JP4540803B2 - 含金属アゾ化合物および該化合物を使用する光記録媒体 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、アゾ系化合物と金属塩とからなる含金属アゾ化合物、およびその含金属アゾ化合物を含有する記録層を有し、レーザビームにより情報を記録/再生ができる光記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から光を用いて情報を記録、再生する光記録媒体としては、種々のものが提案されている。これらのうち有機色素材料を記録層に用いた光記録媒体が知られており、一例として特開平2-168446号公報に記載されたものがある。
【0003】
この光記録媒体は、高い反射率を有し、かつ情報の再生に関してはCDフォーマットに準拠する出力信号が得られる書き込み可能な光記録媒体、いわゆるCD−Rであって、透明基板のプリフォーマットパターン形成面に色素を含む記録層と反射層と保護層を順次積層してなり、記録層にレーザ光を吸収させて熱に変換し、その熱により情報を記録することを特徴としている。
【0004】
最近、より記録密度の高い光記録媒体が望まれ、波長のより短い波長600〜700nmの短波長半導体レーザを用い、ビームスポット径を小さくして記録密度を高める方法が検討されてきた。このような高密度の光記録媒体は動画のような大容量のデータを記録することができ、近年、DVD−Rとして規格化が進められている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、現在のCD−Rに使用されている色素材料を記録層に使用した光記録媒体は、短波長レーザを使用すると、反射率が低く記録再生ができないという問題を有している。このような短波長レーザを使用するDVD−Rの記録層に使用する色素材料としては、特開平6-336086号公報にシアニン系色素、特開平9-58123号公報に含金属アゾ色素、特開平10-287819号公報にベンゾピロメテン系化合物を使用することがそれぞれ提案されている。しかし、現在提案されているものはジッターが大きく、耐光性が不十分という問題を有している。
【0006】
本発明の目的は、上記の問題点を解決する光記録媒体などに好適な色素材料として新規な含金属アゾ化合物を提供し、また、その含金属アゾ化合物を記録層に使用することにより、短波長半導体レーザによる記録、再生特性に優れかつ耐光性、耐久性が良好な光記録媒体を提供することをにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため第1の本発明は、下記一般式〔I〕で示されるアゾ系化合物と例えばNi、Co、ZnまたはCuなどの金属塩とから得られることを特徴とするものである。
【0008】
一般式〔I〕
【化1】
式中、Xはヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホンアミド基(−NHSO2Y、式中のYは直鎖または分岐アルキル基、不飽和炭化水素、炭素数6〜16のアリール基)、アミノ基を表し、R1、R2はそれぞれ独立に水素原子、直鎖または分岐アルキル基、不飽和炭化水素、アルコキシ基を表し、R3、R4、R5、R6、R7はそれぞれ水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、直鎖または分岐の不飽和炭化水素、炭素数6〜16のアリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基を表し、R8は水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、直鎖または分岐の不飽和炭化水素、炭素数6〜16のアリール基、複素環式の芳香環、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基を表し、R1とR2、もしくはR6とR7は連結基を介して環を形成してもよい。
【0009】
前記目的を達成するため第2の本発明は、下記一般式〔II〕で示されるアゾ系化合物と例えばNi、Co、ZnまたはCuなどの金属塩とから得られることを特徴とするものである。
【0010】
一般式〔II〕
【化2】
式中、Yは直鎖または分岐アルキル基、不飽和炭化水素、炭素数6〜16のアリール基を表し、R1、R2はそれぞれ独立に水素原子、直鎖または分岐アルキル基、不飽和炭化水素、アルコキシ基を表し、R3、R4、R5、R6、R7はそれぞれ水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、直鎖または分岐の不飽和炭化水素、炭素数6〜16のアリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基を表し、R8は水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、直鎖または分岐の不飽和炭化水素、炭素数6〜16のアリール基、複素環式の芳香環、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基を表し、R1とR2、もしくはR6とR7は連結基を介して環を形成してもよい。
【0011】
前記目的を達成するため第3の本発明は、下記一般式〔III 〕で示されるアゾ系化合物と例えばNi、Co、ZnまたはCuなどの金属塩とから得られることを特徴とするものである。
【0012】
一般式〔III〕
【化3】
式中、Yは直鎖または分岐アルキル基、不飽和炭化水素、炭素数6〜16のアリール基を表し、R1、R2はそれぞれ独立に水素原子、直鎖または分岐アルキル基、不飽和炭化水素、アルコキシ基を表し、R6、R7はそれぞれ水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、直鎖または分岐の不飽和炭化水素、炭素数6〜16のアリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基を表し、R8は水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、直鎖または分岐の不飽和炭化水素、炭素数6〜16のアリール基、複素環式の芳香環、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基を表し、R1とR2、もしくはR6とR7は連結基を介して環を形成してもよい。
【0013】
前記目的を達成するため第4の本発明は、光記録層材料として前記第1ないし第3の発明のいずれかの含金属アゾ化合物を主成分とすることを特徴とするものである。
【0014】
前記目的を達成するため第5の本発明は、透明基板上に光ビームによる情報の記録/再生が可能な記録層が設けられた光記録媒体において、前記記録層が前記第1ないし第3の発明のいずれかの含金属アゾ化合物を含有することを特徴とするものである。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明は、下記一般式〔I〕に示されるアゾ系化合物を用いることを骨子としている。
【0016】
一般式〔I〕
【化1】
そして式中のR1、R2はそれぞれ独立に水素原子、直鎖または分岐アルキル基、不飽和炭化水素、アルコキシ基を表し、R3、R4、R5、R6、R7はそれぞれ水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、直鎖または分岐の不飽和炭化水素、炭素数6〜16のアリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基を表し、R8は水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、直鎖または分岐の不飽和炭化水素、炭素数6〜16のアリール基、複素環式の芳香環、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基を表し、R1とR2、もしくはR6とR7は連結基を介して環を形成してもよい。
【0017】
より具体的には一般式〔I〕におけるR1 およびR2 としては、それぞれ独立して水素原子;メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基、sec−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−デシル基、n−ドデシル基、n−オクタデシル基等の炭素数1〜20の直鎖または分岐のアルキル基、好ましくは炭素数1〜10の直鎖または分岐のアルキル基、より好ましくは炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、n−デシルオキシ基等の炭素数1〜10のアルコキシ基;メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロポキシ基、メトキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等の炭素数2〜12のアルコキシアルコキシ基;メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシメトキシメトキシ基、エトキシメトキシエトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基等の炭素数3〜15のアルコキシアルコキシアルコキシ基;アリルオキシ基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数6〜12のアリール基;フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数6〜12のアリールオキシ基;シアノ基;ニトロ基;ヒドロキシ基;テトラヒドロフリル基;メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、n−プロピルスルホニルアミノ基、イソプロピルスルホニルアミノ基、n−ブチルスルホニルアミノ基、tert−ブチルスルホニルアミノ基、sec−ブチルスルホニルアミノ基、n−ペンチルスルホニル基アミノ、n−ヘキシルスルホニルアミノ基等の炭素数1〜6のアルキルスルホニルアミノ基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニル基、sec−ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、n−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基;メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、n−ペンチルカルボニルオキシ基;n−ヘキシルカルボニルオキシ基等の炭素数2〜7のアルキルカルボニルオキシ基;メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、n−ブトキシカルボニルオキシ基、tert−ブトキシカルボニルオキシ基、sec−ブトキシカルボニルオキシ基、n−ペンチルオキシカルボニルオキシ基、n−ヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数2〜7のアルコキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。
【0018】
式中のR3〜R8としては、水素原子、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基などの炭素数1から6の直鎖または分岐のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数3から6の環状アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基等の炭素数1から6のアルコキシ基;アセチル基、プロピオル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等の炭素数1〜6のアルキルカルボニル基;ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等の炭素数2〜6の直鎖または分岐のアルケニル基;シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数3〜6の環状アルケニル基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;ホルミル基;ヒドロキシル基;カルボキシル基;ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニル基、sec−ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、n−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基;ニトロ基;シアノ基;アミノ基;メチルアミノ基、エチルアミノ基、n−プロピルアミノ基、n−ブチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−n−プロピルアミノ基、ジ−n−ブチルアミノ基等の炭素数1〜10のアルキルアミノ基;メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、n−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基等の炭素数3〜7のアルコキシカルボニルアルキル基;メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、tert−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、n−ペンチルチオ基、n−ヘキシルチオ基等の炭素数1〜6のアルキルチオ基;メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、n−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、n−ブチルスルホニル基、tert−ブチルスルホニル基、sec−ブチルスルホニル基、n−ペンチルスルホニル基、n−ヘキシルスルホニル基等の炭素数1〜6のアルキルスルホニル基;置換基を有していてもよい炭素数6〜16のアリール基;置換基を有していてもよい炭素数7〜17のアリールカルボニル基等が挙げられる。
【0019】
式中のXは、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホンアミド基、アミノ基などがあり、特にスルホンアミド基が好ましい。
【0020】
スルホンアミド基は−NHSO2Yで示されるが、そのうちYは、直鎖または分岐アルキル基、不飽和炭化水素、炭素数6〜16のアリール基を表し、特にフッ素原子で置換されている炭素数1〜6の直鎖または分岐アルキル基が好ましい。
【0021】
具体的にはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基等の炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基、2、2、2−トリフルオロエチル基、3、3、3−トリフルオロプロピル基、2、2、3、3、3−ペンタフルオロプロピル基などの合計の炭素数が2〜6のペルフルオロアルキル基で置換されたアルキル基等である。特に−CF2 CF3 H、−CH2 CF3 、−CF3 、が特に好ましい。
【0022】
前記アゾ化合物のうち、下記一般式〔III〕で表せるものがより好ましい。
一般式〔III〕
【化3】
式中、Yは直鎖または分岐アルキル基、不飽和炭化水素、炭素数6〜16のアリール基を表し、R1、R2はそれぞれ独立に水素原子、直鎖または分岐アルキル基、不飽和炭化水素、アルコキシ基を表し、R6、R7はそれぞれ水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、直鎖または分岐の不飽和炭化水素、炭素数6〜16のアリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基を表し、R8は水素原子、直鎖または分岐のアルキル基、直鎖または分岐の不飽和炭化水素、炭素数6〜16のアリール基、複素環式の芳香環、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基を表し、R1とR2、もしくはR6とR7は連結基を介して環を形成してもよい。
【0023】
アゾ系化合物と金属との含金属アゾ化合物の例として、図1のものが挙げられる。同図は含金属アゾ化合物を構成する下記一般式〔IV〕で示されるアゾ系化合物のR1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、Zと金属を示したもので、構造の一部を示したものである。
【0024】
一般式〔IV〕
【化4】
本発明において、アゾ系化合物との錯体を生成させる金属塩としては、錯体を形成する各種の金属塩を用いることができるが、Ni、Co、ZnまたはCuの塩が好ましく、各種溶媒への溶解度や耐光性、耐久性の点から特にNi塩が好ましい。
【0025】
本発明の含金属アゾ化合物は、下記一般式〔V〕で示されるヒドラジノ化合物を公知の方法により酸化し、一般式〔VI〕で示される化合物と反応させることにより得られるアゾ化合物に、メタノール、テトラヒドロフラン、アセトン、ジオキサンなどの有機溶媒中で金属化合物のメタノール溶液や水溶液を加えることにより得られる。
【0026】
一般式〔V〕
【化5】
式中、R6、R7、R8は一般式〔I〕と同じ。
【0027】
一般式〔VI〕
【化6】
式中、X、R1、R2、R3、R4、R5は一般式〔I〕と同じ。
【0028】
一般式〔V〕のヒドラジノ化合物を作る方法は特に限定されるわけではないが、例えば次のような方法によって合成できる。すなわち公知のアミジノ化合物と公知のβ−ケトエステル化合物の縮合により合成される4−ピリミジノール誘導体を、オキシ塩化リンなどのハロゲン化剤で処理することにより、4−ハロゲノピリミジン誘導体を作り、それをヒドラジンと反応させる方法である。
【0029】
本発明の短波長記録用光記録媒体は、透明基板上に前記含金属アゾ化合物を含む記録層を形成したものである。以下に光記録媒体について詳しく説明する。
【0030】
基板としては使用するレーザ光に対して透明なものが好ましく、ガラスや種々のプラスチックが用いられる。プラスチックとしては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性の点から射出成型ポリカーボネート樹脂基板が特に好ましい。
【0031】
基板の形状は円盤状、カード状などでもよい。基板表面には記録位置を表すグルーブ及び/又はピットを有する。また、情報を示すようなピットを設けてもよい。このようなグルーブやピットは、基板の成形に付与するのが好ましいが、基板上に紫外線硬化樹脂層を設けて付与することもできる。グルーブの幅は0.2〜0.4μmが好ましく、グルーブの深さは0.1〜0.2μmが好ましい。
【0032】
本発明の光記録媒体においては、記録層は含金属アゾ化合物を含有しているが、さらに必要に応じて基板上に下引き層を設けてもよい。
【0033】
記録層の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法など一般に行われている薄膜形成法で形成することができるが、量産性、コスト面からスピンコート法が好ましい。
また、必要に応じてバインダーを使用してもよい。バインダーとしてはポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ケトン樹脂、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート等既知のものが用いられる。スピンコート法による形成の場合、回転数は500〜5000rpmが好ましく、スピンコートの後、場合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行ってもよい。
【0034】
記録層の安定や耐光性向上のために、一重項酸素クエンチャーとして遷移含金属アゾ化合物(例えばアセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等)を含有してもよい。さらに、必要に応じて他の色素を併用してもよい。他の色素としては別種類の同系統の化合物でもよいし、トリアリールメタン系色素、アゾ系色素、シアニン系色素、スクワリリウム系色素、含金属インドアニリン系色素、フタロシアニン系色素等他系統の色素でもよい。
【0035】
ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法、特にスピンコート法等の塗布方法により記録層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない溶媒なら特に限定されない。例えばジアセトンアルコール、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、n−ヘキサン、n−ヘプタン等の炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、n−ブチルシクロヘキサン、t−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素系溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶媒等が挙げられる。
【0036】
本発明においては記録層上に直接に、あるいは他の層を介して反射層を設ける。反射層としては金、銀、アルミニウム、銅、白金等の金属やこれらの金属を含む合金が用いられるが、反射率や耐久性の点から金、銀、アルミニウム、またはこれらの金属を主成分とする合金が好ましい。反射層の膜厚しては40〜200nm、好ましくは60〜150nmである。成膜方法としては、例えばスパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等が挙げられる。
【0037】
反射率、変調度等の特性を改善するために、記録層と反射層の間に光干渉層を設けてもよい。光干渉層を形成する材料としては、無機誘電体、ポリマー等が挙げられる。
【0038】
本発明においては、対物レンズの開口数が大きいので、収差を小さくするために基板の厚みは0.4〜0.8mm程度が好ましい。この際に、記録媒体の強度や機械特性を向上させるために、接着剤を用いて2枚の基板を貼り合わせてもよい。貼り合わせの際に、反射層上に保護層を形成してもよいし、保護層を形成しないで貼り合わせてもよい。
【0039】
保護層としては記録層、反射層を保護できる層であればよく、例えば紫外線硬化樹脂、シリコーン系樹脂等によって形成される。貼り合わせに使用される接着剤としては紫外線硬化樹脂、ホットメルト接着剤等が使用される。この場合、貼り合わせる基板の両方に記録層を設けてもよいし、片方は記録層がないダミー基板でもよい。また、必要に応じてダミー基板側の基板上に、印刷層あるいは印刷受容層を設けてもよい
光記録媒体への記録は、記録媒体の両面または片面に設けた記録層にレーザ光を照射することにより行う。レーザ光の照射された部分には、レーザ光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶融等の記録層の熱的変形が起こる。記録された情報の再生は、レーザ光により、熱的変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読み取ることにより行う。
【0040】
レーザとしては各種のものを使用することができるが、記録層の吸光度から波長600〜700nmのものが好ましく、また、軽量性、取扱の容易さ、コンパクト性、コスト等の点から半導体レーザが好適である。
【0041】
以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、かかる実施例はその要旨を越えない限り、本発明を限定するものではない。
【0042】
(実施例1)
下記構造式〔7〕で示される4−ヒドラジノ−2−フェニルキナゾリン0.71gと、下記構造式〔8〕で示される3−(N,N−ジブチルアミノ)フェノール0.66gをN,N−ジメチルホルムアミド5mlに溶解し、酢酸2ml、ヨウ素0.061gを加え攪拌しながら、5%過酸化水素水4.8gを90分で滴下した。その後、室温で1時間攪拌し、析出した色素成分を濾取、乾燥した。これをメタノールで洗浄して下記構造式〔9〕で示されるアゾ化合物結晶1.0gを得た。
【0043】
構造式〔7〕
【化7】
構造式〔8〕
【化8】
構造式〔9〕
【化9】
このようにして得られた構造式〔9〕で示されるアゾ化合物1.0gをメタノール10mlの中に仕込み、攪拌しながら酢酸ニッケル四水和物0.27gを加え、昇温して溶媒の環流温度で4時間攪拌した。加熱を止め放冷した後、反応液を濾過し、結晶をメタノールで再結晶して緑褐色結晶の下記構造式〔10〕で示される含金属アゾ化合物0.62gを得た。MS分析により分子イオンピークM+ =964を確認した。
【0044】
構造式〔10〕
【化10】
この化合物のテトラフルオロプロパノール1wt%溶液を作製し、平坦なポリカーボネート製円盤上にスピンコート法に薄膜より薄膜を形成した。
この薄膜の吸収スペクトルを透過法により測定した結果を図2に示す。この図から明らかなように、この薄膜のλmax は551nmであった。
【0045】
(実施例2)
下記構造式〔11〕で示される4−ヒドラジノ−6−メチル−2−フェニルピリミジン2.0gと、下記構造式〔12〕で示される3−トリフルオロメチルスルホニルアミノ−N,N−ジメチルアニリン2.9gをメタノール15mlに溶解し、酢酸5ml、ヨウ素0.05gを加え攪拌しながら、30%過酸化水素水2.5gを1時間で滴下した。その後、室温で1時間攪拌し、析出した色素成分を濾取、乾燥した。これをメタノールで洗浄して下記構造式〔13〕で示されるアゾ化合物結晶1.9gを得た。
【0046】
構造式〔11〕
【化11】
構造式〔12〕
【化12】
構造式〔13〕
【化13】
前記のようにして得られた構造式〔13〕で示されるアゾ化合物1.3gをメタノール8mlの中に仕込み、攪拌しながら酢酸ニッケル四水和物0.36gを加え昇温して溶媒の環流温度で2時間攪拌した。加熱を止め放冷した後、反応液を濾過し、結晶をアセトンで洗浄して下記構造式〔14〕で示される含金属アゾ化合物(2)の緑褐色結晶1.2gを得た。MS分析により分子イオンピークM+ =986を確認した。
この化合物の薄膜の吸収スペクトルを実施例1と同様に測定した結果を図3に示す。この図から明らかなように、この薄膜のλmax は589nmであった。
【0047】
構造式〔14〕
【化14】
(実施例3)
下記構造式〔15〕で示される5−クロロ−4−ヒドラジノ−6−メチルピリミジン7.5gと下記構造式〔16〕で示される3−トリフルオロメチルスルホニルアミノ−N,N−ジエチルアニリン13.8gをメタノール60mlに溶解し、酢酸15ml、ヨウ素0.24gを加え攪拌しながら、30%過酸化水素水11gを2時間で滴下した。その後、室温で3時間攪拌し、少量の水を加え析出した色素成分を濾取、乾燥した。これをメタノール、アセトンで順次洗浄して下記構造式〔17〕で示されるアゾ化合物結晶0.40gを得た。
【0048】
構造式〔15〕
【化15】
構造式〔16〕
【化16】
構造式〔17〕
【化17】
このようにして得られた構造式〔17〕で示されるアゾ化合物0.29gをメタノール2mlの中に仕込み、攪拌しながら酢酸ニッケル四水和物0.080gを加え昇温して環流温度で2.5時間攪拌した。加熱を止め放冷した後、反応液を濾過し、結晶をメタノールで洗浄して下記構造式〔18〕で示される含金属アゾ化合物の緑褐色結晶0.22gを得た。MS分析により分子イオンピークM+=958を認識した。
この化合物の薄膜の吸収スペクトルを実施例1と同様に測定した結果を図4に示す。この図から明らかなように、この薄膜のλmax は603nmであった。
【0049】
構造式〔18〕
【化18】
下記の実施例4〜13は、前記実施例1〜3と同様の要領で含金属アゾ化合物を製造し、この化合物の構造式とその塗布膜のλmax をそれぞれ示す。
【0050】
(実施例4)
製造された含金属アゾ化合物は下記構造式〔19〕を有し、この化合物を含有した塗布膜のλmax は604nmであった。 構造式〔19〕
【化19】
(実施例5)
製造された含金属アゾ化合物は下記構造式〔20〕を有し、この化合物を含有した塗布膜のλmax は602nmであった。 構造式〔20〕
【化20】
(実施例6)
製造された含金属アゾ化合物は下記構造式〔21〕を有し、この化合物を含有した塗布膜のλmax は600nmであった。 構造式〔21〕
【化21】
(実施例7)
製造された含金属アゾ化合物は下記構造式〔22〕を有し、この化合物を含有した塗布膜のλmax は592nmであった。 構造式〔22〕
【化22】
(実施例8)
製造された含金属アゾ化合物は下記構造式〔23〕を有し、この化合物を含有した塗布膜のλmax は601nmであった。 構造式〔23〕
【化23】
(実施例9)
製造された含金属アゾ化合物は下記構造式〔24〕を有し、この化合物を含有した塗布膜のλmax は600nmであった。 構造式〔24〕
【化24】
(実施例10)
製造された含金属アゾ化合物は下記構造式〔25〕を有し、この化合物を含有した塗布膜のλmax は591nmであった。 構造式〔25〕
【化25】
(実施例11)
製造された含金属アゾ化合物は下記構造式〔26〕を有し、この化合物を含有した塗布膜のλmax は590nmであった。 構造式〔26〕
【化26】
(実施例12)
製造された含金属アゾ化合物は下記構造式〔27〕を有し、この化合物を含有した塗布膜のλmax は593nmであった。 構造式〔27〕
【化27】
(実施例13)
製造された含金属アゾ化合物は下記構造式〔28〕を有し、この化合物を含有した塗布膜のλmax は591nmであった。 構造式〔28〕
【化28】
(実施例14)
実施例1で得られた含金属アゾ化合物0.5gをオクタフルオロペンタノール40gに溶解した。これを40℃下で30分間超音波分散した後、0.2μmのフィルターでろ過した。トラックピッチ0.8μm、溝幅0.33μm、溝深さ160nmのプリグループを有する0.6mm厚のポリカーボネート基板上に、この液を回転数1000rpmでスピンコートし、膜厚が約170nmの記録層を形成した。
【0051】
次にこの基板を80℃のオーブンで30分乾燥した後、記録層の上にスパッタリング法により膜厚100nmのAu膜を成膜し、反射層を形成した。さらに、この反射層の上に紫外線硬化樹脂を5μmの厚さでスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させて、記録層付きの基板を得た。さらに遅効性紫外線硬化型接着剤をつけ、全く記録層を形成しない以外は同様にして得られたダミー基板と接着し、光記録媒体とした。
【0052】
この光記録媒体に636nmの半導体レーザ(NA=0.6)を搭載した記録用ドライブ〔パルステック工業(株)製DDU-1000〕で、線速3.5m/s、記録パワー9mWでDVD用の8−16信号を入力して記録した。これを652nmの半導体レーザ(NA=0.6)を搭載した再生用ドライブ〔パルステック工業(株)製DDU-1000〕で再生信号を測定したところ、反射率55%、変調度63%、ジッター8.7%の良好な再生特性が得られた。
【0053】
(実施例15)
実施例2で得られた含金属アゾ化合物0.5gをテトラフルオロプロパノール40gに溶解した。これを40℃下で30分間超音波分散した後、0.2μmのフィルターでろ過した。トラックピッチ0.8μm、溝幅0.33μm、溝深さ170nmのプリグルーブで有する0.6mm厚のポリカーボネート基板上に、この液を回転数1500rpmでスピンコートし、膜厚が約180nmの記録層を形成した。
【0054】
次にこの基板を80℃のオーブンで30分乾燥した後、記録層の上にスパッタリング法により膜厚100nmのAu膜を成膜し、反射層を形成した。さらに、この反射層の上に紫外線硬化樹脂を6μmの厚さでスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、記録層付きの基板を得た。さらに遅効性紫外線硬化型接着剤をつけ、全く同じように作製した記録層付基板と接着し、光記録媒体とした。
【0055】
実施例14と同様にして、記録パワー9mWでDVD用の8−16信号を入力して記録した。これを実施例14と同様にして再生信号を測定したところ、反射率60%、変調度65%、ジッター7.6%の良好な再生特性が得られた。
【0056】
(実施例16)
実施例3で得られた含金属アゾ化合物を用いて実施例14と同様にして膜厚が約170nmの記録層付きの基板を得た。さらに遅効性紫外線硬化型接着剤をつけ、記録層を形成しないダミー基板と接着し、光記録媒体とした。
【0057】
この光記録媒体に実施例14と同様にして、記録パワー9mWでDVD用の8−16信号を入力して記録した。これを実施例14と同様にして再生信号を測定したところ、反射率61%、変調度62%、ジッター7.6%の良好な再生特性が得られた。
【0058】
実施例17〜26は、実施例4〜13の含金属アゾ化合物を使用して実施例14と同様にして光記録媒体を作製し、その記録再生特性を評価した。
【0059】
(比較例1)
実施例1で得られた含金属アゾ化合物の代わりに、下記構造式(29)のシアニン色素を使用した以外は実施例14と同様にして光記録媒体を得た。
【0060】
構造式〔29〕
【化29】
(比較例2)
実施例1で得られた含金属アゾ化合物の代わりに、下記構造式(30)の含金属アゾ化合物を使用した以外は実施例14と同様にして光記録媒体を得た。
【0061】
構造式〔30〕
【化30】
(比較例3)
実施例1で得られた含金属アゾ化合物の代わりに、下記構造式(31)の含金属アゾ化合物を使用した以外は実施例14と同様にして光記録媒体を得た。
【0062】
構造式〔31〕
【化31】
(比較例4)
実施例2で得られた含金属アゾ化合物の代わりに、下記構造式(32)の含金属アゾ化合物を使用した以外は実施例15と同様にして光記録媒体を得た。
【0063】
構造式〔32〕
【化32】
前記実施例14〜26ならびに比較例1〜4により作製した光記録媒体の記録パワー、反射率、変調度、ジッター、ならびにキセノンランプで照度7万ルックスの光を光記録媒体の記録層に照射し、その後のジッターの劣化を図5に示す。
【0064】
前記実施例では本発明の含金属アゾ化合物を光記録媒体に使用した例を示したが、本発明に係る含金属アゾ化合物はプラスチックや紙などの各種素材の着色や各種繊維の染色、光学フィルターの着色など光記録媒体以外の用途にも使用できる極めて有用な化合物である。
【0065】
【発明の効果】
本発明の含金属アゾ化合物は、いずれも600〜700nmの領域に吸収端を有しており、光記録媒体の記録層材料、各種光学フィルター、プラスチック着色剤などにおいて非常に有用である。
【0066】
また本発明の含金属アゾ化合物を記録材料に使用した場合、短波長半導体レーザ(600〜700n)による記録、再生特性に優れかつ耐光性、耐久性が良好な光記録媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の各種含金属アゾ化合物の構成を示す図である。
【図2】本発明の実施例1で製造された含金属アゾ化合物を含有した塗布膜の吸収スペクトル特性図である。
【図3】本発明の実施例2で製造された含金属アゾ化合物を含有した塗布膜の吸収スペクトル特性図である。
【図4】本発明の実施例3で製造された含金属アゾ化合物を含有した塗布膜の吸収スペクトル特性図である。
【図5】本発明の実施例14〜26ならびに比較例1〜4により作製した光記録媒体の各種特性図である。
Claims (9)
- 下記一般式〔I〕で示されるアゾ系化合物と金属塩とからなることを特徴とする含金属アゾ化合物。
一般式〔I〕
- 下記一般式〔II〕で示されるアゾ系化合物と金属塩とからなることを特徴とする含金属アゾ化合物。
一般式〔II〕
- 下記一般式〔III〕で示されるアゾ系化合物と金属塩とからなることを特徴とする含金属アゾ化合物。
一般式〔III〕
- 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の含金属アゾ化合物において、前記金属がNi、Co、Zn、Cuのグループから選択された少なくとも1種の金属であることを特徴とする含金属アゾ化合物。
- 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の含金属アゾ化合物を主成分とすることを特徴とする光記録層材料。
- 透明基板上に光ビームによる情報の記録/再生が可能な記録層が設けられた光記録媒体において、前記記録層が請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の含金属アゾ化合物を含有することを特徴とする光記録媒体。
- 請求項6記載の光記録媒体において、前記記録層の透明基板とは反対側に反射層を設けたことを特徴とする光記録媒体。
- 請求項6または請求項7記載の光記録媒体において、前記透明基板上にトラックピッチ0.5〜0.9μmのグルーブが設けられ、中心波長600〜700nmのレーザ光で記録/再生することを特徴とする光記録媒体。
- 請求項6ないし請求項8のいずれかに記載の光記録媒体において、前記記録層の膜厚が100〜300nmの範囲に規制されていることを特徴とする光記録媒体。
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