JP4544139B2 - 半導体基板の分断装置および半導体基板の分断方法 - Google Patents
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図10(A) に示すように、シリコン等の半導体からなる半導体基板Wの裏面の基板面は、レーザダイシングなどが施された状態で、延伸性を有する樹脂製のシートSに接着されており、シートSの外周部は円環状のフレームFにより保持されている。
そして、図10(B)に示すように、半導体基板Wの下方に配置され、図示しない移動手段により上下方向に移動する押圧装置Pを用いて、シートSの裏側から半導体基板Wを押し上げるように押圧することにより、シートSが面方向(図中矢印F1、F2方向)に引き伸ばされる。これにより、シートSに接着された半導体基板Wには、面方向に応力が負荷されるため、半導体基板Wは複数の半導体チップCに分断される(特許文献1)。
裏面の基板面にシートが接着された半導体基板と、
前記シートの外周を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記シートを裏面から押圧する押圧手段とを備えており、
前記シートの裏面を前記押圧手段によって押圧して、前記保持手段で保持された前記シートを引き伸ばすことにより、半導体基板をその厚さ方向に分断するための分断予定ラインに沿って分断して半導体チップを得る半導体基板の分断装置において、
前記押圧手段は、前記シートの裏面の前記分断予定ラインに対応する位置のみを局部的に、全ての半導体チップの前記分断予定ラインについて同時に押圧する半導体基板の分断装置を技術的特徴とする。
請求項5に記載の発明は、裏面の基板面にシートが接着された半導体基板を用意し、前記シートの外周を保持する保持工程と、前記シートの裏面を押圧し、前記保持工程にて保持された前記シートを引き伸ばすことにより、半導体基板をその厚さ方向に分断するための分断予定ラインに沿って分断して半導体チップを得る際に、前記シートの裏面の前記分断予定ラインに対応する位置のみを局部的に、全ての半導体チップの前記分断予定ラインについて同時に押圧する分断工程とを備えた半導体基板の分断方法を技術的特徴とする。
また、シートと押圧部材との接触面積が小さくなるため、押圧部材との摩擦力によりシートの伸びを拘束することがなく、シートを均一に引き伸ばすことができるため、半導体基板を容易に分断することができ、半導体チップの歩留まりを向上させることができる。
したがって、半導体基板を分断して得られる半導体チップの歩留まりを向上させることができる半導体基板の分断装置を実現することができる。
請求項1に記載の発明によれば、押圧手段がシートの裏面の分断予定ラインに対応する位置のみを局部的に全ての半導体チップの分断予定ラインについて同時に押圧するため、半導体チップを速やかに分断できる。
つまり、半導体基板の裏面の基板面をシートに接着してからダイシングすることができるため、ダイシング工程を短縮できるとともに、ダイシング時に粉塵が発生しないため、半導体基板の基板面に粉塵が付着するおそれがない。
特に、請求項4に記載の発明のように、分断予定ラインに沿って改質領域を形成する場合には、改質領域と改質されていない領域との熱膨張差が大きいため、大きな熱応力が発生するので、半導体基板を容易に分断することができ、半導体チップの歩留まりを向上させることができる。
従って、請求項5に記載の発明は、請求項1に記載の発明に係る作用・効果を得ることができる。
この発明に係る半導体基板の分断装置及び分断方法の第1実施形態について、図を参照して説明する。図1は、この発明の半導体基板の分断装置により分断する半導体基板の構成例を示す模式図である。図1(A)は、ウェハの表面の平面説明図であり、図1(B)は、図1(A)の1B−1B矢視断面図である。図2は、半導体基板にレーザ光の照射を行う分断装置の説明図である。図3は、第1実施形態に係る押圧装置の説明図である。図3(A)は、押圧装置を上方から見た説明図であり、図3(B)は、図3(A)の1C−1C矢視断面図である。図4は、第1実施形態に係る押圧装置を用いた半導体基板の分断方法の説明図であり、図4(A)は、半導体基板の分断前の状態の説明図であり、図4(B)は、半導体基板の分断後の状態の説明図である。
なお、いずれの図においても、説明のために一部を拡大して誇張して示している。
半導体基板21は、裏面の基板面21bが延伸性を有する樹脂製のシート41に接着され、シート41が張った状態でシート41の外周部が円環状のフレーム42により保持される(保持工程)。
図1(B)に示すように、1B−1Bライン上には、6つの半導体チップ22a〜22fが形成されている。半導体基板21の厚さ方向には7本の分断予定ラインDL1〜DL7が設定されており、後述する方法により分断の起点となる改質領域が形成される。
続いて、図2に示すように、レーザヘッド31を分断予定ラインDLに沿って走査し(図中矢印F4方向)、レーザ光Lを基板面21aから照射することにより、レーザ光Lの集光点Pが走査された深さdの経路に、多光子吸収による改質領域Kが適正に形成される。レーザ光Lの集光点Pの深さdを調整することにより、半導体基板21の厚さの範囲内で任意の深さに任意の層数の改質領域Kを形成することができる。例えば、厚さが比較的厚い場合は、その厚さ方向へ集光点Pを移動させて改質領域Kを厚さ方向に連続状、または複数箇所に形成することにより、半導体基板21の分断を容易にすることができる。
ここで、多光子吸収とは、物質が複数個の同種もしくは異種の光子を吸収することをいう。その多光子吸収により、半導体基板Wの集光点Pおよびその近傍では、光学的損傷という現象が発生し、これにより熱ひずみが誘起され、その部分にクラックが発生し、そのクラックが集合した層、つまり改質領域Kが形成される。
図3(A)に示すように、押圧装置43の上部には、シート41の裏面と当接する面に、半導体基板21の分断予定ラインDLに対応する位置に縦断面三角形状の押圧突起44が設けられている。例えば、図3(B)に示すように、図1(A)の1B−1Bラインに対応する1C−1Cライン上には分断予定ラインDL1〜DL7に対応して7箇所に押圧突起44a〜44gが設けられている。
次に、図4(B)に示すように、押圧装置43を図示しない昇降手段により上昇させると、押圧突起44a〜44gがシートを介して半導体基板21の裏面側に当接する。このとき、分断予定ラインDL1の下方に押圧突起44aが当接し、同様に分断ラインDL2〜DL7の下方に押圧突起44b〜44gがそれぞれ当接する。
このとき、押圧装置43の押圧突起44a〜44fは、分断予定ラインDL1〜DL7のみを局部的に押圧する。そのため、シート41と押圧突起44a〜44fのと接触面積は、平坦な面で押圧する場合に比べて、大幅に減少するので、押圧突起44a〜44fとの摩擦力によりシート41の伸びが拘束されることがなく、シート41を均一に引き伸ばすことができる。そのため、半導体基板21中央部近傍の半導体チップ、例えば、半導体チップ22c、22dにも十分な応力を負荷することができるので、半導体基板21を容易に半導体チップ22に分断することができる。
更に、押圧突起44a〜44fが分断予定ラインDL1〜DL7上のみを局部的に押圧することにより、押圧突起44a〜44fの接触部を中心に分断予定ラインDL1〜DL7に曲げ応力が重畳される。そのため、分断予定ラインDL1〜DL7に、より大きな応力を負荷することができるため、分断予定ラインDL1〜DL7にクラックを進展させやすくなるので、半導体基板21を容易に半導体チップ22に分断することができる。
(1)半導体基板の分断装置1に設けられた押圧装置43は、半導体基板21の裏面に接着されたシート41の裏面を局部的に押圧するので、シート41の裏面であって、分断しにくい半導体チップ22を分断するための応力を発生させる位置を押圧突起44により局部的に押圧することにより、分断しにくい半導体チップ22にも十分な応力を負荷して分断することができる。
また、シート41と押圧突起44との接触面積が小さくなるため、押圧装置43との摩擦力によりシート41の伸びが拘束されることがなく、シート41を均一に引き伸ばすことができるため、半導体基板21を容易に分断することができ、半導体チップ22の歩留まりを向上させることができる。
したがって、半導体基板21を分断して得られる半導体チップ22の分断の歩留まりを向上させることができる半導体基板21の分断装置1及び分断方法を実現することができる。
この発明に係る半導体基板の分断装置の第2実施形態について、図を参照して説明する。図5は、第2実施形態に係る押圧装置の説明図である。図5(A)は、押圧装置を上方から見た説明図であり、図5(B)は、図3(A)の1D−1D矢視断面図である。図6は、第2実施形態に係る押圧装置を用いた半導体基板の分断方法の説明図であり、図6(A)は半導体基板21の分断前の状態の説明図であり、図6(B)は、半導体基板21の分断後の状態の説明図である。
なお、第1実施形態と同様の構成については、同じ符号を使用するとともに説明を省略する。
次に、図6(B)に示すように、押圧装置43を図示しない昇降手段により上昇させると、押圧部材45a〜45fがシート41を介して半導体基板21の裏面側に当接する。このとき、押圧部材45aは半導体チップ22aの底面の中央部の下方に当接し、同様に押圧部材45b〜45fは半導体チップ22b〜22fの中央部の下方にそれぞれ当接する。
そのため、半導体チップ22a〜22f毎に、分断のために必要な応力を適正に負荷することができるとともに、半導体基板21に半導体チップ22a〜22fの中央部を起点とした曲げ応力が発生させることができるので、半導体チップ22a〜22fを容易に分断することができる。半導体基板21を容易に半導体チップ22に分断することができる。
また、押圧部材45はそれぞれが水平方向への移動機構を備え、配置が可変である構成を使用してもよい。この構成を使用した場合、半導体チップ22の配置に合わせて、押圧部材45の配置を変更できるため、1つの押圧装置43で種々の半導体チップの分断に対応することができる。
半導体基板の分断装置1に設けられた押圧装置43は、半導体基板21の裏面に接着されたシート41の裏面の半導体チップ22の中央部に対応する位置を押圧するため、分断のために必要な応力を半導体チップ22毎に適正に負荷することができるとともに、半導体基板21に半導体チップ22の中央部を起点とした曲げ応力が発生させることができるので、半導体基板21を容易に分断することができ、半導体チップ22の歩留まりを向上させることができる。
この発明に係る半導体基板の分断装置の第3実施形態について、図を参照して説明する。図7は、第3実施形態に係る押圧装置を用いた半導体基板の分断方法の説明図であり、図7(A)は、半導体基板21の分断前の状態の説明図であり、図7(B)は、半導体チップ22c、22dを分断する工程の説明図、図7(C)は、半導体チップ22b、22eを分断する工程の説明図、図7(D)は、半導体チップ22a、22fを分断する工程の説明図である。
なお、第1実施形態と同様の構成については、同じ符号を使用するとともに説明を省略する。
つまり、押圧装置43に設けられた押圧部材46a〜46fは、半導体基板21の中心方向から外周方向に向かって順番に押圧し、半導体チップ22a〜22fを中心方向から外周方向に向かって順番に分断する。
半導体基板の分断装置1に設けられた押圧装置43は、半導体基板21の裏面に接着されたシート41の裏面の所定の位置を、半導体基板21の中心方向から外周方向に向かって順番に押圧するため、分断しにくい半導体基板21の中央部近傍の半導体チップ22c、22dから優先的に分断することができるので、半導体基板21を容易に分断することができ、半導体チップ22の歩留まりを向上させることができる。
なお、第1実施形態の押圧突起44を半導体基板21の中央部に近いほど高さが高くなるように設ける構成を使用した場合も、同様な効果を奏することができる。
この発明に係る半導体基板の分断装置の第4実施形態について、図を参照して説明する。図8は、第4実施形態に係る押圧装置を用いた半導体基板の分断方法の説明図であり、図8(A)は、半導体基板21の分断前の状態の説明図であり、図8(B)は、半導体チップ22c、22dを分断する工程の説明図、図8(C)は、半導体チップ22b、22eを分断する工程の説明図、図8(D)は、半導体チップ22a、22fを分断する工程の説明図である。
なお、第1実施形態と同様の構成については、同じ符号を使用するとともに説明を省略する。
つまり、押圧装置43に設けられた押圧部材47a〜47fは、半導体基板21の中心方向から外周方向に向かって順番に上昇し、半導体チップ22a〜22fの中央部に対応する位置を押圧する。そして、半導体チップ22a〜22fを中心方向から外周方向に向かって順番に分断する。
ここで、先に分断された中心方向の半導体チップは裏面より押圧部材で保持されているため、シート41が水平に安定して保持されるので、外周方向の半導体チップを分断するときに、クラックが偏向することがなく、半導体チップ22の歩留まりを向上させることができる。
半導体基板の分断装置1に設けられた押圧装置43は、半導体基板21の裏面に接着されたシート41の裏面の所定の位置を、半導体基板21の中心方向から外周方向に向かって順番に押圧するため、分断しにくい半導体基板21の中央部近傍の半導体チップ22c、22dから優先的に分断することができるので、半導体基板21を容易に分断することができ、半導体チップ22の歩留まりを向上させることができる。
なお、第1実施形態の押圧突起44を個別に昇降移動できるように構成して、半導体基板21の中心方向から外周方向に向かって順番に押圧する場合も、同様な効果を奏することができる。
この発明に係る半導体基板の分断装置の第5実施形態について、図を参照して説明する。図9は、第5実施形態に係る押圧装置を用いた半導体基板の分断方法の説明図であり、図9(A)は、半導体基板21の分断前の状態の説明図であり、図9(B)は、半導体チップ22a、22fを分断する工程の説明図、図9(C)は、半導体チップ22b、22eを分断する工程の説明図、図9(D)は、半導体チップ22c、22dを分断する工程の説明図である。
なお、第1実施形態と同様の構成については、同じ符号を使用するとともに説明を省略する。
このとき、半導体基板21の外周方向の半導体チップ22a、22fを確実に分断するので、シート41が過剰に引き伸ばされてしまい、中央部に力がかからなくなるということがない。
つまり、押圧装置43に設けられた押圧部材47a〜47fは、半導体基板21の外周方向から中心方向に向かって順番に上昇し、半導体チップ22a〜22fの中央部に対応する位置を押圧する。そして、半導体チップ22a〜22fを外周方向から中心方向に向かって順番に分断する。
半導体基板の分断装置1に設けられた押圧装置43は、半導体基板21の裏面に接着されたシート41の裏面の所定の位置を、半導体基板21の外周方向から中心方向に向かって順番に押圧するため、半導体基板21の外周方向の半導体チップ22から確実に分断するので、半導体基板21の外周近傍に分断しにくい半導体チップ22が存在した場合でも、シート41が過剰に引き伸ばされてしまい、半導体基板21の中央部に力がかからなくなるということがない。したがって、半導体基板21を容易に分断することができ、半導体チップ22の歩留まりを向上させることができる。
(1)押圧装置43によりシート41の裏面を押圧するときに、超音波振動子などの振動手段を用いて、半導体基板21に振動を付与してもよい。この構成を用いた場合、振動の物理的作用により改質領域Kからクラックを進展させることができ、分断に必要な力を小さくすることができるので、半導体基板21を容易に分断することができ、半導体チップ22の歩留まりを向上させることができる。
フレーム42が請求項1に記載の保持手段に、押圧装置43、押圧突起44(44a〜44f)、押圧部材45a〜45f、46a〜46f、47a〜47fが押圧手段にそれぞれ対応する。
21 半導体基板
22 半導体チップ
31 レーザヘッド
41 シート
42 フレーム(保持手段)
43 押圧装置(押圧手段)
44(44a〜44f) 押圧突起(押圧手段)
45a〜45f、46a〜46f、47a〜47f 押圧部材(押圧手段)
DL 分断予定ライン
K 改質領域
L レーザ光
P 集光点
Claims (5)
- 裏面の基板面にシートが接着された半導体基板と、
前記シートの外周を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記シートを裏面から押圧する押圧手段とを備えており、
前記シートの裏面を前記押圧手段によって押圧して、前記保持手段で保持された前記シートを引き伸ばすことにより、半導体基板をその厚さ方向に分断するための分断予定ラインに沿って分断して半導体チップを得る半導体基板の分断装置において、
前記押圧手段は、前記シートの裏面の前記分断予定ラインに対応する位置のみを局部的に、全ての半導体チップの前記分断予定ラインについて同時に押圧することを特徴とする半導体基板の分断装置。 - 請求項1に記載の半導体基板の分断装置において、
レーザ光を照射するレーザヘッドを、前記分断予定ラインに沿って、前記半導体基板に対して相対移動させながら、前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記集光点に多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成手段が設けられており、この改質領域形成工程を経た前記半導体基板を、前記改質領域を起点にして分断することを特徴とする半導体基板の分断装置。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体基板の分断装置において、
前記半導体基板に振動を付与する振動手段を備えたことを特徴とする半導体基板の分断装置。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体基板の分断装置において、
前記半導体基板を加熱する加熱手段を備えたことを特徴とする半導体基板の分断装置。 - 裏面の基板面にシートが接着された半導体基板を用意し、
前記シートの外周を保持する保持工程と、
前記シートの裏面を押圧し、前記保持工程にて保持された前記シートを引き伸ばすことにより、半導体基板をその厚さ方向に分断するための分断予定ラインに沿って分断して半導体チップを得る際に、前記シートの裏面の前記分断予定ラインに対応する位置のみを局部的に、全ての半導体チップの前記分断予定ラインについて同時に押圧する分断工程と
を備えたことを特徴とする半導体基板の分断方法。
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