の場合(γが1に近い)、約50ボルトの電位でも十分に崩壊が生じる。原理的には、EUV放射によって生成されるプラズマは、このような電位を提供することが可能である。
Claims (15)
- 放射ビームを条件付けるように、あるいはパターン化された放射ビームを基板の目標部分に投影するように構成されたシステムであって、
それぞれ前記放射ビームまたは前記パターン化された放射ビームを導くように構成された光活性デバイス、および、
前記光活性デバイスを支持するように構成された支持構造であって、イオンの効果を抑制するための、スパッタ率が小さい材料、スパッタ閾値エネルギーが大きい材料、またはイオン注入歩留りが大きい材料を有するエレメント、あるいはプラズマが崩壊する確率を小さくするための、イオンの衝突による二次電子の歩留りが小さい材料を有するエレメントを備える支持構造、
を備えたシステムと、
バックグラウンドガスを前記システムに提供するためのガスサプライであって、前記放射ビームまたはパターン化された放射ビームと前記バックグラウンドガスが相互作用して、複数のイオンを含んだプラズマが形成されるガスサプライと、
を備え、
前記支持構造が、前記光活性デバイスが支持されるエンクロージャを備え、
前記エレメントが、前記支持構造の表面に与えられた導電材料のコーティングと共に前記エンクロージャの内側の表面に提供される
リソグラフィ装置。 - 前記コーティングが1マイクロメートル以上の範囲の厚さを有する、請求項1に記載の装置。
- ある電位で前記エレメントを保持するように構成された電圧源をさらに備えた、請求項1又は2に記載の装置。
- 前記エレメントが、前記複数のイオンの電荷の符号とは逆の符号の電位で保持され、それにより前記複数のイオンが前記エレメントに引き付けられる、請求項3に記載の装置。
- 前記エレメントが負の電位で保持される、請求項3又は4に記載の装置。
- 前記支持構造が、前記光活性デバイスが支持されるエンクロージャを備え、前記エレメントが、前記支持構造の内側の表面に取り付けられた少なくとも導電性外部層を有する材料のブロックを備えた、請求項5に記載の装置。
- イオン注入歩留りの大きい材料を備えた前記エレメントに向かって前記複数のイオンを加速するように構成された加速電界生成ユニットをさらに備え、それにより前記複数のイオンの少なくとも一部が前記材料中に注入される、請求項1乃至6の何れかに記載の装置。
- スパッタ率が小さい材料を備えた前記エレメントに向かって前記複数のイオンを減速するように構成された減速電界生成ユニットをさらに備え、それにより前記複数のイオンの少なくとも一部が減速し、前記複数のイオンのエネルギーが前記材料のスパッタリングエネルギー閾値未満になる、請求項1乃至7の何れかに記載の装置。
- 前記バックグラウンドガスが、アルゴン、ヘリウム、水素またはそれらの組合せを含む、請求項1乃至8の何れかに記載の装置。
- スパッタ率が小さい前記材料、閾値が大きい前記材料および/または前記高注入材料が、小さいイオン誘導二次電子係数を有する、請求項1乃至9の何れかに記載の装置。
- スパッタ率が小さい前記材料が、白金、タンタル、黒鉛状炭素またはそれらの組合せを含む、請求項1乃至10の何れかに記載の装置。
- スパッタリング閾値エネルギーが大きい前記材料が、白金、タンタル、タングステン、モリブデン、黒鉛状炭素またはそれらの組合せを含む、請求項1乃至11の何れかに記載の装置。
- 放射ビームを条件付けるように、あるいはパターン化された放射ビームを基板の目標部分に投影するように構成されたシステムであって、
それぞれ前記放射ビームまたは前記パターン化された放射ビームを導くように構成された光活性デバイス、および、
前記光活性デバイスを支持するように構成された支持構造であって、イオンの効果を抑制するための、スパッタ率が小さい材料、スパッタ閾値エネルギーが大きい材料、またはイオン注入歩留りが大きい材料を有するエレメント、あるいはプラズマが崩壊する確率を小さくするための、イオンの衝突による二次電子の歩留りが小さい材料を有するエレメントを備える支持構造、
を備えたシステムと、
バックグラウンドガスを前記システムに提供するためのガスサプライであって、前記放射ビームまたはパターン化された放射ビームと前記バックグラウンドガスが相互作用して、複数のイオンを含んだプラズマが形成されるガスサプライと、
を備え、
前記支持構造が、前記光活性デバイスが支持されるエンクロージャを備え、前記エレメントが、前記エンクロージャの内側の表面に取り付けられ、かつ、前記複数のイオンが比較的大きい入射角で前記エレメントに衝突する方法で前記エンクロージャ内に展開するように構成され、前記エレメントに衝突する前記複数のイオンのエネルギーが小さくなり、それにより前記複数のイオンのスパッタ率が小さくなる
リソグラフィ装置。 - 前記複数のイオンによって運ばれる電荷とは逆の電位で前記エレメントを保持するための電圧源をさらに備えた、請求項13に記載の装置。
- デバイス製造方法であって、
パターン化された放射のビームをシステムを介して基板の目標部分に投影するステップまたは放射ビームをシステム内で条件付けるステップと、
光活性デバイスを使用して、前記放射ビームまたは前記パターン化された放射ビームを前記システムを介して導くステップと、
支持構造を使用して前記光活性デバイスを支持するステップと、
バックグラウンドガスを前記システムに提供するためにガスサプライを供給するステップであって、前記放射ビームまたはパターン化された放射ビームと前記バックグラウンドガスが相互作用して、複数のイオンを含んだプラズマが形成されるステップと、
前記支持構造にエレメントを提供するステップであって、前記エレメントが、イオンの効果を抑制するための、スパッタ率が小さい材料、スパッタ閾値エネルギーが大きい材料、またはイオン注入歩留りが大きい材料を備えているか、あるいはプラズマが崩壊する確率を小さくするための、イオンの衝突による二次電子の歩留りが小さい材料を備えたステップと、
を含む方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/319,193 US7491951B2 (en) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | Lithographic apparatus, system and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007180551A JP2007180551A (ja) | 2007-07-12 |
JP4546446B2 true JP4546446B2 (ja) | 2010-09-15 |
Family
ID=38193236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006344963A Expired - Fee Related JP4546446B2 (ja) | 2005-12-28 | 2006-12-21 | リソグラフィ装置、システムおよびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7491951B2 (ja) |
JP (1) | JP4546446B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7894037B2 (en) * | 2007-07-30 | 2011-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5439469B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2014-03-12 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 洗浄モジュール、及び洗浄モジュールを備えたeuvリソグラフィ装置 |
JP5580032B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-08-27 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光光源装置 |
DE102011075465B4 (de) * | 2011-05-06 | 2013-09-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102015207140A1 (de) * | 2015-04-20 | 2016-10-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002124463A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-04-26 | Asm Lithography Bv | マスクハンドリング装置、平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子 |
JP2002237448A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-08-23 | Trw Inc | 極限紫外リソグラフィー装置 |
JP2004343116A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイス |
JP2005098930A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、その再生方法及び露光装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI255394B (en) * | 2002-12-23 | 2006-05-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus with debris suppression means and device manufacturing method |
US7217941B2 (en) * | 2003-04-08 | 2007-05-15 | Cymer, Inc. | Systems and methods for deflecting plasma-generated ions to prevent the ions from reaching an internal component of an EUV light source |
US7183717B2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-02-27 | Energetiq Technology Inc. | Inductively-driven light source for microscopy |
-
2005
- 2005-12-28 US US11/319,193 patent/US7491951B2/en active Active
-
2006
- 2006-12-21 JP JP2006344963A patent/JP4546446B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002124463A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-04-26 | Asm Lithography Bv | マスクハンドリング装置、平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子 |
JP2002237448A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-08-23 | Trw Inc | 極限紫外リソグラフィー装置 |
JP2004343116A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイス |
JP2005098930A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、その再生方法及び露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7491951B2 (en) | 2009-02-17 |
JP2007180551A (ja) | 2007-07-12 |
US20070146660A1 (en) | 2007-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7136141B2 (en) | Lithographic apparatus with debris suppression, and device manufacturing method | |
US6614505B2 (en) | Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby | |
JP5955423B2 (ja) | デブリ粒子を抑制するための放射線源装置、リソグラフィ装置、照明システム、および方法 | |
EP1223468B1 (en) | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method | |
KR20130054945A (ko) | 오염 입자들을 제거하기 위한 시스템, 리소그래피 장치, 오염 입자들을 제거하기 위한 방법 및 디바이스 제조 방법 | |
US7759663B1 (en) | Self-shading electrodes for debris suppression in an EUV source | |
JP4546446B2 (ja) | リソグラフィ装置、システムおよびデバイス製造方法 | |
JP3813959B2 (ja) | 複数の抑制メッシュを備えたリトグラフ投影装置 | |
JP2007517396A (ja) | リソグラフィ装置、及びデブリ軽減システムを備える放射源、並びにリソグラフィ装置におけるデブリ粒子を軽減する方法 | |
KR100544357B1 (ko) | 2차 전자제거유닛을 포함하는 리소그래피투영장치 | |
JP4920741B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
EP1434095A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP4440234B2 (ja) | リソグラフィ装置、放射システム、及びデバイス製造方法 | |
US7145631B2 (en) | Lithographic apparatus, illumination system and method for mitigating debris particles | |
CN114503034A (zh) | 清洁装置、光刻设备、去除水或其它污染物的方法、和器件制造方法 | |
EP1411392A1 (en) | Lithographic projection apparatus | |
WO2024132381A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
WO2024132898A1 (en) | In-situ cleaning for lithographic apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100604 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100701 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4546446 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |