JP4531583B2 - 単一光子発生装置 - Google Patents
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Description
図1〜図3は本発明の第1実施形態の単一光子発生装置の製造方法を示す断面図(一部平面図)、図4は本発明の第1実施形態の単一光子発生装置を示す断面図である。
図5及び図6は本発明の第2実施形態の単一光子発生装置の製造方法を示す断面図(一部平面図)、図7は発明の第2実施形態の単一光子発生装置を示す断面図である。
前記化合物半導体基板の上に形成され、単一光子源を含む単一光子発生部と、
前記化合物半導体基板上に前記単一光子発生部から分離されて形成され、前記単一光子源と同一材料の活性層を備えた半導体レーザ部とを有し、
前記半導体レーザ部の前記活性層から発振されるレーザが前記単一光子発生部の前記単一光子源に照射されることを特徴とする単一光子発生装置。
Claims (5)
- 化合物半導体基板と、
前記化合物半導体基板の上に形成され、単一光子源を含む単一光子発生部と、
前記化合物半導体基板上に前記単一光子発生部から分離されて形成され、前記単一光子源と同一材料の活性層を備えた半導体レーザ部とを有し、
前記半導体レーザ部の前記活性層から発振されるレーザが前記単一光子発生部の前記単一光子源に照射されることを特徴とする単一光子発生装置。 - 前記単一光子源及び前記活性層は、量子ドットからなることを特徴とする請求項1に記載の単一光子発生装置。
- 前記単一光子源及び前記活性層は、前記化合物半導体基板上の同じ高さに形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の単一光子発生装置。
- 前記単一光子源を含む単一光子発生部は、第1化合物半導体層と、該第1化合物半導体層の上に形成された化合物半導体の微小結晶よりなる前記量子ドットと、前記量子ドットを被覆する第2化合物半導体層とにより構成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の単一光子発生装置。
- 前記化合物半導体基板はn型の導電型であり、前記半導体レーザ部は、前記単一光子発生部と同一の構造体の上にp型化合物半導体層と上部電極とが順に形成されて構成され、前記化合物半導体基板と前記上部電極とにバイアス電源が接続されていることを特徴とする請求項4に記載の単一光子発生装置。
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