JP4533344B2

JP4533344B2 - Vacuum apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method

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Publication number: JP4533344B2
Application number: JP2006140192A
Authority: JP
Inventors: 永難波
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2006-05-19
Filing date: 2006-05-19
Publication date: 2010-09-01
Anticipated expiration: 2026-05-19
Also published as: JP2007311621A

Description

本発明は、例えば、波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度の極端紫外線（ＥＵＶ）光を用いたより微細な加工を可能にする真空装置、露光装置、及びその真空装置、露光装置を用いたより微細なデバイスの加工を可能にするデバイス製造方法に関する。 The present invention provides, for example, a vacuum apparatus and an exposure apparatus that enable finer processing using extreme ultraviolet (EUV) light having a wavelength of about 10 nm to 15 nm, and processing of a finer device using the vacuum apparatus and exposure apparatus. The present invention relates to a device manufacturing method that makes possible.

従来よりフォトリソグラフィー（焼き付け）技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造するという製造方法がある。
レチクル（マスク）に描画された回路パターンを投影光学系によってウェハなどに投影し回路パターンを転写する縮小投影露光装置が使用されている。
縮小投影露光装置で転写できる最小の寸法（解像度）は、露光に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数（ＮＡ）に反比例する。従って、波長を短くすればするほど、解像度はよくなる。 Conventionally, there is a manufacturing method of manufacturing a fine semiconductor element such as a semiconductor memory or a logic circuit by using a photolithography technique.
2. Description of the Related Art A reduction projection exposure apparatus that projects a circuit pattern drawn on a reticle (mask) onto a wafer or the like by a projection optical system and transfers the circuit pattern is used.
The minimum dimension (resolution) that can be transferred by the reduction projection exposure apparatus is proportional to the wavelength of light used for exposure and inversely proportional to the numerical aperture (NA) of the projection optical system. Therefore, the shorter the wavelength, the better the resolution.

このため、近年の半導体素子の微細化への要求に伴い露光光の短波長化が進められている。
例えば、超高圧水銀ランプ（ｉ線）の波長は約３６５ｎｍ、ＫｒＦエキシマレーザの波長は約２４８ｎｍ、ＡｒＦエキシマレーザの波長は約１９３ｎｍというように紫外光の波長は短くなってきた。
しかし、半導体素子は急速に微細化しており、紫外線光を用いたリソグラフィーでは限界があった。 For this reason, the wavelength of exposure light has been shortened in accordance with the recent demand for miniaturization of semiconductor elements.
For example, the wavelength of ultra-high pressure mercury lamp (i-line) is about 365 nm, the wavelength of KrF excimer laser is about 248 nm, and the wavelength of ArF excimer laser is about 193 nm.
However, semiconductor elements have been miniaturized rapidly, and there has been a limit in lithography using ultraviolet light.

そこで、波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度の極端紫外線（ＥＵＶ）光を用いた縮小投影露光装置（以下、「ＥＵＶ露光装置」と称する。）が開発されている。
紫外光よりも更に波長が短い極端紫外線（ＥＵＶ）光を用いる場合、０．１μｍ以下の非常に微細な回路パターンを効率よく転写することが可能である。 Therefore, a reduction projection exposure apparatus (hereinafter referred to as “EUV exposure apparatus”) using extreme ultraviolet (EUV) light having a wavelength of about 10 nm to 15 nm has been developed.
When using extreme ultraviolet (EUV) light having a shorter wavelength than ultraviolet light, it is possible to efficiently transfer a very fine circuit pattern of 0.1 μm or less.

（ＥＵＶ）光は、気体中のエネルギー減衰が非常に大きく、また、気体中の酸素と不純物との光化学反応により光学素子に炭素化合物を付着させてしまうという欠点がある。
このため、（ＥＵＶ）光の波長領域を用いた投影露光を行うには、一般に、真空環境を現出して真空環境下で行う必要がある。 (EUV) light has a drawback that energy attenuation in gas is very large, and a carbon compound is attached to an optical element by a photochemical reaction between oxygen and impurities in the gas.
For this reason, in order to perform projection exposure using the wavelength region of (EUV) light, it is generally necessary to reveal the vacuum environment and perform it in the vacuum environment.

縮小投影装置内に真空環境を実現するため、現在においては、多くはターボ分子ポンプが用いられている。
ターボ分子ポンプは、ロータを高速に回転させることで気体分子を弾き飛ばして排気し真空を維持するため、ターボ分子ポンプのロータの温度は、４０〜８０℃に上昇する。
例えば３０００Ｌ／ｍクラスのターボ分子ポンプの場合、１基あたり熱輻射により数Ｗ程度のエネルギーを装置内に放射する。 In order to realize a vacuum environment in the reduction projection apparatus, a turbo molecular pump is often used at present.
Since the turbo molecular pump rotates the rotor at a high speed to blow off gas molecules and exhaust and maintain a vacuum, the temperature of the rotor of the turbo molecular pump rises to 40 to 80 ° C.
For example, in the case of a 3000 L / m class turbo molecular pump, energy of about several W is radiated into the apparatus by thermal radiation per unit.

ＥＵＶ露光装置は、０．１μｍ以下の回路パターンの露光に使用されるため、線幅精度が非常に厳しく、光学素子の形状（即ち、ミラーの表面形状）は０．１ｎｍ程度の変形しか許されない。
熱輻射は、露光装置内の構造物に関しても光学素子やセンサの位置の変化を引き起こしパターンの転写精度を悪化させてしまうため、温度変化を小さくして熱変形を抑えなければならない。 Since the EUV exposure apparatus is used for exposure of a circuit pattern of 0.1 μm or less, the line width accuracy is very strict, and the shape of the optical element (that is, the mirror surface shape) can only be deformed by about 0.1 nm. .
Since thermal radiation causes a change in the position of the optical element and sensor with respect to the structure in the exposure apparatus and deteriorates the pattern transfer accuracy, the temperature change must be reduced to suppress thermal deformation.

そこで、ターボ分子ポンプから放射される輻射エネルギーを、光学素子や構造物等に到達する前に遮蔽し、光学素子や構造物等の熱変形を抑制する必要がある。
従来、ターボ分子ポンプから放射される輻射エネルギーを、光学素子や構造物等に到達する前に遮蔽する手段として、ターボ分子ポンプ開口部の対向位置に輻射率の低い板を配置するということが行われている。
しかし、輻射率の低い板の配置のみでは、輻射エネルギーの放散を全て吸収することは困難であるため、輻射熱を遮蔽する構成としては不十分であった。 Therefore, it is necessary to shield the radiant energy radiated from the turbo molecular pump before reaching the optical element or structure, thereby suppressing thermal deformation of the optical element or structure.
Conventionally, a plate having a low emissivity has been arranged at a position opposite to the opening of the turbo molecular pump as a means for shielding the radiant energy radiated from the turbo molecular pump before reaching the optical element or structure. It has been broken.
However, since it is difficult to absorb all of the radiation energy with only the arrangement of the plate having a low emissivity, the configuration for shielding the radiant heat is insufficient.

一方、特開１０−２９７６０４号公報（特許文献１）により容器本体に内容物を充填し底部凹部を保持具で支え、蓋を容器本体のフランジ部にシールした後、該保持具を外して密閉を完了するという密閉容器が提案されている。
しかし、この密閉容器では、一度、内容物の冷却で密閉された後、他の構造物を繰り返し冷却するという構成はなく、従って柔軟性に欠け、縮小投影装置内の温度制御には利用し得ないという問題があった。 On the other hand, according to Japanese Patent Laid-Open No. 10-297604 (Patent Document 1), the container body is filled with contents, the bottom recess is supported by a holder, the lid is sealed to the flange portion of the container body, and then the holder is removed and sealed. A closed container has been proposed to complete the process.
However, in this sealed container, after the contents are sealed once by cooling the contents, there is no configuration in which other structures are repeatedly cooled. Therefore, the structure is not flexible and can be used for temperature control in the reduction projection apparatus. There was no problem.

また、一方、特開２００２−１２４４６１号公報（特許文献２）によりマスクテーブル、基板テーブル、投影システム、及び隔離した基準フレームを囲む温度制御部材を設置した平板投影装置が提案されている。
特に、温度制御部材は、作動の間等温に保持しやすくする表面仕上げが施されており、ターボ分子ポンプの正面の熱そらせ板の背面より奥の位置において広い範囲を有して設置されている。
しかし、熱そらせ板で反射する一部の輻射エネルギーは、真空室内に回りこみ光学素子や構造部材に吸収されてしまうため、光学素子や構造部材の熱変形を引き起こし、パターンの転写精度を悪化させるという問題があった。
温度制御部材がマスクテーブル、基板テーブル、及び投影システムなどを囲む広い領域に渡るため、吸引の効率が低下し、その分、高出力のターボ分子ポンプを必要とするというコスト的な問題もあった。
しかも、温度制御部材は、マスクテーブル、基板テーブル、及び投影システムなどを囲む広い領域をカバーするため、露光装置内のレイアウト設計にスペース的に余分な制約を与え、実用性にも問題があった。
特開平１１−２９７６０４号公報特開２００２−１２４４６１号公報 On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-124461 (Patent Document 2) proposes a flat plate projection apparatus in which a mask table, a substrate table, a projection system, and a temperature control member surrounding an isolated reference frame are installed.
In particular, the temperature control member is provided with a surface finish that makes it easy to keep it isothermal during operation, and is installed with a wide range at a position behind the back of the heat deflector on the front of the turbomolecular pump. .
However, a part of the radiant energy reflected by the heat deflector goes around in the vacuum chamber and is absorbed by the optical element and the structural member, causing thermal deformation of the optical element and the structural member and deteriorating the pattern transfer accuracy. There was a problem.
Since the temperature control member extends over a wide area surrounding the mask table, the substrate table, the projection system, etc., the suction efficiency is reduced, and there is a cost problem that a high-power turbo molecular pump is required. .
In addition, since the temperature control member covers a wide area surrounding the mask table, the substrate table, the projection system, and the like, the layout design in the exposure apparatus is limited in space, and there is a problem in practicality. .
Japanese Patent Laid-Open No. 11-297604 JP 2002-124461 A

そこで、本発明は、輻射エネルギーが、光学素子や構造物等に及ぼす影響を小スペースの構成で効率よく低減し、より微細加工を安定化する真空装置、露光装置、及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention provides a vacuum apparatus, an exposure apparatus, and a device manufacturing method that can efficiently reduce the influence of radiation energy on an optical element, a structure, and the like with a small space configuration and stabilize more fine processing. For the purpose.

上記課題を解決するために本発明の真空装置は、露光装置の構成要素を収容する真空チャンバをポンプを用いて真空状態にする真空装置において、前記真空チャンバの内部に前記ポンプと対面して設けられるシールドと、前記真空チャンバの内部に設けられた筒状の輻射部材と、を有し、前記輻射部材は、隙間を介して前記シールドの外周を囲むように設けられ、前記輻射部材の前記構成要素側の端部が前記シールドよりも前記構成要素側に配置されることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, a vacuum apparatus according to the present invention is provided in a vacuum apparatus that places a vacuum chamber containing components of an exposure apparatus in a vacuum state using a pump, and is provided inside the vacuum chamber so as to face the pump. And a cylindrical radiating member provided inside the vacuum chamber, and the radiating member is provided so as to surround an outer periphery of the shield via a gap, and the configuration of the radiating member An end portion on the element side is arranged closer to the component side than the shield .

本発明の真空装置によれば、真空ポンプから放射される輻射エネルギーが、光学素子や構造物等に影響を及ぼすことを小スペースの構成で効率よく低減することができる。レイアウト設計の自由度も増大する。According to the vacuum apparatus of the present invention, it is possible to efficiently reduce the influence of radiation energy radiated from a vacuum pump on an optical element, a structure, and the like with a small space configuration. The degree of freedom in layout design also increases.

以下、本発明を、その実施例に基づいて、図面を参照して説明する。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings based on the embodiments.

図１は、本発明の実施例１の真空装置を露光装置に適用する一例を示す概略構成図である。 FIG. 1 is a schematic block diagram showing an example in which the vacuum apparatus of Embodiment 1 of the present invention is applied to an exposure apparatus.

実施例１では、真空装置を真空チャンバ１と呼ぶ。真空チャンバ１は、周囲を囲む壁体で露光装置を構成する鏡筒２、レクチルステージ３、及びウエハステージ４を収容する。鏡筒２は光学系（不図示）を収容する。 In the first embodiment, the vacuum apparatus is referred to as a vacuum chamber 1. The vacuum chamber 1 accommodates a lens barrel 2, a reticle stage 3 and a wafer stage 4 that constitute an exposure apparatus with a wall surrounding the periphery. The lens barrel 2 accommodates an optical system (not shown).

本例の露光装置は真空チャンバ１で密閉されており、鏡筒２、レクチルステージ３、及びウエハステージ４毎にターボ分子ポンプ５を用いることにより装置内部を真空状態にする。 The exposure apparatus of this example is hermetically sealed in a vacuum chamber 1, and the inside of the apparatus is evacuated by using a turbo molecular pump 5 for each of the lens barrel 2, the reticle stage 3, and the wafer stage 4.

光源（不図示）からの露光光は、レチクルステージ３が保持するレチクル（不図示）で反射し、かつ鏡筒２内の光学素子（不図示）で反射し、ウエハステージ４が保持するウエハ（不図示）上に投影される。
ウエハ上に露光された露光光は、レチクルのパターン（回路パターンなど）をウエハ上に転写する。
光源は、例えば、超高圧水銀ランプ（ｉ線：波長＝約３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長＝約２４８ｎｍ）、もしくはＡｒＦエキシマレーザ（波長＝約１９３ｎｍ）などであり、極端紫外線（ＥＵＶ）光を出力する。 Exposure light from a light source (not shown) is reflected by a reticle (not shown) held by the reticle stage 3, reflected by an optical element (not shown) in the lens barrel 2, and a wafer (held by the wafer stage 4). (Not shown).
The exposure light exposed on the wafer transfers a reticle pattern (such as a circuit pattern) onto the wafer.
The light source is, for example, an ultra-high pressure mercury lamp (i-line: wavelength = about 365 nm), a KrF excimer laser (wavelength = about 248 nm), or an ArF excimer laser (wavelength = about 193 nm), and emits extreme ultraviolet (EUV) light. Output.

露光装置は、鏡筒２の空間、レチクルステージ３の空間、ウエハステージ４の空間のそれぞれの空間が密閉可能に分けられた所謂真空チャンバ１を適用しており、各空間の開口（排気口）にターボ分子ポンプ５を備える。
ターボ分子ポンプ５は、各空間に１基もしくは複数基設置されており、ターボ分子ポンプ５が稼動している間はそのロータ温度が上昇するため、各空間内にそのロータの輻射エネルギーが放出される現象は無視できない。 The exposure apparatus employs a so-called vacuum chamber 1 in which the space of the lens barrel 2, the space of the reticle stage 3, and the space of the wafer stage 4 are divided so as to be hermetically sealed, and each space has an opening (exhaust port). The turbo molecular pump 5 is provided.
One or more turbo molecular pumps 5 are installed in each space, and the rotor temperature rises while the turbo molecular pump 5 is in operation, so that the radiant energy of the rotor is released into each space. This phenomenon cannot be ignored.

実施例１では、ターボ分子ポンプ５から放射される輻射エネルギーを遮蔽するために、図１及び図２に示すように、ターボ分子ポンプ５の設置位置の開口（排気口）を取り囲むように輻射部材１０１が配設されている。
また、図１及び図２に示すように、ターボ分子ポンプ５に対向する位置で、ターボ分子ポンプ開口径の２／５以上離れた位置には輻射率の低いシールド１０２が配置されている。
シールド１０２は、図２に示すように、例えば円板状の部材であり、例えば筒状の輻射部材１０１に包囲されている。シールド１０２のターボ分子ポンプ５と対向する面は、輻射率ε＝０．２以下である。
シールド１０２の表面は、輻射率ε＝０．２以下を実現するために、金属、もしくは金属膜が成形されており、さらに鏡面に近い表面仕上げがなされている。 In Example 1, in order to shield the radiation energy radiated from the turbo molecular pump 5, as shown in FIGS. 1 and 2, the radiation member surrounds the opening (exhaust port) at the installation position of the turbo molecular pump 5. 101 is disposed.
As shown in FIGS. 1 and 2, a shield 102 having a low emissivity is disposed at a position facing the turbo molecular pump 5 and at a position 2/5 or more away from the opening diameter of the turbo molecular pump.
As shown in FIG. 2, the shield 102 is, for example, a disk-shaped member, and is surrounded by, for example, a cylindrical radiation member 101. The surface of the shield 102 facing the turbo molecular pump 5 has an emissivity ε = 0.2 or less.
The surface of the shield 102 is formed with a metal or a metal film in order to realize an emissivity ε = 0.2 or less, and has a surface finish close to a mirror surface.

一方、輻射部材１０１のターボ分子ポンプ５を取り囲む内面は高い輻射率ε＝０．６以上を有する。
輻射部材１０１の輻射熱を受ける内面の表面には輻射率ε＝０．６以上とすべくアルミナ、ＳｉＣなどのセラミクス材料、もしくはＳｉＯ_２などの輻射率が高く低放出ガスレートの材料からなる輻射膜（輻射層）が成形されている。 On the other hand, the inner surface surrounding the turbo molecular pump 5 of the radiating member 101 has a high emissivity ε = 0.6 or more.
A radiation film made of a ceramic material such as alumina or SiC or a material having a high radiation rate and a low emission gas rate such as SiO _{2 on} the surface of the inner surface of the radiation member 101 that receives the radiation heat so that the radiation rate ε = 0.6 or more. (Radiation layer) is formed.

例えば、図２に示すように、ターボ分子ポンプ開口径φ１、シールド径φ２、輻射部材径φ３、ターボ分子ポンプとシールド間の距離Ｌ２、輻射部材１０１の高輻射率面の長さＬ３とすると、下記の数式１を満たす関係が好ましい。
（数式１）（φ３−φ１）／Ｌ３≦（φ２−φ１）／Ｌ２ For example, as shown in FIG. 2, when the turbo molecular pump opening diameter φ1, the shield diameter φ2, the radiation member diameter φ3, the distance L2 between the turbo molecular pump and the shield, and the length L3 of the high emissivity surface of the radiation member 101, A relationship satisfying the following formula 1 is preferable.
(Formula 1) (φ3-φ1) / L3 ≦ (φ2-φ1) / L2

上記数式１を満たすとき、露光装置（真空チャンバ１）の各空間（真空室）内からターボ分子ポンプ５を直接に見ることはなく、かつシールド１０２をターボ分子ポンプ５の開口径の２／５以上離れた位置に配置することができる。
上記数式１を満たす構成をとることにより、ターボ分子ポンプ５から放射される輻射エネルギーのうち、ターボ分子ポンプ５から広がるようにして放射されるものは、輻射部材１０１の高輻射率面に照射される。
このため、大部分の輻射エネルギーは、輻射部材１０１の内面に吸収されるが、吸収されない僅かな輻射エネルギーのみが真空室内に入っていく。極僅かであるため、真空室内の光学素子や他の構造物には悪影響は及ばない。 When Expression 1 is satisfied, the turbo molecular pump 5 is not directly seen from within each space (vacuum chamber) of the exposure apparatus (vacuum chamber 1), and the shield 102 is 2/5 of the opening diameter of the turbo molecular pump 5. It can arrange | position in the position away from the above.
By adopting the configuration satisfying the above mathematical formula 1, among the radiant energy radiated from the turbo molecular pump 5, the radiated energy radiated from the turbo molecular pump 5 is irradiated on the high emissivity surface of the radiating member 101. The
For this reason, most of the radiation energy is absorbed by the inner surface of the radiation member 101, but only a small amount of radiation energy that is not absorbed enters the vacuum chamber. Since it is extremely small, there is no adverse effect on optical elements and other structures in the vacuum chamber.

詳しくは、真空チャンバ（真空室）１内に入ろうとする輻射エネルギーは、輻射率が低いシールド１０２にあたり、一部はターボ分子ポンプ５の方向に反射され、残りは輻射部材１０１の高輻射率面の方向に反射される。
輻射部材１０１の高輻射率面に照射された輻射エネルギーは、大部分が輻射部材１０１に吸収され、反射される僅かな輻射エネルギーのみが真空室内に入っていく。
従って、ターボ分子ポンプ５から放射される輻射エネルギーの大半は輻射部材１０１の高輻射率面で吸収されるため、真空室内に入っていく輻射エネルギーは僅かであり、何ら悪影響を及ぼすことはない。 More specifically, the radiant energy entering the vacuum chamber (vacuum chamber) 1 hits the shield 102 having a low emissivity, part of it is reflected in the direction of the turbo molecular pump 5, and the rest is the high emissivity surface of the radiating member 101. Reflected in the direction of.
Most of the radiant energy applied to the high emissivity surface of the radiating member 101 is absorbed by the radiating member 101, and only a small amount of reflected radiant energy enters the vacuum chamber.
Therefore, most of the radiant energy radiated from the turbo molecular pump 5 is absorbed by the high emissivity surface of the radiating member 101, so that the radiant energy entering the vacuum chamber is very small and does not have any adverse effect.

尚、数式１を厳密には満たさなくても、ある程度等式が成り立つような構成となっていれば、ターボ分子ポンプ５の輻射エネルギーを遮蔽する効果を得ることができる。 Even if the numerical formula 1 is not strictly satisfied, the effect of shielding the radiant energy of the turbo molecular pump 5 can be obtained as long as the equation is established to some extent.

一方、輻射部材１０１の外周には輻射部材１０１を調温する調温手段としての冷却ジャケット２０１が設けられており、冷却ジャケット２０１には基準温度に温調すべく所定の冷媒を流す所定の冷媒循環構成が施されている。
輻射部材１０１で吸収された輻射エネルギーは冷媒により回収される。輻射部材１０１自身の温度は冷媒の循環で低下する。輻射部材１０１の温度低下作用は、真空室内部への輻射エネルギーを低減し、その熱的な影響を抑える。 On the other hand, a cooling jacket 201 is provided on the outer periphery of the radiating member 101 as temperature adjusting means for adjusting the temperature of the radiating member 101, and a predetermined refrigerant is supplied to the cooling jacket 201 so as to adjust the temperature to the reference temperature. A circulation configuration is applied.
Radiant energy absorbed by the radiation member 101 is recovered by the refrigerant. The temperature of the radiating member 101 itself decreases as the refrigerant circulates. The temperature lowering action of the radiating member 101 reduces the radiant energy to the inside of the vacuum chamber and suppresses its thermal influence.

さらに、ターボ分子ポンプ開口径φ１、ターボ分子ポンプとシールド間の距離Ｌ２とすると、下記の数式２を満たす構成も好ましい。
（数式２）Ｌ２≧２／５（φ１／２） Furthermore, when the turbo molecular pump opening diameter φ1 and the distance L2 between the turbo molecular pump and the shield, a configuration satisfying the following mathematical formula 2 is also preferable.
(Formula 2) L2 ≧ 2/5 (φ1 / 2)

即ち、上記数式２を満たす位置にシールド１０２を配置する。ターボ分子ポンプ５の排気口（真空チャンバ１の開口）にシールド１０２を近づけすぎるとコンダクタンスが急激に低下し装置内の圧力が上昇してしまうからである。
ターボ分子ポンプ５からターボ分子ポンプ開口径の２／５以上離れた位置にシールド１０２を配置することで、ターボ分子ポンプ５の排気能力をあまり低下させることなく、ターボ分子ポンプ５の輻射熱を遮蔽することができる。 That is, the shield 102 is disposed at a position that satisfies the above mathematical formula 2. This is because if the shield 102 is too close to the exhaust port of the turbo molecular pump 5 (opening of the vacuum chamber 1), the conductance rapidly decreases and the pressure in the apparatus increases.
By arranging the shield 102 at a position 2/5 or more away from the turbo molecular pump opening diameter from the turbo molecular pump 5, the radiant heat of the turbo molecular pump 5 is shielded without significantly reducing the exhaust capacity of the turbo molecular pump 5. be able to.

このように露光装置は、所定の温度に温調される輻射部材１０１とシールド１０２を有し、ターボ分子ポンプ５から放出される輻射エネルギーは、温度に敏感な光学部材や構造部材に吸収される前に少なくとも一度反射する。
ターボ分子ポンプ５を取り囲むように、排気口近傍もしくは排気口よりもターボ分子ポンプ５側に前記輻射部材１０１を配設するため、反射して放散する輻射エネルギーは、輻射部材１０１が吸収する。
さらに、ターボ分子ポンプ５に対向する位置にシールド１０２を配設することは、実質的に真空チャンバ（真空室）１内からターボ分子ポンプ５が直接的には見えない構成であり、輻射エネルギーを高い効率で処理できる。 As described above, the exposure apparatus has the radiation member 101 and the shield 102 that are adjusted to a predetermined temperature, and the radiation energy emitted from the turbo molecular pump 5 is absorbed by the temperature-sensitive optical member or structural member. Reflect at least once before.
Since the radiation member 101 is disposed near the exhaust port or closer to the turbo molecular pump 5 than the exhaust port so as to surround the turbo molecular pump 5, the radiation member 101 absorbs the radiation energy reflected and dissipated.
Furthermore, the arrangement of the shield 102 at a position facing the turbo molecular pump 5 is a configuration in which the turbo molecular pump 5 cannot be seen directly from the inside of the vacuum chamber (vacuum chamber) 1, and the radiant energy is reduced. Can be processed with high efficiency.

もしシールド１０２がない場合は、真空室内に入ろうとする輻射エネルギーを吸収するためには、真空チャンバ１内壁を全て高輻射率にし、さらに高輻射率にしたところは温調を行い温度が上がらないようにしなければいけない。
シールド１０２は、高輻射率面とその温度上昇を抑えるための所謂温調機構（冷却ジャケット２０１、及び冷媒循環）をターボ分子ポンプ５周辺に設定する着眼点を指向する役割も担っている。 If there is no shield 102, in order to absorb the radiant energy to enter the vacuum chamber, all the inner walls of the vacuum chamber 1 are set to a high emissivity, and when the emissivity is increased, the temperature is adjusted and the temperature does not rise. I have to do so.
The shield 102 also plays a role of directing a focus on setting a high emissivity surface and a so-called temperature control mechanism (cooling jacket 201 and refrigerant circulation) around the turbo molecular pump 5 to suppress the temperature rise.

実施例１では、露光装置（真空チャンバ１）内のターボ分子ポンプ５用の排気口（開口）付近に輻射部材１０１及びシールド１０２を配設する構成であるため、小さなスペースで効率よく輻射エネルギーを処理することができる。
ターボ分子ポンプ５は、小さなスペースで効率よく輻射エネルギーを処理できるため、大出力を維持するターボ分子ポンプを用いなくとも露光装置（真空チャンバ１）内の真空環境を容易に現出し維持することができる。
従って、露光用光源には、極端紫外線（ＥＵＶ）光を出力する超高圧水銀ランプ（波長約３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長約２４８ｎｍ）、もしくはＡｒＦエキシマレーザ（波長約１９３ｎｍ）などを問題なく使用できる。
このため、実施例１の露光装置は、基板（ウエハ）上により解像度の高いより微細な回路パターンなどの加工（露光）を安定して行うことができ、近年のより微細化の傾向により有利な利点を備える。
しかも、輻射部材１０１及びシールド１０２を配設する構成は小さなスペースで良いため、露光装置（真空チャンバ１）内のレイアウト設計の自由度を増大させる。 In the first embodiment, since the radiation member 101 and the shield 102 are disposed near the exhaust port (opening) for the turbo molecular pump 5 in the exposure apparatus (vacuum chamber 1), the radiation energy can be efficiently transmitted in a small space. Can be processed.
Since the turbo molecular pump 5 can efficiently process radiant energy in a small space, the vacuum environment in the exposure apparatus (vacuum chamber 1) can be easily revealed and maintained without using a turbo molecular pump that maintains a large output. it can.
Therefore, an ultra-high pressure mercury lamp (wavelength: about 365 nm), KrF excimer laser (wavelength: about 248 nm), or ArF excimer laser (wavelength: about 193 nm) that outputs extreme ultraviolet (EUV) light can be used as the exposure light source. it can.
For this reason, the exposure apparatus of Example 1 can stably perform processing (exposure) of a finer circuit pattern or the like having a higher resolution on the substrate (wafer), and is more advantageous for the trend toward further miniaturization in recent years. With advantages.
In addition, since the configuration in which the radiation member 101 and the shield 102 are disposed in a small space, the degree of freedom in layout design in the exposure apparatus (vacuum chamber 1) is increased.

次に、本発明の実施例２を説明する。
図３は、本発明の実施例２の真空装置を露光装置に適用する一例を示す概略構成図である。以下、真空装置を真空チャンバ１と呼ぶ。
露光装置は、図３に示すように、真空チャンバ１で密閉されており、ターボ分子ポンプ５を用いることにより、装置内部を真空状態にする。
光源（不図示）からでた露光光は、レチクルステージ３で保持するレチクル（不図示）で反射し、鏡筒２内の光学素子で反射し、ウエハステージ４で保持するウエハ（不図示）上に投影される。
上記投影でウエハ（不図示）上にはレクチルのパターン（回路パターンなど）が転写される。 Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 3 is a schematic block diagram showing an example in which the vacuum apparatus according to Embodiment 2 of the present invention is applied to an exposure apparatus. Hereinafter, the vacuum apparatus is referred to as a vacuum chamber 1.
As shown in FIG. 3, the exposure apparatus is hermetically sealed in a vacuum chamber 1, and a turbo molecular pump 5 is used to place the inside of the apparatus in a vacuum state.
Exposure light from a light source (not shown) is reflected by a reticle (not shown) held by the reticle stage 3, reflected by an optical element in the lens barrel 2, and on a wafer (not shown) held by the wafer stage 4. Projected on.
In the above projection, a reticle pattern (circuit pattern or the like) is transferred onto a wafer (not shown).

露光装置（真空チャンバ１）内では、鏡筒２の空間、レチクルステージ３の空間、及びウエハステージ４の空間のそれぞれが別の空間に分けられており、それぞれの空間にターボ分子ポンプ５が１基もしくは複数基設置されている。
鏡筒２の空間内の光学素子表面が水分や炭化水素を吸着し、ＥＵＶ光があたると光学素子の反射率低下を引き起こすため、光学素子が存在する鏡筒２内に非常にわずかな分圧しか水分や炭化水素が存在することは許されない。 In the exposure apparatus (vacuum chamber 1), the space of the lens barrel 2, the space of the reticle stage 3, and the space of the wafer stage 4 are divided into different spaces, and the turbo molecular pump 5 is 1 in each space. One or more units are installed.
The surface of the optical element in the space of the lens barrel 2 adsorbs moisture and hydrocarbons, and when exposed to EUV light, the reflectivity of the optical element is reduced. Therefore, a very small partial pressure in the lens barrel 2 where the optical element exists However, moisture and hydrocarbons are not allowed to be present.

実施例２では、鏡筒２内の水や炭化水素の分圧を下げるため、クライオポンプ６を併用する。
クライオポンプ６は先端にあるクライオパネル７を７０Ｋくらいの極低温まで温度を低下させ、水や炭化水素をクライオンパネル７に吸着させることにより、水や炭化水素の分圧を下げる。
しかし、クライオパネル７の温度が７０Ｋ程度まで下がると、鏡筒２内にある光学素子からでる輻射エネルギーをクライオパネル７が吸収し、光学素子の温度が低下する。 In the second embodiment, the cryopump 6 is used in combination to reduce the partial pressure of water and hydrocarbons in the lens barrel 2.
The cryopump 6 lowers the temperature of the cryopanel 7 at the tip to an extremely low temperature of about 70K, and adsorbs water and hydrocarbons to the cryopanel 7, thereby lowering the partial pressure of water and hydrocarbons.
However, when the temperature of the cryopanel 7 is lowered to about 70K, the cryopanel 7 absorbs radiation energy emitted from the optical element in the lens barrel 2, and the temperature of the optical element is lowered.

これを防ぐために図３及び図４に示すように、クライオパネル７を取り囲むように輻射部材１０１を設置し、クライオパネル７に対向してシールド１０２を配置する。
輻射部材１０１の内面は、例えば輻射率ε＝０．６以上を有する高輻射率面となっており、シールド１０２の表面は、例えば輻射率ε＝０．２以下を実現する金属、もしくは金属層となっている。
輻射部材１０１の内面、及びシールド１０２の表面は輻射率を高める表面処理（鏡面処理）が施されている。 In order to prevent this, as shown in FIGS. 3 and 4, a radiating member 101 is installed so as to surround the cryopanel 7, and a shield 102 is disposed facing the cryopanel 7.
The inner surface of the radiation member 101 is a high emissivity surface having, for example, an emissivity ε = 0.6 or more, and the surface of the shield 102 is, for example, a metal or a metal layer that realizes an emissivity ε = 0.2 or less. It has become.
The inner surface of the radiation member 101 and the surface of the shield 102 are subjected to a surface treatment (mirror treatment) for increasing the radiation rate.

クライオパネル径φ１、シールド径φ２、輻射部材径φ３、クライオパネルとシールド間の距離Ｌ２、高輻射率壁面の長さＬ３とすると、下記の数式３を満たす構成が好ましい。
（数式３）（φ３−φ１）／Ｌ３≦（φ２−φ１）／Ｌ２
上記数式３の式を満たすとき、真空室内からクライオパネル７が直接見えなくなる。
上記数式３を満たす構成をとることにより、鏡筒２の空間内からクライオパネル７に向かう輻射エネルギーの大部分が輻射部材１０１の高輻射率面で吸収され、僅かに反射されるもののみがクライオパネル７に到達する。
そのため、鏡筒２の空間内にある光学素子や、光学素子を保持する構造物などの熱歪に敏感な要素とクライオパネル７との輻射による熱のやり取りの量が非常に小さくなり、クライオパネル７の輻射伝熱の影響を遮蔽できる。
但し、数式３を厳密には満たさなくても、ある程度等式が成り立つような構成となっていれば、クライオパネル７の輻射電熱の影響を遮蔽する効果を得ることができる。 When the cryopanel diameter φ1, the shield diameter φ2, the radiation member diameter φ3, the distance L2 between the cryopanel and the shield, and the length L3 of the high emissivity wall surface, a configuration satisfying the following Expression 3 is preferable.
(Formula 3) (φ3-φ1) / L3 ≦ (φ2-φ1) / L2
When the expression 3 is satisfied, the cryopanel 7 cannot be directly seen from the vacuum chamber.
By adopting a configuration that satisfies the above mathematical formula 3, most of the radiant energy from the space of the lens barrel 2 toward the cryopanel 7 is absorbed by the high emissivity surface of the radiating member 101 and only what is slightly reflected is the cryogenic. Reach panel 7.
Therefore, the amount of heat exchange due to radiation between the cryopanel 7 and an element sensitive to thermal strain, such as an optical element in the space of the lens barrel 2 or a structure holding the optical element, becomes very small. 7 can block the influence of radiant heat transfer.
However, even if the mathematical formula 3 is not strictly satisfied, an effect of shielding the influence of the radiant electric heat of the cryopanel 7 can be obtained as long as the equation is established to some extent.

一方、輻射部材１０１には、実施例１の場合と同様に冷却ジャケット２０１を設置し、基準温度に温調された流体を流す。流体は輻射部材１０１の調温を実現する。
輻射部材１０１の流体による調温により、鏡筒２の空間（真空室）内部に熱的影響を与えることを抑える。 On the other hand, the cooling jacket 201 is installed in the radiating member 101 as in the case of the first embodiment, and a fluid whose temperature is adjusted to the reference temperature is supplied. The fluid realizes temperature adjustment of the radiating member 101.
By adjusting the temperature of the radiating member 101 with the fluid, it is possible to suppress the thermal influence on the space (vacuum chamber) inside the lens barrel 2.

実施例２では、クライオポンプ６を併用し、クライオパネル７の吸熱性を輻射部材１０１、及びシールド１０２で遮蔽するため、鏡筒２の空間内の調温をより容易に実現することができる。
即ち、クライオポンプ６を併用し、クライオパネル７の吸熱性を輻射部材１０１、及びシールド１０２で遮蔽するため、鏡筒２内の水や炭化水素の分圧を下げ、鏡筒２の空間内に安定した真空環境を現出できる。
従って、露光用光源には、極端紫外線（ＥＵＶ）光を出力する超高圧水銀ランプ（波長約３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長約２４８ｎｍ）、もしくはＡｒＦエキシマレーザ（波長約１９３ｎｍ）などを問題なく使用できる。 In the second embodiment, the cryopump 6 is used in combination, and the heat absorption of the cryopanel 7 is shielded by the radiation member 101 and the shield 102. Therefore, the temperature control in the space of the lens barrel 2 can be realized more easily.
That is, the cryopump 6 is used in combination, and the heat absorption of the cryopanel 7 is shielded by the radiating member 101 and the shield 102. Therefore, the partial pressure of water and hydrocarbons in the lens barrel 2 is lowered, and the space in the lens barrel 2 is reduced. A stable vacuum environment can appear.
Therefore, an ultra-high pressure mercury lamp (wavelength of about 365 nm), KrF excimer laser (wavelength of about 248 nm), or ArF excimer laser (wavelength of about 193 nm) that outputs extreme ultraviolet (EUV) light can be used as the exposure light source. it can.

このため、実施例２の露光装置は、基板（ウエハ）上により解像度の高いより微細な回路パターンなどの加工（露光）を安定して行うことができ、近年のより微細化の傾向により有利な利点を備える。
しかも、クライオポンプ６用の輻射部材１０１及びシールド１０２を配設する構成も小さなスペースで良いため、露光装置（真空チャンバ１）内のレイアウト設計の自由度を低下させることはなく、量産性に悪影響は及ばない。 For this reason, the exposure apparatus according to the second embodiment can stably process (exposure) a finer circuit pattern having a higher resolution on the substrate (wafer), and is more advantageous for the trend toward further miniaturization in recent years. With advantages.
In addition, since the configuration in which the radiation member 101 and the shield 102 for the cryopump 6 are disposed may be a small space, the degree of freedom in layout design in the exposure apparatus (vacuum chamber 1) is not reduced, and mass productivity is adversely affected. Is not enough.

次に、本発明の実施例３を説明する。
図５は、本発明の実施例３の真空装置を露光装置に適用する一例を示す概略構成図である。以下、真空装置を真空チャンバ１と呼ぶ。
露光装置は、図５に示すように、真空チャンバ１で密閉されており、ターボ分子ポンプ５を用いることにより、装置内部を真空状態にする。
露光装置は、真空チャンバ１で密閉されており、ターボ分子ポンプ５を用いることにより、装置内部を真空状態にする。
光源（不図示）からでた露光光は、レチクルステージ３で保持するレチクル（不図示）で反射し、鏡筒２内の光学素子で反射し、ウエハステージ４で保持するウエハ（不図示）上に投影される。
上記投影でウエハ（不図示）上にはレクチルのパターン（回路パターンなど）が転写される。 Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 5 is a schematic block diagram showing an example in which the vacuum apparatus according to the third embodiment of the present invention is applied to an exposure apparatus. Hereinafter, the vacuum apparatus is referred to as a vacuum chamber 1.
As shown in FIG. 5, the exposure apparatus is hermetically sealed in a vacuum chamber 1. By using a turbo molecular pump 5, the inside of the apparatus is brought into a vacuum state.
The exposure apparatus is hermetically sealed in a vacuum chamber 1, and the inside of the apparatus is evacuated by using a turbo molecular pump 5.
Exposure light from a light source (not shown) is reflected by a reticle (not shown) held by the reticle stage 3, reflected by an optical element in the lens barrel 2, and on a wafer (not shown) held by the wafer stage 4. Projected on.
In the above projection, a reticle pattern (circuit pattern or the like) is transferred onto a wafer (not shown).

露光装置（真空チャンバ１）内では、鏡筒２の空間、レチクルステージ３の空間、及びウエハステージ４の空間のそれぞれが別の空間に分けられており、それぞれの空間にターボ分子ポンプ５が１基もしくは複数基設置されている。 In the exposure apparatus (vacuum chamber 1), the space of the lens barrel 2, the space of the reticle stage 3, and the space of the wafer stage 4 are divided into different spaces, and the turbo molecular pump 5 is 1 in each space. One or more units are installed.

一方、鏡筒２の空間の排気口（開口）の外界側には、ポンプ設置用の筒状体８が配設されており、筒状体８の先端側にターボ分子ポンプ５が設置されている。
筒状体８の内周面には、ターボ分子ポンプ５からの輻射エネルギーを遮蔽する手段としての輻射部材１０１が配置されている。
輻射部材１０１の内面は、例えば輻射率ε＝０．６以上を有する高輻射率面となっている。輻射部材１０１の内面は、例えば輻射率を高める表面処理（鏡面処理）が施されている。 On the other hand, a cylindrical body 8 for installing the pump is disposed on the outside side of the exhaust port (opening) of the space of the lens barrel 2, and the turbo molecular pump 5 is installed on the distal end side of the cylindrical body 8. Yes.
A radiation member 101 is disposed on the inner peripheral surface of the cylindrical body 8 as a means for shielding radiation energy from the turbo molecular pump 5.
The inner surface of the radiation member 101 is a high emissivity surface having emissivity ε = 0.6 or more, for example. For example, the inner surface of the radiation member 101 is subjected to a surface treatment (mirror treatment) for increasing the radiation rate.

一方、筒状体８の排気口（真空チャンバ１の開口）に対向する位置にはシールド１０２が配置されている。
シールド１０２の表面は、例えば輻射率ε＝０．２以下を実現する金属、もしくは金属層が成形されている。シールド１０２の表面は、例えば輻射率を高める表面処理（鏡面処理）が施されている。
一方、輻射部材１０１には、実施例１の場合と同様に冷却ジャケット２０１が設置されており、冷媒を流す流体機構を備える。流体は輻射部材１０１の輻射熱を奪い、輻射部材１０１の温度低下を実現する。 On the other hand, a shield 102 is disposed at a position facing the exhaust port of the cylindrical body 8 (opening of the vacuum chamber 1).
The surface of the shield 102 is formed with a metal or a metal layer that realizes emissivity ε = 0.2 or less, for example. The surface of the shield 102 is subjected to, for example, a surface treatment (mirror treatment) for increasing the emissivity.
On the other hand, the radiating member 101 is provided with a cooling jacket 201 as in the case of the first embodiment, and includes a fluid mechanism for flowing a refrigerant. The fluid takes away the radiant heat of the radiating member 101 and realizes a temperature drop of the radiating member 101.

シールド１０２は、ターボ分子ポンプ５から放射される輻射エネルギーを輻射部材１０１の高輻射率面に向けて反射する。輻射部材１０１は冷却ジャケット１０２の冷媒でその輻射エネルギーの熱量を回収する。
こうすることで、ターボ分子ポンプ５から放出される輻射エネルギーのかなりの量を輻射部材１０１の高輻射率面で吸収することができ、ターボ分子ポンプ５から放出される輻射エネルギーの大半を遮蔽することができる。 The shield 102 reflects the radiation energy radiated from the turbo molecular pump 5 toward the high emissivity surface of the radiation member 101. The radiating member 101 is a refrigerant of the cooling jacket 102 and collects the heat amount of the radiant energy.
By so doing, a considerable amount of radiation energy emitted from the turbo molecular pump 5 can be absorbed by the high emissivity surface of the radiation member 101, and most of the radiation energy emitted from the turbo molecular pump 5 is shielded. be able to.

また、排気口と対向する位置に配置されたシールド１０２は、排気口径φ１、排気口とシールド１０２間の距離Ｌ２とすると、下記の数式４の関係を有することが好ましい。
（数式４）Ｌ２≧２／５（φ１／２）
上記数式４を満たすように配置することにより同じくコンダクタンスの悪化を抑えることができる。 Further, it is preferable that the shield 102 disposed at the position facing the exhaust port has the relationship of the following mathematical formula 4, where the exhaust port diameter is φ1 and the distance L2 between the exhaust port and the shield 102.
(Formula 4) L2 ≧ 2/5 (φ1 / 2)
By arranging so as to satisfy the above formula 4, it is possible to suppress the deterioration of conductance.

実施例３では、筒状体８内周の輻射部材１０１の輻射率を高くし、排気口と対向する位置にシールド１０２を配置する構成に着目した。
この構成においてもターボ分子ポンプ５から放出される輻射エネルギーの大半を遮蔽することができる。輻射部材１０１の軸線方向の長さを大きくすることにより輻射エネルギーの遮蔽率を高めることも可能である。 In Example 3, attention was paid to a configuration in which the radiation rate of the radiation member 101 on the inner periphery of the cylindrical body 8 is increased and the shield 102 is disposed at a position facing the exhaust port.
Even in this configuration, most of the radiant energy emitted from the turbo molecular pump 5 can be shielded. It is also possible to increase the shielding ratio of the radiant energy by increasing the length of the radiating member 101 in the axial direction.

（デバイスの製造方法の実施例）
次に、図６及び図７を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。
図６は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
まず、ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップＳ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。ステップＳ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。ステップＳ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップＳ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップＳ６（検査）では、ステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップＳ７）される。 (Example of device manufacturing method)
Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus will be described with reference to FIGS.
FIG. 6 is a flowchart for explaining how to fabricate devices (ie, semiconductor chips such as IC and LSI, LCDs, CCDs, and the like). Here, a semiconductor chip manufacturing method will be described as an example.
First, in step S1 (circuit design), a semiconductor device circuit is designed. In step S2 (mask production), a mask is produced based on the designed circuit pattern. In step S3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step S4 (wafer process) is referred to as a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer using the mask and the wafer by the above exposure apparatus using the lithography technique. Step S5 (assembly) is called a post-process, and is a process for forming a semiconductor chip using the wafer manufactured in step S4. The assembly process includes an assembly process (dicing, bonding), a packaging process (chip encapsulation), and the like. including. In step S6 (inspection), inspections such as an operation check test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step S5 are performed. Through these steps, the semiconductor device is completed and shipped (step S7).

図７は、ステップ４のウエハプロセスの詳細を示すフローチャートである。ステップＳ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ１２（ＣＶＤ）では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１４（イオン打ち込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップＳ１５（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップＳ１６（露光）では、上記露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。ステップＳ１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステップＳ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップＳ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重により微細な回路パターンを安定して形成することができる。 FIG. 7 is a flowchart showing details of the wafer process in Step 4. In step S11 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. In step S12 (CVD), an insulating film is formed on the surface of the wafer. In step S14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step S15 (resist process), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step S16 (exposure), the circuit pattern of the mask is exposed onto the wafer by the exposure apparatus. In step S17 (development), the exposed wafer is developed. In step S18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step S19 (resist stripping), the resist that has become unnecessary after the etching is removed.
By repeating these steps, a fine circuit pattern can be stably formed on the wafer by multiplexing.

本発明の実施例１の真空装置を露光装置に適用する一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example which applies the vacuum apparatus of Example 1 of this invention to exposure apparatus. 本発明の実施例１の輻射部材、シールドの配置的な構成例を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the example of arrangement | positioning structure of the radiation member of Example 1 of this invention, and a shield. 本発明の実施例２の真空装置を露光装置に適用する一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example which applies the vacuum apparatus of Example 2 of this invention to exposure apparatus. 本発明の実施例２のクライオポンプ、輻射部材、シールドの配置的な構成例を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the example of arrangement | positioning structure of the cryopump of Example 2 of this invention, a radiation member, and a shield. 本発明の実施例３の真空装置を露光装置に適用する一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example which applies the vacuum apparatus of Example 3 of this invention to exposure apparatus. 本発明の露光装置を使用したデバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the device manufacturing method using the exposure apparatus of this invention. 図６に示すフローチャートのステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。It is a detailed flowchart of the wafer process of step 4 of the flowchart shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１真空チャンバ
２鏡筒
３レチクルステージ
４ウエハステージ
５ターボ分子ポンプ
６クライオポンプ
７クライオパネル
８鏡筒体
１０１輻射部材
１０２シールド
２０１冷却ジャケット DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum chamber 2 Lens barrel 3 Reticle stage 4 Wafer stage 5 Turbo molecular pump 6 Cryo pump 7 Cryo panel 8 Lens barrel 101 Radiation member 102 Shield 201 Cooling jacket

Claims

露光装置の構成要素を収容する真空チャンバをポンプを用いて真空状態にする真空装置において、
前記真空チャンバの内部に前記ポンプと対面して設けられるシールドと、
前記真空チャンバの内部に設けられた筒状の輻射部材と、を有し、
前記輻射部材は、隙間を介して前記シールドの外周を囲むように設けられ、前記輻射部材の前記構成要素側の端部が前記シールドよりも前記構成要素側に配置されることを特徴とする真空装置。 In a vacuum apparatus in which a vacuum chamber containing a component of an exposure apparatus is evacuated using a pump ,
A shield provided inside the vacuum chamber so as to face the pump;
A cylindrical radiation member provided inside the vacuum chamber,
The radiation member is provided so as to surround an outer periphery of the shield through a gap, and an end portion on the component side of the radiation member is disposed on the component side with respect to the shield. apparatus.

前記シールドは、前記ポンプと対向する面の輻射率が０．２以下であることを特徴とする請求項１に記載の真空装置。 The vacuum apparatus according to claim 1, wherein the shield has a radiation rate of 0.2 or less on a surface facing the pump.

前記輻射部材は、前記シールド側の面の輻射率が０．６以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の真空装置。 The vacuum device according to claim 1 , wherein the radiation member has a radiation rate of the shield-side surface of 0.6 or more.

前記ポンプは、ターボ分子ポンプであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の真空装置。 The vacuum apparatus according to claim 1 , wherein the pump is a turbo molecular pump.

前記ポンプは、クライオポンプであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の真空装置。 The vacuum apparatus according to any one of claims 1 to 3 , wherein the pump is a cryopump.

前記輻射部材を温調するための温調手段を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の真空装置。 The vacuum apparatus according to any one of claims 1 to 5 , further comprising temperature adjusting means for adjusting the temperature of the radiation member.

前記シールドと前記ポンプとの距離が、前記ポンプの開口径の２／５以上であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一つに記載の真空装置。 The vacuum apparatus according to claim 1 , wherein a distance between the shield and the pump is 2/5 or more of an opening diameter of the pump .

前記ポンプの開口径φ１、前記シールドの径φ２、前記輻射部材の内径φ３、前記ポンプ開口部と前記シールド間の距離Ｌ２、前記輻射部材の長さＬ３とすると、
（数式１）（φ３−φ１）／Ｌ３≦（φ２−φ１）／Ｌ２
を満たすように構成されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一つに記載の真空装置。 Opening diameter φ1 of the pump, the diameter φ2 of the shield, an inner diameter φ3 of the radiation member, the distance L2 between the said pump opening shield, when the length L3 of the radiation member,
(Formula 1) (φ3-φ1) / L3 ≦ (φ2-φ1) / L2
The vacuum apparatus according to claim 1 , wherein the vacuum apparatus is configured to satisfy the above.

前記ポンプの開口径φ１、前記ポンプと前記シールド間の距離Ｌ２とすると、
（数式２）Ｌ２≧２／５（φ１／２）
を満たすように前記シールドを配置することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一つに記載の真空装置。 Opening diameter φ1 of the pump, when the distance L2 between the pump and the shield,
(Formula 2) L2 ≧ 2/5 (φ1 / 2)
The vacuum apparatus according to any one of claims 1 to 8 , wherein the shield is disposed so as to satisfy the above condition.

請求項１乃至９のいずれか一つに記載の前記真空装置を有することを特徴とする露光装置。 Exposure apparatus characterized by having the vacuum apparatus according to any one of claims 1 to 9.

請求項１０に記載の前記露光装置を用いてウエハを露光する工程と、
前記ウエハを現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。 Exposing the wafer using the exposure apparatus according to claim 10 ;
And a step of developing the wafer.