JP4517954B2

JP4517954B2 - Initializing method of optical recording medium

Info

Publication number: JP4517954B2
Application number: JP2005185076A
Authority: JP
Inventors: 輝之太田; 渡辺　　誠
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2005-06-24
Filing date: 2005-06-24
Publication date: 2010-08-04
Anticipated expiration: 2025-06-24
Also published as: JP2007004918A

Description

この発明は、光記録媒体の初期化方法に関し、例えば、相変化情報記録層を複数備え、レーザ光の照射により情報の記録および再生を行う多層光ディスクの初期化方法に関する。 This invention relates to a method for initializing an optical recording medium, for example, a plurality of phase-change information recording layer, about initializing method for a multilayer optical disc for recording and reproducing information by irradiation of laser beam.

近年、光ディスクは、より多くの情報を記録可能とするために、記録密度の高密度化が進められている。光ディスクは、基板上に例えば記録層や誘電体層等が積層された積層膜が形成されてなる。情報の信号の読み出し又は書き込みは、積層膜からなる記録層にレーザ光を照射することによって、行われる。 In recent years, in order to record more information on optical discs, the recording density has been increased. An optical disk is formed by forming a laminated film in which, for example, a recording layer, a dielectric layer, and the like are laminated on a substrate. Reading or writing of an information signal is performed by irradiating a recording layer made of a laminated film with laser light.

記録密度の高密度化は、ディスクに集光される光スポット径を、小さくすることによって、行うことができる。光スポット径は、光源の波長（λ）と対物レンズの開口数（ＮＡ:Numerical Aperture）によって制限されており、λ/２ＮＡに比例する。 The recording density can be increased by reducing the diameter of the light spot focused on the disk. The light spot diameter is limited by the wavelength (λ) of the light source and the numerical aperture (NA) of the objective lens, and is proportional to λ / 2NA.

高密度化を達成するためには、レーザ光の短波長化、および対物レンズの高ＮＡ化が必要とされる。波長に関しては、第１世代光ディスクにおける８３０ｎｍから、現在のＤＶＤ（Digital Versatile Disc）では６５０ｎｍまで短波長化されており、また、ＮＡに関しても、第１世代光ディスクでは、およそ０．４５、ＤＶＤでは０．６０と高ＮＡ化が進んでいる。 In order to achieve high density, it is necessary to shorten the wavelength of the laser light and increase the NA of the objective lens. Regarding the wavelength, the wavelength has been shortened from 830 nm in the first generation optical disc to 650 nm in the current DVD (Digital Versatile Disc). Also, the NA is about 0.45 in the first generation optical disc and 0 in the DVD. .60 and NA increase.

さらに、最近では、波長４０５ｎｍの青色レーザを光源として用い、ＮＡを０．８５まで高めた光ディスクシステム（Ｂｌｕ−ｒａｙディスク：登録商標）が実用化されている。 Furthermore, recently, an optical disc system (Blu-ray disc: registered trademark) in which a blue laser having a wavelength of 405 nm is used as a light source and NA is increased to 0.85 has been put into practical use.

他の高密度化の手法としては、記録層を多層化することによって、記録密度を高めた光ディスクが、提案されている。多層光ディスクは、複数の記録層の間に光学的な分離層が形成されている。情報信号の記録再生は、レーザ光の焦点を各々の情報記録層に合わせることによって、行われる。 As another technique for increasing the density, an optical disk has been proposed in which the recording density is increased by multilayering the recording layers. In a multilayer optical disc, an optical separation layer is formed between a plurality of recording layers. Information signals are recorded and reproduced by focusing the laser beam on each information recording layer.

例えば、波長４０５ｎｍ、ＮＡ：０．８５で構成されるＢｌｕ−ｒａｙディスクフォーマットにおいても、２層の記録膜を形成することによって、単層膜の記録容量２５ＧＢの２倍の記録容量５０ＧＢが達成可能となる。 For example, even in a Blu-ray disc format having a wavelength of 405 nm and NA: 0.85, a recording capacity of 50 GB that is twice the recording capacity of 25 GB of a single layer film can be achieved by forming a recording film of two layers. It becomes.

例えば、書き換え型Ｂｌｕ−ｒａｙディスクやＤＶＤ等の光ディスクでは、記録膜に相変化材料が用いられる。相変化材料からなる記録膜では、レーザ光の照射によって、結晶相と非晶質相を可逆的に相変化することで、情報信号の記録および消去が行われる。 For example, in an optical disc such as a rewritable Blu-ray disc or DVD, a phase change material is used for the recording film. In a recording film made of a phase change material, information signals are recorded and erased by reversibly changing the crystal phase and the amorphous phase by laser light irradiation.

記録膜は、例えば、スパッタリング法等によって、形成される。形成直後の記録膜は、非晶質状態である。情報の記録に際しては、記録膜が結晶状態となっている必要があるため、相変化記録膜を非晶質状態から、結晶状態に相変化させるための初期化工程が必要となる。 The recording film is formed by, for example, a sputtering method. The recording film immediately after formation is in an amorphous state. When recording information, since the recording film needs to be in a crystalline state, an initialization process is required to change the phase change recording film from an amorphous state to a crystalline state.

初期化工程は、初期化装置によって行われる。初期化装置は、例えば、光ディスクドライブと同様な機構を備えた装置により行われる。具体的には、例えば、光ディスクを回転させながら、レーザ光を記録膜に照射し、光学ヘッド位置をディスクの半径方向にずらすことによって、光ディスクの全面を初期化する。 The initialization process is performed by an initialization device. The initialization device is performed by a device having a mechanism similar to that of the optical disk drive, for example. Specifically, for example, the entire surface of the optical disk is initialized by irradiating the recording film with laser light while rotating the optical disk and shifting the optical head position in the radial direction of the disk.

初期化の際、レーザ光は、対物レンズを通じて記録膜上に集光される。レーザには、例えば、赤外光のレーザが用いられる。このレーザから出射されるレーザ光のスポット径は、例えば光ディスクの半径方向に、５０μｍ〜１００μｍ、トラック方向に約１μｍに調整される。 During initialization, the laser light is condensed on the recording film through the objective lens. For example, an infrared laser is used as the laser. The spot diameter of the laser beam emitted from this laser is adjusted to, for example, 50 μm to 100 μm in the radial direction of the optical disc and about 1 μm in the track direction.

相変化記録膜は、レーザ光の照射によって、融点近傍まで温度を上昇させ、その後、ゆっくり冷却させることによって、結晶状態に相変化する。この際のレーザ光の焦点は、光学ピックアップを光ディスクの基板方向にスキャンさせ、相変化記録膜からのフォーカスエラー信号を検出することによって、合わされる。ここで、２層光ディスクとは、基板上に、２層の情報記録層が形成された光ディスクをいう。 The phase change recording film changes its phase to a crystalline state by raising the temperature to near the melting point by laser light irradiation and then slowly cooling it. The focus of the laser beam at this time is adjusted by scanning the optical pickup in the direction of the substrate of the optical disc and detecting a focus error signal from the phase change recording film. Here, the two-layer optical disk refers to an optical disk in which two information recording layers are formed on a substrate.

また、２層光ディスクにおいて、レーザ光の入射側に近い方の情報記録層をＬ１層と、遠い情報記録層をＬ０層と規定した場合、Ｌ１層からＬ０層へのレーザ光のかけかえは、例えば、Ｌ０層およびＬ１層それぞれからのフォーカスエラー信号のＳ字カーブを検出することによって、行われる。 In a two-layer optical disc, when the information recording layer closer to the laser beam incident side is defined as the L1 layer and the far information recording layer is defined as the L0 layer, the laser beam can be changed from the L1 layer to the L0 layer. For example, this is performed by detecting the S-curve of the focus error signal from each of the L0 layer and the L1 layer.

例えば、下記特許文献１には、２層光ディスクの初期化方法が記載されている。この初期化方法に用いられる２層光ディスクは、基板側からレーザ光を記録層に対して照射することで、信号の記録および再生を行う。 For example, Patent Document 1 below describes a method for initializing a two-layer optical disc. The two-layer optical disk used in this initialization method records and reproduces signals by irradiating the recording layer with laser light from the substrate side.

この２層光ディスクは、例えば、レーザ光の入射側に近い方の情報記録層（以下、Ｌ１層と適宜称する）がＨｉｇｈｔｏＬｏｗ構成、レーザ光の入射側に遠い方の情報記録層（以下、Ｌ０層と適宜称する）がＬｏｗｔｏＨｉｇｈ構成となるように構成され、Ｌ１層において、Ｌ１層がＬ０層に重ならない領域を有する。 In this two-layer optical disc, for example, the information recording layer closer to the laser beam incident side (hereinafter referred to as the L1 layer as appropriate) has a High to Low configuration, and the information recording layer farther from the laser beam incident side (hereinafter referred to as “L1 layer”). L0 layer is appropriately referred to as a Low to High configuration, and the L1 layer has a region where the L1 layer does not overlap the L0 layer.

例えば、この２層光ディスクのＬ１層は、非晶質状態における、初期化に用いるレーザ光の波長での透過率が約７０％と高いものである。したがって、２層の情報記録層が重なる領域においては、Ｌ０層から行うことで、安定した初期化を実現している。 For example, the L1 layer of this two-layer optical disk has a high transmittance of about 70% at the wavelength of the laser beam used for initialization in an amorphous state. Therefore, in the region where the two information recording layers overlap, stable initialization is realized by performing from the L0 layer.

特開２００１−２３２３６号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2001-23236

２層光ディスクの初期化では、情報記録層がレーザ光の照射方向に２層重なって形成されているため、Ｌ０層の初期化は、Ｌ１層を透過して行う必要がある。例えば、上記特許文献１に記載の光ディスクは、初期化に使用される波長での、Ｌ１層の透過率が、結晶化前で、例えば７０％と高いものであり、２層重なっている領域でも、Ｌ０層の初期化を安定して行うことができる。 In the initialization of the two-layer optical disc, since the information recording layer is formed by overlapping two layers in the laser beam irradiation direction, the initialization of the L0 layer needs to be transmitted through the L1 layer. For example, in the optical disc described in Patent Document 1, the transmittance of the L1 layer at the wavelength used for initialization is as high as 70% before crystallization, for example, even in a region where two layers overlap. , The L0 layer can be initialized stably.

しかしながら、初期化に用いるレーザ光の波長でのＬ１層の透過率が、低いものである場合、２層の情報記録層が重なる領域においては、Ｌ０層から行うと、安定した初期化を実現できない。 However, if the transmittance of the L1 layer at the wavelength of the laser beam used for initialization is low, stable initialization cannot be realized if the L0 layer is used in a region where the two information recording layers overlap. .

例えば、Ｌ１層の透過率が５０％である場合は、Ｌ０層からの反射率は、Ｌ０層単層の場合より、約１／４に減少する。Ｌ０層からの反射率が減少すると、Ｌ０層の初期化の際に、Ｌ０層からのフォーカスエラー信号が極端に小さくなるため、Ｌ０層にフォーカスを合わせることが困難となり、安定して初期化を行うことができない。 For example, when the transmittance of the L1 layer is 50%, the reflectance from the L0 layer is reduced to about ¼ that of the single L0 layer. When the reflectivity from the L0 layer decreases, the focus error signal from the L0 layer becomes extremely small when the L0 layer is initialized, making it difficult to focus on the L0 layer, and stable initialization is performed. I can't do it.

したがって、この発明の目的は、多層の情報記録層が形成された光記録媒体において、安定して初期化できる光記録媒体の初期化方法を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention, a multilayer information recording layer optical recording medium which is formed to provide a initialization method of an optical recording medium capable of stably initialize.

上述した課題を解決するために、この発明は、基板と、基板に形成された２層の情報記録層とを備え、情報記録層が４００ｎｍ〜４１０ｎｍの波長を有するレーザ光を照射することにより非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能である光記録媒体の初期化を、赤外光のレーザ光を用いて行う光記録媒体の初期化方法であって、光記録媒体は情報記録層のレーザ光の入射側に近い方をＬ１層、遠い方をＬ０層とし、Ｌ１層の内周側の半径ｒ１と、Ｌ０層の内周側の半径をｒ０とした場合に、ｒ０＜ｒ１を満たし、Ｌ１層の初期化後、Ｌ０層において、Ｌ０層がＬ１層に重ならない領域で、赤外光のレーザ光によりフォーカスの引き込みを行う光記録媒体の初期化方法である。 In order to solve the above-described problems, the present invention includes a substrate and two information recording layers formed on the substrate, and the information recording layer is irradiated with laser light having a wavelength of 400 nm to 410 nm. Initialization of an optical recording medium that can record and erase information signals by reversibly changing between the crystalline phase and the crystalline phase using an infrared laser beam . In this method, the optical recording medium has an L1 layer closer to the laser beam incident side of the information recording layer, an L0 layer farther away, an inner radius r1 of the L1 layer, and an inner radius of the L0 layer. When the radius is r0, r0 <r1 is satisfied, and after initialization of the L1 layer, in the L0 layer, the L0 layer is an area where the L0 layer does not overlap with the L1 layer, and the optical recording is performed by the laser beam of the infrared light This is a medium initialization method.

この発明は、基板と、基板に形成された少なくとも２以上の情報記録層とを備え、情報記録層が４００ｎｍ〜４１０ｎｍの波長を有するレーザ光を照射することにより非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能である光記録媒体の初期化を、赤外光のレーザ光を用いて行う光記録媒体の初期化方法であって、光記録媒体は情報記録層をレーザ光の入射側に遠い方からＬｎ層（ｎは０以上の整数）とし、Ｌｎ層の内周側の半径をｒｎとした場合に、ｒｎ＜ｒｎ＋１を満たし、Ｌｎ＋１層の初期化後、Ｌｎ層において、Ｌｎ層がＬｎ＋１層に重ならない領域で、赤外光のレーザ光によりフォーカスの引き込みを行う光記録媒体の初期化方法である。
The present invention includes a substrate and at least two or more information recording layers formed on the substrate, and the information recording layer is reversible between an amorphous phase and a crystalline phase by irradiating laser light having a wavelength of 400 nm to 410 nm. A method for initializing an optical recording medium that uses an infrared laser beam to initialize an optical recording medium capable of recording and erasing an information signal by phase change in an optical recording medium. When the information recording layer is an Ln layer (n is an integer of 0 or more) from the side farther from the laser beam incident side, and the radius of the inner peripheral side of the Ln layer is rn, rn <rn + 1 is satisfied, and the Ln + 1 layer This is an optical recording medium initialization method in which, after initialization, the Ln layer is a region where the Ln layer does not overlap the Ln + 1 layer, and the focus is pulled in by infrared laser light.

この発明によれば、多層の情報記録層からなる光ディスクにおいて、安定して初期化できる効果を奏する。 According to the present invention, there is an effect that initialization can be stably performed in an optical disc composed of multiple information recording layers.

以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

この発明の一例として、樹脂材料がディスク状に成形されてなるディスク基板上に相変化記録膜からなる２層の情報記録層が形成され、さらに、その上に形成された光透過層を通して情報信号の記録再生が行われる光記録媒体について説明する。 As an example of the present invention, a two-layer information recording layer made of a phase change recording film is formed on a disk substrate in which a resin material is formed into a disk shape, and an information signal is further transmitted through a light transmission layer formed thereon. An optical recording medium on which recording / reproduction is performed will be described.

図１は、この発明の一実施形態による光記録媒体の一例の構成を概略的に示す。この光記録媒体は、図１に示すように、基板１上に、第０情報記録層（以下、Ｌ０層と適宜称する）２、中間層３、第１情報記録層（以下、Ｌ１層と適宜称する）４、光透過層５を順次積層した構成を有する。 FIG. 1 schematically shows a configuration of an example of an optical recording medium according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, this optical recording medium has a 0th information recording layer (hereinafter referred to as L0 layer) 2, an intermediate layer 3 and a first information recording layer (hereinafter referred to as L1 layer as appropriate) on a substrate 1. 4), and a structure in which the light transmission layer 5 is sequentially laminated.

この光記録媒体は、樹脂材料がディスク状に成形されてなる基板１上に、相変化記録膜からなる２層の情報記録層が形成される。２層の情報記録層は、レーザ光６の入射側に近い方をＬ１層４、遠いほうをＬ０層２と規定される。レーザ光６は、基板１と反対側から光記録媒体に入射される。 In this optical recording medium, two information recording layers made of a phase change recording film are formed on a substrate 1 formed by molding a resin material into a disk shape. The two information recording layers are defined as an L1 layer 4 near the incident side of the laser beam 6 and an L0 layer 2 farther away. The laser beam 6 is incident on the optical recording medium from the side opposite to the substrate 1.

この光記録媒体では、光透過層５側から情報記録層にレーザ光６を照射することで、情報信号の記録および／または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ〜４１０ｎｍの波長を有するレーザ光６を、０．８４〜０．８６の開口数を有する対物レンズ７により、集光し、光透過層５側から、情報信号記録層に照射することで、情報信号の記録および／または再生が行われる。この光記録媒体は、例えば初期化に用いるレーザ光の波長でのＬ１層の透過率が４０％〜６０％である。Ｌ０層の光学設計は、例えばＨｉｇｈｔｏＬｏｗ構成であり、Ｌ１層の光学設計は、例えばＨｉｇｈｔｏＬｏｗ構成である。 In this optical recording medium, information signals are recorded and / or reproduced by irradiating the information recording layer with laser light 6 from the light transmission layer 5 side. For example, the laser beam 6 having a wavelength of 400 nm to 410 nm is condensed by the objective lens 7 having a numerical aperture of 0.84 to 0.86, and irradiated to the information signal recording layer from the light transmission layer 5 side. The information signal is recorded and / or reproduced. In this optical recording medium, for example, the transmittance of the L1 layer at the wavelength of the laser beam used for initialization is 40% to 60%. The optical design of the L0 layer is, for example, a High to Low configuration, and the optical design of the L1 layer is, for example, a High to Low configuration.

図２は、この発明の一実施形態による光記録媒体の一例の構成を概略的に示す。なお、この光記録媒体の特徴を明確に示すため、中間層３および光透過層５を省略して示す。 FIG. 2 schematically shows a configuration of an example of an optical recording medium according to an embodiment of the present invention. In order to clearly show the characteristics of this optical recording medium, the intermediate layer 3 and the light transmission layer 5 are omitted.

図２に示すように、Ｌ０層２において、Ｌ０層２がＬ１層４に重ならない領域を有する。具体的には、Ｌ０層２は、光記録媒体の中心からの距離ｒ０から形成される。Ｌ０層２の内周側は、半径ｒ０の円環形状を形成する。Ｌ１層４は、光記録媒体の中心からの距離ｒ１から形成される。Ｌ１層４の内周側は、半径ｒ１の円環形状を形成する。Ｌ０層２とＬ１層４は、ｒ０＜ｒ１の関係を満たすように構成される。 As shown in FIG. 2, the L0 layer 2 has a region where the L0 layer 2 does not overlap the L1 layer 4. Specifically, the L0 layer 2 is formed from a distance r0 from the center of the optical recording medium. The inner peripheral side of the L0 layer 2 forms an annular shape with a radius r0. The L1 layer 4 is formed from a distance r1 from the center of the optical recording medium. The inner peripheral side of the L1 layer 4 forms an annular shape with a radius r1. The L0 layer 2 and the L1 layer 4 are configured to satisfy the relationship r0 <r1.

この構成によって、Ｌ０層２において、単層でのフォーカスの引き込みが可能となり、安定して初期化を行うことができる。さらには、安定して初期化を行うことができることによって、光記録媒体の品質を保持することができ、製造時のタクトアップ、コストダウンに資する。 With this configuration, in the L0 layer 2, a single layer can be focused and stable initialization can be performed. Furthermore, since the initialization can be performed stably, the quality of the optical recording medium can be maintained, which contributes to a tact increase and a cost reduction during manufacturing.

この光記録媒体は、光透過層５側から情報記録層にレーザ光６を照射することで、情報信号の記録および／または再生が行われるものであり、Ｌ１層４を透過して、Ｌ０層２の初期化を行う場合、Ｌ０層２からのフォーカスエラー信号が極端に小さくなってしまい、Ｌ０層２にフォーカスを合わせることが困難となってしまう。 In this optical recording medium, information signals are recorded and / or reproduced by irradiating the information recording layer with laser light 6 from the light transmitting layer 5 side. The information signal is transmitted through the L1 layer 4 and transmitted through the L0 layer. When the initialization of 2 is performed, the focus error signal from the L0 layer 2 becomes extremely small, and it becomes difficult to focus on the L0 layer 2.

したがって、Ｌ０層２単層でのフォーカスの引き込みを可能とするために、レーザ光の入射側から遠いＬ０層２において、Ｌ０層２がＬ１層４に重ならない領域を有する構成とする。具体的には、Ｌ０層２とＬ１層４は、ｒ０＜ｒ１の関係を満たすように構成される。 Therefore, in order to enable focus pull-in in the L0 layer 2 single layer, the L0 layer 2 far from the laser beam incident side has a region in which the L0 layer 2 does not overlap the L1 layer 4. Specifically, the L0 layer 2 and the L1 layer 4 are configured to satisfy the relationship r0 <r1.

図３は、図１に示す光記録媒体のＸ−Ｙの断面を示す。図３に示すように、この光記録媒体は、基板１、Ｌ０層２、中間層３、Ｌ１層４、光透過層５が順次積層された構成を有する。 3 shows an XY cross section of the optical recording medium shown in FIG. As shown in FIG. 3, this optical recording medium has a configuration in which a substrate 1, an L0 layer 2, an intermediate layer 3, an L1 layer 4, and a light transmission layer 5 are sequentially laminated.

Ｌ０層２は、反射層２ａ、第２の下層誘電体層２ｂ、第１の下層誘電体層２ｃ、記録層２ｄ、第１の上層誘電体層２ｅ、第２の上層誘電体層２ｆが順次積層された構成を有する。Ｌ１層４は、第１の下層誘電体層４ａ、反射層４ｂ、第２の下層誘電体層４ｃ、記録層４ｄ、上層誘電体層４ｅが順次積層された構成を有する。 In the L0 layer 2, the reflective layer 2a, the second lower dielectric layer 2b, the first lower dielectric layer 2c, the recording layer 2d, the first upper dielectric layer 2e, and the second upper dielectric layer 2f are sequentially formed. It has a stacked configuration. The L1 layer 4 has a configuration in which a first lower dielectric layer 4a, a reflective layer 4b, a second lower dielectric layer 4c, a recording layer 4d, and an upper dielectric layer 4e are sequentially stacked.

（基板）
基板１は、中央にセンターホールが形成された円環形状を有する。基板１の厚さは、例えば、１．１ｍｍに選ばれる。基板１の一主面には、情報信号の記録および／または再生を行う際に光学スポットを導くための凹凸部が形成される。この凹凸部の形状としては、スパイラル状、同心円状、ピット列等、各種の形状が挙げられる。この凹凸部を案内として光学スポットを光記録媒体上の任意の位置へと移動できる。 (substrate)
The substrate 1 has an annular shape with a center hole formed in the center. The thickness of the substrate 1 is selected to be 1.1 mm, for example. On one main surface of the substrate 1, an uneven portion for guiding an optical spot when recording and / or reproducing information signals is formed. Examples of the shape of the uneven portion include various shapes such as a spiral shape, a concentric circle shape, and a pit row. The optical spot can be moved to an arbitrary position on the optical recording medium using the uneven portion as a guide.

基板１の材料としては、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂もしくはアクリル系樹脂等の樹脂材料またはガラスを使用できるが、コスト等の点を考慮すると、樹脂材料を使用することが好ましい。樹脂材料としては、例えばゼオネクス、ポリカーボネート（ＰＣ）を用いることができる。 As the material of the substrate 1, a resin material such as a polycarbonate resin, a polyolefin resin, an acrylic resin, or glass can be used, but it is preferable to use a resin material in consideration of cost and the like. As the resin material, for example, ZEONEX or polycarbonate (PC) can be used.

基板１の成形方法は、所望の形状と光学的に十分な基板表面の平滑性が得られる方法であればよく、特に限定されるものではない。例えば、射出成形法（インジェクション法）、紫外線硬化樹脂を使うフォトポリマー（２Ｐ法）法を用いることができる。 The method for forming the substrate 1 is not particularly limited as long as it has a desired shape and optically sufficient substrate surface smoothness. For example, an injection molding method (injection method) or a photopolymer (2P method) method using an ultraviolet curable resin can be used.

（誘電体層）
誘電体層２ｂ〜２ｃ、誘電体層２ｅ〜２ｆおよび誘電体層４ａ、誘電体層４ｃ、誘電体層４ｅの厚さは、好ましくは３ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であり、光学特性および熱特性を考慮して決定される。 (Dielectric layer)
The thicknesses of the dielectric layers 2b to 2c, the dielectric layers 2e to 2f, the dielectric layer 4a, the dielectric layer 4c, and the dielectric layer 4e are preferably in the range of 3 nm to 100 nm, taking optical characteristics and thermal characteristics into consideration To be determined.

誘電体層２ｂ〜２ｃ、誘電体層２ｅ〜２ｆおよび誘電体層４ａ、誘電体層４ｃ、誘電体層４ｅの材料としては、記録再生用レーザの波長に対して吸収能の低い材料が好ましく、具体的には、消衰係数Ｋの値が０．３以下である材料が好ましい。かかる材料としては、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂混合体（好ましくは、モル比４：１）を挙げることができる。ＺｎＳ−ＳｉＯ₂混合体以外にも、従来から光記録媒体の誘電体層の材料として用いられている公知のものを用いることも可能である。 As the material of the dielectric layers 2b to 2c, the dielectric layers 2e to 2f, the dielectric layer 4a, the dielectric layer 4c, and the dielectric layer 4e, a material having a low absorptivity with respect to the wavelength of the recording / reproducing laser is preferable. Specifically, a material having an extinction coefficient K value of 0.3 or less is preferable. Examples of such a material include a ZnS—SiO ₂ mixture (preferably, a molar ratio of 4: 1). In addition to the ZnS—SiO ₂ mixture, a known material conventionally used as a material for the dielectric layer of the optical recording medium can also be used.

例えば、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｂ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｌａ、Ｇｅ等の金属および半金属等の元素の窒化物、酸化物、炭化物、フッ化物、硫化物、窒酸化物、窒炭化物、酸炭化物等およびこれらを主成分と材料を用いることができる。好ましくは、ＡｌＮＸ（０．５≦Ｘ≦１）、ＡｌＮ、Ａｌ₂Ｏ_3-X(０≦Ｘ≦１)、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ_4-X(０≦Ｘ≦１)、Ｓｉ₃Ｎ_4-X、ＳｉＯ_X（１≦Ｘ≦２）、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ₂Ｏ₃、ＭｇＡｌ₂Ｏ₄、ＴｉＯｘ（１≦Ｘ≦２）、ＴｉＯ₂、ＢａＴｉＯ₃、ＳｔＴｉＯ₄、Ｔａ₂Ｏ_5-X（０≦Ｘ≦１）、Ｔａ₂Ｏ₅、ＧｅＯｘ(１≦Ｘ≦２)、ＳｉＣ、ＺｎＳ、ＰｂＳ、Ｇｅ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ−Ｏ、ＣａＦ₂、ＬａＦ、ＭｇＦ₂、ＮａＦ、ＴｈＦ₄等を用いることができる。 For example, nitrides, oxides, carbides, fluorides, sulfides of elements such as metals and metalloids such as Al, Si, Ta, Ti, Zr, Nb, Mg, B, Zn, Pb, Ca, La, and Ge Nitrogen oxides, nitrocarbides, oxycarbides, etc., and their main components and materials can be used. Preferably, AlNX (0.5 ≦ X ≦ 1), AlN, Al ₂ O _3−X (0 ≦ X ≦ 1), Al ₂ O ₃ , Si ₃ N _4−X (0 ≦ X ≦ 1), Si ₃ N _4−X , SiO _x (1 ≦ X ≦ 2), SiO ₂ , SiO, MgO, Y ₂ O ₃ , MgAl ₂ O ₄ , TiOx (1 ≦ X ≦ 2), TiO ₂ , BaTiO ₃ , StTiO ₄ , Ta ₂ O _5-X (0 ≦ X ≦ 1), Ta ₂ O ₅ , GeOx (1 ≦ X ≦ 2), SiC, ZnS, PbS, Ge—N, Ge—N—O, Si—N—O CaF ₂ , LaF, MgF ₂ , NaF, ThF _{4 and the} like can be used.

（記録層）
記録層２ｄ、４ｄの膜厚は、好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲であり、例えば１５ｎｍ程度である。この記録層２ｄ、４ｄの材料としては、レーザ光の照射を受けて可逆的な状態変化を生じる相変化材料、具体的には、非晶質状態と結晶状態の可逆的相変化を生じる相変化材料を使用できる。このような材料としては、例えば、カルコゲン化合物または単体のカルコゲン等を使用できる。カルコゲン化合物としては、例えば、Ｓｂ、Ｔｅの共晶系材料を使用でき、好ましくは、Ｇｅなどの添加元素が添加されたＳｂ、Ｔｅの共晶系材料を使用できる。 (Recording layer)
The film thickness of the recording layers 2d and 4d is preferably in the range of 5 nm to 30 nm, for example, about 15 nm. As the material of the recording layers 2d and 4d, a phase change material that undergoes a reversible state change upon irradiation with laser light, specifically, a phase change that produces a reversible phase change between an amorphous state and a crystalline state. Material can be used. As such a material, for example, a chalcogen compound or a single chalcogen can be used. As the chalcogen compound, for example, an eutectic material of Sb and Te can be used, and preferably, an eutectic material of Sb and Te to which an additive element such as Ge is added can be used.

例示するならば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｐｄ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｂｉ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｏ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｕを含む系、またはこれらの系に窒素、酸素などのガス添加物を導入した系等を挙げることができる。 For example, Ge—Sb—Te, Sb—Te, In—Sb—Te, Ag—In—Sb—Te, Au—In—Sb—Te, Ge—Sb—Te—Pd, Ge—Sb—Te. -A system containing Se, Ge-Sb-Te-Bi, Ge-Sb-Te-Co, Ge-Sb-Te-Au, or a system in which a gas additive such as nitrogen or oxygen is introduced into these systems. be able to.

添加元素を記録層２ｄ、４ｄに添加すると、信頼性などの特性を向上できる一方、信号特性の低下を招いてしまう。この点を考慮すると、記録層２ｄ、４ｄにおける添加元素の量は１０ａｔｍ％以下にすることが好ましい。なお、記録層２ｄ、４ｄを連続する２層以上の異なる層（材料、組成、複素屈折率のいずれかが異なる）で構成してもよい。 When the additive element is added to the recording layers 2d and 4d, characteristics such as reliability can be improved, but signal characteristics are deteriorated. Considering this point, it is preferable that the amount of the additive element in the recording layers 2d and 4d is 10 atm% or less. The recording layers 2d and 4d may be composed of two or more consecutive different layers (different in material, composition, or complex refractive index).

（反射層）
反射層２ａの厚さは、好ましくは５０ｎｍ以上であり、より好ましくは５０ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲であり、例えば１４０ｎｍ程度である。反射層４ｂの厚さは、好ましくは３ｎｍ以上であり、より好ましくは５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であり、例えば１０ｎｍ程度である。 (Reflective layer)
The thickness of the reflective layer 2a is preferably 50 nm or more, more preferably in the range of 50 nm to 250 nm, for example, about 140 nm. The thickness of the reflective layer 4b is preferably 3 nm or more, more preferably in the range of 5 nm to 20 nm, for example, about 10 nm.

反射層２ａ、４ｂの材料としては、例えば金属または半金属を使用できる。反射層２ａ、４ｂの材料は、反射能および熱伝導率を考慮して選ぶことが好ましく、例えば、記録再生用レーザ光の波長に対して反射能を有し、熱伝導率が０．０００４［Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）］〜４．５［Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）］の範囲にある金属元素、半金属元素およびそれらの化合物あるいは混合物である。 As a material of the reflective layers 2a and 4b, for example, a metal or a semimetal can be used. The material of the reflective layers 2a and 4b is preferably selected in consideration of reflectivity and thermal conductivity. For example, it has reflectivity with respect to the wavelength of the recording / reproducing laser beam, and the thermal conductivity is 0.0004 [ J / (cm · K · s)] to 4.5 [J / (cm · K · s)]. Metal elements, metalloid elements and compounds or mixtures thereof.

具体的に例示するならば、反射層２ａ、４ｂの材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｇｅ等の単体、またはこれらを主成分とする合金を挙げることができる。これらのうち、特にＡｌ系、Ａｇ系、Ａｕ系、Ｓｉ系、Ｇｅ系の材料が実用性の面から好ましい。合金としては、例えばＡｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−ＰｄＴｉ、Ｓｉ−Ｂ等が好適に用いられる。 Specifically, as the material of the reflective layers 2a and 4b, Al, Ag, Au, Ni, Cr, Ti, Pd, Co, Si, Ta, W, Mo, Ge, or the like, or these may be used. Mention may be made of alloys containing the main component. Of these, Al-based, Ag-based, Au-based, Si-based, and Ge-based materials are particularly preferable from the viewpoint of practicality. As the alloy, for example, Al—Ti, Al—Cr, Al—Cu, Al—Mg—Si, Ag—Pd—Cu, Ag—PdTi, Si—B and the like are preferably used.

これらの材料のうちから、光学特性および熱特性を考慮して設定することが好ましい。例えば、単波長領域においても高反射率を有する点を考慮すると、Ａｌ系またはＡｇ系材料を用いることが好ましい。一般には反射層２ａの膜厚を光が透過しない程度の厚さ、例えば５０ｎｍ以上に設定すると、反射率を高くすることができ、且つ、熱を逃げやすくできる。反射層４ｂの膜厚を適度な厚さ、例えば１０ｎｍ程度に設定すると、透過率を上げつつ、熱の逃げを確保することができる。 Among these materials, it is preferable to set in consideration of optical characteristics and thermal characteristics. For example, in view of having a high reflectance even in a single wavelength region, it is preferable to use an Al-based material or an Ag-based material. In general, when the thickness of the reflective layer 2a is set to a thickness that does not allow light to pass, for example, 50 nm or more, the reflectance can be increased and heat can be easily escaped. When the thickness of the reflective layer 4b is set to an appropriate thickness, for example, about 10 nm, it is possible to secure heat escape while increasing the transmittance.

また、反射層２ａ、４ｂは単層の構造に限られず、例えば金属または半金属よりなる層（反射層）を２層積層した積層構造とすることも可能であり、さらに、２層以上の多層構造とすることも可能である。これにより光学設計がし易くなり、且つ、熱特性とのバランスも取り易くなる。なお、誘電体層と反射層の間に、ＳｉＮ膜などからなるバリア層を設けてもよい。 In addition, the reflective layers 2a and 4b are not limited to a single layer structure, and may have a laminated structure in which, for example, two layers (reflective layers) made of metal or semimetal are laminated. A structure is also possible. This facilitates optical design and facilitates balance with thermal characteristics. A barrier layer made of a SiN film or the like may be provided between the dielectric layer and the reflective layer.

（光透過層）
光透過層５は、光記録媒体の保護を目的として、形成される。情報信号の記録再生は、例えば、レーザ光が光透過層５を通じて情報信号記録層に集光されることによって、行われる。光透過層５としては、例えば、紫外腺硬化樹脂、紫外線硬化樹脂とポリカーボネートシート、または接着層とポリカーボネートシート用いることができる。光透過層５は、例えば、７５μｍ程度の厚さを有する。 (Light transmission layer)
The light transmission layer 5 is formed for the purpose of protecting the optical recording medium. The recording / reproducing of the information signal is performed, for example, by condensing the laser beam on the information signal recording layer through the light transmission layer 5. As the light transmission layer 5, for example, an ultraviolet gland curable resin, an ultraviolet curable resin and a polycarbonate sheet, or an adhesive layer and a polycarbonate sheet can be used. The light transmission layer 5 has a thickness of about 75 μm, for example.

（製造方法）
この発明の一実施形態による光ディスクの製造方法の一例について説明する。まず、基板１は、例えば射出成形によって成形し、基板１上にＬ０層２が例えば、スパッタリング法によって、形成する。 (Production method)
An example of an optical disk manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described. First, the substrate 1 is formed by, for example, injection molding, and the L0 layer 2 is formed on the substrate 1 by, for example, a sputtering method.

次に、紫外線硬化樹脂をスピンコートによって、基板１上に塗布した後、例えば、樹脂からなるスタンパを重ね、ＵＶランプによって、紫外線を照射し、スタンパを重ねた状態で、塗布した紫外線硬化樹脂を硬化する。これにより、凹凸パターンが一主面に設けられた中間層が形成する。この凹凸パターン上に、例えばスパッタリング法にて、Ｌ１層４を形成する。 Next, after an ultraviolet curable resin is applied onto the substrate 1 by spin coating, for example, a stamper made of resin is stacked, and an ultraviolet ray is irradiated by a UV lamp, and the applied ultraviolet curable resin is applied in a state where the stamper is stacked. Harden. Thereby, the intermediate | middle layer in which the uneven | corrugated pattern was provided in one main surface forms. On this uneven | corrugated pattern, the L1 layer 4 is formed by sputtering method, for example.

光透過層５は、例えば接着層とポリカーボネートシートからなり、Ｌ１層４上に形成する。光透過層５は、例えば基板１を貼り合わせ装置（図示省略）に搬入し、平面円環形状の光透過性シートを、このシートの一主面に予め均一に塗布された感圧性粘着材（ＰＳＡ）を用いて、基板１上の各層が形成された側に貼り合わすことによって、形成する。 The light transmission layer 5 is made of, for example, an adhesive layer and a polycarbonate sheet, and is formed on the L1 layer 4. For example, the light transmission layer 5 carries the substrate 1 into a bonding apparatus (not shown), and a planar annular light transmission sheet is uniformly applied in advance to one main surface of the sheet. PSA) is used for bonding to the side on which the layers on the substrate 1 are formed.

以上の工程により、この発明の一実施形態による光記録媒体が製造される。なお、以上のようにして光記録媒体を製造した後、初期化装置によって、情報記録層の状態を結晶状態にする。 Through the above steps, an optical recording medium according to an embodiment of the present invention is manufactured. Note that after the optical recording medium is manufactured as described above, the state of the information recording layer is changed to a crystalline state by the initialization device.

ここで、上述した光記録媒体の製造に用いられるスパッタリング装置の一例およびこの装置を用いた情報記録層の成膜工程の一例について、より詳細に説明する。このスパッタリング装置は、基板自転可能な枚葉式の静止対向型スパッタリング装置である。 Here, an example of the sputtering apparatus used for manufacturing the optical recording medium described above and an example of the film forming process of the information recording layer using this apparatus will be described in more detail. This sputtering apparatus is a single-wafer type stationary facing sputtering apparatus capable of rotating the substrate.

図４に、光記録媒体を製造するために用いられるスパッタリング装置を示す。図４に示すように、このスパッタリング装置は、成層室となる真空チャンバ２１、この真空チャンバ２１内の真空状態を制御する真空制御部２２、プラズマ放電用ＤＣ高圧電源２３、このプラズマ放電用ＤＣ高圧電源２３と電源ライン２４を通じて接続されているスパッタリングカソード部２５、このスパッタリングカソード部２５と所定の距離を持って対向配置されているパレット２６、およびＡｒなどの不活性ガスや反応ガスといったスパッタガスを真空チャンバ２１内に供給するためのスパッタガス供給部２７を有して構成されている。 FIG. 4 shows a sputtering apparatus used for manufacturing an optical recording medium. As shown in FIG. 4, the sputtering apparatus includes a vacuum chamber 21 serving as a stratification chamber, a vacuum controller 22 that controls the vacuum state in the vacuum chamber 21, a DC high-voltage power source 23 for plasma discharge, and a DC high-voltage for plasma discharge. Sputtering cathode part 25 connected through power supply 23 and power supply line 24, pallet 26 arranged to face this sputtering cathode part 25 with a predetermined distance, and sputtering gas such as inert gas such as Ar or reactive gas, etc. A sputtering gas supply unit 27 for supplying the vacuum chamber 21 is provided.

スパッタリングカソード部２５は、負電極として機能するターゲット２８、このターゲット２８を固着するように構成されたバッキングプレート２９および、このバッキングプレート２９のターゲット２８が固着される面とは反対側の面に設けられた磁石系３０を備える。 The sputtering cathode portion 25 is provided on a target 28 functioning as a negative electrode, a backing plate 29 configured to fix the target 28, and a surface opposite to the surface to which the target 28 is fixed. The magnet system 30 is provided.

また、正電極として機能するパレット２６と、負電極として機能するターゲット２８とから、一対の電極が構成されている。パレット２６上には、スパッタリングカソード部２５と対向するように、被成層体である基板１がディスクベース３３を間にはさんで取り付けられる。この際、内周マスク３１および外周マスク３２とにより、基板１の内周部および外周部が覆われる。 A pair of electrodes is constituted by a pallet 26 that functions as a positive electrode and a target 28 that functions as a negative electrode. On the pallet 26, the substrate 1, which is a layered body, is attached with the disk base 33 interposed therebetween so as to face the sputtering cathode portion 25. At this time, the inner peripheral portion 31 and the outer peripheral mask 32 cover the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the substrate 1.

内周マスク３１は、その大きさを変えることによって、Ｌ０層の内周側の半径ｒ０と、Ｌ１層の内周側の半径ｒ１の大きさを、規定できる。例えば、Ｌ０層を成膜する場合は、半径ｒ０の内周マスクを使用し、Ｌ１層を成膜する場合は、半径ｒ１の内周マスクを使用する。 By changing the size of the inner peripheral mask 31, the size of the radius r0 on the inner peripheral side of the L0 layer and the radius r1 on the inner peripheral side of the L1 layer can be defined. For example, when the L0 layer is formed, an inner peripheral mask with a radius r0 is used, and when the L1 layer is formed, an inner peripheral mask with a radius r1 is used.

また、パレット２６のディスクベース３３が取り付けられる面とは反対側の面に、パレット２６を、基板１の面内方向に回転させ、これによって基板１を自転させるための基板自転駆動部３４が連動可能に設けられている。 In addition, the substrate rotation driving unit 34 for rotating the pallet 26 in the in-plane direction of the substrate 1 on the surface of the pallet 26 opposite to the surface on which the disk base 33 is mounted is interlocked. It is provided as possible.

また、スパッタリング装置２０においては、基板１と、ターゲット２８とは、平面的な位置関係において、基板１の中心と、ターゲット２８の中心とがほぼ一致するように配置される。また、基板１は、基板自転駆動部３４により、その中心の周りで自転させることができるように構成されている。 Further, in the sputtering apparatus 20, the substrate 1 and the target 28 are arranged so that the center of the substrate 1 and the center of the target 28 substantially coincide with each other in a planar positional relationship. Further, the substrate 1 is configured to be able to rotate around its center by the substrate rotation driving unit 34.

以上のようにして、この一実施形態における光記録媒体の製造に用いられるスパッタリング装置２０が構成されている。次に、スパッタリング装置２０を用いた情報記録層の成膜工程について、説明する。なお、以下の製造プロセスにおいて、各層の成層にそれぞれ用いられるスパッタリング装置は同一の構成を有するため、上述したＤＣスパッタリング装置２０におけると同様の符号を用いる。 As described above, the sputtering apparatus 20 used for manufacturing the optical recording medium in this embodiment is configured. Next, the film forming process of the information recording layer using the sputtering apparatus 20 will be described. Note that, in the following manufacturing process, the sputtering apparatus used for the stratification of each layer has the same configuration, and thus the same reference numerals as those in the DC sputtering apparatus 20 described above are used.

（第０情報記録層）
まず、基板１を、例えばＡｇＭ（Ｍ：添加物）からなるターゲット２８が設置された第１のスパッタリング装置２０に対して搬入し、パレット２６に固定する。次に、真空チャンバ２１内が所定の圧力になるまで真空引きする。次に、例えばＡｒガスを真空チャンバ２１内に導入し、スパッタリングを行うことにより、例えばＡｇ系合金からなる反射層２ａを基板１の一主面に形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜３．０×１０⁰Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷｈ (0th information recording layer)
First, the substrate 1 is carried into the first sputtering apparatus 20 provided with a target 28 made of, for example, AgM (M: additive) and fixed to the pallet 26. Next, the vacuum chamber 21 is evacuated until a predetermined pressure is reached. Next, for example, Ar gas is introduced into the vacuum chamber 21 and sputtering is performed to form the reflective layer 2 a made of, for example, an Ag-based alloy on one main surface of the substrate 1.
An example of film forming conditions in this sputtering process is shown below.
Degree of vacuum: 1.0 × 10 ⁻⁵ Pa
Atmosphere: 0.1-3.0 × 10 ⁰ Pa
Input power: 1-3kWh

次に、基板１を、例えばＳｉターゲットが設置された第２のスパッタリング装置２０に搬入し、パレット２６に固定する。そして、真空チャンバ２１内が所定の圧力になるまで真空引きする。次に、例えばＡｒガスおよび窒素を真空チャンバ２１内に導入し、スパッタリングを行うことにより、例えばＳｉＮからなる第２の下層誘電体層２ｂを反射層２ａ上に形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜３．０×１０⁰Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷｈ
窒素ガス量：３０ｓｃｃｍ Next, the substrate 1 is carried into a second sputtering apparatus 20 in which, for example, a Si target is installed, and fixed to the pallet 26. The vacuum chamber 21 is evacuated until a predetermined pressure is reached. Next, Ar gas and nitrogen, for example, are introduced into the vacuum chamber 21, and sputtering is performed to form the second lower dielectric layer 2b made of, for example, SiN on the reflective layer 2a.
An example of film forming conditions in this sputtering process is shown below.
Degree of vacuum: 1.0 × 10 ⁻⁵ Pa
Atmosphere: 0.1-3.0 × 10 ⁰ Pa
Input power: 1-3kWh
Nitrogen gas amount: 30sccm

次に、基板１を、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂混合体からなるターゲット２８が設置された第３のスパッタリング装置２０に搬入し、パレット２６に固定する。次に、真空チャンバ２１内の所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ２１内に、例えばＡｒガスなどの不活性ガスを導入し、スパッタリングを行うことにより、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂混合体からなる第１の下層誘電体層２ｃを第２の下層誘電体層２ｂ上に形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜３．０×１０⁰Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷｈ Next, the substrate 1 is carried into the third sputtering apparatus 20 provided with a target 28 made of, for example, a ZnS—SiO ₂ mixture, and fixed to the pallet 26. Next, evacuation is performed until a predetermined pressure in the vacuum chamber 21 is reached. Thereafter, an inert gas such as Ar gas is introduced into the vacuum chamber 21 and sputtering is performed, whereby the first lower dielectric layer 2c made of, for example, a ZnS—SiO ₂ mixture is changed to the second lower dielectric layer. Formed on layer 2b.
An example of film forming conditions in this sputtering process is shown below.
Degree of vacuum: 1.0 × 10 ⁻⁵ Pa
Atmosphere: 0.1-3.0 × 10 ⁰ Pa
Input power: 1-3kWh

次に、基板１を、例えばＧｅＳｂＴｅ合金からなるターゲット２８が設置された第４のスパッタリング装置２０に搬入し、パレット２６に固定する。次に、真空チャンバ２１内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、例えばＡｒガスなどの不活性ガスを真空チャンバ２１内に導入し、スパッタリングを行うことにより、例えばＧｅＳｂＴｅ系合金からなる記録層２ｄを第１の下層誘電体層２ｃ上に形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜３．０×１０⁰Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷｈ Next, the substrate 1 is carried into the fourth sputtering apparatus 20 provided with a target 28 made of, for example, a GeSbTe alloy, and fixed to the pallet 26. Next, the vacuum chamber 21 is evacuated to a predetermined pressure. Thereafter, an inert gas such as Ar gas is introduced into the vacuum chamber 21 and sputtering is performed to form the recording layer 2d made of, for example, a GeSbTe-based alloy on the first lower dielectric layer 2c.
An example of film forming conditions in this sputtering process is shown below.
Degree of vacuum: 1.0 × 10 ⁻⁵ Pa
Atmosphere: 0.1-3.0 × 10 ⁰ Pa
Input power: 1-3kWh

次に、基板１を、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂混合体からなるターゲット２８が設置された第５のスパッタリング装置２０に搬入し、パレット２６に固定する。次に、真空チャンバ２１内の所定の圧力になるまで真空引きする。その後、例えばＡｒガスなどの不活性ガスを真空チャンバ２１内に導入し、スパッタリングを行うことにより、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂混合体からなる第１の上層誘電体層２ｅを記録層２ｄ上に形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜３．０×１０⁰Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷｈ Next, the substrate 1 is carried into the fifth sputtering apparatus 20 provided with a target 28 made of, for example, a ZnS—SiO ₂ mixture, and fixed to the pallet 26. Next, evacuation is performed until a predetermined pressure in the vacuum chamber 21 is reached. Thereafter, an inert gas such as Ar gas is introduced into the vacuum chamber 21 and sputtering is performed to form a first upper dielectric layer 2e made of, for example, a ZnS—SiO ₂ mixture on the recording layer 2d. .
An example of film forming conditions in this sputtering process is shown below.
Degree of vacuum: 1.0 × 10 ⁻⁵ Pa
Atmosphere: 0.1-3.0 × 10 ⁰ Pa
Input power: 1-3kWh

次に、第１の上層誘電体層２ｅが形成された基板１を、例えばＳｉからなるターゲットが設置された第６のスパッタリング装置に搬入し、パレット２６に固定する。そして、真空チャンバ２１内が所定の圧力になるまで真空引きする。次に、例えばＡｒガスおよび窒素を真空チャンバ２１内に導入し、スパッタリングを行うことにより、基板１の一主面上に、例えばＳｉＮからなる第２の上層誘電体層２ｆを第１の上層誘電体層２ｄ上に形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜３．０×１０⁰Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷｈ
窒素ガス量：３０ｓｃｃｍ Next, the substrate 1 on which the first upper dielectric layer 2 e is formed is carried into a sixth sputtering apparatus in which a target made of, for example, Si is installed, and fixed to the pallet 26. The vacuum chamber 21 is evacuated until a predetermined pressure is reached. Next, Ar gas and nitrogen, for example, are introduced into the vacuum chamber 21, and sputtering is performed, so that the second upper dielectric layer 2f made of, for example, SiN is formed on the first main surface of the substrate 1, for example. Formed on body layer 2d.
An example of film forming conditions in this sputtering process is shown below.
Degree of vacuum: 1.0 × 10 ⁻⁵ Pa
Atmosphere: 0.1-3.0 × 10 ⁰ Pa
Input power: 1-3kWh
Nitrogen gas amount: 30sccm

（第１情報記録層）
基板１の中間層３上にＬ１層４を形成する。これ以外は、Ｌ０層２の形成方法と同様であるので、詳しい説明を省略する。 (First information recording layer)
An L1 layer 4 is formed on the intermediate layer 3 of the substrate 1. Except for this, the method is the same as the method for forming the L0 layer 2, and detailed description thereof will be omitted.

（初期化処理）
次に、この発明の一実施形態による光ディスクの初期化方法を説明する。図５は、初期化処理に用いられる初期化処理装置の一構成例を示す。図５に示すように、この初期化装置は、高出力、大口径のレーザヘッド４２と、光記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ４５と、レーザヘッド４２を光記録媒体１０の径方向に移動させるためのキャリッジ（図示せず）とを備える。 (Initialization process)
Next, an optical disk initialization method according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 shows a configuration example of an initialization processing apparatus used for the initialization processing. As shown in FIG. 5, the initialization apparatus includes a high-power, large-diameter laser head 42, a spindle motor 45 for rotating the optical recording medium 10, and the laser head 42 in the radial direction of the optical recording medium 10. A carriage (not shown) for movement.

レーザヘッド４２は、半導体レーザ４３と、この半導体レーザ４３から出射されるレーザ光を調整して光記録媒体１０上に適切なスポットを形成するための光学レンズ４４ａ、４４ｂとを備える。 The laser head 42 includes a semiconductor laser 43 and optical lenses 44 a and 44 b for adjusting laser light emitted from the semiconductor laser 43 to form appropriate spots on the optical recording medium 10.

上述の構成を有する初期化処理装置を用いた初期化処理の概要について説明する。まず、光記録媒体１０の全面にレーザ光を照射してＬ０層およびＬ１層を結晶化させる。例えば、光記録媒体１０を一定の線速度で回転させながら、光透過層５側の面に対して出力パワー約４Ｗの大口径レーザからレーザ光を出射して約２４０×１μｍのレーザスポット光束を形成するとともに、このレーザスポット光束を半径方向に送り速度２００μｍ／ｆｅｅｄの条件で移動させる。 An overview of initialization processing using the initialization processing apparatus having the above-described configuration will be described. First, the entire surface of the optical recording medium 10 is irradiated with laser light to crystallize the L0 layer and the L1 layer. For example, while rotating the optical recording medium 10 at a constant linear velocity, a laser beam is emitted from a large-diameter laser having an output power of about 4 W to a surface on the light transmission layer 5 side, and a laser spot beam of about 240 × 1 μm is emitted. At the same time, the laser spot beam is moved in the radial direction under the condition of a feed speed of 200 μm / feed.

これにより、レーザ光は、光記録媒体１０の円周方向および半径方向のいずれの領域にも照射される。また、線速度および出力パワーＰｗは、初期化装置の能力ならびに光記録媒体１０の膜構造および信号特性から最適値が選ばれる。また、送り速度は、レーザスポット径と処理時間との関係から最適な速度が選ばれる。 As a result, the laser beam is applied to both the circumferential direction and the radial direction of the optical recording medium 10. Further, the optimum values of the linear velocity and the output power Pw are selected from the capacity of the initialization device, the film structure of the optical recording medium 10 and the signal characteristics. Further, the optimum feed speed is selected from the relationship between the laser spot diameter and the processing time.

次に、図２を参照しながら、より具体的に初期化の方法の一例について説明する。まず、Ｌ１層４の初期化を行う。その後、Ｌ０層２の初期化を、Ｌ０層２において、ｒ０からｒ１間の領域でフォーカスの引き込みを行うことで、Ｌ０層２にフォーカスをかけ、Ｌ０層２全面の初期化が行われる。Ｌ０層２のｒ０からｒ１の範囲は、Ｌ０層２において、Ｌ０層２がＬ１層４に重ならない領域である。 Next, an example of the initialization method will be described more specifically with reference to FIG. First, the L1 layer 4 is initialized. Thereafter, the L0 layer 2 is initialized by focusing in the region between r0 and r1 in the L0 layer 2, so that the L0 layer 2 is focused, and the entire L0 layer 2 is initialized. The range from r0 to r1 of the L0 layer 2 is a region in the L0 layer 2 where the L0 layer 2 does not overlap the L1 layer 4.

一旦、Ｌ０層２にフォーカスを合わせることができれば、Ｌ０層２において、Ｌ０層２がＬ１層４に重なる領域にフォーカスをかける場合も、Ｌ０層２のフォーカスが外れることなく、Ｌ０層２全面を安定して初期化できる。 Once the L0 layer 2 can be focused, even if the L0 layer 2 is focused on the area where the L0 layer 2 overlaps the L1 layer 4, the entire L0 layer 2 is not lost even if the L0 layer 2 is out of focus. It can be initialized stably.

次に、初期化の経路の一例について具体的に説明する。まず、Ｌ１層４を外周から内周に初期化し、その後、Ｌ０層２の初期化を、Ｌ１層４が重ならないｒ０からｒ１の領域で、フォーカスの引き込みを行い、Ｌ０層２全面を内周から外周にわたって初期化する。 Next, an example of the initialization path will be specifically described. First, the L1 layer 4 is initialized from the outer periphery to the inner periphery, and then the L0 layer 2 is initialized by drawing the focus in the region from r0 to r1 where the L1 layer 4 does not overlap, Initialize over the outer circumference.

この工程によって、初期化に用いられるレーザ光の経路が最短となり、初期化処理にかかる時間を短縮化できる。 By this step, the path of the laser beam used for initialization becomes the shortest, and the time required for the initialization process can be shortened.

他の例としては、まず、Ｌ１層４を内周から外周に初期化し、その後、Ｌ０層２において、Ｌ０層２がＬ１層４に重ならないｒ０からｒ１の領域で、フォーカスの引き込みを行い、Ｌ０層２全面を内周から外周にわたり初期化する。 As another example, first, the L1 layer 4 is initialized from the inner periphery to the outer periphery, and then in the L0 layer 2, the focus is drawn in the region from r0 to r1 where the L0 layer 2 does not overlap the L1 layer 4, The entire L0 layer 2 is initialized from the inner periphery to the outer periphery.

次に、この発明の他の実施形態による光記録媒体の構成を説明する。図６は、この発明の一実施形態に係る光記録媒体の構成を概略的に示す。 Next, the configuration of an optical recording medium according to another embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 schematically shows a configuration of an optical recording medium according to an embodiment of the present invention.

この光記録媒体では、基板６１側から、情報記録層にレーザ光６６を照射することによって、情報信号の記録および／再生が行われる。例えば、６５０ｎｍ〜６６５ｎｍの波長を有するレーザ光６６を、０．６４〜０．６６の開口数を有する対物レンズ６７によって、集光し、基板６１側から情報記録層に照射することにより、情報信号の記録および／または再生が行われる。 In this optical recording medium, information signals are recorded and / or reproduced by irradiating the information recording layer with laser light 66 from the substrate 61 side. For example, a laser beam 66 having a wavelength of 650 nm to 665 nm is condensed by an objective lens 67 having a numerical aperture of 0.64 to 0.66, and irradiated to the information recording layer from the substrate 61 side, whereby an information signal is obtained. Are recorded and / or reproduced.

図６に示すように、この光記録媒体は、レーザ光の入射側から、第１の基板６１、Ｌ１層６２、中間層６３、Ｌ０層６４、第２の基板６５と順次積層された構成である。この光ディスクは、Ｌ０層６４において、Ｌ０層６４がＬ１層６２に重ならない領域を有する。 As shown in FIG. 6, this optical recording medium has a structure in which a first substrate 61, an L1 layer 62, an intermediate layer 63, an L0 layer 64, and a second substrate 65 are sequentially laminated from the laser beam incident side. is there. This optical disk has a region in which the L0 layer 64 does not overlap the L1 layer 62 in the L0 layer 64.

具体的には、Ｌ０層６４は、光記録媒体の中心からの距離ｒ０から形成される。Ｌ０層６４の内周側は、半径ｒ０の円環形状を形成する。Ｌ１層６２は、光記録媒体の中心からの距離ｒ１から形成される。Ｌ１層６２の内周側は、半径ｒ１の円環形状を形成する。Ｌ０層６４とＬ１層６２は、ｒ０＜ｒ１の関係を満たすように構成される。 Specifically, the L0 layer 64 is formed from a distance r0 from the center of the optical recording medium. The inner peripheral side of the L0 layer 64 forms an annular shape with a radius r0. The L1 layer 62 is formed from a distance r1 from the center of the optical recording medium. The inner peripheral side of the L1 layer 62 forms an annular shape with a radius r1. The L0 layer 64 and the L1 layer 62 are configured to satisfy the relationship r0 <r1.

このような構成を有する光記録媒体は、Ｌ０層６４において、Ｌ０層６４がＬ１層６２に重ならない領域で、フォーカスの引き込みを行うことによって、安定して初期化を行うことができる。さらには、安定して初期化を行うことができることによって、光記録媒体の品質を保持することができ、製造時のタクトアップ、コストダウンに資する。 The optical recording medium having such a configuration can be stably initialized by drawing the focus in the region where the L0 layer 64 does not overlap the L1 layer 62 in the L0 layer 64. Furthermore, since the initialization can be performed stably, the quality of the optical recording medium can be maintained, which contributes to a tact increase and a cost reduction during manufacturing.

上述の一実施形態および他の実施形態では、Ｌ０層の内側の半径をｒ０、Ｌ１層の内側の半径をｒ１とした場合に、Ｌ０層とＬ１層がｒ０＜ｒ１を満たす光記録媒体を説明したが、この発明は、この例に限定されるものではない。例えば、図７に示すように、Ｌ１層の外周側の半径をＲ１とし、Ｌ０層の外周側の半径をＲ０とした場合に、Ｒ１＜Ｒ０を満たすように、情報記録層を構成してもよい。 In the above-described embodiment and other embodiments, an optical recording medium in which the L0 layer and the L1 layer satisfy r0 <r1 when the inner radius of the L0 layer is r0 and the inner radius of the L1 layer is r1 is described. However, the present invention is not limited to this example. For example, as shown in FIG. 7, the information recording layer may be configured so that R1 <R0 is satisfied when the outer radius of the L1 layer is R1 and the outer radius of the L0 layer is R0. Good.

また、例えば、この光記録媒体を初期化する際には、まず、Ｌ１層から初期化を行い、次に、Ｒ１＜Ｒ０の領域で、フォーカスの引き込みを行い、その後、Ｌ０層全面の初期化を行う。 For example, when initializing this optical recording medium, first, initialization is performed from the L1 layer, then focus is drawn in the region of R1 <R0, and then the entire L0 layer is initialized. I do.

一旦、Ｌ０層にフォーカスを合わせることができれば、Ｌ０層において、Ｌ０層がＬ１層に重なる領域にフォーカスをかける場合も、Ｌ０層のフォーカスが外れることなく、Ｌ０層全面を安定して初期化できる。 Once the L0 layer can be focused, the entire L0 layer can be stably initialized without losing the focus of the L0 layer even when the L0 layer is focused on the area where the L0 layer overlaps the L1 layer. .

以下に、実施例に基づいてこの発明をさらに具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically based on examples, but the present invention is not limited to these examples.

＜実施例＞
まず、射出成形によって、基板１を成形した。その一主面には、スタンパによりランドおよびグルーブを転写した。基板１は、円形基板とし、直径が１２０ｍｍ、厚さが１．１ｍｍとした。 <Example>
First, the substrate 1 was formed by injection molding. On one main surface, lands and grooves were transferred by a stamper. The substrate 1 was a circular substrate with a diameter of 120 mm and a thickness of 1.1 mm.

Ｌ０層２として、反射層２ａ、第２の下層誘電体層２ｂ、第１の下層誘電体層２ｃ、記録層２ｄ、第１の上層誘電体層２ｅ、第２の上層誘電体層２ｆを、図４に示すスパッタリング装置を用いたマグネトロンスパッタリング方式によって、基板１上に、順次積層した。この際、内周マスク３１は、半径２０ｍｍのものを用いて、Ｌ０層２の内周側の半径がｒ０＝２０ｍｍとなるように、Ｌ０層２を形成した。 As the L0 layer 2, the reflective layer 2a, the second lower dielectric layer 2b, the first lower dielectric layer 2c, the recording layer 2d, the first upper dielectric layer 2e, and the second upper dielectric layer 2f, The layers were sequentially laminated on the substrate 1 by a magnetron sputtering method using the sputtering apparatus shown in FIG. At this time, the inner peripheral mask 31 having a radius of 20 mm was used, and the L0 layer 2 was formed so that the inner peripheral radius of the L0 layer 2 was r0 = 20 mm.

反射層２ａとしては、Ａｇ合金を１００ｎｍの厚さで成膜した。第２の下層誘電体層２ｂとしては、ＳｉＮを５ｎｍの厚さで成膜した。第１の下層誘電体層２ｃとしては、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂を５ｎｍの厚さで成膜した。記録層２ｄとしては、ＧｅＳｂＴｅを１２ｎｍの厚さで成膜した。第１の上層誘電体層２ｅとしては、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂を１０ｎｍの厚さで成膜した。第２の上層誘電体層２ｆとしては、ＳｉＮを４０ｎｍの厚さで成膜した。 As the reflective layer 2a, an Ag alloy was formed to a thickness of 100 nm. As the second lower dielectric layer 2b, SiN was formed to a thickness of 5 nm. As the first lower dielectric layer 2c, a ZnS—SiO ₂ film having a thickness of 5 nm was formed. As the recording layer 2d, GeSbTe was formed to a thickness of 12 nm. As the first upper dielectric layer 2e, ZnS—SiO ₂ was formed to a thickness of 10 nm. As the second upper dielectric layer 2f, SiN was deposited to a thickness of 40 nm.

反射層２ａ、第１の下層誘電体層２ｃ、記録層２ｄ、第１の上層誘電体層２ｅは、以下の成膜条件でおこなった。
真空到達度：１．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：３．０×１０^-1Ｐａ
投入電力：３ｋＷｈ
ガス種：Ａｒガス The reflective layer 2a, the first lower dielectric layer 2c, the recording layer 2d, and the first upper dielectric layer 2e were performed under the following film forming conditions.
Degree of vacuum: 1.0 × 10 ⁻⁵ Pa
Atmosphere: 3.0 × 10 ⁻¹ Pa
Input power: 3kWh
Gas type: Ar gas

第２の下層誘電体層２ｂおよび第２の上層誘電体層２ｆは、以下の成膜条件で行った。
真空到達度：１．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：３．０×１０^-1Ｐａ
投入電力：３ｋＷｈ
ガス種：Ａｒガスおよび窒素ガス
窒素ガス量：３０ｓｃｃｍ The second lower dielectric layer 2b and the second upper dielectric layer 2f were performed under the following film forming conditions.
Degree of vacuum: 1.0 × 10 ⁻⁵ Pa
Atmosphere: 3.0 × 10 ⁻¹ Pa
Input power: 3kWh
Gas type: Ar gas and nitrogen gas Amount of nitrogen gas: 30 sccm

次に、紫外線硬化樹脂を、スピンコートによって、Ｌ０層２上に塗布し、その後、樹脂からなるスタンパを重ね、紫外線ランプ（ＵＶランプ）によって、紫外線を樹脂からなるスタンパ側から、約１秒間照射することで硬化し、厚さ２５μmの中間層３を形成した。 Next, an ultraviolet curable resin is applied onto the L0 layer 2 by spin coating, and then a stamper made of resin is stacked thereon, and ultraviolet rays are irradiated from the stamper side made of resin by the ultraviolet lamp (UV lamp) for about 1 second. Thus, the intermediate layer 3 having a thickness of 25 μm was formed.

次に、Ｌ１層４として、第１の下層誘電体層４ａ、反射層４ｂ、第２の下層誘電体層４ｃ、記録層４ｄ、上層誘電体層４ｅを、図４に示すスパッタリング装置を用いたマグネトロンスパッタリング方式によって、中間層３上に、順次積層した。この際、内周マスク３１は、半径２１ｍｍのものを用いて、Ｌ１層４の内周側の半径がｒ１＝２１ｍｍとなるように、Ｌ１層４を形成した。 Next, the first lower dielectric layer 4a, the reflective layer 4b, the second lower dielectric layer 4c, the recording layer 4d, and the upper dielectric layer 4e were used as the L1 layer 4 by using the sputtering apparatus shown in FIG. The layers were sequentially stacked on the intermediate layer 3 by magnetron sputtering. At this time, the inner peripheral mask 31 having a radius of 21 mm was used, and the L1 layer 4 was formed so that the inner peripheral radius of the L1 layer 4 was r1 = 21 mm.

最下部誘電体層である第１の下層誘電体層４ａとしては、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂を２０ｎｍの厚さで成膜した。反射層４ｂとしては、Ａｇ合金を１０ｎｍの厚さで成膜した。第２の下層誘電体層４ｃとしては、ＳｉＮを１０ｎｍの厚さで成膜した。記録層４ｄとしては、ＧｅＳｂＴｅを８ｎｍの厚さで成膜した。上層誘電体層４ｅとしては、ＳｉＮを３０ｎｍの厚さで成膜した。 The first lower dielectrics layer 4a is the bottom dielectric layer was formed ZnS-SiO ₂ with a thickness of 20 nm. As the reflective layer 4b, an Ag alloy was formed to a thickness of 10 nm. As the second lower dielectric layer 4c, SiN was formed to a thickness of 10 nm. As the recording layer 4d, GeSbTe was formed to a thickness of 8 nm. As the upper dielectric layer 4e, SiN was formed to a thickness of 30 nm.

最下部誘電体層である第１の下層誘電体層４ａ、反射層４ｂ、記録層４ｄは、以下の成膜条件でおこなった。
真空到達度：１．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：３．０×１０^-1Ｐａ
投入電力：３ｋＷｈ
ガス種：Ａｒガス The first lower dielectric layer 4a, the reflective layer 4b, and the recording layer 4d, which are the lowermost dielectric layers, were formed under the following film forming conditions.
Degree of vacuum: 1.0 × 10 ⁻⁵ Pa
Atmosphere: 3.0 × 10 ⁻¹ Pa
Input power: 3kWh
Gas type: Ar gas

第２の下層誘電体層４ｃおよび上層誘電体層４ｅは、以下の成膜条件で行った。
真空到達度：１．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：３．０×１０^-1Ｐａ
投入電力：３ｋＷｈ
ガス種：Ａｒガスおよび窒素ガス
窒素ガス量：３０ｓｃｃｍ The second lower dielectric layer 4c and the upper dielectric layer 4e were performed under the following film forming conditions.
Degree of vacuum: 1.0 × 10 ⁻⁵ Pa
Atmosphere: 3.0 × 10 ⁻¹ Pa
Input power: 3kWh
Gas type: Ar gas and nitrogen gas Amount of nitrogen gas: 30 sccm

光透過層５は、厚さを７５μｍとし、Ｌ１層４形成後、Ｌ１層４上に、接着層と、ポリカーボネートシートによって、形成した。 The light transmission layer 5 had a thickness of 75 μm, and was formed on the L1 layer 4 with an adhesive layer and a polycarbonate sheet after the L1 layer 4 was formed.

以上の工程によって、実施例のサンプルを作製した。実施例のサンプルにおいては、Ｌ０層２を光記録媒体の中心からの距離２０ｍｍから５９ｍｍの範囲で形成し、Ｌ１層４を中心からの距離が２１ｍｍから５９ｍｍの範囲で形成することで、実施例１のサンプルがｒ０＜ｒ１を満たすようにＬ０層２、Ｌ１層４を形成した。 The sample of the Example was produced by the above process. In the sample of the example, the L0 layer 2 is formed in the range of 20 mm to 59 mm from the center of the optical recording medium, and the L1 layer 4 is formed in the range of 21 mm to 59 mm from the center. The L0 layer 2 and the L1 layer 4 were formed so that one sample satisfies r0 <r1.

＜比較例＞
Ｌ０層２およびＬ１層４を、半径２０ｍｍから５９ｍｍの領域で形成したことを除いては、実施例と同様とし、光ディスクを作製した。 <Comparative example>
An optical disc was manufactured in the same manner as in the example except that the L0 layer 2 and the L1 layer 4 were formed in an area having a radius of 20 mm to 59 mm.

＜初期化方法の検討＞
作製したサンプルを、図６に示す初期化装置でフォーカスをかけた。この際に、初期化前のＬ０層２と、初期化後のＬ１層４のフォーカスエラー信号を、観察し、安定した初期化方法を得るべく、初期化方法の検討を行った。なお、初期化処理は、以下の条件で、初期化装置（パルステック社製、商品名：ODI-1000）を用いて、行った。
線速度：５ｍ／ｓ
初期化レーザパワーＰＷ：１０００ｍＷ
送り量：２００μｍ／回転 <Examination of initialization method>
The produced sample was focused with the initialization apparatus shown in FIG. At this time, the focus error signals of the L0 layer 2 before initialization and the L1 layer 4 after initialization were observed, and the initialization method was examined in order to obtain a stable initialization method. The initialization process was performed using an initialization apparatus (trade name: ODI-1000, manufactured by Pulse Tech Co., Ltd.) under the following conditions.
Linear velocity: 5m / s
Initialization laser power PW: 1000 mW
Feed amount: 200μm / rotation

作製した比較例のサンプルに対して、初期化前にレーザ光を照射し、フォーカシングを行うためのフォーカスエラー信号を、オシロスコープにて観察した。この際、フォーカスエラー信号を、ゲインコントロールし、大きな方のフォーカスエラー信号が一定電圧となるように調整した。 The prepared sample of the comparative example was irradiated with a laser beam before initialization, and a focus error signal for performing focusing was observed with an oscilloscope. At this time, the gain of the focus error signal was controlled and adjusted so that the larger focus error signal had a constant voltage.

フォーカスエラー信号の測定は、Ｌ１層４が結晶の場合と、Ｌ１層４が非晶質の場合とで、Ｌ０層２からのフォーカスエラー信号振幅と、Ｌ１層４からのフォーカスエラー信号振幅を測定し、Ｖ０とＶ１との比をフォーカスエラー信号振幅比として求めた。 The focus error signal is measured by measuring the focus error signal amplitude from the L0 layer 2 and the focus error signal amplitude from the L1 layer 4 when the L1 layer 4 is crystalline and when the L1 layer 4 is amorphous. The ratio between V0 and V1 was obtained as the focus error signal amplitude ratio.

Ｌ０層２またはＬ１層４のフォーカスエラー信号が極端に小さくなる場合は、フォーカスをかけることが困難である。したがって、フォーカスエラー信号振幅比に基づいて、Ｌ０層２またはＬ１層４の安定したフォーカシングの可否が判定できる。 When the focus error signal of the L0 layer 2 or the L1 layer 4 becomes extremely small, it is difficult to focus. Therefore, it is possible to determine whether or not the L0 layer 2 or the L1 layer 4 can be stably focused based on the focus error signal amplitude ratio.

まず、Ｌ１層４が非晶質の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ０／Ｖ_Ｌ１）を測定した。Ｌ１層４が非晶質の場合は、フォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ０／Ｖ_Ｌ１）が０．３７であり、安定して、Ｌ０層２にフォーカスをかけることができなかった。 First, the focus error signal amplitude ratio (V_L0 / V_L1) when the L1 layer 4 is amorphous was measured. When the L1 layer 4 was amorphous, the focus error signal amplitude ratio (V_L0 / V_L1) was 0.37, and the L0 layer 2 could not be focused stably.

次に、Ｌ１層４が結晶の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ０／Ｖ_Ｌ１）を測定した。Ｌ１層４が結晶の場合は、フォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ０／Ｖ_Ｌ１）が０．０７であり、安定して、Ｌ０層２にフォーカスをかけることができなかった。 Next, the focus error signal amplitude ratio (V_L0 / V_L1) when the L1 layer 4 is a crystal was measured. When the L1 layer 4 was a crystal, the focus error signal amplitude ratio (V_L0 / V_L1) was 0.07, and the L0 layer 2 could not be focused stably.

Ｌ１層４が非晶質の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ０／Ｖ_Ｌ１）の測定結果と、Ｌ１層４が結晶の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ０／Ｖ_Ｌ１）の測定結果を下記表１にまとめた。 Table 1 shows the measurement result of the focus error signal amplitude ratio (V_L0 / V_L1) when the L1 layer 4 is amorphous and the measurement result of the focus error signal amplitude ratio (V_L0 / V_L1) when the L1 layer 4 is crystal. Summarized in

以上の結果より、比較例のサンプルにおいては、Ｌ１層４を先に初期化した後、Ｌ０層２を初期化した場合に、安定してＬ０層２を初期化できないことがわかった。さらにＬ０層２を先に初期化し、その後Ｌ１層４を初期化する場合も、安定してＬ０層２を初期化できないことがわかった。したがって、比較例のサンプルにおいては、Ｌ１層４を透過して、Ｌ０層２を安定して初期化できないことがわかった。 From the above results, it was found that in the sample of the comparative example, when the L0 layer 2 was initialized after the L1 layer 4 was initialized first, the L0 layer 2 could not be initialized stably. Furthermore, it was found that the L0 layer 2 could not be initialized stably even when the L0 layer 2 was initialized first and then the L1 layer 4 was initialized. Therefore, it was found that in the sample of the comparative example, the L1 layer 4 could not pass through and the L0 layer 2 could not be initialized stably.

実施例のサンプルにおいては、Ｌ０層２が非晶質の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ１／Ｖ_Ｌ０）と、Ｌ０層２が結晶の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ１／Ｖ_Ｌ０）を、比較例と同様にして、測定した。 In the sample of the example, the focus error signal amplitude ratio (V_L1 / V_L0) when the L0 layer 2 is amorphous is compared with the focus error signal amplitude ratio (V_L1 / V_L0) when the L0 layer 2 is crystal. Measurements were made in the same manner as in the examples.

まず、Ｌ０層２が非晶質の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ１／Ｖ_Ｌ０）を測定した。Ｌ０層２が非晶質の場合は、フォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ１／Ｖ_Ｌ０）が２．７であり、安定して、Ｌ１層４にフォーカスをかけることができた。 First, the focus error signal amplitude ratio (V_L1 / V_L0) when the L0 layer 2 is amorphous was measured. When the L0 layer 2 was amorphous, the focus error signal amplitude ratio (V_L1 / V_L0) was 2.7, and it was possible to focus the L1 layer 4 stably.

次に、Ｌ０層２が結晶の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ１／Ｖ_Ｌ０）を測定した。Ｌ０層２が結晶の場合は、フォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ１／Ｖ_Ｌ０）が０．１５であり、安定して、Ｌ１層４にフォーカスをかけることができなかった。 Next, the focus error signal amplitude ratio (V_L1 / V_L0) when the L0 layer 2 is a crystal was measured. When the L0 layer 2 was a crystal, the focus error signal amplitude ratio (V_L1 / V_L0) was 0.15, and the L1 layer 4 could not be focused stably.

Ｌ０層２が非晶質の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ１／Ｖ_Ｌ０）の測定結果と、Ｌ０層２が結晶の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ１／Ｖ_Ｌ０）の測定結果を、下記表２にまとめた。 The measurement results of the focus error signal amplitude ratio (V_L1 / V_L0) when the L0 layer 2 is amorphous and the measurement results of the focus error signal amplitude ratio (V_L1 / V_L0) when the L0 layer 2 is crystal are shown in the table below. It was summarized in 2.

以上より、実施例のサンプルにおいては、Ｌ０層２は、Ｌ１層４が重ならない領域で、フォーカスをかけることにより、安定して、Ｌ０層２全面を初期化できる。さらに、フォーカスエラー信号振幅比の測定結果より、Ｌ０層２が結晶の場合は、安定して、Ｌ１層４にフォーカスをかけることができないことがわかる。 As described above, in the sample of the example, the entire L0 layer 2 can be initialized stably by focusing on the L0 layer 2 in a region where the L1 layer 4 does not overlap. Further, from the measurement result of the focus error signal amplitude ratio, it can be seen that when the L0 layer 2 is a crystal, the L1 layer 4 cannot be stably focused.

したがって、実施例のサンプルにおいては、まず、Ｌ１層４にフォーカスをかけてＬ１層４全面の初期化を行い、その後、Ｌ０層２において、Ｌ０層２がＬ１層４に重ならない領域であるｒ０からｒ１の領域内で、フォーカスの引き込みを行い、Ｌ０層２全面の初期化を行うことによって、安定して、初期化できることがわかった。 Therefore, in the sample of the example, first, the L1 layer 4 is focused and the entire surface of the L1 layer 4 is initialized, and then the L0 layer 2 is a region where the L0 layer 2 does not overlap the L1 layer 4. From the region r1 to r1, it is found that the focus can be pulled in and the entire surface of the L0 layer 2 can be initialized so that it can be initialized stably.

実際に、まず、Ｌ１層４にフォーカスをかけて、外周から内周にわたって、Ｌ１層４全面を初期化し、その後、Ｌ０層２において、中心からの距離２０．５ｍｍのＬ１層４が重ならない領域で、Ｌ０層２にフォーカスをかけて、Ｌ０層２全面の初期化を、内周から外周にかけて、行ったところ、安定して、実施例のサンプルのＬ０層２およびＬ１層４の初期化を行うことができた。 Actually, first, the L1 layer 4 is focused and the entire surface of the L1 layer 4 is initialized from the outer periphery to the inner periphery. Thereafter, in the L0 layer 2, the L1 layer 4 having a distance of 20.5 mm from the center does not overlap. Then, focusing on the L0 layer 2 and initializing the entire surface of the L0 layer 2 from the inner periphery to the outer periphery, the initialization of the L0 layer 2 and the L1 layer 4 of the sample of the example was stably performed. Could be done.

この発明は、上述したこの発明の実施形態に限定されるものでは無く、この発明の要旨を逸脱しない範囲内で様々な変形や応用が可能である。例えば、Ｌ１層上に、さらに、何層かの中間層と情報記録層を形成してもよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiments of the present invention, and various modifications and applications are possible without departing from the spirit of the present invention. For example, several intermediate layers and information recording layers may be formed on the L1 layer.

この際、レーザ光の遠い方の情報記録層において、レーザ光に近い方の情報記録層が重ならない領域を有するように構成する。例えば、情報記録層をレーザ光の入射側に近い方からＬｎ層とし、Ｌｎ層の内周側の半径をｒｎと規定した場合に、情報記録層をｒｎ＜ｒｎ+１の式を満たすような構成としてもよい。 At this time, the information recording layer farther from the laser beam is configured to have a region where the information recording layer closer to the laser beam does not overlap. For example, when the information recording layer is an Ln layer from the side closer to the laser beam incident side and the radius on the inner peripheral side of the Ln layer is defined as rn, the information recording layer satisfies the expression rn <rn + 1. It is good also as a structure.

情報記録層をｒｎ＜ｒｎ+１の構成とする場合は、Ｌｎ層を形成する際に、ｒｎに対応する大きさの内周マスクを用いることで、形成可能である。 When the information recording layer has a configuration of rn <rn + 1, it can be formed by using an inner mask having a size corresponding to rn when forming the Ln layer.

この発明の一実施形態による光記録媒体の構成を示す概略図である。1 is a schematic diagram showing a configuration of an optical recording medium according to an embodiment of the present invention. この発明の一実施形態による光記録媒体の構成を示す概略図である。1 is a schematic diagram showing a configuration of an optical recording medium according to an embodiment of the present invention. この発明の一実施形態による図１の光記録媒体のＸ−Ｙ線の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line XY of the optical recording medium of FIG. 1 according to an embodiment of the present invention. スパッタリング装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of a sputtering device. 初期化装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of an initialization apparatus. この発明の他の実施形態による光記録媒体の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of the optical recording medium by other Embodiment of this invention. この発明の実施形態による光記録媒体の構成例を示す概略図である。It is the schematic which shows the structural example of the optical recording medium by embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１・・・基板
２・・・第０情報記録層（Ｌ０層）
２ａ・・・反射層
２ｂ・・・下層誘電体層
２ｃ・・・下層誘電体層
２ｄ・・・記録層
２ｅ・・・上層誘電体層
２ｆ・・・上層誘電体層
３・・・中間層
４・・・第１情報記録層（Ｌ１層）
４ａ・・・下層誘電体層
４ｂ・・・反射層
４ｃ・・・下層誘電体層
４ｄ・・・記録層
４ｅ・・・上層誘電体層
５・・・光透過層
６・・・レーザ光
７・・・対物レンズ
１０・・・光記録媒体
６１・・・第１の基板
６２・・・第１情報記録層（Ｌ１層）
６３・・・中間層
６４・・・第０情報記録層（Ｌ０層）
６５・・・第２の基板
６６・・・レーザ光
６７・・・対物レンズ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... 0th information recording layer (L0 layer)
2a ... reflective layer 2b ... lower dielectric layer 2c ... lower dielectric layer 2d ... recording layer 2e ... upper dielectric layer 2f ... upper dielectric layer 3 ... intermediate layer 4. First information recording layer (L1 layer)
4a ... Lower dielectric layer 4b ... Reflective layer 4c ... Lower dielectric layer 4d ... Recording layer 4e ... Upper dielectric layer 5 ... Light transmission layer 6 ... Laser light 7 ... Objective lens 10 ... Optical recording medium 61 ... First substrate 62 ... First information recording layer (L1 layer)
63: Intermediate layer 64: 0th information recording layer (L0 layer)
65 ... Second substrate 66 ... Laser light 67 ... Objective lens

Claims

基板と、上記基板に形成された２層の情報記録層とを備え、
上記情報記録層が４００ｎｍ〜４１０ｎｍの波長を有するレーザ光を照射することにより非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能である光記録媒体の初期化を、赤外光のレーザ光を用いて行う光記録媒体の初期化方法であって、
光記録媒体は上記情報記録層のレーザ光の入射側に近い方をＬ１層、遠い方をＬ０層とし、
上記Ｌ１層の内周側の半径ｒ１と、上記Ｌ０層の内周側の半径をｒ０とした場合に、
ｒ０＜ｒ１を満たし、
Ｌ１層の初期化後、Ｌ０層において、Ｌ０層がＬ１層に重ならない領域で、赤外光のレーザ光によりフォーカスの引き込みを行う光記録媒体の初期化方法。 A substrate, and two information recording layers formed on the substrate,
An optical recording medium capable of recording and erasing information signals by reversibly changing the phase between an amorphous phase and a crystalline phase by irradiating the information recording layer with laser light having a wavelength of 400 nm to 410 nm. An initialization method for an optical recording medium in which initialization is performed using infrared laser light ,
The optical recording medium has an L1 layer closer to the laser light incident side of the information recording layer and an L0 layer farther away.
When the radius r1 on the inner circumference side of the L1 layer and the radius on the inner circumference side of the L0 layer are r0,
r0 <r1 is satisfied,
An initialization method of an optical recording medium in which, after initialization of the L1 layer, focus is pulled in by an infrared laser beam in an area where the L0 layer does not overlap the L1 layer in the L0 layer.

請求項１において、
上記Ｌ１層は、内周から外周方向に初期化を行い、
上記Ｌ０層は、内周から外周方向に初期化を行う光記録媒体の初期化方法。 In claim 1,
The L1 layer is initialized from the inner periphery to the outer periphery,
The L0 layer is an initialization method of an optical recording medium in which initialization is performed from the inner periphery to the outer periphery.

請求項１において、
上記Ｌ１層は、外周から内周方向に初期化を行い、
上記Ｌ０層は、内周から外周方向に初期化を行う光記録媒体の初期化方法。 In claim 1,
The L1 layer is initialized from the outer periphery to the inner periphery,
The L0 layer is an initialization method of an optical recording medium in which initialization is performed from the inner periphery to the outer periphery.

基板と、上記基板に形成された少なくとも２以上の情報記録層とを備え、
上記情報記録層が４００ｎｍ〜４１０ｎｍの波長を有するレーザ光を照射することにより非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能である光記録媒体の初期化を、赤外光のレーザ光を用いて行う光記録媒体の初期化方法であって、
光記録媒体は上記情報記録層をレーザ光の入射側に遠い方からＬｎ層（ｎは０以上の整数）とし、上記Ｌｎ層の内周側の半径をｒｎとした場合に、ｒｎ＜ｒｎ＋１を満たし、
Ｌｎ＋１層の初期化後、Ｌｎ層において、Ｌｎ層がＬｎ＋１層に重ならない領域で、赤外光のレーザ光によりフォーカスの引き込みを行う光記録媒体の初期化方法。 A substrate and at least two or more information recording layers formed on the substrate;
An optical recording medium capable of recording and erasing information signals by reversibly changing the phase between an amorphous phase and a crystalline phase by irradiating the information recording layer with laser light having a wavelength of 400 nm to 410 nm. An initialization method for an optical recording medium in which initialization is performed using infrared laser light ,
In the optical recording medium, when the information recording layer is an Ln layer (n is an integer of 0 or more) from the side farther from the laser beam incident side, and the radius of the inner peripheral side of the Ln layer is rn, rn <rn + 1 is satisfied. Meet,
A method of initializing an optical recording medium in which, after initialization of an Ln + 1 layer, focus is drawn by an infrared laser beam in a region where the Ln layer does not overlap the Ln + 1 layer in the Ln layer.

請求項４において、
上記Ｌｎ＋１層は、内周から外周方向に初期化を行い、
上記Ｌｎ層は、内周から外周方向に初期化を行う光記録媒体の初期化方法。 In claim 4,
The Ln + 1 layer is initialized from the inner periphery to the outer periphery,
The Ln layer is initialized from the inner periphery to the outer periphery in an optical recording medium initialization method.

請求項４において、
上記Ｌｎ＋１層は、外周から内周方向に初期化を行い、
上記Ｌｎ層は、内周から外周方向に初期化を行う光記録媒体の初期化方法。 In claim 4,
The Ln + 1 layer is initialized from the outer periphery to the inner periphery,
The Ln layer is initialized from the inner periphery to the outer periphery in an optical recording medium initialization method.