JP4527003B2 - レーザ加工装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかるレーザ加工装置の構成を示す構成図であり、図2は、図1に示すレーザ加工装置のレーザ発振器の構成を示す構成図である。レーザ加工装置101は、Qスイッチパルスレーザ等によって被加工物(後述する加工ワーク11)を加工する装置である。ここでは、レーザ加工装置101に加工される被加工物が、絶縁層(エポキシ樹脂等)や導体層(銅等)を含む多層構造のプリント基板等である場合について説明する。なお、ここでの絶縁層が特許請求の範囲に記載の第1の膜層に対応し、導体層が第2の膜層に対応する。
高エネルギーE1が高い場合や、絶縁層のビーム吸収率が高い場合等)には緩やかな変化となるように設定され、絶縁層のエッチングレートが低い場合(例えば、低エネルギーE2が低い場合や、絶縁層のビーム吸収率が低い場合等)には急峻な変化となるように設定される。
つぎに、図8〜図12を用いてこの発明の実施の形態2について説明する。実施の形態2ではレーザビーム7の光路上に非球面レンズ(後述する非球面レンズ40)を配置し、レーザビーム7のビームモード形状をトップハット形状に成型して加工ワーク11を加工する。
図11の図面内右側に示すビーム形状70Bのレーザビーム7による加工穴形状は、加工穴が導体層に達した時点で穴周辺に樹脂残りが多数存在している。一方、図11の図面内左側に示すビーム形状70Aのレーザビーム7による加工穴形状は、加工穴が導体層に達した時点で穴周辺に樹脂残りはほとんど存在しない。
2 レーザダイオード
3 スイッチ
4 波長変換ユニット
5 部分反射鏡
6 全反射鏡
7 レーザビーム
10 発振器
11 加工ワーク
12 シャッター
13 コリメーションユニット
14 マスク
15 ガルバノスキャンミラー
16 fθレンズ
17 XYテーブル
18 折り返しミラー
20 ガルバノスキャン制御部
21 発振器制御部
22 シャッター制御部
23 発振器制御部
30 圧電素子
31 超音波
32 石英
40 非球面レンズ
70A,70B ビーム形状
101,102 レーザ加工装置
140A,140B マスク
L0 0次光
L1 1次回折光
L2 2次回折光
Claims (5)
- 第1の膜層および前記第1の膜層の積層方向の下層側に配置される第2の膜層を有する被加工物を、前記第1の膜層の積層方向の上層側からレーザ加工するレーザ加工装置において、
予め設定された固定の周波数でパルスレーザビームを出力するレーザ発振部と、
前記レーザ発振部から出力されるパルスレーザビームの光路上に配置されて、前記パルスレーザビームのビームエネルギーを制御するエネルギー制御部と、
を備え、
前記エネルギー制御部は、前記被加工物を加工する際、前記第1の膜層および前記第2の膜層の加工閾値より大きい加工閾値の第1のビームエネルギーで前記被加工物のレーザ加工を開始するよう前記パルスレーザビームのビームエネルギーを制御するとともに、前記第1の膜層を所定の深さ方向までレーザ加工した後、前記第1の膜層の加工閾値より大きい加工閾値であって、かつ前記第2の膜層の加工閾値より小さい加工閾値の第2のビームエネルギーで前記被加工物のレーザ加工を行うよう前記パルスレーザビームのビームエネルギーを制御し、
かつ前記第1の膜層を所定の深さ方向までレーザ加工した後には、前記第1のビームエネルギーから前記第2のビームエネルギーへの変化が急峻な変化または緩やかな変化となるよう、前記第1の膜層のエッチングレートに応じた変化率で前記第1のビームエネルギーを前記第2のビームエネルギーへ段階的に減少させることを特徴とするレーザ加工装置。 - 前記エネルギー制御部は、音響光学素子を備えたシャッターを含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。
- 前記レーザ発振部は、波長変換素子を備え、前記パルスレーザビームをUVレーザとして出力することを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ加工装置。
- 前記パルスレーザビームは、トップハット形状からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のレーザ加工装置。
- 前記パルスレーザビームの光路中に配置される非球面レンズをさらに備え、
前記非球面レンズが前記パルスレーザビームをトップハット形状に形成することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載のレーザ加工装置。
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