JP4524643B2 - ウェーハ研磨方法 - Google Patents
ウェーハ研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4524643B2 JP4524643B2 JP2005145612A JP2005145612A JP4524643B2 JP 4524643 B2 JP4524643 B2 JP 4524643B2 JP 2005145612 A JP2005145612 A JP 2005145612A JP 2005145612 A JP2005145612 A JP 2005145612A JP 4524643 B2 JP4524643 B2 JP 4524643B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- wafer
- slurry
- abrasive
- particle size
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 312
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 114
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 55
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 22
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 131
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Description
本発明は、集積回路を形成するウェーハ等の表面を研磨するためのウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法に関する。
一般に、表面がエッチングされたシリコンウェーハは、ポリシング工程において、その表面に研磨が施される。従来の研磨では、硬質研磨パッドが備えられたウェーハ研磨装置を用いてウェーハ表面の粗い凹凸を取り除いて表面を平坦にする第１研磨工程と、軟質研磨パッドが備えられたウェーハ研磨装置を用いてウェーハ表面の微小ピットを消滅する第２研磨工程を行うことで、ウェーハの表面を平滑で無歪の鏡面に仕上げている。なお、第１研磨工程と第２研磨工程とでは用いる研磨パッドの種類が異なるために、第１研磨工程と第２研磨工程でそれぞれ専用のウェーハ研磨装置を用いている。
図７は、従来の研磨方法に用いられるウェーハ研磨装置の概略構成を示す図であり、図７の（ａ）は平面図、図７の（ｂ）は側面図である（例えば、特許文献１参照）。
従来のウェーハ研磨装置は、回転円盤３１と、この円盤表面のほぼ全面に亘って貼り付けられた研磨パッド３２と、回転円盤３２の上方に設けられた複数の回転ホルダ３３と、各回転ホルダ３３に固定されたウェーハ取り付けプレート３５から構成されている。回転ホルダ３３は軸３４によって上下運動並びに回転運動を行うように構成されている。ウェーハ取り付けプレート３５に複数のウェーハ６が取り付けられている。なお、図中符号３７は注入パイプであり、この注入パイプ３７から必要に応じて酸化セリウム系などの研磨スラリー３８を供給しながらウェーハの研磨を行うこともある。
特開昭６４−７８７５８号公報
従来のウェーハ研磨装置は、回転円盤３１と、この円盤表面のほぼ全面に亘って貼り付けられた研磨パッド３２と、回転円盤３２の上方に設けられた複数の回転ホルダ３３と、各回転ホルダ３３に固定されたウェーハ取り付けプレート３５から構成されている。回転ホルダ３３は軸３４によって上下運動並びに回転運動を行うように構成されている。ウェーハ取り付けプレート３５に複数のウェーハ６が取り付けられている。なお、図中符号３７は注入パイプであり、この注入パイプ３７から必要に応じて酸化セリウム系などの研磨スラリー３８を供給しながらウェーハの研磨を行うこともある。
しかしながら従来の研磨方法では、第１研磨工程と第２研磨工程でそれぞれ専用のウェーハ研磨装置と研磨パッドを用いて行っているために、ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の増加によりウェーハの製造コストがかかると問題があった。また、用いるウェーハ研磨装置を変えて二つの研磨工程を行っているために、研磨工程が煩雑になる、研磨時間がかかるという問題があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮できるウェーハの研磨装置及びウェーハ研磨方法を提供することを目的とする。
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討及び実験を重ねた結果、研磨前のウェーハの表面の粗さ成分には、図１に示すＰＳＤ（power spectral density)解析により波長が大きい（例えば、波長が１０μｍを超える）成分と、波長が小さい（例えば、波長が１０μｍ以下）成分があることがわかった。
また、ウェーハ表面の研磨を行う際に粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する研磨スラリーを用いた場合、図２（ａ）の曲線Ａに示すように波長が大きい成分は短時間で取り除くことができる（収束率が大きい）が、波長が短い成分の収束率は小さいことがわかった。また、ウェーハ表面の研磨を行う際に粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する研磨スラリーを用いた場合、図２（ａ）の曲線Ｂに示すように波長が小さい成分は短時間で取り除くことができる（収束率が大きい）が、波長が大きい成分の収束率は小さいことがわかった。
なお、上記収束率は、ウェーハ表面が鏡面化するまでの時間の逆数であり、収束率が大きいほど鏡面化するまでの時間が短く、研磨の効率が良いものである。
また、ウェーハ表面の研磨を行う際に粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する研磨スラリーを用いた場合、図２（ａ）の曲線Ａに示すように波長が大きい成分は短時間で取り除くことができる（収束率が大きい）が、波長が短い成分の収束率は小さいことがわかった。また、ウェーハ表面の研磨を行う際に粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する研磨スラリーを用いた場合、図２（ａ）の曲線Ｂに示すように波長が小さい成分は短時間で取り除くことができる（収束率が大きい）が、波長が大きい成分の収束率は小さいことがわかった。
なお、上記収束率は、ウェーハ表面が鏡面化するまでの時間の逆数であり、収束率が大きいほど鏡面化するまでの時間が短く、研磨の効率が良いものである。
さらに、本発明者は鋭意検討及び実験を重ねた結果、ウェーハの表面の研磨を行う際に研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを途中で粒径が異なるものに変更（粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリーから粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリーに変更、但し、第１の研磨スラリー中の研磨剤の粒径は第２の研磨スラリー中の研磨剤の粒径より大きい）すると、図３（ａ）の曲線Ｃに示すように波長が大きい成分については図３（ａ）の曲線Ｄに示す従来の硬度が９６の硬質研磨パッドを用いる場合よりも収束率が僅かに小さくなるものの、図３（ａ）の曲線Ｅに示す従来の硬度が７０の軟質研磨パッドを用いる場合よりも収束率が大幅に大きくなり、また、波長が小さい成分については図３（ａ）の曲線Ｅに示す従来の硬度が７０の軟質研磨パッドを用いる場合よりも収束率が僅かに小さくなるものの、図３（ａ）の曲線Ｄに示す従来の硬質研磨パッドを用いる場合よりも収束率が大幅に大きくなり、しかも一つのウェーハ研磨装置でウェーハ表面の波長が大きい粗さ成分と波長が小さい粗さ成分の両方を効率良く取り除いて、平滑で無歪の鏡面に仕上げることができることを究明し、本発明を完成した。
また、ウェーハの表面の研磨を行う際に研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを途中で粒径が異なるものに変更（粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリーから粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリーに変更、但し、第１の研磨スラリー中の研磨剤の粒径は第２の研磨スラリー中の研磨剤の粒径より大きい）すると、図２（ａ）の曲線Ｃに示すように波長が大きい成分については図２（ａ）の曲線Ａに示す粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する研磨スラリーを用いる場合よりも収束率が僅かに小さくなるものの、図２（ａ）の曲線Ｂに示す粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する研磨スラリーを用いる場合よりも収束率が大幅に大きくなり、また、波長が小さい成分については図２（ａ）の曲線Ｂに示す粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する研磨スラリーを用いる場合よりも収束率が僅かに小さくなるものの、図２（ａ）の曲線Ａに示す粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する研磨スラリーを用いる場合よりも収束率が大幅に大きくなり、しかも一つのウェーハ研磨装置でウェーハ表面の波長が大きい粗さ成分と波長が小さい粗さ成分の両方を効率良く取り除いて、平滑で無歪の鏡面に仕上げることができることを究明し、本発明を完成した。なお、図２（ｂ）と図３（ｂ）に、ウェーハ表面の粗さ成分の波長との関係を示すグラフを示した。
本発明のウェーハ研磨装置は、軸を中心に回転するキャリアプレートに保持されたウェーハを、前記軸と異なる軸を中心として回転する研磨定盤に設けられた研磨パッドに押圧摺動して研磨するウェーハ研磨装置において、
粒径の異なる研磨スラリーを前記研磨パッドの表面に供給する手段が設けられたことにより上記課題を解決した。
本発明は、軸を中心に回転するキャリアプレートに保持されたウェーハを、前記軸と異なる軸を中心として回転する研磨定盤に設けられた研磨パッドに押圧摺動して研磨するウェーハ研磨装置において、
研磨スラリーを前記研磨パッドの表面に供給する手段が設けられ、該研磨スラリー供給手段は供給する研磨スラリーを粒径の異なるものに切り替え可能な構成とされたことにより上記課題を解決した。
粒径の異なる研磨スラリーを前記研磨パッドの表面に供給する手段が設けられたことにより上記課題を解決した。
本発明は、軸を中心に回転するキャリアプレートに保持されたウェーハを、前記軸と異なる軸を中心として回転する研磨定盤に設けられた研磨パッドに押圧摺動して研磨するウェーハ研磨装置において、
研磨スラリーを前記研磨パッドの表面に供給する手段が設けられ、該研磨スラリー供給手段は供給する研磨スラリーを粒径の異なるものに切り替え可能な構成とされたことにより上記課題を解決した。
本発明のウェーハ研磨装置において、前記粒径が異なる研磨スラリーは、粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリーと、粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリーであり、第１の研磨スラリー中の研磨剤の粒径は第２の研磨スラリー中の研磨剤の粒径より大きいものであることが好ましい。
本発明のウェーハ研磨方法は、研磨パッドを回転させ、該研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給するとともに回転するウェーハを押圧摺動して、表面の粗さ成分として波長が１０μｍを超える波長が大きい粗さ成分と波長が１０μｍ以下の波長が小さい粗さ成分とを有するウェーハ表面を研磨して鏡面化するウェーハ研磨方法であって、
前記研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリーから粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリーに変更して、研磨の初期から終期にかけて変化する粗さ成分に応じて供給する研磨スラリーを使い分け、
波長が大きい粗さ成分について前記第２の研磨スラリーのみを用いる場合よりも収束率を大きくし、また、波長が小さい粗さ成分について前記第１の研磨スラリーのみを用いる場合よりも収束率を大きくし、一回の研磨工程によってウェーハ表面の波長が大きい粗さ成分と波長が小さい粗さ成分の両方を取り除いて、平滑で無歪の鏡面に仕上げることにより上記課題を解決した。
本発明のウェーハ研磨方法は、前記研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを前記第１の研磨スラリーから前記第２の研磨スラリーに変更してウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を取り除き、一回の研磨工程によって平滑で無歪の鏡面に仕上げることができる。
本発明の前記研磨スラリーとしては、前記第１の研磨スラリー中の研磨剤の粒径が前記第２の研磨スラリー中の研磨剤の粒径より大きく設定されることができる。
本発明のウェーハ研磨方法は、研磨パッドを回転させ、該研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給するとともに回転するウェーハを押圧摺動してウェーハ表面を研磨するウェーハ研磨方法であって、
前記研磨パッドの表面に粒径が異なる研磨スラリーを供給することにより上記課題を解決した。
本発明のウェーハ研磨方法は、研磨パッドを回転させ、該研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給するとともに回転するウェーハを押圧摺動してウェーハ表面を研磨するウェーハ研磨方法であって、
前記研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを途中で粒径が異なるものに変更することにより上記課題を解決した。
上記構成の本発明のウェーハ研磨方法においては、前記研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリーから粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリーに変更することが好ましい。
前記研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリーから粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリーに変更して、研磨の初期から終期にかけて変化する粗さ成分に応じて供給する研磨スラリーを使い分け、
波長が大きい粗さ成分について前記第２の研磨スラリーのみを用いる場合よりも収束率を大きくし、また、波長が小さい粗さ成分について前記第１の研磨スラリーのみを用いる場合よりも収束率を大きくし、一回の研磨工程によってウェーハ表面の波長が大きい粗さ成分と波長が小さい粗さ成分の両方を取り除いて、平滑で無歪の鏡面に仕上げることにより上記課題を解決した。
本発明のウェーハ研磨方法は、前記研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを前記第１の研磨スラリーから前記第２の研磨スラリーに変更してウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を取り除き、一回の研磨工程によって平滑で無歪の鏡面に仕上げることができる。
本発明の前記研磨スラリーとしては、前記第１の研磨スラリー中の研磨剤の粒径が前記第２の研磨スラリー中の研磨剤の粒径より大きく設定されることができる。
本発明のウェーハ研磨方法は、研磨パッドを回転させ、該研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給するとともに回転するウェーハを押圧摺動してウェーハ表面を研磨するウェーハ研磨方法であって、
前記研磨パッドの表面に粒径が異なる研磨スラリーを供給することにより上記課題を解決した。
本発明のウェーハ研磨方法は、研磨パッドを回転させ、該研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給するとともに回転するウェーハを押圧摺動してウェーハ表面を研磨するウェーハ研磨方法であって、
前記研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを途中で粒径が異なるものに変更することにより上記課題を解決した。
上記構成の本発明のウェーハ研磨方法においては、前記研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリーから粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリーに変更することが好ましい。
本発明のウェーハ研磨装置は、粒径の異なる研磨スラリーを前記研磨パッドの表面に供給する手段が設けられたことにより、粒径の大きな研磨スラリーと粒径の小さな研磨スラリーを研磨工程における所定時に供給してウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を効率良く取り除き、一回の研磨工程によって平滑で無歪の鏡面に仕上げることができる。
本発明のウェーハ研磨装置は、研磨スラリーを前記研磨パッドの表面に供給する手段が設けられ、該研磨スラリー供給手段は供給する研磨スラリーを粒径の異なるものに切り替え可能な構成とされたことにより、このウェーハ研磨装置を用いてウェーハの表面の研磨を行うと、ウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を効率良く取り除いて、平滑で無歪の鏡面に仕上げることができる。すななち、本発明のウェーハ研磨装置を用いる研磨では一つのウェーハ研磨装置でウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を取り除くことができるので、従来のようにウェーハ表面の粗い凹凸を取り除く場合と微小ピットを消滅させる場合で用いるウェーハ研磨装置や研磨パッドを変更しなくても済み、ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮でき、ウェーハを効率良く研磨できる。
本発明のウェーハ研磨装置は、研磨スラリーを前記研磨パッドの表面に供給する手段が設けられ、該研磨スラリー供給手段は供給する研磨スラリーを粒径の異なるものに切り替え可能な構成とされたことにより、このウェーハ研磨装置を用いてウェーハの表面の研磨を行うと、ウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を効率良く取り除いて、平滑で無歪の鏡面に仕上げることができる。すななち、本発明のウェーハ研磨装置を用いる研磨では一つのウェーハ研磨装置でウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を取り除くことができるので、従来のようにウェーハ表面の粗い凹凸を取り除く場合と微小ピットを消滅させる場合で用いるウェーハ研磨装置や研磨パッドを変更しなくても済み、ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮でき、ウェーハを効率良く研磨できる。
本発明のウェーハ研磨方法は、粒径の異なる研磨スラリーを前記研磨パッドの表面に供給することにより、粒径の大きな研磨スラリーと粒径の小さな研磨スラリーを研磨工程における所定時に供給してウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を効率良く取り除き、一回の研磨工程によって平滑で無歪の鏡面に仕上げることができる。
また、本発明のウェーハ研磨方法は、研磨パッドを回転させ、該研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給するとともに回転するウェーハを押圧摺動してウェーハ表面を研磨するに際して、上記研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを途中で粒径が異なるものに変更することにより、一つのウェーハ研磨装置で、研磨スラリーを粒径が異なるものに切り替えるだけで、ウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を取り除くことができるので、従来のようにウェーハ表面の粗い凹凸を取り除く場合と微小ピットを消滅させる場合で用いるウェーハ研磨装置や研磨パッドを変更しなくても済み、ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮でき、ウェーハを効率良く研磨できる。
また、本発明のウェーハ研磨方法は、研磨の初期から終期にかけて変化する粗さ成分に応じて供給する研磨スラリーを使い分けることにより、ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮できる。
また、本発明のウェーハ研磨方法は、研磨パッドを回転させ、該研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給するとともに回転するウェーハを押圧摺動してウェーハ表面を研磨するに際して、上記研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを途中で粒径が異なるものに変更することにより、一つのウェーハ研磨装置で、研磨スラリーを粒径が異なるものに切り替えるだけで、ウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を取り除くことができるので、従来のようにウェーハ表面の粗い凹凸を取り除く場合と微小ピットを消滅させる場合で用いるウェーハ研磨装置や研磨パッドを変更しなくても済み、ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮でき、ウェーハを効率良く研磨できる。
また、本発明のウェーハ研磨方法は、研磨の初期から終期にかけて変化する粗さ成分に応じて供給する研磨スラリーを使い分けることにより、ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮できる。
以下、本発明に係るウェーハ研磨装置の実施形態を図面に基づいて説明する。
図４は、本実施形態のウェーハ研磨装置の要部拡大断面図であり、図５は、図１のウェーハ研磨装置に備えられた研磨定盤とキャリアプレートを示す平面図である。
本実施形態のウェーハ研磨装置１０は、研磨パッド１１が表面に設けられた研磨定盤１２と、この上方に配設された複数台（図面では４台）の研磨ヘッド１３と、研磨スラリーを研磨パッド１１の表面に供給する研磨スラリー供給手段１６を備えている。
各研磨ヘッド１３は、軸を中心に回転可能に設けられている。各研磨ヘッド１３の研磨定盤と対向する面にキャリアプレート１４が設けられており、研磨ヘッド１３が回転するとこの研磨ヘッド１３に設けられたキャリアプレート１４も軸を中心に回転することになる。このキャリアプレート１４には複数（図面では５枚）のシリコンウェーハＷがヘッド中心部を中心に所定間隔（図面では７２度間隔）で保持されている。シリコンウェーハＷは、例えば、スライスやラッピング後にエッチングが施されたもので、さらに表面を鏡のように磨く研磨工程（ポリシング工程）を施す必要があるものである。このシリコンウェーハＷの寸法は、例えば、直径３００ｍｍ、厚さ７５０ｍｍのものが好適に用いられている。
研磨パッド１１は、発泡ウレタンあるいは不織布やスエードから構成されている。
図４は、本実施形態のウェーハ研磨装置の要部拡大断面図であり、図５は、図１のウェーハ研磨装置に備えられた研磨定盤とキャリアプレートを示す平面図である。
本実施形態のウェーハ研磨装置１０は、研磨パッド１１が表面に設けられた研磨定盤１２と、この上方に配設された複数台（図面では４台）の研磨ヘッド１３と、研磨スラリーを研磨パッド１１の表面に供給する研磨スラリー供給手段１６を備えている。
各研磨ヘッド１３は、軸を中心に回転可能に設けられている。各研磨ヘッド１３の研磨定盤と対向する面にキャリアプレート１４が設けられており、研磨ヘッド１３が回転するとこの研磨ヘッド１３に設けられたキャリアプレート１４も軸を中心に回転することになる。このキャリアプレート１４には複数（図面では５枚）のシリコンウェーハＷがヘッド中心部を中心に所定間隔（図面では７２度間隔）で保持されている。シリコンウェーハＷは、例えば、スライスやラッピング後にエッチングが施されたもので、さらに表面を鏡のように磨く研磨工程（ポリシング工程）を施す必要があるものである。このシリコンウェーハＷの寸法は、例えば、直径３００ｍｍ、厚さ７５０ｍｍのものが好適に用いられている。
研磨パッド１１は、発泡ウレタンあるいは不織布やスエードから構成されている。
研磨スラリー供給手段１６は、第１の研磨スラリー３９又は第２の研磨スラリー４０を研磨パッド１１の表面に供給する供給パイプ１７と、この供給パイプ１７の一方の端部に接続されたバルブ（切り替え手段）１８と、このバルブ１８に第１の供給パイプ１９ｂを介して接続された第１の研磨スラリー供給源１９ａと、上記バルブ１８に第２の供給パイプ２０ｂを介して接続された第２の研磨スラリー供給源２０ａを主体として構成されている。供給パイプ１７の他方の端部は、研磨パッド１１の中央部の上方に開口している。
この研磨スラリー供給手段１６はバルブ１８を操作することにより、供給パイプ１７から研磨パッド１１の表面に第１の研磨スラリー３９又は第２の研磨スラリー４０のいずれかが供給されるようになっており、また、各研磨スラリーの供給量も調整できるようになっている。
この研磨スラリー供給手段１６はバルブ１８を操作することにより、供給パイプ１７から研磨パッド１１の表面に第１の研磨スラリー３９又は第２の研磨スラリー４０のいずれかが供給されるようになっており、また、各研磨スラリーの供給量も調整できるようになっている。
第１の研磨スラリー３９は、粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有するものである。上記粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を分散させる溶媒としては、例えば、アルカリ性の水溶液を挙げることができる。
第２の研磨スラリー４０は、粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有するものである。
上記粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を分散させる溶媒としては、例えば、アルカリ性の水溶液を挙げることができる。
上記第１の研磨スラリー中の研磨剤の粒径は上記第２の研磨スラリー中の研磨剤の粒径より大きいことが好ましい。
すなわち、上記研磨スラリー供給手段１６は供給する研磨スラリーを粒径の異なるものに切り替え可能な構成になっている。
第２の研磨スラリー４０は、粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有するものである。
上記粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を分散させる溶媒としては、例えば、アルカリ性の水溶液を挙げることができる。
上記第１の研磨スラリー中の研磨剤の粒径は上記第２の研磨スラリー中の研磨剤の粒径より大きいことが好ましい。
すなわち、上記研磨スラリー供給手段１６は供給する研磨スラリーを粒径の異なるものに切り替え可能な構成になっている。
研磨定盤１２は上記軸とは異なる軸を中心に回転可能に設けられている。研磨定盤１２および各研磨ヘッド１３の回転方向は同じ方向とされている。なお、研磨ヘッド１３の移動方法は、本実施形態に限るものではない。
シリコンウェーハＷをキャリアプレート１４に取り付ける方法は、ワックス貼着であってもよいし、ワックスレスマウント式でもよい。
シリコンウェーハＷをキャリアプレート１４に取り付ける方法は、ワックス貼着であってもよいし、ワックスレスマウント式でもよい。
次に、この研磨装置１０を用いたシリコンウェーハＷの研磨方法を説明する。
図４と図５に示すように、まず複数枚（図面では５枚）のシリコンウェーハＷを所定間隔（図面では７２度間隔）で各キャリアプレート１４にワックス貼着し、それから各キャリアプレート１４を対応する研磨ヘッド１３の下面に固着する。
ついで、各研磨ヘッド１３を下降することで、各シリコンウェーハＷを、研磨定盤１２上に設けられた研磨パッド１１の研磨作用面に押圧する。この状態を維持しつつ、研磨の初期では研磨パット１１上に研磨スラリー供給手段１６から第１の研磨スラリー３９を供給しながら、研磨定盤１２を図２の実線矢印方向に回転させる。同時に、各研磨ヘッド１３を、図５の二点鎖線矢印方向に回転させ、各シリコンウェーハＷを研磨パッド１１に押圧摺動し、研磨する。このようにすると、研磨の初期には波長が大きい粗さ成分を効率良く取り除くことができる。
図４と図５に示すように、まず複数枚（図面では５枚）のシリコンウェーハＷを所定間隔（図面では７２度間隔）で各キャリアプレート１４にワックス貼着し、それから各キャリアプレート１４を対応する研磨ヘッド１３の下面に固着する。
ついで、各研磨ヘッド１３を下降することで、各シリコンウェーハＷを、研磨定盤１２上に設けられた研磨パッド１１の研磨作用面に押圧する。この状態を維持しつつ、研磨の初期では研磨パット１１上に研磨スラリー供給手段１６から第１の研磨スラリー３９を供給しながら、研磨定盤１２を図２の実線矢印方向に回転させる。同時に、各研磨ヘッド１３を、図５の二点鎖線矢印方向に回転させ、各シリコンウェーハＷを研磨パッド１１に押圧摺動し、研磨する。このようにすると、研磨の初期には波長が大きい粗さ成分を効率良く取り除くことができる。
ついで、研磨の終期では各シリコンウェーハＷを研磨パッド１１の研磨作用面に押圧した状態を維持しつつ、研磨パット１１上に研磨スラリー供給手段１６から供給する研磨スラリーを第２の研磨スラリー４０に変更し、この第２の研磨スラリー４０を供給しながら、研磨定盤１２を図２の実線矢印方向に回転させる。同時に、各研磨ヘッド１３を、図５の二点鎖線矢印方向に回転させ、各シリコンウェーハＷを研磨パッド１１に押圧摺動し、研磨する。このようにすると、研磨の終期には波長が小さい粗さ成分を効率良く消滅させることができる。
上記のような研磨工程により、各シリコンウェーハＷの研磨面（表面）が研磨される。
上記のような研磨工程により、各シリコンウェーハＷの研磨面（表面）が研磨される。
本実施形態のウェーハ研磨装置１０は、研磨スラリーを研磨パッド１１の表面に供給する手段１６が設けられ、該研磨スラリー供給手段１６は供給する研磨スラリーの粒径を異なるものに切り替え可能な構成とされたことにより、このウェーハ研磨装置１０を用いてウェーハＷの表面の研磨を行うと、ウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を効率良く取り除くことができ、平滑で無歪の鏡面に仕上げることができる。すななち、本実施形態のウェーハ研磨装置１０を用いる研磨では一つのウェーハ研磨装置でウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方（波長が大きい粗さ成分と波長が小さい粗さ成分の両方）を取り除くことができるので、従来のようにウェーハ表面の粗い凹凸を取り除く場合と微小ピットを消滅させる場合で用いるウェーハ研磨装置や研磨パッドを変更しなくても済み、ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮でき、ウェーハを効率良く研磨できる。
また、本実施形態のウェーハ研磨方法は、研磨パッド１１を回転させ、該研磨パッド１１の表面に研磨スラリーを供給するとともに回転するウェーハを押圧摺動してウェーハ表面を研磨するに際して、上記研磨パッド１１の表面に供給する研磨スラリーを途中で粒径が異なるものに変更することにより、すなわち、研磨の初期から終期にかけて変化する粗さ成分に応じて供給する研磨スラリーを使い分けることにより、一つのウェーハ研磨装置で、ウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を取り除くことができるので、従来のようにウェーハ表面の粗い凹凸を取り除く場合と微小ピットを消滅させる場合で用いる研磨パッドを変更しなくても済み、ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮でき、ウェーハを効率良く研磨できる。
具体例を挙げると、従来のようにウェーハ表面の粗い凹凸を取り除く場合と微小ピットを消滅させる場合で用いるウェーハ研磨装置や研磨パッドを変更して研磨を行う場合（硬質研磨パッドを用いる第１研磨工程と軟質研磨パッドを用いる第２研磨工程を行う場合、比較例）の加工時間は、図６に示すように約１６５０秒要した。これに対して研磨スラリー供給手段１６が備えられた実施形態のウェーハ研磨装置１０を用い、研磨パッド１１の表面に供給する研磨スラリーを粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリーから粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリーに変更してシリコンウェーハＷの表面を研磨した場合（実施例）の加工時間は、図６に示すように約８００時間であり、比較例に比べてウェーハの研磨加工に要する時間を１／２以下に短縮することができ、ウェーハを効率良く研磨することができることがわかった。
本実施例によれば、研磨の初期から終期にかけて変化する粗さ成分に応じて供給する研磨スラリーを使い分けることにより、各粗さ成分に応じた加工を１軸上で行うことができ、これによって研磨加工に要する時間を半減でき、設備も半減でき、研磨パッドも半減でき、コストダウンすることができる。
本実施例によれば、研磨の初期から終期にかけて変化する粗さ成分に応じて供給する研磨スラリーを使い分けることにより、各粗さ成分に応じた加工を１軸上で行うことができ、これによって研磨加工に要する時間を半減でき、設備も半減でき、研磨パッドも半減でき、コストダウンすることができる。
１０・・・ウェーハ研磨装置、１１・・・研磨パッド、１２・・・研磨定盤、１３・・・研磨ヘッド、１４・・・キャリアプレート、１６・・・研磨スラリー供給手段、１７・・・供給パイプ、１８・・・バルブ、１９ａ・・・第１の研磨スラリー供給源、１９ｂ・・・第１の供給パイプ、２０ａ・・・第２の研磨スラリー供給源、２０ｂ・・・第２の供給パイプ、３９・・・第１の研磨スラリー、４０・・・第２の研磨スラリー、Ｗ・・・シリコンウェーハ
Claims (3)
- 研磨パッドを回転させ、該研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給するとともに回転するウェーハを押圧摺動して、表面の粗さ成分として波長が１０μｍを超える波長が大きい粗さ成分と波長が１０μｍ以下の波長が小さい粗さ成分とを有するウェーハ表面を研磨して鏡面化するウェーハ研磨方法であって、
前記研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリーから粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリーに変更して、研磨の初期から終期にかけて変化する粗さ成分に応じて供給する研磨スラリーを使い分け、
波長が大きい粗さ成分について前記第２の研磨スラリーのみを用いる場合よりも収束率を大きくし、また、波長が小さい粗さ成分について前記第１の研磨スラリーのみを用いる場合よりも収束率を大きくし、一回の研磨工程によってウェーハ表面の波長が大きい粗さ成分と波長が小さい粗さ成分の両方を取り除いて、平滑で無歪の鏡面に仕上げることを特徴とするウェーハ研磨方法。 - 前記研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを前記第１の研磨スラリーから前記第２の研磨スラリーに変更してウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を取り除き、一回の研磨工程によって平滑で無歪の鏡面に仕上げることを特徴とする請求項１に記載のウェーハ研磨方法。
- 前記研磨スラリーとしては、前記第１の研磨スラリー中の研磨剤の粒径が前記第２の研磨スラリー中の研磨剤の粒径より大きく設定されることを特徴とする請求項１または２記載のウェーハ研磨方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005145612A JP4524643B2 (ja) | 2005-05-18 | 2005-05-18 | ウェーハ研磨方法 |
| US11/433,701 US7717768B2 (en) | 2005-05-18 | 2006-05-11 | Wafer polishing apparatus and method for polishing wafers |
| DE602006007908T DE602006007908D1 (de) | 2005-05-18 | 2006-05-15 | Vorrichtung und Verfahren zum polieren von Halbleiterscheiben |
| TW095117119A TWI320586B (en) | 2005-05-18 | 2006-05-15 | Wafer polishing apparatus and method for polishing wafers |
| EP06009972A EP1726402B1 (en) | 2005-05-18 | 2006-05-15 | Wafer polishing apparatus and method for polishing wafers |
| KR1020060043370A KR100832768B1 (ko) | 2005-05-18 | 2006-05-15 | 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005145612A JP4524643B2 (ja) | 2005-05-18 | 2005-05-18 | ウェーハ研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006324417A JP2006324417A (ja) | 2006-11-30 |
| JP4524643B2 true JP4524643B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=36791692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005145612A Active JP4524643B2 (ja) | 2005-05-18 | 2005-05-18 | ウェーハ研磨方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7717768B2 (ja) |
| EP (1) | EP1726402B1 (ja) |
| JP (1) | JP4524643B2 (ja) |
| KR (1) | KR100832768B1 (ja) |
| DE (1) | DE602006007908D1 (ja) |
| TW (1) | TWI320586B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8834230B2 (en) | 2008-07-31 | 2014-09-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer polishing method and double-side polishing apparatus |
| DE102009033206A1 (de) * | 2009-07-15 | 2011-01-27 | Brand, Guido | Polierverfahren und Poliervorrichtung zur Korrektur von geometrischen Abweichungsfehlern auf Präzisionsoberflächen |
| JP6377656B2 (ja) | 2016-02-29 | 2018-08-22 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコン基板の研磨方法および研磨用組成物セット |
| US11897081B2 (en) | 2016-03-01 | 2024-02-13 | Fujimi Incorporated | Method for polishing silicon substrate and polishing composition set |
| US10875149B2 (en) * | 2017-03-30 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for timed dispensing various slurry components |
| CN108544362B (zh) * | 2018-03-30 | 2020-11-03 | 泰州鸿行信息科技有限公司 | 一种化学机械抛光设备 |
| US12017322B2 (en) * | 2018-08-14 | 2024-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing method |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04129664A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-04-30 | Showa Alum Corp | ワークの研磨加工法 |
| JPH05138529A (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-01 | Yokogawa Electric Corp | 研磨装置 |
| JPH05162065A (ja) * | 1991-12-13 | 1993-06-29 | Murata Mfg Co Ltd | 浮遊砥粒式研磨装置 |
| JPH1015808A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-20 | Canon Inc | 化学機械研磨装置および方法 |
| JPH10180616A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-07-07 | Hitachi Ltd | 研磨装置及び研磨方法 |
| JPH10242090A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの研磨方法および研磨装置 |
| US6227949B1 (en) * | 1999-06-03 | 2001-05-08 | Promos Technologies, Inc. | Two-slurry CMP polishing with different particle size abrasives |
| WO2004100243A1 (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | Sumco Corporation | ナノトポグラフィ効果を補償し得る化学機械的研磨用スラリー組成物およびこれを利用した半導体素子の表面平坦化方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2780038A (en) * | 1954-09-08 | 1957-02-05 | Glaceries Sambre Sa | Glass grinding and polishing method and apparatus |
| JPS62188669A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-18 | Mitsubishi Metal Corp | 研摩装置 |
| JPS6478758A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-24 | Toshiba Corp | Polishing device for printing circuit board |
| US5700180A (en) * | 1993-08-25 | 1997-12-23 | Micron Technology, Inc. | System for real-time control of semiconductor wafer polishing |
| US5395801A (en) * | 1993-09-29 | 1995-03-07 | Micron Semiconductor, Inc. | Chemical-mechanical polishing processes of planarizing insulating layers |
| US5571373A (en) * | 1994-05-18 | 1996-11-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of rough polishing semiconductor wafers to reduce surface roughness |
| JP3438383B2 (ja) | 1995-03-03 | 2003-08-18 | ソニー株式会社 | 研磨方法およびこれに用いる研磨装置 |
| US5664990A (en) * | 1996-07-29 | 1997-09-09 | Integrated Process Equipment Corp. | Slurry recycling in CMP apparatus |
| JPH10128654A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-19 | Toshiba Corp | Ｃｍｐ装置及び該ｃｍｐ装置に用いることのできる研磨布 |
| US6736714B2 (en) * | 1997-07-30 | 2004-05-18 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Polishing silicon wafers |
| KR100416446B1 (ko) | 1998-06-25 | 2004-01-31 | 우노바 유.케이. 리미티드 | 웨이퍼 에지 연마 방법 및 장치 |
| KR100297375B1 (ko) | 1998-09-30 | 2001-08-07 | 윤종용 | 조립기판연마설비,연마방법및이를이용한박형디스플레이장치제조방법 |
| US6368955B1 (en) * | 1999-11-22 | 2002-04-09 | Lucent Technologies, Inc. | Method of polishing semiconductor structures using a two-step chemical mechanical planarization with slurry particles having different particle bulk densities |
| US6228771B1 (en) * | 2000-03-23 | 2001-05-08 | Infineon Technologies North America Corp. | Chemical mechanical polishing process for low dishing of metal lines in semiconductor wafer fabrication |
| US6599173B1 (en) * | 2000-06-30 | 2003-07-29 | International Business Machines Corporation | Method to prevent leaving residual metal in CMP process of metal interconnect |
-
2005
- 2005-05-18 JP JP2005145612A patent/JP4524643B2/ja active Active
-
2006
- 2006-05-11 US US11/433,701 patent/US7717768B2/en active Active
- 2006-05-15 KR KR1020060043370A patent/KR100832768B1/ko active IP Right Grant
- 2006-05-15 EP EP06009972A patent/EP1726402B1/en active Active
- 2006-05-15 TW TW095117119A patent/TWI320586B/zh active
- 2006-05-15 DE DE602006007908T patent/DE602006007908D1/de active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04129664A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-04-30 | Showa Alum Corp | ワークの研磨加工法 |
| JPH05138529A (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-01 | Yokogawa Electric Corp | 研磨装置 |
| JPH05162065A (ja) * | 1991-12-13 | 1993-06-29 | Murata Mfg Co Ltd | 浮遊砥粒式研磨装置 |
| JPH1015808A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-20 | Canon Inc | 化学機械研磨装置および方法 |
| JPH10180616A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-07-07 | Hitachi Ltd | 研磨装置及び研磨方法 |
| JPH10242090A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの研磨方法および研磨装置 |
| US6227949B1 (en) * | 1999-06-03 | 2001-05-08 | Promos Technologies, Inc. | Two-slurry CMP polishing with different particle size abrasives |
| WO2004100243A1 (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | Sumco Corporation | ナノトポグラフィ効果を補償し得る化学機械的研磨用スラリー組成物およびこれを利用した半導体素子の表面平坦化方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006324417A (ja) | 2006-11-30 |
| TWI320586B (en) | 2010-02-11 |
| KR20060119767A (ko) | 2006-11-24 |
| DE602006007908D1 (de) | 2009-09-03 |
| EP1726402A1 (en) | 2006-11-29 |
| EP1726402B1 (en) | 2009-07-22 |
| KR100832768B1 (ko) | 2008-05-27 |
| TW200707568A (en) | 2007-02-16 |
| US7717768B2 (en) | 2010-05-18 |
| US20060264157A1 (en) | 2006-11-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3823086B2 (ja) | 研磨パッド及び研磨方法 | |
| JP4524643B2 (ja) | ウェーハ研磨方法 | |
| EP2762272B1 (en) | Wafer polishing apparatus and method | |
| KR102382812B1 (ko) | 실리콘웨이퍼의 연마방법 | |
| CN104350583A (zh) | 半导体晶片的制造方法 | |
| US6271140B1 (en) | Coaxial dressing for chemical mechanical polishing | |
| JP4484466B2 (ja) | 研磨方法およびその研磨方法に用いる粘弾性ポリッシャー | |
| JP2005153141A (ja) | 研磨装置 | |
| JP2008254082A (ja) | 球体の研磨装置 | |
| JP6717706B2 (ja) | ウェハの表面処理装置 | |
| KR100886603B1 (ko) | 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법 | |
| JPH11333677A (ja) | 基板の研磨装置 | |
| JP4122800B2 (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
| KR100481553B1 (ko) | 평탄화 장치 | |
| JP2008091665A (ja) | Ｃｍｐ装置 | |
| JPH11300625A (ja) | カップ型砥石及び研磨装置及び被研磨基板の研磨方法 | |
| US20060154572A1 (en) | High-pressure polishing apparatus and method | |
| JP2005117070A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11320424A (ja) | 基板研磨用砥石及び研磨装置 | |
| JP2004327577A (ja) | 半導体ウェハ研磨機 | |
| JP2002370159A (ja) | ポリッシング装置 | |
| JP2011224698A (ja) | 研磨パッドの溝形成方法 | |
| JP2005040916A (ja) | ポリッシング方法 | |
| JPH0825194A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法および研磨装置 | |
| JPH10109263A (ja) | 化学的機械研磨方法及び化学的機械研磨装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071003 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091013 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091020 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100303 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100506 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100519 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4524643 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |