JP4521607B2 - External cathode electrode type sputtering system - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタ装置、より具体的にはカソード電極が真空槽の外壁に取り付けられた、いわゆるエクスターナル・カソード電極搭載型スパッタ装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のエクスターナル・カソード電極搭載型スパッタ装置の概略構造を図１に示す。この図において、カソード電極（１）が真空槽壁（６）の一面に取り付けられ、その対面側には、基板（７）及びこれを保持する基板ホルダー（８）が設置されている。通常、カソード電極（１）は、内から順にターゲット（蒸着材料源）（２）、銅板（１２）及びバッキングプレート（３）を重ねたものから成る。又、マグネトロンカソード電極の場合には、さらにバッキングプレート（３）の背面にマグネット（４）が設けられている。カソード電極（１）には、所定のマイナス高電位が印加されるようになっており、又基板ホルダー（８）は接地されている。スパッタ装置を使用する際は、真空槽（５）の内部が所定の真空度となるよう、メインバルブ（９）を介してメインポンプ（１０）によりその内部が減圧（真空引き）される。尚、真空度は真空ゲージ（例えば、電離真空計）を用いて計測され、監視される。
【０００３】
カソード電極にマイナスの高電位が印加されると、所定の材料からなるターゲット（蒸着材料源）がイオン衝撃にさらされるため、ターゲット表面からターゲット材料の原子又は分子が真空槽内の低圧気体中に飛散して、これらは基板ホルダー（８）上の基板（７）に付着する。こうして、基板上にターゲット材料から成る薄膜を形成する（成膜する）ことが可能となる。基板ホルダーは、成膜の目的によって固定、回転、自公転又は搬送動作が可能となるよう作製されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のエクスターナル・カソード電極搭載型スパッタ装置では、真空槽の外部の気圧（即ち、大気圧）と真空槽の内部の気圧の差に相当する大きな荷重（約１kg/cm2）がカソード電極自体にかかる。このため、大きなカソード電極を必要とする場合、必然的にカソード電極本体の構造を強化したり、カソード電極を構成するバッキングプレートの板厚を厚くせねばならなかった。これは、重量の増大を招くと共に、取り扱いが不便となる等の問題を生じた。又、マグネトロンカソード電極を用いる場合には、バッキングプレートの板厚を増加させるとターゲット付近の磁場強度が減少するため、所定の磁場強度を得ようとするとマグネットを大きくするか、極めて強磁力のマグネットを用いざるを得ず、スペースの確保、コスト等に関する更なる問題が生じた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、従来のエクスターナル・カソード電極搭載型スパッタ装置における上述したような問題点に鑑みなされたものであり、その目的は大型のカソード電極でも容易に取り付けることが可能なスパッタ装置の構造を提供することにある。
【０００６】
本発明の改良されたスパッタ装置は、カソード電極取り付け面を外気から遮断するようカソード電極の背後に設けられた気密スペースを備え、この気密スペース内を所定の真空度に減圧する構造を備えている。そして、気密スペース内の気圧は、真空槽外部の気圧（大気圧）と真空槽内部の気圧の中間の適当な値に設定される。気密スペースは、カソード電極が取り付けられた気密性の筐体を真空槽壁の一面に取り付けるようにする。あるいは、真空槽外壁の基板ホルダー側に対向する面の一部を矩形状にくぼませた上で、その凹部内にカソード電極を取り付け、この凹部の開口部を外から気密性のふたで閉じるようにしても良い。
【０００７】
【発明の実施の形態】
基本的な考え方
図２は、従来技術のエクスターナル・カソード電極搭載型スパッタ装置の基本構造及び本発明による改良型の同スパッタ装置の基本構造を、それぞれ（ａ）及び（ｂ）において概念的に示す図である。図２に示されるように、従来の構造においては、真空槽（５）の内部の気圧Ｐ1 は、真空槽の外部の気圧（即ち、大気圧）Ｐ2 に比較して極めて低い（Ｐ1＜＜Ｐ2）ため、カソード電極（１）に過大な荷重がかかってしまうことになる。これを回避するために、本発明では図２の（ｂ）に示されるように、カソード電極（１）の背後に気密室（１４）を設け、この気密室内部の気圧を、真空槽内気圧Ｐ1 と大気圧Ｐ2 の間の適当な気圧Ｐ3（Ｐ1＜Ｐ3＜Ｐ2）に設定するよう気密室を（真空槽とは独立に）減圧するようにする。こうすれば、真空槽内と気密室内の間の気圧差を小さくすることができるため、カソード電極（１）に加わる荷重を軽減することが可能となる。
【０００８】
装置の構成
図３に、本発明の一実施例としての改良版エクスターナル・カソード電極搭載型スパッタ装置の概略構造を示す。カソード電極（１）、真空槽（５）、基板（７）、基板ホルダー（８）、メインバルブ（９）、メインポンプ（１０）及び真空ゲージ（１１）などの構成要素は従来技術の装置と同じである。従来技術の装置と相違する点は、カソード電極の背後に気密室（１４）を設けたこと、ならびにこの気密室内を真空槽とは独立に真空引きするための幾つかのバルブ（１７、１８、１９、２０）、ロータリーポンプ（２１）及び第２の真空ゲージ（２２）を追加したことにある。
【０００９】
図４は、カソード電極が取り付けられた気密室（１４）を含む部分の拡大図である。図４（ａ）は、カソード電極の背後に気密室を設ける仕方の一実施態様を示すものであり、この実施態様では、カソード電極が取り付けられた開口を有する本体及びこの本体の開口を気密的に閉じる気密プレート（１６）から構成される単体の筐体が、真空槽壁（６）に（図５の（ａ）のようにして）取り付けられる構造となっている。図４（ｂ）は、別の実施態様を示すものであり、この態様では真空槽外壁（６）の（基板ホルダー設置面に対向する）面の一部を矩形状にくぼませて、この凹部の奥にカソード電極を取り付けて凹部の開口を気密プレート（１６）でふさぐ構造となっている（図５（ｂ）を参照）。尚、気密室の気密性を確保するため、気密プレートの内側にはパッキン（２３）が取り付けられている。
【００１０】
真空引きの操作
図６は、本発明の（カソード電極の背後に気密室を設けた）改良型スパッタ装置の真空槽内及び気密室内を減圧（真空引き）するための手順、即ち、真空槽内部及び気密室内部を大気圧からそれぞれ所定の真空度の気圧へと真空引きするための一連のバルブ操作をフローチャートにて示したものである。
【００１１】
まず、メインポンプ（１０）は、装置の立ち上げ以後、常に“オン”（排気可能）の状態にあるものとし、また各バルブは初期状態で全て閉じられているものとする。最初のステップ５０でロータリーポンプ（２１）を“オン”にする。ついで、ラフバルブ（１９）、排気バルブ（１７）及び圧力調整バルブ（１８）が同時に“開”とされる（ステップ５１）。これにより真空槽（５）と気密室（１４）が圧力調整バルブ（１８）を通して互いに連結されると共に、真空槽及び気密室の双方がそれぞれバルブ（１７、１９）を介してロータリーポンプ（２１）により双方の空間の空気圧が４０Ｐａ程度になるまで真空引きされる。気圧が約４０Ｐａとなったところで、圧力調整バルブ（１８）を“開”状態にしたまま排気バルブ（１７）及びラフバルブ（１９）を“閉”にすると共に、メインバルブ（９）を“開”にする（ステップ５３）。こうして、メインポンプ（１０）により、真空槽内部および気密室内部双方の気圧が１×１０-2Ｐａになるまで双方の空間がさらに真空引きされる。１×１０-2Ｐａの気圧に達すると、圧力調整バルブ（１８）のみを“閉”とする（他のバルブの開閉状態はそのまま維持）（ステップ５５）。このため真空槽空間と気密室空間の間の連結が切り離されて、最後に真空槽内のみが１×１０-4Ｐａの高真空度に達するまでに真空引きされて一連の真空引き操作が完了する。こうして、真空槽内気圧は１×１０-4Ｐａとなり、一方気密室内気圧は１×１０-2Ｐａに留まる。
【００１２】
以上とは逆に、一旦真空引きされた真空槽内及び気密室内のそれぞれの気圧を大気圧に戻す場合のバルブの操作手順のフローチャートを図７に示す。最初のステップ６０で圧力調整バルブ（１８）を“開”にし、メインバルブ（９）、排気バルブ（７）及びラフバルブ（１９）を“閉”にする。ついで、ベントバルブ（２０）を“開”にし（ステップ６１）、真空槽（５）および気密室（１４）に大気を導入する。双方の空間内の気圧が大気圧に達したところでベントバルブを“閉”にして一連のバルブ操作が完了する。
【００１３】
尚、上記実施例では、気密室（１４）の空間を排気するのにロータリーポンプ（２１）を用いたが、その代わりにメインポンプ（１０）を用いて排気できるようシステムを変更することも可能である。
【００１４】
【発明の効果】
本発明のスパッタ装置には、カソード電極の背後に、真空槽及び外気から遮断された気密性のスペース（気密室）を設け、そのスペースを排気できる機構を備えているので、カソード電極自体にかかる（気圧差に起因する）荷重を大幅に低減できる。そのため、カソード電極自体の強度を必要以上に高めないで済み、構造も簡単になる。又バッキングプレートの厚みも必要以上に厚くしないで済むため、（マグネトロンスパッタリング方式を採用する場合）マグネットの所定の磁場強度を無理なく得ることが可能となる、という顕著な作用効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のエクスターナル・カソード電極搭載型スパッタ装置の概略構造を示す図である。
【図２】従来技術との比較において、本発明の改良点を概念的に示す図である。
【図３】本発明に従うエクスターナル・カソード電極搭載型スパッタ装置の概略構造を示す図である。
【図４】本発明のスパッタ装置においてカソード電極背後に設けられる気密室の構造についての２つの実施態様を表わす拡大図である。
【図５】図４に示す２つの実施態様の構造にそれぞれ対応する部材の取り付け方を概念的に示す図である。
【図６】本発明のスパッタ装置の真空槽及び気密室の内部を真空引きするためのポンプ及びバルブの一連の操作を示すフローチャートである。
【図７】本発明のスパッタ装置の一旦真空引きされた真空槽内及び気密室内の気圧をもとの大気圧に戻すためのポンプ及びバルブの一連の操作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１ カソード電極
２ ターゲット
３ バッキングプレート
４ マグネット
５ 真空槽
６ 真空槽壁
７ 基板
８ 基板ホルダー
９ メインバルブ
１０ メインポンプ
１１ 真空ゲージ
１２ 銅板
１３ アースシールド
１４ 気密室（気密スペース）
１５ 気密室壁
１６ 気密プレート
１７ 排気バルブ
１８ 圧力調整バルブ
１９ ラフバルブ
２０ ベントバルブ
２１ ロータリーポンプ
２２ 真空ゲージ２
２３ パッキン[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an improvement of a sputtering apparatus, more specifically, a so-called external cathode electrode mounting type sputtering apparatus in which a cathode electrode is attached to an outer wall of a vacuum chamber.
[0002]
[Prior art]
A schematic structure of a conventional external / cathode electrode-mounted sputtering apparatus is shown in FIG. In this figure, a cathode electrode (1) is attached to one surface of a vacuum chamber wall (6), and a substrate (7) and a substrate holder (8) for holding it are installed on the opposite side. Usually, the cathode electrode (1) is formed by stacking a target (deposition material source) (2), a copper plate (12), and a backing plate (3) in order from the inside. In the case of a magnetron cathode electrode, a magnet (4) is further provided on the back surface of the backing plate (3). A predetermined negative high potential is applied to the cathode electrode (1), and the substrate holder (8) is grounded. When the sputtering apparatus is used, the inside of the vacuum chamber (5) is depressurized (evacuated) by the main pump (10) through the main valve (9) so that a predetermined degree of vacuum is obtained. The degree of vacuum is measured and monitored using a vacuum gauge (for example, an ionization vacuum gauge).
[0003]
When a negative high potential is applied to the cathode electrode, the target made of a predetermined material (deposition material source) is exposed to ion bombardment, so that atoms or molecules of the target material from the target surface enter the low-pressure gas in the vacuum chamber. These scatter and adhere to the substrate (7) on the substrate holder (8). Thus, a thin film made of the target material can be formed (deposited) on the substrate. The substrate holder is manufactured so that it can be fixed, rotated, rotated and revolved, or transported depending on the purpose of film formation.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional sputtering apparatus with an external cathode electrode, a large load (about 1 kg / cm 2 ) corresponding to the difference between the atmospheric pressure outside the vacuum chamber (ie, atmospheric pressure) and the atmospheric pressure inside the vacuum chamber is applied to the cathode electrode itself. Take it. For this reason, when a large cathode electrode is required, the structure of the cathode electrode body must be strengthened, or the thickness of the backing plate constituting the cathode electrode has to be increased. This causes problems such as an increase in weight and inconvenience in handling. In addition, when using a magnetron cathode electrode, increasing the backing plate thickness decreases the magnetic field strength near the target. Therefore, when trying to obtain a predetermined magnetic field strength, the magnet is enlarged or an extremely strong magnet. However, there were further problems related to securing space and costs.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has been made in view of the above-described problems in the conventional external / cathode electrode mounting type sputtering apparatus, and an object of the present invention is to provide a structure of a sputtering apparatus that can be easily attached even to a large cathode electrode. There is to do.
[0006]
The improved sputtering apparatus of the present invention includes an airtight space provided behind the cathode electrode so as to block the cathode electrode mounting surface from the outside air, and has a structure for reducing the pressure in the airtight space to a predetermined degree of vacuum. . The atmospheric pressure in the hermetic space is set to an appropriate value between the atmospheric pressure outside the vacuum chamber (atmospheric pressure) and the atmospheric pressure inside the vacuum chamber. In the airtight space, an airtight casing to which the cathode electrode is attached is attached to one surface of the vacuum chamber wall. Alternatively, a part of the surface facing the substrate holder side of the outer wall of the vacuum chamber is recessed in a rectangular shape, a cathode electrode is attached in the recess, and the opening of the recess is closed with an airtight lid from the outside. Anyway.
[0007]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
2. Basic concept FIG. 2 shows the basic structure of a prior art external cathode electrode-mounted sputtering apparatus and the basic structure of the improved sputtering apparatus according to the present invention in (a) and (b), respectively. It is a figure shown notionally. As shown in FIG. 2, in the conventional structure, the pressure P 1 inside the vacuum chamber (5) is extremely low (P 1 ) compared to the pressure (ie, atmospheric pressure) P 2 outside the vacuum chamber. << P 2 ) Therefore, an excessive load is applied to the cathode electrode (1). In order to avoid this, in the present invention, as shown in FIG. 2 (b), an airtight chamber (14) is provided behind the cathode electrode (1), and the air pressure in the airtight chamber is set to the pressure in the vacuum chamber. The hermetic chamber is depressurized (independent of the vacuum chamber) so as to set an appropriate pressure P 3 (P 1 <P 3 <P 2 ) between P 1 and the atmospheric pressure P 2 . By so doing, the pressure difference between the vacuum chamber and the hermetic chamber can be reduced, so the load applied to the cathode electrode (1) can be reduced.
[0008]
Configuration of apparatus Fig. 3 shows a schematic structure of a modified external cathode / cathode electrode-mounted sputtering apparatus as an embodiment of the present invention. Components such as the cathode electrode (1), the vacuum chamber (5), the substrate (7), the substrate holder (8), the main valve (9), the main pump (10) and the vacuum gauge (11) The same. The difference from the prior art apparatus is that an airtight chamber (14) is provided behind the cathode electrode, and several valves (17, 18,...) For evacuating the airtight chamber independently of the vacuum chamber. 19, 20), a rotary pump (21) and a second vacuum gauge (22).
[0009]
FIG. 4 is an enlarged view of a portion including an airtight chamber (14) to which a cathode electrode is attached. FIG. 4 (a) shows an embodiment of providing an airtight chamber behind the cathode electrode. In this embodiment, the body having an opening to which the cathode electrode is attached and the opening of the body are hermetically sealed. A single casing composed of an airtight plate (16) that is closed to the vacuum chamber is attached to the vacuum chamber wall (6) (as shown in FIG. 5A). FIG. 4B shows another embodiment. In this embodiment, a part of the surface (opposite to the substrate holder installation surface) of the vacuum chamber outer wall (6) is recessed in a rectangular shape, and this recess is formed. A cathode electrode is attached to the back of the substrate, and the opening of the recess is closed with an airtight plate (16) (see FIG. 5B). In addition, in order to ensure the airtightness of an airtight chamber, the packing (23) is attached inside the airtight plate.
[0010]
Vacuuming operation <br/> Figure 6, the procedure for (cathode airtight chamber is provided behind the electrodes) within the vacuum chamber of the improved sputtering apparatus and decompressing the airtight chamber (vacuum) of the present invention, i.e. FIG. 4 is a flowchart showing a series of valve operations for evacuating the inside of the vacuum chamber and the inside of the airtight chamber from atmospheric pressure to atmospheric pressure having a predetermined degree of vacuum.
[0011]
First, it is assumed that the main pump (10) is always in the “on” (exhaustable) state after the start-up of the apparatus, and all the valves are closed in the initial state. In the first step 50, the rotary pump (21) is turned on. Next, the rough valve (19), the exhaust valve (17) and the pressure adjusting valve (18) are simultaneously opened (step 51). As a result, the vacuum chamber (5) and the hermetic chamber (14) are connected to each other through the pressure adjusting valve (18), and both the vacuum chamber and the hermetic chamber are connected to the rotary pump (21) via the valves (17, 19), respectively. Thus, vacuuming is performed until the air pressure in both spaces reaches about 40 Pa. When the atmospheric pressure reaches about 40 Pa, the exhaust valve (17) and the rough valve (19) are closed while the pressure adjustment valve (18) is in the open state, and the main valve (9) is opened. (Step 53). In this way, both spaces are further evacuated by the main pump (10) until the air pressure inside the vacuum chamber and inside the hermetic chamber reaches 1 × 10 −2 Pa. When the air pressure reaches 1 × 10 −2 Pa, only the pressure regulating valve (18) is closed (the other valves are kept open / closed) (step 55). For this reason, the connection between the vacuum chamber space and the airtight chamber space is disconnected, and finally the vacuum chamber is evacuated until a high vacuum level of 1 × 10 −4 Pa is reached, and a series of vacuuming operations is completed. To do. Thus, the pressure in the vacuum chamber is 1 × 10 −4 Pa, while the pressure in the airtight chamber remains at 1 × 10 −2 Pa.
[0012]
Contrary to the above, FIG. 7 shows a flowchart of the operation procedure of the valve in the case where the respective atmospheric pressures in the vacuum chamber and the airtight chamber once evacuated are returned to the atmospheric pressure. In the first step 60, the pressure regulating valve (18) is opened, and the main valve (9), the exhaust valve (7) and the rough valve (19) are closed. Next, the vent valve (20) is opened (step 61), and the atmosphere is introduced into the vacuum chamber (5) and the hermetic chamber (14). When the air pressure in both spaces reaches atmospheric pressure, the vent valve is closed and the series of valve operations is completed.
[0013]
In the above embodiment, the rotary pump (21) is used to exhaust the space of the hermetic chamber (14), but the system can be changed so that the main pump (10) can be used instead. It is.
[0014]
【The invention's effect】
The sputtering apparatus of the present invention is provided with an airtight space (airtight chamber) that is shielded from the vacuum chamber and outside air behind the cathode electrode, and is equipped with a mechanism that can exhaust the space. The load (due to the pressure difference) can be greatly reduced. Therefore, the strength of the cathode electrode itself need not be increased more than necessary, and the structure is simplified. Further, since the thickness of the backing plate does not need to be increased more than necessary, a remarkable effect is obtained that a predetermined magnetic field strength of the magnet can be obtained without difficulty (when the magnetron sputtering method is employed).
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a schematic structure of a conventional external / cathode electrode mounted sputtering apparatus.
FIG. 2 is a diagram conceptually showing an improvement of the present invention in comparison with the prior art.
FIG. 3 is a view showing a schematic structure of a sputtering apparatus equipped with an external cathode electrode according to the present invention.
FIGS. 4A and 4B are enlarged views showing two embodiments of the structure of an airtight chamber provided behind the cathode electrode in the sputtering apparatus of the present invention. FIGS.
5 is a diagram conceptually showing how to attach members respectively corresponding to the structures of the two embodiments shown in FIG. 4;
FIG. 6 is a flowchart showing a series of operations of a pump and a valve for evacuating the inside of the vacuum chamber and the hermetic chamber of the sputtering apparatus of the present invention.
FIG. 7 is a flowchart showing a series of operations of a pump and a valve for returning the atmospheric pressure in the vacuum chamber and the airtight chamber once evacuated by the sputtering apparatus of the present invention to the original atmospheric pressure.
[Explanation of symbols]
1 Cathode electrode 2 Target 3 Backing plate 4 Magnet 5 Vacuum chamber 6 Vacuum chamber wall 7 Substrate 8 Substrate holder 9 Main valve 10 Main pump 11 Vacuum gauge 12 Copper plate 13 Earth shield 14 Airtight chamber (airtight space)
15 Airtight chamber wall 16 Airtight plate 17 Exhaust valve 18 Pressure adjustment valve 19 Rough valve 20 Vent valve 21 Rotary pump 22 Vacuum gauge 2
23 Packing

Claims (4)

真空槽（５）、該真空槽の壁面の一部に設けられた気密室（１４）、該真空槽と該気密室の境界に設置されたカソード電極（１）、該気密室（１４）内に配置されたマグネット（４）、該真空槽とメインポンプ（１０）の間に接続されたメインバルブ（９）、及び該気密室と該真空槽の間に接続された圧力調整バルブ（１８）からなるスパッタ装置を操作する方法であって、A vacuum chamber (5), an airtight chamber (14) provided in a part of the wall surface of the vacuum chamber, a cathode electrode (1) installed at the boundary between the vacuum chamber and the airtight chamber, and the airtight chamber (14) A magnet (4) disposed in the main chamber (9) connected between the vacuum chamber and the main pump (10), and a pressure adjusting valve (18) connected between the hermetic chamber and the vacuum chamber. A method of operating a sputtering apparatus comprising:
前記真空槽を減圧する段階が、Depressurizing the vacuum chamber comprises:
前記メインバルブ及び前記圧力調整バルブを開状態として、前記メインポンプによって、第１の圧力となっていた前記気密室及び前記真空槽を該第１の圧力よりも低い第２の圧力まで真空引きするステップ（５３）、及びThe main valve and the pressure adjustment valve are opened, and the main pump evacuates the hermetic chamber and the vacuum chamber, which have been at the first pressure, to a second pressure lower than the first pressure. Step (53), and
前記圧力調整バルブを閉状態として、前記メインポンプによって、前記真空槽を前記第２の圧力よりも低い第３の圧力まで真空引きするステップ（５５）A step (55) of evacuating the vacuum chamber to a third pressure lower than the second pressure by the main pump with the pressure regulating valve closed;
からなる方法。A method consisting of: 真空槽（５）、該真空槽の壁面の一部に設けられた気密室（１４）、該真空槽と該気密室の境界に設置されたカソード電極（１）、該気密室（１４）内に配置されたマグネット（４）、該真空槽とメインポンプ（１０）の間に接続されたメインバルブ（９）、該気密室とロータリーポンプの間に接続された第１のバルブ（１７）、該気密室と該真空槽の間に接続された圧力調整バルブ（１８）、及び該真空槽と該ロータリーポンプの間に接続された第２のバルブ（１９）からなるスパッタ装置を操作する方法であって、A vacuum chamber (5), a hermetic chamber (14) provided in a part of the wall surface of the vacuum chamber, a cathode electrode (1) installed at a boundary between the vacuum chamber and the hermetic chamber, and the inside of the hermetic chamber (14) A magnet (4) disposed in the main chamber (9) connected between the vacuum chamber and the main pump (10), a first valve (17) connected between the hermetic chamber and the rotary pump, By operating a sputtering apparatus comprising a pressure regulating valve (18) connected between the hermetic chamber and the vacuum chamber, and a second valve (19) connected between the vacuum chamber and the rotary pump. There,
前記真空槽を減圧する段階が、Depressurizing the vacuum chamber comprises:
前記第１のバルブ、前記圧力調整バルブ及び前記第２のバルブを開状態として、該ロータリーポンプによって、該気密室及び該真空槽を第１の圧力まで真空引きするステップ（５１）、Opening the first valve, the pressure regulating valve and the second valve, and evacuating the hermetic chamber and the vacuum chamber to the first pressure by the rotary pump (51);
前記第１のバルブ及び前記第２のバルブを閉状態として、前記メインバルブ及び前記圧力調整バルブを開状態として、前記メインポンプによって、前記気密室及び前記真空槽を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力まで真空引きするステップ（５３）、及びThe first valve and the second valve are closed, the main valve and the pressure adjustment valve are opened, and the airtight chamber and the vacuum chamber are lower than the first pressure by the main pump. Evacuating to a second pressure (53), and
前記第１のバルブ、前記第３のバルブ及び前記圧力調整バルブを閉状態として、前記メインポンプによって、前記真空槽を前記第２の圧力よりも低い第３の圧力まで真空引きするステップ（５５）A step (55) of closing the first valve, the third valve and the pressure regulating valve and evacuating the vacuum chamber to a third pressure lower than the second pressure by the main pump;
からなり、Consists of
前記真空槽を大気圧に戻す段階が、Returning the vacuum chamber to atmospheric pressure,
前記メインバルブ、前記第１のバルブ及び前記第２のバルブを閉状態として、前記圧力調整バルブを開状態とするステップ（６０）、及びClosing the main valve, the first valve and the second valve and opening the pressure regulating valve (60);
前記真空槽に大気を導入するステップ（６１）Introducing air into the vacuum chamber (61);
からなる方法。A method consisting of: 真空槽（５）、該真空槽の壁面の一部に設けられた気密室（１４）、該真空槽と該気密室の境界に設置されたカソード電極（１）、及び該気密室（１４）内に配置されたマグネット（４）、からなるスパッタ装置であって、Vacuum chamber (5), hermetic chamber (14) provided in a part of the wall of the vacuum chamber, cathode electrode (1) installed at the boundary between the vacuum chamber and the hermetic chamber, and the hermetic chamber (14) A sputtering device comprising a magnet (4) disposed in the inside,
該真空槽と高真空引き用のメインポンプ（１０）の間に接続されたメインバルブ（９）、A main valve (9) connected between the vacuum chamber and a main pump (10) for high vacuum,
前記気密室と低真空引き用のロータリーポンプ（２１）の間に接続された第１のバルブ（１７）、A first valve (17) connected between the hermetic chamber and a rotary pump (21) for vacuuming;
前記気密室と前記真空槽の間に接続された圧力調整バルブ（１８）、及びA pressure regulating valve (18) connected between the hermetic chamber and the vacuum chamber; and
前記真空槽とロータリーポンプの間に接続された第２のバルブ（１９）Second valve (19) connected between the vacuum chamber and the rotary pump
を備えたスパッタ装置。Sputtering device equipped with. 請求項３のスパッタ装置において、The sputtering apparatus of claim 3,
前記真空槽の減圧する場合に、When depressurizing the vacuum chamber,
前記第１のバルブ（１７）、前記圧力調整バルブ（１８）及び前記第２のバルブ（１９）を開状態として、前記ロータリーポンプによって、前記気密室及び前記真空槽が第１の圧力まで真空引きされ、The first valve (17), the pressure adjustment valve (18), and the second valve (19) are opened, and the airtight chamber and the vacuum chamber are evacuated to the first pressure by the rotary pump. And
前記第１のバルブ及び前記第２のバルブを閉状態として、前記メインバルブ及び前記圧力調整バルブを開状態として、前記メインポンプによって、前記気密室及び前記真空槽が前記第１の圧力よりも低い第２の圧力まで真空引きされ、The first valve and the second valve are closed, the main valve and the pressure regulating valve are opened, and the airtight chamber and the vacuum chamber are lower than the first pressure by the main pump. Evacuated to a second pressure,
前記第１のバルブ、前記第２のバルブ及び前記圧力調整バルブを閉状態として、前記メインポンプによって、前記真空槽が前記第２の圧力よりも低い第３の圧力まで真空引きされるように構成され、The first valve, the second valve, and the pressure regulating valve are closed, and the vacuum pump is evacuated to a third pressure lower than the second pressure by the main pump. And
前記真空槽を大気圧に戻す場合に、When returning the vacuum chamber to atmospheric pressure,
前記メインバルブ、前記第１のバルブ及び前記第２のバルブを閉状態として前記圧力調整バルブを開状態とした後に、前記真空槽に大気が導入されるように構成されたスパッタ装置。A sputtering apparatus configured to introduce air into the vacuum chamber after the main valve, the first valve, and the second valve are closed and the pressure adjusting valve is opened.
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