JP4543053B2 - リソグラフィ装置、デバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、リソグラフィ装置、デバイスを製造するための方法およびパターン化された膜を有するシリコン基板に関する。

リソグラフィ装置は、基板、一般的には基板のターゲット部分に所望のパターンを付与するマシンである。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンが生成される。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは複数のダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は、通常、基板の上に提供されている放射感応性材料（レジスト）層上へのイメージングを介して行われる。通常、１枚の基板には、順次パターン化されるターゲット部分に隣接する回路網が含まれている。公知のリソグラフィ装置には、パターン全体を１回でターゲット部分に露光することによってターゲット部分の各々が照射されるステッパと、パターンを放射ビームで所与の方向（「スキャン」方向）にスキャンし、かつ、基板をこの方向に平行または非平行に同期スキャンすることによってターゲット部分の各々が照射されるスキャナがある。パターンを基板にインプリントすることによってパターニングデバイスから基板へパターンを転送することも可能である。

比較的屈折率の大きい液体中、例えば水中にリソグラフィ投影装置内の基板を浸し、それにより投影システムの最終エレメントと基板との間の空間を充填する方法が提案されている。この方法のポイントは、液体中では露光放射の波長がより短くなるため、より小さいフィーチャをイメージングすることができることである（また、液体の効果は、システムの有効ＮＡを増加し、また、焦点深度を深くすることにあるとみなすことができる。）。固体粒子（例えば水晶）が懸濁した水を含む液浸液も提案されている。

しかし、基板または基板および基板テーブルを液体の槽に浸す（例えば米国特許第４，５０９，８５２号を参照されたい）ことは、スキャン露光の間、加速しなければならない大量の液体が存在していることを意味している。そのためにはモータを追加するか、あるいはより強力なモータが必要であり、また、液体の攪乱により、望ましくない予測不可能な影響が生じることがある。

提案されている解決法の１つは、液体供給システムの場合、液体拘束システムを使用して、基板の局部領域にのみ、および投影システムの最終エレメントと基板との間に液体を提供することである（基板の表面積は、通常、投影システムの最終エレメントの表面積より広い）。国際公開公報ＷＯ９９／４９５０４に、そのために提案されている方法の１つが開示されている。図２および図３に示すように、液体は、好ましくは基板が投影システムの最終エレメントに対して移動する方向に沿って、少なくとも１つの入口ＩＮによって基板に供給され、投影システムＰＬの下を通過した後、少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板を最終エレメントの下方で−Ｘ方向にスキャンする際に、最終エレメントの＋Ｘ側で液体が供給され、−Ｘ側で除去される。図２は、入口ＩＮを介して液体が供給され、最終エレメントの他方の側で、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって除去される構造を略図で示したものである。図２に示す図解では、液体は、必ずしもそうである必要はないが、基板が最終エレメントに対して移動する方向に沿って供給されている。様々な方向および数の入口および出口を最終エレメントの周りに配置することが可能である。図３はその実施例の１つを示したもので、両側に出口を備えた４組の入口が、最終エレメントの周りに一定のパターンで提供されている。

提案されているもう１つの解決法は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って展開したシール部材を備えた液体供給システムを提供することである。図４は、このような解決法を示したものである。シール部材は、Ｚ方向（光軸の方向）の若干の相対移動が存在する可能性があるが、投影システムＰＬに対して実質的にＸＹ平面内に静止している。シールは、シール部材と基板の表面との間に形成されている。シールは、ガスシールなどの非接触シールであることが好ましい。米国特許第６，９５２，２５３号に、ガスシールを備えたこのようなシステムが開示されており、図５はそれを示したものである。

米国特許第６，９５２，２５３号に、ツインまたはデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の着想が開示されている。このような装置は、基板を支持するための２つのステージを備えている。１つのステージを使用して、液浸液が存在していない第１の位置で水準測定が実行され、もう１つのステージを使用して、液浸液が存在している第２の位置で露光が実行される。別法としては、リソグラフィ装置は、１つのステージのみを有している。

パターン化された基板を製造するためには、現在のリソグラフィプロセスは、複雑な一連のプロセスを完了しなければならない。詳細には、必要なレジスト層およびトップコート層を露光に先立って基板に準備するためには、多数のプライム、コーティングおよびベークプロセスが必要である。露光後、さらにベーキング、トップコートの除去および現像プロセスが必要である。この不可欠なトラック処理がデバイス製造プロセスをさらに複雑にしている。また、これらのプロセスは、臨界寸法一様性（ＣＤＵ）に悪影響を及ぼすことがある。

リソグラフィ処理の分野における継続的な目的は、限りなく細い線幅を提供することである。しかしながら現在の処理方法には、実現可能な最小線幅に本質的な限界がある。

トラック処理を単純化することができる装置および方法が提供されることが望ましい。また、ＣＤＵが改善され、かつ、より細い線幅を利用できることが望ましい。

本発明の一実施形態によれば、投影システムの最終エレメントと基板との間の空間に液浸液を供給するように構成された液体供給システムを備え、前記液浸液が、放射ビームに露光されると基板に膜を形成するように構成された感光性材料を含む、リソグラフィ装置が提供される。

本発明の一態様によれば、パターン化された放射ビームを液浸液を介して基板に投射するステップであって、液浸液に感光性材料が含まれ、該感光性材料および／またはその光化学生成物が、パターン化された放射ビームに露光される領域中において基板に堆積するステップと、感光性材料および／またはその光化学生成物のパターン化された膜を基板に提供するステップと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の一態様によれば、パターン化された膜が堆積した、本発明による方法に従って製造されるシリコン基板が提供される。

以下、本発明の実施形態について、単なる実施例にすぎないが、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は対応する部品を表している。

図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を略図で示したものである。この装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを備えている。支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成されており、特定のパラメータに従って該パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されている。基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えばウェーハ）Ｗを保持するように構成されており、特定のパラメータに従って該基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続されている。投影システム（例えば屈折型投影レンズ系）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に投影するように構成されている。

照明システムは、放射を導き、整形し、かつ／または制御するための、屈折光学、反射光学、磁気光学、電磁光学、静電光学または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを備えることができる。

支持体はパターニングデバイスを支持しており、例えばパターニングデバイスの重量を支えている。支持体は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計および他の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境中で保持されているか否かに応じた方法でパターニングデバイスを保持している。支持体には、パターニングデバイスを保持するための機械式、真空、静電または他のクランプ技法を使用することができる。支持体は、例えば必要に応じて固定または移動させることができるフレームまたはテーブルであってもよい。支持体は、パターニングデバイスを例えば投影システムに対して所望の位置に確実に配置することができる。本明細書における「レチクル」または「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語の同義語とみなすことができる。

本明細書に使用されている「パターニングデバイス」という用語は、放射ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板のターゲット部分にパターンを生成するべく使用することができる任意のデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。放射ビームに付与されるパターンは、例えばそのパターンに位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴が含まれている場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。放射ビームに付与されるパターンは、通常、ターゲット部分に生成されるデバイス、例えば集積回路などのデバイス中の特定の機能層に対応している。

パターニングデバイスは、透過型または反射型であってよい。パターニングデバイスの実施例には、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ位相シフトおよび減衰位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプが含まれる。プログラマブルミラーアレイの実施例には、マトリックスに配列された、入射する放射ビームが異なる方向に反射するようそれぞれが個々に傾斜させることができる微小ミラーが使用されている。この傾斜したミラーによって、ミラーマトリックスで反射する放射ビームにパターンが付与される。

本明細書に使用されている「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射に適した、もしくは液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学システム、反射光学システム、カタディオプトリック光学システム、磁気光学システム、電磁光学システムおよび静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを始めとする任意のタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語とみなすことができる。

図に示すように、この装置は、透過型（例えば透過型マスクを使用した）タイプの装置である。別法としては、この装置は、反射型（例えば上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイを使用した、あるいは反射型マスクを使用した）タイプの装置であってもよい。

リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または複数のマスクテーブル）を有するタイプの装置であってもよい。このような「マルチステージ」マシンの場合、追加テーブルを並列に使用することができ、あるいは１つまたは複数の他のテーブルを露光のために使用している間、１つまたは複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。

図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受け取る。放射源が例えばエキシマレーザである場合、放射源およびリソグラフィ装置は、個別の構成要素にすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、放射は、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えたビーム引渡しシステムＢＤを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ引き渡される。それ以外の例えば放射源が水銀灯の場合、放射源はリソグラフィ装置の一構成要素とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビーム引渡しシステムＢＤと共に放射システムと呼ぶことができる。

イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えることができる。通常、イルミネータの瞳面内における強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、それぞれσ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれている）は調整が可能である。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の様々なコンポーネントを備えることができる。イルミネータを使用して放射ビームを条件付け、所望する一様性および強度分布をその断面に持たせることができる。

支持体（例えばマスクテーブルＭＴ）の上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に放射ビームＢが入射し、パターニングデバイスによってパターン化される。マスクＭＡを透過した放射ビームＢは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる投影システムＰＳを通過する。基板テーブルＷＴは、第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）を使用して正確に移動させることができ、それにより例えば異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの光路内に配置することができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよびもう１つの位置センサ（図１には明確に示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後、またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの光路に対して正確に配置することができる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成しているロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使用して実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成しているロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。（スキャナとは対照的に）ステッパの場合、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続することができ、あるいは固定することも可能である。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。図に示した基板アライメントマークは専用ターゲット部分を占有しているが、基板アライメントマークは、ターゲット部分間の空間に配置することも可能である（このような基板アライメントマークは、スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に提供される場合、ダイの間にマスクアライメントマークを配置することができる。

図に示す装置は、以下に示すモードのうちの少なくとも１つのモードで使用することができる。
１．ステップモード：マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃに１回で投影される（すなわち単一静止露光）。次に、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向に移動され、異なるターゲット部分Ｃが露光される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモード：放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期スキャンされる（すなわち単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの倍率（縮小率）および画像反転特性によって決まる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の幅（非スキャン方向の幅）が制限され、また、スキャン動作の長さによってターゲット部分の高さ（スキャン方向の高さ）が決まる。
３．その他のモード：プログラマブルパターニングデバイスを保持するマスクテーブルＭＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、スキャン中、基板テーブルＷＴが移動する毎に、あるいは連続する放射パルスの間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

前述した使用モードの組合せおよび／またはその変形形態、あるいはまったく異なる使用モードを使用することも可能である。

本発明は、図２ないし図５に示し、かつ、前述したような、それぞれが本発明との使用に適した液浸リソグラフィ装置を対象としている。以下、図５に示す特徴を参照するが、代替装置の使用が可能であることを理解されたい。

本装置は、投影システムＰＬと基板Ｗを分離しているリザーバ１１に液浸液を供給する液体供給システムを備えている。液体供給システムは、必要なあらゆるコンジットおよび／またはバルブを介して１つまたは複数の入口１３に接続された容器（図示せず）などの液浸液源を備えている。リザーバは、ガス入口１５およびガス出口１４を使用して、ガスシール１６で密閉されている。本装置は、通常、液体供給システムおよび／またはリザーバ１１内に存在している液浸液を備えている。

本発明に使用される液浸液には、１つまたは複数の感光性材料が含まれている。１つまたは複数の感光性材料は、放射ビームに露光されると基板に膜を形成することができる。つまり、放射ビームによってこれらの材料が光化学的に活性化すると、基板の表面に膜が堆積する。この膜は、１つまたは複数の感光性材料自体から形成することができ、あるいは１つまたは複数の感光性材料の光化学生成物を含有することも可能である。膜は、感光性材料が活性化したときにのみ、光が照射された領域にのみ堆積する。したがってパターン化された放射ビームを照射することにより、そのパターンに従ってパターン化された膜が基板の表面に構築される。図６は、このようにして基板Ｗに生成されたパターン化された膜１７を示したものである。

このように、本発明によって、パターン化された膜をリソグラフィ装置内の基板に直接形成することができる。したがって、本発明によって、露光に先立って基板にフォトレジストを付与する必要性が除去され、延いては必要なトラック処理が大幅に減少する。また、インサイチュでパターン化されるため、露光後の処理も簡略化される。したがって、本発明に必要なトラックプロセスは、当分野で現在使用されているトラックプロセスよりはるかに少なく、さらにはインライントラック処理を完全に除去することも可能である。また、パターン化された膜がインサイチュで基板に形成されるため、ＣＤＵが改善される。

放射ビームへの露光によって基板に膜を形成することができる感光性材料は、様々なプロセスまたは方法によって決定することができることを理解されたい。例えば、当該材料は、シリコン基板などの基板と接触している液浸液に溶解させることができる。次に、ＵＶまたはＥＵＶ領域の放射への基板の露光を実行することができる。露光後、例えば目視または適切な倍率を使用して材料を検査することにより、膜が形成されたかどうかを知ることができる。

本発明のプロセスは、一般的なＵＶまたはＥＵＶ波長を放射ビームとして用いて使用することができる。２４８ｎｍ、１９３ｎｍおよび１２６ｎｍは、使用可能な波長の一例である。照射は、室温で実行することができる。

１つまたは複数の感光性材料を液浸液に溶解させることができる。したがって、液浸液として水を使用する場合、感光性材料は水に溶けるものでなければならない。しかしながら、液浸液が水以外の場合、水に溶けない感光性材料を使用することも可能である。

一実施形態では、感光性材料は、フォトレジストとして現在使用されている有機重合体などの有機分子である。これらの材料は、（関連する光化学反応の有無にかかわらず）放射ビームによって活性化されると基板に膜を形成することができなければならない。

代替実施形態では、１つまたは複数の感光性材料は、微小有機分子または無機分子などの低分子量化合物である。感光性材料は、例えば１０００未満、好ましくは５００未満または３００未満の分子量を有している。感光性材料が活性化することによって形成される膜は、本質的に１０００未満、好ましくは５００未満または３００未満の分子量の化合物からなることがさらに好ましい。この実施形態は、基板上のパターンがより微小な分子によって形成され、したがって線幅粗さが減少する利点を有している。線幅粗さのこのような減少により、従来のレジスト技術を使用して現在達成可能な線幅よりさらに細い線幅を実現することができる。

本発明のコンテキストにおいては、水に溶ける無機感光性材料であることが望ましい。基板に光化学的に付着させることができる無機膜の例には、ＣｄおよびＺｎカルコゲニド、詳細にはＣｄカルコゲニドがある。ＣｄＳおよびＣｄＴｅ、詳細にはＣｄＳであることが望ましい。混合Ｚｎ／Ｃｄ化合物を始めとするこれらの材料の混合物を使用することも可能である。

このような無機膜を基板に生成するために、必要なイオンを含有し、かつ／または放射ビームに露光されると光化学反応してこのようなイオンを提供する感光性材料が使用される。例えばＣｄＳの場合、ＣｄＳＯ_４などの水に溶けるＣｄ^２＋塩、ならびにＳ_２Ｏ_３ ^２−（例えばＮａ_２Ｓ_２Ｏ_３）などの硫化物源が感光性材料として使用される。このような感光性材料を含んだ液浸液を露光することにより、基板の露光領域にＣｄＳ膜が生成される（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、Ｖｏｌ．８５、Ｉｓｓｕｅ １０、７４１１〜７４１７頁）。同様に、Ｚｎカルコゲニド膜を必要とする場合、ＺｎＳＯ_４を感光性材料として使用することができ、また、水に溶ける適切な塩を使用して必要なカルコニドを生成することができる。

ＣｄＳ膜を形成する特定の実施例に対するさらに詳細なプロセスを以下に示すが、このプロセスを必要に応じて適合させることによって代替膜を生成することも可能であることを理解されたい。液浸液は、２．０×１０^−３Ｍ ＣｄＳＯ_４および１．０×１０^−３Ｍ Ｎａ_２Ｓ_２Ｏ_３が溶解した純水であってもよい。液浸液のｐＨは、概ね中性（ｐＨ７）であってもよい。適切な酸、例えばＨ_２ＳＯ_４を加えることによって酸性の液浸液を使用することも可能である。このようにして準備された液浸液がリザーバ１１に供給され、この液浸液を介して基板の露光が実行される。ＣｄＳの膜が、パターン化された放射ビームに対応するパターンで基板の表面に構築される。膜の厚さは、約１μｍの厚さにすることができる。

基板の露光に先立ってフォトレジストをコーティングする必要はない。しかしながら、必要に応じて適切な予備露光コーティングを加えることができる。露光に続いて、パターン化された膜が付着した基板を直接エッチングし、次に、パターン化された膜を除去することができる。例えばエッチングに先立って、所望する任意のベーキングプロセスを含むことも可能である。

ＣｄＳ膜を形成することができる条件に関するさらなる詳細については、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、Ｖｏｌ．８５、Ｉｓｓｕｅ １０、７４１１頁〜７４１７頁を参照されたい。必要に応じてこれらの条件を適合させ、フォトリソグラフィ装置に使用することができる。

本明細書においては、とりわけＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用が参照されているが、本明細書において説明したリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリのための誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有することが可能なことを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェーハ」または「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語の同義語とみなすことができることを理解されたい。本明細書において参照される基板は、例えばトラック（通常、基板にレジストの層を塗布し、かつ、露光済みのレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール中で、露光前または露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために複数回にわたって処理することができるため、本明細書において使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。

本明細書に使用されている「放射」および「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射（例えば３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長あるいはその近辺の波長の放射）を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。

コンテキストが許容する場合、「レンズ」という用語は、屈折および反射光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の１つまたは組合せを意味している。

以上、本発明の特定の実施形態について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実施することができることは理解されよう。例えば本発明は、上で開示した方法を記述した１つまたは複数の機械読取可能命令シーケンスを含んだコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態を取ることができる。

本発明は、任意の液浸リソグラフィ装置に適用することができ、詳細には、排他的ではないが上で言及したタイプの液浸リソグラフィ装置に適用することができる。

以上の説明は例示を意図したものであり、本発明を制限するものではない。したがって、特許請求の範囲に示す各請求項の範囲を逸脱することなく、上で説明した本発明に改変を加えることができることは当業者には明らかであろう。

本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 従来技術によるリソグラフィ投影装置に使用される液体供給システムを示す図である。 従来技術によるリソグラフィ投影装置に使用される液体供給システムを示す図である。 他の従来技術によるリソグラフィ投影装置の液体供給システムを示す図である。 局部領域液体供給システムを示す図である。 基板上のパターン化された膜を示す図である。

Claims (11)

1. 投影システムのエレメントと基板との間の空間に液浸液を供給するように構成された液体供給システムを備え、前記液浸液が、放射ビームに露光されると基板に膜を形成するように構成された感光性材料を含む、リソグラフィ装置。
2. 前記液体供給システムおよび／または前記投影システムの前記エレメントと前記基板との間の前記空間が、前記液浸液を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記感光性材料が、本質的に１０００未満の分子量を有する化合物からなる膜を形成するように構成された、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記感光性材料が、無機化合物の膜を形成するように構成された、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記感光性材料が、ＣｄＳの膜を形成するように構成された、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記感光性材料が、Ｃｄ^２＋塩およびＳ_２Ｏ_３ ^２−塩である、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
7. パターン化された放射ビームを液浸液を介して基板に投射するステップであって、前記液浸液が感光性材料を含み、前記感光性材料および／またはその光化学生成物が、前記パターン化された放射ビームに露光される領域中において前記基板に堆積するステップと、
   前記感光性材料および／またはその光化学生成物のパターン化された膜を前記基板に提供するステップと、
   を含むデバイス製造方法。
8. 前記基板が、フォトレジストコーティングを備えていない、請求項７に記載の方法。
9. 前記パターン化された膜が、本質的に１０００未満の分子量を有する化合物からなる、請求項７に記載の方法。
10. 前記パターン化された膜が無機化合物を含む、請求項７に記載の方法。
11. 前記パターン化された膜がＣｄＳを含む、請求項７に記載の方法。

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